You are on page 1of 12

Taller de electrnica 1.

OLDRICH DEJESUS GARCIA FONTALVO


Responda, realice los clculos, la simulacin y disee los circuitos que se
requieren para solucionar los tems siguientes:
b.

responda falso (F) o verdadero (v) y el porqu.

1. Un tomo es la partcula ms pequea en un elemento.


( ) falso
(X) verdadero
por que lo fundamental para construir las cosas materiales es el tomo y un elemento contiene
cantidades de tomos que por su propiedad son pequeos.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________
2. Un electrn es una partcula cargada negativamente.
3.
( ) falso
( X) verdadero
por que sabemos que el atomo tiene tres particulas que son el proton que es positivo el neutron
que es neutro y electron que es negativo.
_________________________________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________________
3. Un tomo est compuesto por electrones, protones y neutrones.
( ) Falso
(X) verdadero
por que para un atomo estar equilibrado necesia de esas tres particulas que son la compocicion
del atomo.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________
4. Los electrones son una parte del ncleo de un tomo.
(X) falso
( ) verdadero
por que los electrones estan el las espiras del atomo o sea afuera en los niveles de valencia el
nuclo esta compuesto por neutrones y protones.
__________________________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________________
5. Los electrones de valencia existen en la capa externa de un tomo.
( ) falso
(X ) verdadero
por que ya que estos atomos estan en el ultimo nivel de valencia son los que se encargan de el
enlace posible entre dos atomos mediante esos electrones.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________
6. Se forman cristales mediante el enlace de tomos.
( ) falso
(X ) verdadero
por que cuando los atomos se enlasan se mantienen unidos dentro de la estructura cristalina
devido a los enlaces covalentes que hay entre ellos y son creados por la interaccion de los
ultimos electrones de un atomo.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________
7. El silicio es un material semiconductor.
( ) falso
( X) verdadero
porque gracias a la estructura que presenta es uno de los mejores semiconductores que existe.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________
8. Todos los diodos tiene una unin pn.
( ) falso
(X ) verdadero

por que una de las caracteristicas mas importante del diodo es esa para su funcionamiento.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________
9. Las regiones p y n en un diodo se forman mediante un proceso llamado ionizacin.
( X ) falso
( ) verdadero
por que estas regiones quedan neutras mediante el proceso de los protones y electrones que
quedan repartidos en la misma cantidad en cada region.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________
10. Las dos regiones de un diodo son el nodo y el colector.
(X) falso
( ) verdadero
Porque las dos regiones se llaman nodo y ctodo.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________
11. Un diodo puede conducir corriente en dos direcciones con igual facilidad.
( X) falso
( ) verdadero
por que la corriente circula en un solo sentido y del lado inverso no circula.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________
12. Un diodo conduce corriente cuando est polarizado en directa.
( ) falso
( X) verdadero
Porque despus de que el voltaje polarizado sea mayor que el potencial de la barrera, se cierra el
circuito y aparece la corriente.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________
13. Cuando est polarizado en inversa, un diodo idealmente aparece como un corto.
( X) falso
( ) verdadero
por que en este caso queda como circuito abierto y la corriente es cero.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________
14. Dos tipos de corriente en un diodo son la de electrones y la de huecos.
( ) falso
(X ) verdadero
por que sabemos que son las corriente de un diodo.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________

a. Cuestionario de mltiple opciones y una sola


respuesta verdadera.
1.

Un tomo est compuesto por


(a) Un ncleo y slo un electrn (b) Un ncleo y uno o ms electrones
(c) Protones, electrones y neutrones (d) Respuestas b) y c)
Explique por qu.
Es la (c), porque todo atomo para estar balanceado tiene que estar conformado por protones
neutrones y electrones.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
2.

El ncleo de un tomo est compuesto por


(a) Protones y neutrones (b) Electrones
(c) Electrones y protones (d) Electrones y neutrones
Explique por qu

. Es la (a) , porque un nucleo esta compuesto por neutroes y protones y en los niveles de
valencia estn los electrones
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________

3.

Los electrones de valencia estn


(a) En la rbita ms cercana al ncleo (b) En la rbita ms distante del ncleo
(c) En varias rbitas alrededor del ncleo (d) No asociados con un tomo particular
Explique por que.
Es la (b) , porque los electrones de valencia estn en la capa de valencia que esta distante del
nucleo.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
4.

Un ion positivo se forma cuando


(a) Un electrn se escapa del tomo
(b) Hay ms huecos que electrones en la rbita externa
(c) Dos tomos se enlazan entre s
(d) Un tomo adquiere un electrn de valencia extra

Explique por que.


Es la (a), porque el atomo al ceder su electron de valencia el atomo queda cargado
posivamente.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
5. El material semiconductor ms utilizado en dispositivos electrnicos es el
(a) Germanio (b) Carbn (c) Cobre (d) Silicio
Explique por qu.
Es la (d), Porque los electrones de valencia estn ms cerca del ncleo y no permiten que estos
se desprendan con mucha facilidad.
__________________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
6. La diferencia entre un aislante y un semiconductor es
(a) Una banda prohibida ms amplia entre la banda de valencia y la banda de conduccin
(b) El nmero de electrones libres
(c) La estructura atmica
(d) Respuestas a), b) y c)
Explique por qu.
Es la (a), porque en los aislantes la banda prohibida es muy grande y se hace casi imposible
saltar un electrn de valencia a la banda de conduccin, solo llega a ser posible en casos
extremos.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
7. La banda de energa en la cual existen los electrones libres es la
(a) Primera banda (b) Segunda banda (c) Banda de conduccin (d) Banda de valencia
Explique por qu.
Es la (c), porque cuando un electron se pasa a la banda de conduccin esta vuelve al electron
libre.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
8. En un cristal semiconductor, los tomos se mantienen unidos por
(a) La interaccin de los electrones de valencia (b) Las fuerzas de atraccin
(c) Los enlaces covalentes (d) Respuestas a), b) y c)
Explique por que.

Es la (d), porque una cosa conlleva a la otra, son necesarios los 3 aspectos.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
9. En un semiconductor intrnseco
(a) No hay electrones libres
(b) Los electrones libres son producidos trmicamente
(c) Slo hay huecos
(d) Hay tantos electrones como huecos
(e) Respuestas b) y d)
Explique por qu.
Es la (e), porque cuando un electrn de valencia salta de la banda de valencia a la banda de
conduccin deja un hueco en la banda de valencia.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
10. El proceso de agregar impurezas a un semiconductor intrnseco se llama
(a) Dopado (b) Recombinacin (c) Modificacin atmica (d) Ionizacin
Explique por que.
Es la (a), porque le agregan bastantes impurezas para aumentar el nmero de portadores de
corriente ya sea electrones o huecos.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
11. Se agregan impurezas trivalentes al silicio para crear
(a) Germanio (b) Un semiconductor tipo p
(c) Un semiconductor tipo n (d) Una regin de empobrecimiento
Explique por que.
Es la (b), porque al agregarle impurezas trivalentes al silicio se busca incrementar el nmero de
huecos para poder receptar electrones.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
12. El propsito de una impureza pentavalente es
(a) Reducir la conductividad del silicio (b) Incrementar el nmero de huecos
(c) Incrementar el nmero de electrones libres (d) Crear portadores minoritarios
Explique por que.
Es la (c), porque al incrementar el nmero de electrones se busca portar electrones
.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
13. Los portadores mayoritarios en un semiconductor tipo n son
(a) Huecos (b) Electrones de valencia
(c) Electrones de conduccin (d) Protones
Explique por que.
Es la (c), porque se busca donar los electrones.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________

14. Los huecos en un semiconductor tipo n son


(a) Portadores minoritarios producidos trmicamente
(b) Portadores minoritarios producidos por dopado
(c) Portadores mayoritarios producidos trmicamente
(d) Portadores mayoritarios producidos por dopado
Explique por que.
Es la (a), porque existen algunos huecos que se crean cuando trmicamente se generan pares
electrn- hueco.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________

15. Se forma una unin pn mediante


(a) La recombinacin de electrones y huecos
(b) Ionizacin
(c) El lmite de un material tipo n y uno tipo p
(d) El choque de un protn y un neutrn
Explique por que.
Es la (c), porque la regin n y la regin p se unen y los electrones libres se unen con los huecos.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
16. La regin de empobrecimiento se crea por
(a) Ionizacin (b) Difusin (c) Recombinacin (d) Respuestas a), b) y c)
Explique por que.
Es la (D), porque todos esos aspectos son necesarios para darse la regin de empobrecimiento.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
17. La regin de empobrecimiento se compone de
(a) Nada ms que portadores minoritarios (b) Iones positivos y negativos
(c) Nada de portadores mayoritarios (d) Respuestas b) y c)
Explique por que.
Es la (b), porque al formarce la unin pn la regin n pierde a medidas que se difunfem
electrones atraves de la dicha unin, lo cual crea una capa positiva muy cerca a la unin. Y asi
de igual maneras la regin p pierde huecos a medida que los electronen invaden a los dichos
huecos esto crea la capa negativa cerca a la unin.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
18. El trmino polarizacin es
(a) La relacin de los portadores mayoritarios a los portadores minoritarios
(b) La cantidad de corriente a travs de un diodo
(c) Un voltaje de cc aplicado para controlar la operacin de un dispositivo
(d) Ni a) ni b) ni c)
Explique por que.
Es la (c), porque dependiendo de qu forma se aplique el voltaje en el diodo, se podr saber
cual es la polarizacin del diodo.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
19. Para polarizar en directa un diodo
(a) Se aplica un voltaje externo positivo en el nodo y negativo en el ctodo
(b) Se aplica un voltaje externo negativo en el nodo y positivo en el ctodo
(c) Se aplica un voltaje externo positivo en la regin p y negativo en la regin n
(d) Respuestas a) y c)
Explique por que.

Es la (c), porque ste es un requisito para que se d la polarizacin en directa.


__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
20. Cuando un diodo est polarizado en directa y el voltaje de polarizacin se incrementa, la
corriente de polarizacin en directa:
(a) se incrementa (b) se reduce (c) No cambia
Explique por que.
Es la (a), Porque al incrementarse gradualmente el voltaje hasta llegar al punto de mximo
voltaje del diodo, la corriente se incrementa con rapidez.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
21. Cuando un diodo est polarizado en directa y el voltaje de polarizacin se incrementa, el
voltaje a travs
del diodo (de acuerdo con el modelo prctico):
a. se incrementa (b) se reduce (c) No cambia.
Explique por qu.
Es la (c), Porque es equivalente al voltaje del potencial de barrera que es 0.7V.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
22. Cuando un diodo est polarizado en inversa y el voltaje de polarizacin se incrementa, la
corriente en inversa (de acuerdo con el modelo prctico):
a. se incrementa (b) se reduce (c) No cambia
Explique por qu.
Es la (c), porque el circuito est abierto y no circula corriente por l.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
23. Cuando un diodo est polarizado en inversa y el voltaje de polarizacin se incrementa, la
corriente
(de acuerdo con el modelo completo):
a. se incrementa (b) se reduce (c) No cambia.
Explique por qu.
Es la (a), Porquea pesar de que el circito se encuentre abierto la resistencia de polarizacin en
inversa de la corriente cierra el circuito lo cual esta la hace muy grande y la corriente demasiado
pequea y se incrementa lentamente.
__________________________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________
24. Cuando un diodo est polarizado en directa y el voltaje de polarizacin se incrementa, el
voltaje a travs del diodo (de acuerdo con el modelo completo):
a. se incrementa (b) se reduce (c) No cambia.
Explique por que.
Es la (a), porque antes de que llegue al valor del potencial de la barrera (0.7) , el valor del voltaje
polarizado es el mismo que el del diodo pero despus que sobrepasa el potencial de la barrera, el
voltaje en el diodo sigue incrementando pero de manera muy lenta.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
25. 6. Si la corriente de polarizacin en directa en un diodo se incrementa, el voltaje en el diodo
(de acuerdo con el modelo prctico):
a. se incrementa (b) se reduce (c) No cambia
Explique por que.
Es la (c), Porque llega al punto donde el voltaje se estabiliza y la corriente se incrementa muy
rpidamente.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
26. 7. Si la corriente de polarizacin en directa en un diodo se reduce, el voltaje en el diodo (de
acuerdo con el modelo completo):
a. se incrementa (b) se reduce (c) No cambia
Explique por qu.
Es la (c), Porque en este modelo el voltaje permanece contante hasta en un punto de alcanzar
el potencial de barrera.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________

27. 8. Si se excede el potencial de barrera de un diodo, la corriente de polarizacin en directa:


a. se incrementa (b) se reduce (c) No cambia
Explique por que.
Es la (a), porque incrementa con gran rapidez, ya que el circuito se cierra y puede circular la
corriente.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
28. La resistencia dinmica puede ser importante cuando un diodo:
(a) Se polariza en inversa.
(b) Se polariza en directa.
(c) Se encuentra en la condicin de ruptura con polarizacin en inversa.
(d) No est polarizado.
Explique por que.
Es la (c), Porque la resistencia es prcticamente muy grande y solo deja pasar una corriente
muy pequea, es decir la resistencia tiende al infinito.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________

29. La curva V-I para un diodo muestra:


(a) El voltaje a travs del diodo con una corriente dada.
(b) La cantidad de corriente con un voltaje de polarizacin dado.
(c) La disipacin de potencia.
(d) Ninguna de estas situaciones.
Explique por que.
Es la (a), estas curvas nos ayudan a ver el comportamiento del diodo directa e inversamente.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
30. Idealmente, un diodo puede ser representado por:
(a) Una fuente de voltaje (b) Una resistencia
(c) Un interruptor (d) Todas las anteriores
Explique por que.
Es la (c), porque dependiendo en que polarizacin este, puede dejar pasar corriente o no, es
decir, abrir o cerrar el circuito.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
31. En el modelo prctico de diodo:
(a) El potencial de barrera se toma en cuenta
(b) La resistencia dinmica con polarizacin en directa se toma en cuenta
(c) Ningunas de las anteriores
(d) Tanto a) como b)
Explique por que.
Es la (a), Porque en polarizacin directa se necesita un voltaje que alcance el potencial de
barrera para que la corriente se dispare y se incremente rpidamente.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________
32. En el modelo completo de diodo:
(a) El potencial de barrera se toma en cuenta
(b) La resistencia dinmica con polarizacin en directa se toma en cuenta
(c) La resistencia con polarizacin en inversa se toma en cuenta
(d) Todas las anteriores

Explique por que.


Es la (d), Porque cada una de los aspectos anteriores influye en el voltaje y la corriente que fluya
por el diodo.
__________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________

Problemas:
1. Explique la figura siguiente determinando sus diferencias fsicas elctricas. En
cada uno de los diagramas de energa que aparecen en ella, determine la clase de
material con base en comparaciones relativas.

La figura A, nos muestra un aislante ya que la banda prohibida es muy ancha, esto le impide a
los electrones de valencia saltar a la banda de conduccin.
La figura B, nos muestra un semiconductor ya que la banda prohibida es muy pequea
diferencindola con la del aisalante, esto hace posible que un electron salta a la banda de
conduccion.
La figura C, nos muestra un conductor ya que no hay banda prohibida.

2. para cada diodo determine:


a. polarizacin del diodo.
b. Voltajes en cada resistencia
c. Simlelo y compruebe los dos tems anteriores

a. Polarizacin inversa.

If =0 A
Vr=0 V

b. Polarizacin directa.

R 1=560

If =

100 V
=0.17 A
560

Vr=( 100 V )0.7=99.3 V

c. Polarizacin directa.
Por mallas:

30 v+ 1000i 1+ 1500i 1+ 4700 ( i1i 2 )=0


7200i 14700i 2=30 V

1)

4700 ( i2i1 ) +4700 i 2=0


4700 i1+9400 i2=0

2)

d. Polarizacin inversa.

If =0 A

Vrt=30V

3. Para cada circuito de la figura se requiere una corriente directa Idc de


100 mAmp. Sobre la resistencia de carga Rl.de 1k haga:
a. Calcule para las tres modelos del diodo:
i. Vdc en la carga
ii. Vp en el primario.
iii. Vrms en el secundario del transformado.
iv. El PIV
b. Grafique las ondas de salida para cada circuito y determine la su
frecuencia.
c. Simulacin verificando la solucin del problema. Observe las
ondas de voltaje en la resistencia y justifique la onda de acuerdo
a teora y a los clculos

1) a) Si la relacin de transformacin es de 2:1 entonces 100mA en relacin al


segundo devanado seria de 200mA. Cuando el diodo est directamente
polarizado tenemos que:
I)
II)

Vr=( 0.2 A1000 ) 0.7 V =199.3 V


Como el voltaje del secundario es la mitad del primario tenemos que:

Vpp=2200 V =400 V

Vrms=

III)
IV)

200V
=141.44 V
1.414

Como el voltaje se salida es igual al voltaje del secundario menos 0.7V en la


cada del diodo tenemos que el voltaje de pico inverso seria:

PIV =Vps0.7 V =200V 0.7 V =199.3 V

2) a)
I)
II)

III)
IV)

Vpri=

Vsec
2

Vr=( 0.2 A1000 ) 0.7 V =199.3 V


Como el voltaje del secundario es la mitad del primario tenemos que:

Vpp=2200 V =400 V

Vrms=

200V
=141.44 V
1.414

Como el voltaje se salida es igual al voltaje del secundario menos 0.7V en la


cada del diodo tenemos que el voltaje de pico inverso en D2 seria:

PIV =2 Vsal+ 0.7 V =2 ( 199.3 V )+ 0.7 V =399.3 V


3) a) teniendo en cuenta que la relacin de transformacin es de:

Vpri=
I)
II)

III)
IV)

Vsec
2

Vr=( 0.2 A1000 ) 1.4 V =198.6 V


Como el voltaje del secundario es la mitad del primario tenemos que:

Vpp=2200 V =400 V

Vr ms=

200 V
=141.44 V
1.414

El voltaje pico inverso para cada diodo seria:

PIV =Vpsal+0.7 V =( 281.4 V ) +0.7 V =282.1 . V