Miguel ngel Garca Cham

Tpicos Selectos de Ingeniera Biomdica I

Propiedades Mecnicas de los Materiales para MEMS

En este trabajo mostrar en forma tabular los resultados de las propiedades
mecnicas de los materiales utilizados en las estructuras de MEMS. Debido
a que an no existe un mtodo de prueba estndar, una variedad amplia de
valores se obtienen de materiales supuestamente idnticos.
Casi todos los datos enumerados proviene de experimentos directamente
relacionados con las pelculas estructurales independientes. Muchos de los
resultados son los valores medios de varias repeticiones, y las desviaciones
estndar se incluyen cuando estn disponibles. Muchos de los materiales
usados en MEMS son cermicos y muestran un comportamiento lineal y
quebradizo, en cuyo caso se especifica la resistencia a la fractura. Las tablas
para materiales dctiles muestran tanto el rendimiento y resistencia a la
rotura. Un nmero limitado de estudios se han realizado sobre los efectos de
las condiciones ambientales (temperatura, cido fluorhdrico, agua salada,
etc.) sobre los materiales de MEMS, por tanto, poca informacin se muestra
al respecto.
Las curvas tpicas de tensin-deformacin se representan grficamente en
Figura 1 para comparar el comportamiento mecnico de los materiales de
MEMS con un acero estructural comn, A533-B, que es moderadamente
fuerte (resistencia a la fluencia de 440 MPa), pero dctil y resistente. El
polisilicio es lineal y quebradizo y mucho ms fuerte. El nquel utilizado en
MEMS es dctil y considerablemente ms fuerte que de un volumen grande
de nquel puro. Se deben probar los materiales cuando se ocuparn para
MEMS en lugar de confiar en los valores a escalas macromtricas.

Figura 1. Curvas de tensin-deformacin representativos de

polisilicio, de nquel electrodepositado y de acero A-533B.

La Tabla 1 lista los metales usados en MEMS de manera independiente. El

aluminio se utiliza actualmente, pero hay otros materiales que se utilizan
comnmente en la industria de la electrnica y que puede ser de inters.
Todos los materiales son dctiles, las curvas completas de tensindeformacin se incluyen en muchas de las referencias. Los valores del
mdulo de Young medido para materiales puros a escala macromtrica se
listan para referencia.
Tabla 1. Metales

Tabla 2. Propiedades mecnicas del mono cristal de silicio (SCS) frente a

otros materiales.

Las propiedades significativas que han hecho del silicio un xito, no slo
para aplicaciones electrnicas sino tambin para aplicaciones mecnicas, se
revisan en las Tablas 2 y 3. A partir de estas tablas, se reiteran algunas de
las razones del xito del silicio como elemento sensor mecnico:
El silicio supera al acero inoxidable en resistencia a la fluencia y
tambin muestra una densidad menor que la del aluminio.
La dureza del silicio es ligeramente mejor que la de acero inoxidable;
que se acerca a la de cuarzo y es ms alta que la mayora de los
vidrios comunes.
El mdulo de Young del silicio tiene un valor prximo al del acero
inoxidable y muy por encima de la de cuarzo. De las Tablas 2 y 3, se
observa que Si3N4, un revestimiento utilizado a menudo en el silicio,
tiene una dureza superada slo por un material tal como el diamante.
La combinacin de silicio con recubrimientos de nitruro de silicio, por
lo tanto, se puede utilizar para los componentes altamente
resistentes al desgaste como se requiere en micromecanismos tales
como micromotores .

Tabla 3. Caractersticas del silicio mono cristalino

Silicio policristalino
El polisilicio (una abreviatura de silicio policristalino) extensamente es usado
en la industria de circuitos integrados para resistencias, puertas para
transistores, transistores de pelcula delgada, etc. Es un material ideal para
microresistencias. Una comparacin de algunas propiedades claves de
polisilicio y otros materiales es presentada en la tabla siguiente.
Tabla 4. Comparacin de las propiedades mecnicas del polisilicio con otros
materiales.

Dixido de silicio (SiO2)

Hay tres usos principales del xido de silicio en microsistemas: como un
aislador trmico y elctrico, como una mscara en los sustratos de silicio y
como una capa de sacrificio en el micromaquinado. El xido de silicio tiene
la resistencia mucho ms fuerte a la mayor parte de etchants que el silicio.
Las propiedades importantes de xido de silicio son mencionadas en Tabla
5.
Tabla 5. Propiedades del dixido de silicio

Nitruro de silicio
El nitruro de silicio (Si 3N4) tiene muchas propiedades que son atractivas para
MEMS y microsistemas. Este proporciona una barrera excelente para la
difusin del agua e iones como el sodio. Su resistencia ultrafuerte a la
oxidacin lo hace conveniente para mscaras en el desgaste profundo. Los
usos de nitruro de silicio incluyen guas de ondas pticos, encapsulamiento
para prevenir la difusin del agua y otros fluidos txicos en el sustrato.
Tambin es usado como aislador elctrico y mscara de implantacin de ion.
Tabla 6. Propiedades del nitruro de silicio

El nitruro de silicio de puede obtener de acuerdo a la siguiente reaccin:

3 SiCl2H2 + 4 NH3 Si3N4 + 6 HCl + 6H2

Las propiedades de nitruro de solicio se enlistan en Tabla 6. El proceso de
depsito de vapor puede ser de dos tipos: deposito qumico de vapor a baja
presin (LPCVD) y depsito qumico de vapor de plasma aumentado
(PECVD).
Carburo de silicio
El uso principal del carburo de silicio (SiC) en microsistemas es su
estabilidad dimensional y qumica en altas temperaturas. Esto tiene la
resistencia muy fuerte a la oxidacin an en muy altas temperaturas. Las
pelculas delgadas de carburo de silicio a menudo son depositadas sobre
componentes MEMS para protegerlos de la temperatura extrema
GaAs
El GaAs es un semiconductor compuesto. Es hecho de los nmeros iguales
de tomos de arsnico y galio. Como esto es un compuesto, es ms
complicada su estructura al combinar los tomos de ambos componentes,
es ms difcil de tratar que el silicio. Sin embargo, GaAs es un material
excelente para la integracin monoltica de dispositivos electrnicos y
fotonicos sobre un sustrato. La razn principal que GaAs sea un material
candidato para dispositivos fotonicos es su alta movilidad de electrones en
comparacin con otros materiales de semiconduccin
El GaAs es tambin un aislador termal, con estabilidad excelente en alta
temperatura. El aspecto negativo de este material es su fuerza, de bajo
rendimiento. Su fuerza de 2700 MPA, es slo un tercio de l de silicio. Esto
hace GaAs menos atractivo como sustratos en microsistemas. A causa de su
uso relativamente bajo en la industria de microelectrnica, GaAs es mucho
ms caro que el silicio.
Tabla 7. Comparacin entre el GaAs y el Silicio en micromaquinado.

Polmeros
Los polmeros, que incluyen materiales diversos como plsticos,
pegamentos, Plexiglas, y Lucite, se han hecho cada vez ms populares para
MEMS y microsistemas. Este tipo de material est compuesto por cadenas
de molculas orgnicas (principalmente hidrocarburos). Las molculas
combinadas, p. ej., molculas de polmero, pueden ser unos cien
nanmetros de tamao. La fuerza mecnica baja, el punto de fusin bajo, y
la conductividad elctrica pobre, caracterizan a los polmeros. Los

termoplsticos y thermosets son dos grupos de los polmeros que

comnmente son usados para productos industriales. Los termoplsticos
fcilmente pueden ser formados como se desee para el producto especfico,
mientras que thermosets tiene mejor fuerza mecnica y resistencia de
temperaturas hasta 350C.
Los polmeros se han hecho materiales cada vez ms importantes para
MEMS y microsistemas. Dentro de los polmeros utilizados en MEMs se
destacan los siguientes: Polyimide, Su-8 y PDMS.
Piezoelctricos
Uno de los materiales ms comnmente usados en MEMS y microsistemas
son los cristales piezoelctricos. Estos son compuestos de cermica que
pueden producir un voltaje cuando una fuerza mecnica es aplicada entre
sus caras.Hay varios materiales para realizar estos elementos los cuales se
mencionan a continuacin: ZnO, Titanato, Zirconato.
Tabla 8. Propiedades de los materiales piezoelctricos.

Tabla 9. Coeficiente piezoelctrico de algunos materiales.

Bibliografa
[1] Gad-el-Hak Mohamed. The MEMS Handbook. MEMS: Introduction and
Fundamentals. 2 Edicin. Estados Unidos: Taylor & Francis Group,
2006. Pg. 3-16 a 3-22.
[2] Gad-el-Hak Mohamed. The MEMS Handbook. MEMS: Design and
Fabrication . 2 Edicin. Estados Unidos: Taylor & Francis Group, 2006.
Pg. 2-1 a 2-23.
[3] MEMS and Microsystems: Design and Manufacture. Chapter 7:
Materials for MEMS and Microsystems. Pg. 235-266. Consultado en
lnea.

Glosario
Limite elstico
Tensin mxima que un material elastoplstico puede soportar sin sufrir
deformaciones permanentes. Si se aplican tensiones superiores a este
lmite, el material experimenta un comportamiento plstico deformaciones
permanentes y no recupera espontneamente su forma original al retirar las
cargas. En general, un material sometido a tensiones inferiores a su lmite
de elasticidad es deformado temporalmente de acuerdo con la ley de
Hooke.
Mdulo de Young
Parmetro que caracteriza el comportamiento de un material elstico, segn
la direccin en la que se aplica una fuerza. Para un material elstico lineal,
el mdulo de Young tiene el mismo valor para una traccin que para una
compresin, siendo una constante independiente del esfuerzo siempre que
no exceda de un valor mximo denominado lmite elstico, y es siempre
mayor que cero: si se tracciona una barra, aumenta de longitud.
Densidad
Magnitud escalar referida a la cantidad de masa en un determinado
volumen de una sustancia. La densidad media es la razn entre la masa de
un cuerpo y el volumen que ocupa.
Calor especfico
Magnitud fsica que se define como la cantidad de calor que hay que
suministrar a la unidad de masa de una sustancia o sistema termodinmico
para elevar su temperatura en una unidad. En general, el valor del calor
especfico depende del valor de la temperatura inicial.
Conductividad trmica
Propiedad fsica de los materiales que mide la capacidad de conduccin de
calor. En otras palabras la conductividad trmica es tambin la capacidad de

una sustancia de transferir la energa cintica de sus molculas a otras

molculas adyacentes o a sustancias con las que no est en contacto.
Coeficiente de expansin trmico
Es el cociente que mide el cambio relativo de longitud o volumen que se
produce cuando un cuerpo slido o un fluido dentro de un recipiente
experimenta un cambio de temperatura que lleva consigo una dilatacin
trmica.
Punto de fusin
Temperatura a la cual se encuentra el equilibrio de fases slido - lquido, es
decir la materia pasa de estado slido a estado lquido, se funde.