Beruflich Dokumente
Kultur Dokumente
Estudiantes:
Alvarado, Felipe
Roa, Nathia
8-841-1834
8-864-1854
Grupo:
1IE-341 (Sub Grupo B)
Periodo Acadmico:
Verano 2015
Fecha de entrega:
Lunes 19 de enero de 2015
Instructor de laboratorio:
Cristhopher Lopez
RESUMEN
Este laboratorio se demuestra la aplicacin de los MOSFET y los BJT en la
implementacin de circuitos lgicos, para ello se utilizan el software multisim y se
simulan los circuitos asignados en la gua. Debido a que el software que se utilizo
en el laboratorio no contaba con alguno de los componentes, es decir los
transistores, estoy fueron reemplazados segn se nos asigno a medida que se
realizo la experiencia. En la primera parte se utilizan los transistores operndolos
entre la regin de corte y saturacin para los MOSFET, activa para los BJT para
variar la seal de salida entre dos niveles de voltaje. En la segunda parte se
estudiara como estos transistores se comportan con una seal de reloj aplicada a
sus terminales de control y posterior mente comprobar si la variacin en la salida
es tan rpido como la entrada, es decir la seal aplicada en las terminales de
control.
RESULTADOS
Figura: 1. Circuito con MOSFET canal N 2N700 y las medidas de los multmetro en los dos estados
Abierto
Cerrado
0.012219
10
Nivel lgico de
salida
0
1
Figura: 2. Circuito con MOSFET canal N BST100 y las medidas de los multmetro en los dos
estados
Abierto
Cerrado
0.000060273
9.978
Nivel lgico de
salida
0
1
Ahora se muestran los datos y resultados obtenidos con los BJT, la figura 3 se
muestra el circuito simulado para un BJT NPN y junto a ella se adjunta la tabla 3
que muestra los resultados obtenidos al medir los niveles de voltaje.
Figura 3. Circuito con BJT NPN 2N2222A y las medidas de los multmetro en los dos estados
lgicos de entrada
Entrada lgica
0
1
5
0.069906
Nivel lgico de
salida
1
0
Por ltimo se muestra la simulacin del BJT PNP en la figura 4 y de igual manera
como se realizo previamente, se exponen los resultados en la tabla 4.
Figura 4. Circuito con BJT NPN 2N3702 y las medidas de los multmetro en los dos estados lgicos
de entrada.
Entrada lgica
0
1
4.938
0.000001311
Nivel lgico de
salida
1
0
Figura 6: grafica de salida obtenida al aplicar una seal de pulsos continuos en la entrada.
Figura 8: grafica de salida obtenida al aplicar una seal de reloj en la entrada del circuito del BJT
Asignaciones:
1. Presentar el reporte del trabajo.
2. Informe del estado operativo de los transistores:
iD =
100.012219
=4.99mA
2000
3. Velocidad de respuesta.
Para determinar la velocidad de respuesta de los transistores del bloque 1 y
bloque 3 se utiliza los marcadores como se muestra a continuacin en la figura 9 y
10, en estas se ve una escala ampliada de los grficos de la parte 2.
Para el bloque 1:
RECOMENDACIONES:
Se recomienda para el caso de simulaciones la revisin previa de la gua, es decir
verificar que los componentes del circuito que se va a simular, estn disponibles
en el software del laboratorio para evitar improvisaciones que puedan afectar
con el objetivo que debe cumplir la experiencia.
Una breve introduccin teora seria de ayuda a la hora de realizar la experiencia,
debido a que la experiencia de laboratorio puede que se adelante a los temas de
clases.
CONCLUSIONES
Alvarado, Felipe:
Una vez realizada esta experiencia se observo que se pueden obtener niveles
lgicos con BJT y MOSFET controlando el nivel de voltaje para los MOSFET en la
compuerta y la corriente de la base en los BJT, las regiones en las que operan
MOSFET son entre corte y saturacin mientras que los BJT operan entre corte y
regin activa. Hay que mencionar que esta operacin se logra con un circuito de
polarizacin. El voltaje en la salida no necesariamente tiene que ser 0V pero en
niveles de voltaje tan pequeos esto conduce a un esta lgico de 0 mientras que
un nivel lgico alto por ejemplo 4.95 ya se considera un nivel lgico de 1.
En la segunda parte se puede ver que aplicando una seal variable en la entrada
se puede obtener una seal variable en la salida, que cambia tan rpido como la
entrada con una pea diferencia en la salida, pero esta diferencia es tan pequea
que al operar los transistores es imperceptible y por lo tanto en la prctica se toma
como si la variacin fuera instantnea
Roa, Nathia:
FIRMAS:
Alvarado, Felipe
8-841-1834
Roa, Nathia
8-864-1854