APUNTE: DIODO SEMICONDUCTOR

rea de EET

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INACAP 2002.

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INDICE
El Diodo Semiconductor...
Polarizacin del Diodo..
Anlisis por Recta de Carga
Aproximaciones para el Diodo
Ejercicios Resueltos.....
Otros Tipos de Diodos..
Diodos Emisores de Luz..
Diodos Lser.
Dispositivos Fotodetectores

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El Diodo Semiconductor
Si se junta un cristal dopado con material tipo P, en conjunto a un material tipo N,
se presenta un dispositivo denominado Diodo como se muestra en la figura #2.1.

Figura #2.1: Unin P - N

La palabra Diodo proviene de las palabras DI = dos y ODO = Electrodo, es decir,

elemento de dos terminales. Al terminal conectado al lado P del diodo recibe el
nombre de Anodo y al terminal conectado al lado N del diodo recibe el nombre de
Ctodo y a la unin de los dos materiales se denomina Juntura.
Producto de la mutua repulsin que sufren los electrones libres del lado N, estos
electrones son repelidos a muchas partes y algunos de estos electrones
atraviesan la juntura y se pasan al lado P unindose a un hueco de la banda de
valencia para formar as un enlace covalente. Al saltar el electrn desde el lado
N genera un huecos en dicho lugar y por lo tanto se puede considerar que se
produce un movimiento de electrones desde el lado N al lado P y tambin se
produce un movimiento de huecos desde el lado P al lado N, la figura #2.2
muestra este proceso el cual se denomina Difusin.

Figura #2.2: Proceso de Difusin en el diodo

Se podra pensar que el proceso de difusin durara por mucho tiempo, sin
embargo, cada vez que un electrn del lado N pasa al lado P, deja un ion positivo
en el lado N por la ausencia del electrn y por el contrario, en el lado P dejar un
ion negativo producto de su presencia. Esto es, cada vez que un electrn del lado
N se difunde (hacia el lado P) deja un par de iones cercano a la juntura.
Como los primeros electrones que se difunden se encuentran cerca de la juntura,
van dejando esta rea sin electrones y de huecos en el lado P, razn por la cual
se denomina zona de agotamiento o zona desierta. A su vez, los iones en la capa
de agotamiento van dejando cada vez ms cargada la zona desierta, el cual acta
como una barrera que impide que nuevos electrones sigan cruzando la juntura.
La figura #2.3 muestra este efecto, considerando que los signos ( + ) y ( - )
corresponden a los electrones y huecos respectivamente, mientras que los

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mismos signos encerrados con un circulo corresponden a los iones positivos y

negativos.

Figura #2.3: Barrea de potencial

En efecto, para que un electrn del lado N pueda sobrepasar la juntura, deber
primero saltar la barrera de iones negativos que se encuentran en el lado P que
tiende a repeler dicho electrn y dejarlo nuevamente en su posicin original en el
lado N.
La barrera de potencial genera una diferencia de potencial cuyo valor es V?
=0,7Volt si el semiconductor es de Silicio y de V? =0,3 Volt si el semiconductor es
de Germanio (valores aproximado). La figura #2.4 muestra el smbolo
esquemtico del Diodo.

Figura #2.4: Simbologa esquemtica del diodo

Aun cuando hay muchos tipos de encapsulados que utiliza un diodo dependiendo
de la corriente y potencia que el dispositivo es capas de soportar, el ms utilizado
se muestra en la figura 2.5

Figura #2.5:Dido de bajas y medias corrientes

La franja blanca o plateada que se observa en al costado derecho de la figura
#2.5, representa al lado N o terminal ctodo del diodo.

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Polarizacin del Diodo

Polarizar un dispositivo electrnico, implica conectar una batera o Fuente de
alimentacin continua para su funcionamiento. Para el caso del diodo, se puede
realizar dos tipos de polarizacin, llamadas Polarizacin Directa y Polarizacin
Inversa.
a) Polarizacin Directa:
Consiste en aplicar los terminales de la batera, de manera tal el terminal Positivo
de la batera quede conectado al Anodo o terminal P del diodo y el terminal
Negativo de la batera quede conectado al Ctodo o terminal N del diodo. La
figura #2.6 muestra este tipo de conexin.

Figura #2.6: Polarizacin directa

Como se puede apreciar en al figura 2.6, los electrones libres del lado N del diodo,
estn sujetos a dos fuerzas de repulsin. Hacia la izquierda producto del terminal
negativo de la batera y hacia la derecha producto de la barrea de potencial. Esto
implica que el electrn se mover hacia la izquierda, si y solo si, la fuerza de
repulsin del terminal negativo de la batera sea mayor a la barrera de potencial
(esto es, un voltaje de la batera mayor o igual a V?=0,7Volt para el Silicio). Una
situacin similar ocurre con los huecos del lado P. La figura #2.7 muestra tal
situacin.

Figura #2.7: Polarizacin directa

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La secuencia que se produce con los electrones para una polarizacin directa,
con un voltaje de batera mayor o igual a V? =0,7Volt para el Silicio es la
siguiente:
1.- Despus de salir el electrn desde el terminal negativo de la batera, se
introduce por el extremo derecho del diodo (lado N), para ser ingresado como
electrn libre.
2.- Viaja a travs de la regin N como electrn libre en un movimiento hacia la
izquierda o lado P.
3.- Cuando el electrn salta la juntura hacia el lado P, se recombina con un hueco
de la banda de valencia, convirtindose as en electrn de valencia.
4.- Ya en lado P, el electrn viaja como electrn de valencia (saltando de hueco en
hueco) hacia la izquierda (terminal positivo de la batera).
5.- Despus de salir del lado izquierdo del cristal, fluye hacia el terminal positivo
de la fuente.
En forma anloga se puede decir sobre el movimiento de huecos en el lado P.
La secuencia anteriormente indicada, refleja muy claramente por que se produce
la conduccin de corriente, que no es otra cosa que el movimiento de electrones
y/o huecos por unidad de tiempo. Sin embargo, se deben aclarar algunos puntos
necesarios sobre dicha secuencia.
a.- El sentido convencional que se da a la corriente, es inverso al movimiento de
los electrones, esto es, el sentido de la corriente convencional para el caso
anteriormente mencionado sera de izquierda a derecha.
b.- El hecho que el electrn libre en la banda de conduccin del lado N, baje como
electrn de valencia en el lado P, obliga a que este electrn libere energa (en la
mayora de los casos, esta energa se libera como calor y es por eso es que los
diodos se calientan cuando conducen). En algunos diodos especiales, esta
energa se libera como energa luminosa y a estos diodos se denominan diodos
LED (Diodo Emisor de Luz).
c.- En la prctica, no es que el electrn se desplace fsicamente desde un terminal
a otro, si no que realiza un pequeo empujn al electrn contiguo y as
sucesivamente, cuyo efecto es similar al desplazamiento total del electrn.
d.- Dada que la resistencia macroscpica del semiconductor es baja, la corriente
estar limitada fundamentalmente por la resistencia externa.
e.- El voltaje que queda en el diodo, corresponde al potencial de Barrera ms la
corriente que circula por el circuito multiplicada por la resistencia macroscpica
del diodo (ley de Ohms), es decir:
Vd = V? ?
+ I*Rd con Rd = Resistencia del diodo.
f.- La zona desierta que se produce en la juntura disminuye.
b) Polarizacin inversa:
Consiste en aplicar los terminales de la batera, de manera tal el terminal Positivo
de la batera quede conectado al Ctodo o terminal N del diodo y el terminal
Negativo de la batera quede conectado al Anodo o terminal P del diodo. La figura
#2.8 muestra este tipo de polarizacin.
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Figura #2.8: Polarizacin inversa

Como se puede observar en la figura #2.8. La fuerza elctrica obliga a los
electrones libres del lado N a trasladarse hacia la derecha o terminal positivo de la
batera, esto implica, que en la juntura estar cada vez ms ausente de
electrones, es decir, la zona desierta se ensancha y la barrera de potencial tendr
cada vez mas iones, es decir esta barrera aumentar. Una situacin similar
ocurrir con los huecos del lado P como ase observa en la figura #2.9.

Figura #2.9: Polarizacin inversa

Esta situacin de polarizacin inversa conlleva varias interrogantes:
a) Hasta donde se desplazar el electrn?
R)Si observamos la figura #2.9b. Nos damos cuenta que la fuerza elctrica de la
batera permite desplazar al electrn hacia la derecha, sin embargo, este
desplazamiento genera un aumento de la barrera de potencial que a su vez
tender a desplazar al mismo electrn hacia la juntura (efecto similar al de una
cuerda que es jalada de ambos extremos). Por lo tanto, el electrn se desplazar
hasta tal punto en que la fuerza elctrica de la batera sea de igual valor a la
fuerza elctrica de la barrera de potencial. Esto es, cuando la barrera de potencial
tenga el mismo valor que el voltaje de la batera.
b) Esto significa que no hay corriente circulando por el diodo?.
R) Deberamos decir que efectivamente no hay corriente apreciable circulando por
el diodo, sin embargo, nos damos cuenta que en cada lado del diodo hay
portadores minoritarios producidos por la generacin del par hueco - electrn,
esto es, huecos de valencia en el lado N y electrones libres en el lado P.
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Luego, una polarizacin inversa implica polarizacin directa para estos

portadores minoritarios. Por tanto la respuesta correcta ser que no hay
circulacin de corriente apreciable producto de los portadores mayoritarios, sin
embargo, existe una pequea corriente (normalmente despreciable) producto
de los portadores minoritarios y que a su vez, esta corriente denominada
corriente inversa de saturacin Is es altamente dependiente de la temperatura
(ya que se produce un aumento en el rompimiento de los enlaces covalentes y
generacin de pares hueco-electrn con el aumento de la temperatura). Se
puede demostrar que esta pequea corriente (del orden de los pico Amperes)
se duplica con un aumento de 10C de temperatura y es independiente del
voltaje inverso aplicado.
Tambin existe otra corriente denominada
corriente superficial de fuga ISL, que se produce principalmente por las
impurezas que quedan en las superficies del cristal que forman trayectorias
Ohmicas para las corrientes, es decir, acta de acuerdo a la ley de Ohm. Sin
embargo, esta corriente tambin es del orden de los pico Amperes. Los
manuales tcnicos normalmente llaman a estas dos corrientes como una sola
denominada corriente inversa IR, comnmente esta corriente es especificada
para un voltaje inverso VR especifico y para una temperatura especfica. De
manera tal que al aumentar el voltaje inverso y/o la temperatura, aumentar la
corriente inversa.
En resumen, podemos decir que en polarizacin directa no hay circulacin de
corriente apreciable y todo el voltaje de la batera externa caer en el diodo
(especficamente, en la barrera de potencial).
c) Qu ocurre si el voltaje inverso es muy grande?.
R) En este caso el electrn libre del lado P (portador minoritario), se desplazar
con energa cintica que al chocar con un enlace covalente, lo romper y habr
dos electrones libres. Estos dos electrones chocaran con dos enlaces
covalentes dejando cuatro electrones libres y as sucesivamente, es decir, se
produce un efecto llamado efecto de avalancha y se producir un aumento
brusco de la corriente denominada corriente de avalancha, sin embargo, el
voltaje del diodo se mantendr en su mismo valor al momento de producir el
efecto de avalancha. En los diodos rectificadores el voltaje inverso de
avalancha es muy grande (del orden de los cientos de volt) y al producir un
aumento brusco de corriente debido a la avalancha, tambin se producir un
aumento brusco de la potencia de disipacin que terminar por quemar al
diodo. Por este motivo, al voltaje inverso de avalancha se denomina voltaje de
ruptura VB y es un valor que no debe de sobrepasarse al momento de disear
algn circuito con este tipo de diodos llamados comnmente como diodos
rectificadores.
Existe una clase de diodos llamados Diodos Zener cuyo voltaje de avalancha
es bajo (del orden de los volts), y por tanto, si se limita la corriente de avalancha
se puede tener corriente con polarizacin inversa sin necesidad de quemar a
este diodo. La particularidad es que el voltaje del diodo es muy estable y su
uso principal es de utilizarse como reguladores referenciales de voltajes. Por
tal motivo, al voltaje inverso de avalancha se denomina voltaje zener. La figura
#2.10 muestra el smbolo esquemtico para representar al diodo zener.

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Figura #2.10: Simbologa del diodo Zener

Con los datos obtenidos de las polarizaciones directa e inversa del diodo, se
puede obtener la curva caracterstica del diodo como se muestra en la figura
#2.11.

La curva de un diodo semiconductor (o diodo real) se puede definir por la siguiente

ecuacin:

Con: K = 11,600/n y n=1 para Ge

o n=2 para Si
TK = TC + 273
Para un diodo de silicio la corriente de saturacin inversa IS aumentar cerca del
doble en magnitud por cada 10 C de incremento en la temperatura.
En resumen, se puede decir que la conduccin de corriente se realiza solamente
en polarizacin directa. En efecto, para probar el estado de un diodo, se utiliza un
multitester en posicin de impedancia (Ohms), de manera tal que en polarizacin
inversa se produce una impedancia muy alta (equivalente a circuito abierto) en

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cambio en polarizacin directa su impedancia es menor. Hoy en da, los

multitester digitales tienen una posicin de prueba de diodo, de manera tal en
dicha posicin entrega un valor relativo a la impedancia o voltaje del diodo, as, en
polarizacin directa su impedancia o voltaje es menor que en polarizacin directa.
Cuando el diodo est en mal estado, la indicacin del multitester entregar el
mismo valor sin importar la posicin de los terminales.
Conocido el comportamiento del diodo, es muy conveniente determinar el valor de
las corrientes y voltajes en un circuito que contengan diodos, en otras palabras, se
trata de analizar los circuitos que posean diodos.
Anlisis por Recta de Carga
La carga o la resistencia de carga (RL o R) aplicada a un circuito, tendr un efecto
importante sobre el punto de regin de operacin de un dispositivo (en este caso
el diodo). Ejemplo: Considere el circuito de la figura 2.12 y curva caracterstica de
la figura 2.13.

Figura #2.12: Circuito bsico con diodo

Figura #2.13: Curva del diodo

Si se aplica la ley de voltajes de Kirchoff se obtiene: - V+ VD + VL = 0 o bien V =

VD +ID*RL.

Si se realiza un anlisis en esta malla, de tal manera que pueda trazarse una lnea
recta sobre la curva de caractersticas del diodo, entonces la interseccin de stas
representar el punto de operacin de la red o punto Q.
a) Considere el punto 1, para la cual se hace VD = 0, es decir
Luego: Pto1. ID = V / RL y VD = 0.
b) Considere el punto 2, para la cual se hace ID=0, es decir:
Luego pto2: V = VD

e ID=0

Con estos dos puntos se grafican sobre la curva del diodo (Fig. #2.13) y se unen
los puntos mediante una recta denominada recta de carga, como se observa
precisamente en la figura #2.14.

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Figura #2.14: Curva del diodo y recta de carga del circuito de la figura 2.12
Ntese que la recta de carga queda determinada en sus extremos por RL y V, de
tal manera que representa las caractersticas de la red. Si se modifica el valor de V
o de RL o de ambos, entonces la recta de carga cambiar tambin.
Como se mostr anteriormente, una lnea recta trazada entre estos dos puntos
define la recta de carga que corresponde al conjunto de puntos que satisface la
ecuacin de malla. La interseccin entre la recta de carga y la curva del diodo,
corresponde al punto de trabajo o punto Q, es decir, si proyectamos el punto Q
Sobre los respectivos ejes, nos encontraremos con la corriente que estar
circulando por el diodo (IDQ) y el voltaje que tiene el diodo (VDQ), para las
condiciones dadas en el circuito.
Aproximaciones para el Diodo
El circuito analizado anteriormente es muy simple, sin embargo, este tipo de
anlisis se puede complicar mucho para circuitos de mayor complejidad. Para
evitarlo, se han desarrollado aproximaciones de las caractersticas del diodo, con
el objeto de simplificar su anlisis.
1 aproximacin (diodo ideal)
El diodo ideal es un dispositivo de dos terminales que tiene el smbolo y las
caractersticas que se muestra en la figura 2.15.

Figura 2.15: Caracterstica del diodo ideal

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En forma ideal, un diodo conducir corriente en la direccin definida por la flecha

en el smbolo y actuar como un circuito abierto para cualquier intento de
establecer corriente en la direccin opuesta. En esencia:
Las caractersticas de un diodo ideal son las de un interruptor que puede
conducir corriente en una sola direccin.
Como se puede observar, la primera aproximacin dista bastante de la
caracterstica de un diodo real, sin embargo, es muy til al momento de realizar un
anlisis rpido para un circuito con diodos.
2 aproximacin
En esta aproximacin se considera el V??del diodo para el caso de polarizacin
directa, como se muestra en la figura #2.16.

Figura #2.15: Segunda aproximacin del diodo

De la figura #2.15, se pueden obtener las siguientes conclusiones:
a) En la zona inversa, el diodo sigue comportndose como un circuito abierto,
esto es, ID=0Amper.
b) En la zona directa, el diodo requiere de un voltaje superior o igual a V???esto es
0,7 Volt si el diodo es de Silicio y 0,3 Volt si el diodo es de Germanio, para que
pueda conducir, de lo contrario, el diodo actuar como circuito abierto.
c) El voltaje en el diodo es constante y tiene un valor de V??
3 aproximacin
En esta aproximacin se considera el V??del diodo y adems la resistencia
macroscpica del dispositivo, que es un linealizacn de la curva caracterstica
para el caso de polarizacin directa, como se muestra en la figura #2.16.

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Figura #2.16: Tercera Aproximacin del diodo

En este caso, no se considera el caso de la polarizacin inversa, pues, su
comportamiento es idntico al caso de la 1 y 2 aproximacin.
Ejercicios Resueltos:
En los diversos circuitos que se muestran a continuacin, determine ID y VR.
Considere segunda aproximacin.
1.- Con V = 12 volts

Realizando la malla:

-V + VD+ VR = 0

-12+ 0.7 + ID*R = 0

Despejando ID de la ecuacin

anterior:
ID = (12 - 0.7)/1.2 k = 9.42 mA; VR = ID*R , Luego VR= 11,3V

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2.- Si en el ejemplo anterior se invierte el diodo:

Con el diodo invertido la corriente por el diodo ser cero (si se utiliza el modelo
simplificado) y entonces I = 0.
-12 + VD + VR = 0, donde VR = I*R = 0
VD = 12 volts
I = ID = 0 A
3.- Considere el mismo circuito inicial pero con V = 0,4 volts.
En este caso, aunque la polaridad del voltaje de la fuente es adecuada para
polarizar el diodo en forma directa, sin embargo, el nivel de voltaje es insuficiente
para activar al diodo de silicio y ponerlo en el estado de conduccin

Otros Tipos de Diodos

Adems del diodo rectificador y diodo Zener, existen otros tipos de diodos que son
muy utilizados para aplicaciones particulares de la electrnica, entre ellos se
cuenta con:
1) Diodos emisores de luz (leds):
Un diodo emisor de luz es un dispositivo de unin PN que cuando se polariza
directamente emite luz, para ello, al aplicarse una tensin directa a la unin, se
inyectan huecos en la capa P y electrones en la capa N. Como resultado de ello,
ambas capas tienen una mayor concentracin de portadores (electrones y huecos)
que la existente en equilibrio. Debido a esto, se produce una recombinacin de
portadores, liberndose en dicha recombinacin la energa que les ha sido
comunicada mediante la aplicacin de la tensin directa.
Se pueden distinguir dos tipos de recombinacin en funcin del tipo de energa
que es liberada:
a) Recombinacin no radiante: la mayora de la energa de recombinacin
se libera al cristal como energa trmica (calor).

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b) Recombinacin radiante: la mayora de la energa de recombinacin se

libera en forma de radiacin (posible emisin de luz). La energa liberada
cumple la ecuacin:
E=HF =HC/? Donde :
? = Longitud de onda del fotn.
E = diferencia de energa entre el electrn y el hueco que se recombinan
expresada en electrn- voltios, Esta energa depende del material que
forma la unin PN.
C = Velocidad de la luz 3108m/s
H = Constante de Planck.
La figura #2.17muestra el smbolo del diodo LED.

Figura #2.17: Diodo LED

En general, el diodo LED puede ser tratado de manera anloga a un diodo normal.
Sin embargo conviene tener en cuenta que los diodos LED no estn fabricados
de silicio, ya que el silicio es incapaz de emitir fotones. Debido a ello, la tensin
de polarizacin directa VD depende del material con el que est fabricado el
diodo. La tabla #1, muestra el tipo de elemento, longitud de onda, tipo de luz
irradiada y voltaje de potencial utilizado en la fabricacin de diodos LED
Elemento

Longitud de onda

Irradiacin

AsGa
InGaAsP
AsGaAl
AsGaP
InGaAlP
Csi

904 nm
1300 nm
750-850 nm
590 nm
560 nm
480 nm

IR
IR
Rojo
Amarillo
Verde
Azul

Voltaje de barrera
de potencial
1V
1V
1,5 V
1,6
2,7 V
3V

Tabla #1: Tipos de diodos LED

Nota: IR implica radiacin infrarroja, esto es, no es luz visible.
2) Diodos Lser: La palabra LASER es un acrnimo de Light Amplification by
Stimulated Emission of Radiation. Las aplicaciones de estos
diodos son muy diversas y cubren desde el corte de materiales
con haces de gran energa hasta la transmisin de datos por fibra
ptica.
Los diodos lser son constructivamente diferentes a los diodos LED normales. Las
caractersticas de un diodo lser son
a) La emisin de luz es dirigida en una sola direccin: Un diodo LED emite
fotones en muchas direcciones. Un diodo lser, en cambio, consigue
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realizar un guiado de la luz preferencial una sola direccin como se muestra

en la figura #2.18.

Figura #2.18: Emisin de fotones para los dispositivos que se indican

b) La emisin de luz lser es monocromtica: Los fotones emitidos por un lser
poseen longitudes de onda muy cercanas entre s. En cambio, en la luz emitida
por diodos LED, existen fotones con mayores dispersiones en cuanto a las
longitudes de onda como se muestra en la figura #2,19.

Figura #2,19: Longitudes de ondas

Debido a estas dos propiedades, con el lser se pueden conseguir rayos de luz
monocromtica dirigidos en una direccin determinada. Como adems tambin
puede controlarse la potencia emitida, el lser resulta un dispositivo ideal para
aquellas operaciones en las que sea necesario entregar energa con precisin.
Los materiales utilizados para la fabricacin de diodos lser son prcticamente los
mismos que en diodos LED.
Dispositivos Fotodetectores: son aquellos componentes que varan algn
parmetro elctrico en funcin de la luz. Todos los componentes fotodetectores
estn basados en el mismo principio, esto es, si construimos un componente con
un material semiconductor de manera que la luz pueda incidir sobre dicho
material, la energa luminosa generar pares electrn - hueco. Entre los
dispositivos fotodetectores se tienen:
a) Fotorresistencias: Se compone de un material semiconductor cuya
resistencia varia en funcin de la iluminacin. Para ello, reduce su valor resistivo
en presencia de rayos luminosos. Es por ello por lo que tambin se le llama
resistencias dependientes de luz (light dependent resistors), fotoconductores o
clulas fotoconductoras. Cuando incide la luz en el material fotoconductor se
generan pares electrn - hueco. Al haber un mayor nmero de portadores, el
valor de la resistencia disminuye.

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Figura #2.20: Estado de conduccin con foto generacin

Si dejamos de iluminar, los portadores fotogenerados se recombinarn hasta
volver hasta sus valores iniciales. Por lo tanto el nmero de portadores disminuir
y el valor de la resistencia ser mayor.

Figura #2.21: Estado de conduccin sin foto generacin

Por supuesto, el material de la fotorresistencia responder a unas longitudes de
onda determinadas. Es decir, la variacin de resistencia ser mxima para una
longitud de onda determinada. El material mas utilizado como sensor es el CdS,
aunque tambin puede utilizarse Silicio, GaAsP y GaP.
b) Fotodiodos: Son diodos de unin PN cuyas caractersticas elctricas
dependen de la cantidad de luz que incide sobre la unin. En la figura #2.22 se
muestra su simbologa y curva caracterstica.

Simbologa

Curva caracterstica

Figura #2.22: Simbologa y curva caracterstica de un fotodiodo

El fotodiodo utiliza la generacin de pares electrn - hueco generados por la
energa luminosa, teniendo una gran incidencia en portadores minoritarios,
que son los responsables de que el diodo conduzca ligeramente en inversa.
De manera tal, que el comportamiento del fotodiodo en inversa se ve
claramente influenciado por la incidencia de luz.

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Un fotodiodo presenta una construccin anloga a la de un diodo LED, en el

sentido que necesita una ventana transparente a la luz por la que se
introduzcan los rayos luminosas para incidir en la unin PN. En la Figura
#2.23, aparece una geometra tpica. Por supuesto, el encapsulado es
transparente a la luz.

Figura #2.23: Geometra del foto diodo

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