S35

PREUVE COMMUNE DE TIPE - Partie D

TITRE : Centrale d'attitude : coupler magntomtres et acclromtres

Temps de prparation : ...2 h 15 minutes

Temps de prsentation devant le jury : .10 minutes
Entretien avec le jury : ..10 minutes
GUIDE POUR LE CANDIDAT :
Le dossier ci-joint comporte au total : . 18 pages
Guide candidat : 1 page
Document principal : 14 pages
Annexe (lexique): 2 pages
Travail suggr au candidat :
Aprs avoir brivement prsent la structure et les principaux lments de l'ensemble
du dossier, le candidat pourra par exemple :
soit approfondir la partie prsentation mathmatique de l'attitude,
soit dvelopper la partie capteurs intgrs.
CONSEILS GENERAUX POUR LA PREPARATION DE L'EPREUVE :
Lisez le dossier en entier dans un temps raisonnable.

Rservez du temps pour prparer l'expos devant les examinateurs.

Vous pouvez crire sur le prsent dossier, le surligner, le dcouper mais tout
sera remettre aux examinateurs en fin doral.

En fin de prparation, rassemblez et ordonnez soigneusement TOUS les

documents (transparents, etc.) dont vous comptez vous servir pendant loral,
ainsi que le dossier, les transparents et les brouillons utiliss pendant la
prparation. En entrant dans la salle d'oral, vous devez tre prt dbuter votre
expos.

A l'issue de l'preuve, vous devez remettre au jury le dossier scientifique. Tout

ce que vous aurez prsent au jury pourra tre retenu en vue de sa destruction.

page 1/18

I.- Introduction
La boussole fut invente par les Chinois au premier sicle de notre re.
Gnralement constitue dune aiguille aimante tournant librement dans un plan
5 horizontal, la boussole soriente automatiquement selon les lignes de champ magntique
de la Terre. La boussole peut ainsi tre considre comme le premier capteur
magntique dont lusage a t un instrument daide la navigation maritime - en fait
lanalyse de mouvements dans un plan horizontal - en utilisant un repre de rfrence
gratuit et prsent partout : le champ magntique terrestre. Grce lvolution de la
10 microlectronique et des micro-systmes, il est dsormais possible de raliser des
micro-capteurs magntiques. Diffrents principes de mesure sont appliqus : effet Hall,
microfluxgate, magntorsistance gante. Dans tous les cas, les dimensions
millimtriques atteintes permettent dintgrer ces capteurs dans des objets comme des
montres.
15
Le second champ terrestre de rfrence est le champ de gravit gnr par la
force dattraction de la Terre. Depuis longtemps, ce champ est utilis par les maons
pour garantir la verticalit des murs avec le clbre fil plomb. De la mme faon,
avec un pendule il est possible dvaluer les mouvements par rapport la verticale. La
20 mthode moderne pour mesurer la force de gravit est lemploi dun acclromtre qui,
dans une configuration statique, ne mesure que cette force. Comme pour les capteurs
magntiques, les micro-acclromtres sont fabriqus dans des technologies de
production collective issues de la microlectronique (les micro-lectroniciens parlent
souvent de MEMS*: Micro-Electro-Mechanical Systems pour dsigner les micro25 capteurs mcaniques). Lusage le plus rpandu des micro-acclromtres est la dtection
dimpact dans lairbag automobile.
Lassociation des capteurs de mesure de champ magntique et des
acclromtres conduit un dispositif sensible la fois aux mouvements de rotation
30 dans le plan horizontal et aux mouvements dinclinaison par rapport la verticale. Il est
alors possible, par un calcul mathmatique de calculer des angles de rotation dans un
repre tridimensionnel, savoir les angles de lacet, de roulis et de tangage.

* Voir annexe

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II.- Reprsentation de l'attitude d'un systme

35
1. - Gnralits
Le mouvement d'un solide par rapport un rfrentiel fait intervenir six
coordonnes, qui sont, par exemple, les trois coordonnes dcrivant la position de son
centre de masse (ou d'un point quelconque du solide) et trois angles (par exemple les
40 angles d'Euler, introduits plus loin dans ce dossier). Ces derniers peuvent aussi servir
reprsenter l'orientation d'un solide par rapport un repre ; on peut les voir comme une
gnralisation des coordonnes sphriques.
On dfinit ainsi l'attitude - ou l'orientation - d'un objet ou d'un systme, comme
la direction des axes de cet objet (tridre mobile : X', Y', Z') par rapport un tridre de
45 rfrence (X, Y, Z). Ces deux tridres seront appels repres ou bases par la suite.
Dans le cas d'application grand public, le rfrentiel utilis est gnralement le
rfrentiel NED (Nord, East, Down). Il est dfini partir d'un plan tangent la surface
de la terre et les vecteurs unitaires (X,Y et Z) sont orients respectivement en direction
du Nord, de l'Est et du centre de la terre.
50

Il existe plusieurs reprsentations possibles de l'orientation dans l'espace d'un

objet. Les plus connues sont les angles d'Euler, les angles de Cardan et les quaternions.
Chacune possde des avantages et des inconvnients et le choix d'une reprsentation
dpendra de l'application vise.

55

2. - Angles d'Euler
On s'intresse la description du mouvement d'un solide en rotation quelconque
autour du point O, qui peut tre un point fixe du solide dans le rfrentiel de rfrence
Oxyz ou le centre de masse.
Les angles d'Euler sont choisis de faon permettre une mmorisation simple de

60 la construction du vecteur rotation instantan du solide.

On passe du rfrentiel fixe Oxyz au rfrentiel li au solide Ox'y'z' par trois
rotations successives (cf figure 1) :
La prcession , autour de l'axe Oz, fait passer de Oxyz au rfrentiel Ouvz.
La nutation autour de l'axe Ou, fait passer de Ouvz Ouwz'.
65

La rotation propre , autour de l'axe Oz', fait passer de Ouwz au rfrentiel li

au solide Ox'y'z.
page 3/18

Dans ces conditions le vecteur rotation instantan du solide est donn par la
simple somme :

z
u z '
=

eq. 1

70

75

80

85

Figure 1 : Angles d'Euler

Ces rotations sont gnralement dcrites sous forme de matrices de rotation
(Direction Cosine Matrix : DCM), de mme, un vecteur est reprsent par ses
coordonnes vectorielles. Ainsi le vecteur t de coordonnes (x, y, z) dans le

90 rfrentiel R aura les coordonnes (x', y', z') dans la base mobile M :

[]

x'
t = y '
z'

[]

x
=Rz ' . Ru. Rz. y
z
M

eq. 2

Avec Rz' la matrice de rotation autour de l'axe Z' et d'angle , Ru la matrice de

95 rotation autour de l'axe u et d'angle et Rz la matrice de rotation autour de l'axe Z et
d'angle . (Eq. 3)

page 4/18

cos sin 0
Rz '= sin cos 0
0
0
1

1
0
0
Ru= 0 cos sin
0 sin cos

cos sin 0
Rz= sin cos 0
0
0
1
100

eq. 3

On note R3-1-3 le produit matriciel des trois matrices : rotation autour du

3me axe du tridre (O,x,y,z), puis autour du 1 er axe du tridre (O,u,v,z) et pour finir
autour du 3me axe de (0,u,w,z').
Les angles d'Euler sont trs souvent utiliss pour reprsenter l'attitude d'un objet

105 de par leur simplicit d'utilisation. Cependant ils prsentent des points singuliers qui
empchent le calcul de l'orientation dans certaines positions. En effet lorsque la
deuxime rotation, autour de l'axe u est nulle ou multiple de , il est impossible de
diffrencier les 2 autres rotations car dans ce cas les axes Z et Z' sont confondus.
110

On peut tendre le principe des 3 rotations successives et dfinir 6 jeux de

rotations "symtriques" : {R1-2-1, R1-3-1, R2-1-2, R2-3-2, R3-1-3, R3-2-3} et 6 jeux de
rotations "anti-symtriques" : {R1-2-3, R1-3-2, R2-1-3, R2-3-1, R3-1-2, R3-2-1}, ce dernier
ensemble, utilisant les 3 axes de rotation, correspond aux angles de Cardan. Le jeux le
plus classique est le R3-2-1 .

115
3. Angles de Cardan
Ces angles de cardan sont trs utiliss en aronautique et sont plus connus sous
120 le nom d'angle de roulis (autour de X), de tangage (autour de Y) et de lacet (autour de
Z). D'ailleurs la convention arospatiale considre la transformation "3-2-1" comme
transformation de rfrence.
Les angles de Cardan sont galement reprsents par leurs matrices de rotations
respectives.
125

page 5/18

Comme les angles d'Euler, les angles de Cardan prsentent des points singuliers
connus sous le terme de "blocage de Cardan" ("Gimbal's lock" en anglais). Ces points
singuliers apparaissent lorsque le deuxime angle est gal /2. Des techniques
existent pour contourner ces points comme par exemple le changement de rfrence
130 leur approche.
Le domaine de dfinition des angles est donn par la convention aronautique :
- l'angle (lacet) entre [-,]
- l'angle (tangage) entre [-/2, /2]
- l'angle (roulis) entre [-,]
135

D'autres reprsentations, que nous ne dvelopperons pas ici, existent comme par
exemple la reprsentation par quaternions (quadruplet de nombres rels) qui a l'avantage
de ne pas prsenter de points singuliers.

III. Principe de mesure de l'attitude.

140

Afin de dterminer l'attitude d'un systme, il faut tre capable de mesurer des
grandeurs physiques dans la base mobile, dont les valeurs sont connues dans celle de
rfrence. Ce problme a t soulev par Wahba en 1965 qui a montr que la mesure de
deux vecteurs non colinaires et non nuls dans les deux bases suffit dterminer
l'attitude d'un solide.

145

Plusieurs type de vecteurs peuvent tre utiliss. Par exemple dans beaucoup
d'applications spatiales les vecteurs choisis pointent la direction d'toiles fixes par
rapport au systme. (Star Tracker).
En revanche pour un systme terrestre les vecteurs mesurables sont le champ
B . Ces deux champs sont non
gravitationnel g et le champ magntique terrestre

150 colinaires sur l'ensemble de la surface terrestre l'exception des ples Nord et Sud
magntiques. Lorsque l'axe X du rfrentiel NED est orient vers le nord magntique
plutt que vers le nord gographique, les coordonnes de ces deux vecteurs peuvent
s'crire simplement :

[] [ ]

0
Bh
g = 0 et

B= 0
g
Bv

eq. 4

155

page 6/18

La valeur du champ gravitationnel est bien connue et peu prs uniforme sur
toute la surface du globe (g = 9,81 m/s 2). La valeur du champ magntique terrestre est
galement bien connue, en revanche elle n'est pas uniforme. A Paris sa valeur vaut
B = 47T. Notons galement que l'inclinaison dpend de notre position sur la terre et est
160 estime 64 environ Paris. On en dduit Bh = 20,60T et Bv = 42,24T les
composantes horizontale et verticale du champ magntique.
Les deux champs tant connus dans le rfrentiel, il faut mesurer leurs valeurs
dans les trois axes de la base mobile. On va utiliser pour cela des magntomtres et des
acclromtres trois axes.
165
Mthode analytique
Si l'on note Ax, Ay, Az les mesures des acclromtres et Mx, My, Mz les
mesures des magntomtres on peut crire les quations de ces capteurs en utilisant une
170 matrice de transformation R. Celle-ci peut tre une des matrices prsentes
prcdemment (Euler, Cardan, quaternions).

[] [
[] [

R11 R12
Ax
= R21 R22
Ay =R. g
Az
R31 R32

][ ]
][ ]

R13 0
R23 . 0
R33 g

eq. 5

R 11 R 12 R13 Bh
Mx
B = R21 R 22 R23 . 0
My =R.
Mz
R31 R 32 R33 Bv

175
Le dveloppement du produit matriciel nous amne au systme d'quations
suivants :

180

Ax=R13 . g

Mx=R11 . BhR 13 . Bv

Ay=R23 . g

My=R21 . BhR23 . Bv

Az=R33 . g

Mx=R31 . BhR33 . Bv

eq. 6

La rsolution de ce systme, 6 quations 6 inconnues, nous donne uniquement

les lments de la premire et de la troisime colonne de la matrice de transformation.
La convention choisie pour reprsenter l'attitude doit nous permettre de calculer un jeu

page 7/18

185 unique d'angles d'Euler (ou de Cardan ou un unique quaternion) partir du systme
d'quations prcdent, afin de trouver sans ambigut les 3 lments manquants de la
matrice.
tant donn l'influence des mesures des capteurs dans le calcul, il est judicieux
de choisir une matrice dont les quations sont simples pour les lments de la premire
190 et de la troisime colonne. Nous prendrons pour la suite la convention arospatiale avec
les angles de Cardan (R3-2-1)
On en dduit le systme d'quation suivant (les champs et les sensibilits sont
normaliss) :
Ax=sin
Ay=sin . cos
Az=cos . cos
Mx =cos . cos . Bhsin . Bv
My=sin . sin . cos cos . sin . Bhsin . cos . Bv
Mz = cos . sin . cos sin . sin. Bhcos . Bv

eq. 7

Du fait de leur domaine de dfinition il faut identifier partir de ces quations le

cosinus et le sinus de l'angle (dfini sur [-,+]), le sinus de l'angle (dfini sur
[-/2,+/2]) et le cosinus et le sinus de l'angle (dfini sur [-,+]). On remarque que
les calculs prcdents ne ncessitent en fait que cinq capteurs. Mz n'est pas utilis.
200

Lorsque l'angle est gal /2 le calcul des angles et est impossible (c'est
le blocage de Cardan). Par contre lorsque l'angle est gale /2 le sinus de l'angle
est indfini, ce qui n'est pas prvu par la convention choisie. Pour lever cette
indtermination on utilise alors l'quation du dernier capteur Mz.

205

Pour finir il faut calculer les angles partir de leur cosinus et sinus :
=arcsin ( Ax)
Ay
=arctg2( )
Az
cos ()=cos( )( Mx , Bh , Bv ,)
sin( )=sin ()(My , Bh , Bv , , , cos ())
sin ()
=arctg2(
)
cos ()

eq. 8

La fonction arctg2 est l'quivalent de la fonction arctg mais dfinie sur [-, ].

page 8/18

210

Pour conclure sur cette mthode analytique, si elle est simple apprhender, elle
fait nanmoins appel un grand nombre de calculs trigonomtriques et est donc difficile
implanter sur un contrleur embarqu. Elle est de ce fait trs rarement utilise.
Diffrentes mthodes ont ainsi t dveloppes pour dterminer l'attitude du
mobile. Elles peuvent tre classes en deux groupes distincts : les algorithmes de calcul

215 direct qui dterminent l'orientation 3D partir d'une mesure unique des champs
magntique et gravitationnel, la plupart se basant sur la mthode des moindres carrs,
(citons les algorithmes, QUEST, ESOQ, Q-method...) ; et les algorithmes de filtrage
comme le filtre de Kalman qui est un estimateur rcursif (il utilise l'tat prcdent et les
mesures courantes pour dterminer l'attitude).
220

IV. Systmes AHRS

Un systme AHRS (Attitude and Heading Reference System) est un systme qui
225 donne son attitude (3 degrs de libert : angles d'Euler ou de Cardan...). Un AHRS
contient une IMU (Inertial Measurement Unit) qui fournit les donnes en provenance
des capteurs, et un calculateur (micro-contrleur) qui dtermine l'attitude du systme.
On le distingue d'un INS (Inertial Navigation System) plus complet qui en plus de
l'attitude fournit la position du mobile (6 degrs de libert).
230

Une norme dfinit les caractristiques d'un systme AHRS pour l'aronautique.
Peu de systmes bass sur des capteurs MEMS ont obtenu cette certification. On
diffrencie alors deux type d'AHRS, les "haut de gamme" aux caractristiques
compatibles avec les exigences aronautiques, et les "grand public".

235

Les systmes "Haut de Gamme" ont des performances de trs haut niveau, une
prcision en orientation infrieure au degr, et une rsolution infrieure au dixime de
degr. Par contre la puissance consomme est leve (proche du watt), leur prix avoisine
les 3000, et ils sont relativement encombrants. Ces caractristiques ne permettent pas
de les utiliser dans des applications "grand public". En effet les contraintes de cot, de

240 puissance consomme et d'encombrement priment sur les performances dans le cas
d'applications "grand public". Pour ce faire les fabricants se sont penchs sur l'utilisation

page 9/18

des techniques collectives standard de la micro-lectronique et donc sur l'utilisation de

capteurs intgrs de type CMOS* ou MEMS.
245

Un exemple d'un tel AHRS est la boussole 3D compense en inclinaison de la

socit Honeywell ("HMC6343"). Le systme est compos d'un acclromtre 3 axes,
d'un magntomtre 3 axes, d'une lectronique de conditionnement et d'un microcontrleur, le tout encapsul dans un mme boitier. Les caractristiques de la boussole
sont donnes dans le tableau suivant :

250
Caractristiques
Rsolution en orientation :

Performances
Angle de lacet
Angle de roulis
Angle de tangage

0,1

Prcision :

Angle de lacet
Angle de roulis
Angle de tangage

2 - 4
1 - 2
1 - 2

Consommation :

Fonctionnement
normal

14,8 mW

Encombrement :

Systme dans un
seul boitier

9 x 9 x 1,9 mm

l'unit

~140

Prix

Tableau 1 : Caractristiques Boussole 3D "HMC6343"

255

260
Figure 2 : Diagramme
fonctionnel et Photo de la boussole 3D "HMC6343"

* Voir annexe

10

page 10/18

V. Magntomtres et acclromtres intgrs

265
Nous ne nous intressons qu'aux capteurs intgrables dans une technologie
standard sans post-procd complexe (capteurs grand public faible cot). La technologie
actuelle de fabrication de micro-systmes la moins onreuse est ainsi la technologie
CMOS associe la micro-gravure en volume du substrat par la face avant (Front Side
270 Bulk Micromachining FSBM). Cette technologie permet lintgration monolithique du
capteur (llectronique, ainsi que la partie mcanique du capteur sont sur le mme
substrat de silicium*).
1. Micro-magntomtres
275

Les phnomnes physiques utiliss dans les capteurs magntiques intgrs sont
de diffrents types.
Les phnomnes magnto-galvaniques comme l'effet Hall ou la dviation des
porteurs de charge par la force de Lorentz, ont des effets extrmement importants dans

280 les semi-conducteurs* tel le silicium et se prtent donc bien une intgration utilisant les
technologies standard de la microlectronique.
Mme si le silicium ne s'impose pas d'emble comme le matriau semiconducteur prsentant les meilleures caractristiques intrinsques pour ce type de
phnomne, et ne peut donc rivaliser en termes de performances avec des semi285 conducteurs comme l'arsniure de gallium* (GaAs) ou l'antimoniure d'Indium (InSb), il
existe un certain nombre de solutions techniques permettant d'amliorer l'intgration de
tels systmes. Le grand avantage du capteur effet Hall sur silicium rside dans le fait
que sa ralisation entre entirement dans le flot classique de conception et de fabrication
des circuits intgrs CMOS et ne ncessite aucune tape de fabrication supplmentaire
290 (post-processing).
Pour raliser un tel transducteur performant nous avons besoin d'une plaque
faiblement dope et la plus fine possible. La technologie considre tant une
technologie CMOS classique avec substrat P*, l'ide consiste utiliser un puits N*
295 comme zone active. Ce puits tant relativement peu dop et peu profond, il convient
parfaitement la ralisation d'une plaque effet Hall. La mthode consiste donc
* Voir annexe

page 11/18

dessiner un puits N rectangulaire de largeur W et de longueur L auquel on rajoute deux

larges contacts de polarisation (largeur W) pour l'injection de manire uniforme du
courant I, et deux contacts de mesure, de taille minimum (largeur S dfinit par la
300 technologie) au milieu des faces latrales. (Figure 2). Cette forme de plaque est la plus
simple, mais comme l'effet Hall apparat dans toutes les structures o la direction du
courant est impose par la gomtrie du transducteur, diffrentes formes plus ou moins
complexes (croix, ellipses...) sont envisageables pour amliorer les performances en
bruit en sensibilit du capteur.
305

Figure 2 : Plaque effet Hall simple en technologie MOS

310

on a alors pour la tension de Hall : V h=

avec

Rh =

1
n.e

Rh
. B. I pol
t

eq. 9

(Rh : coef. de Hall, n : densit porteurs, t : paisseur de la plaque).

Ces dernires annes, l'essor des nouvelles technologies MEMS (Micro315 Electro-Mechanical System) a permis l'mergence d'un nouveau type de capteur
magntique utilisant la dformation d'une structure mcanique sous l'effet de la force de
Laplace. Ces capteurs sont raliss en utilisant la technologie FSBM.
Il y a aussi les capteurs magntorsistance qui utilisent le changement de
320 rsistance d'un matriau sous l'effet d'un champ magntique. Ils exploitent les proprits
anisotropiques des matriaux ferromagntiques et sont appels "Anisotropic MagnetoResistance" (AMR).
page 12/18

 Signalons pour finir les capteurs de type "Flux gates" ainsi nomms en anglais
325 du fait que ces capteurs se comportent comme des quadriples dont la fonction de
transfert est dpendante du champ magntique appliqu, et qui reposent sur le
phnomne de saturation magntique (l'intensit du champ d'induction magntique B
est borne au sein d'un corps ferromagntique).
330

Le tableau 2 prsente les plages de mesure des diffrents types de capteurs

intgrs de champ magntique.
Induction dtectable en T

10-12

10-8

10-4

100

104

Champ magntique terrestre

Magnto-Rsistance AMR
Fluxgate
Effet Hall
MEMS

Tableau 2 : Plage de mesure des micro-magntomtres

335
2. Micro-acclromtres
Un acclromtre mesure lacclration subie par un objet, cette acclration est
exprime en m/s2 ou en nombre de g qui correspond lacclration de la pesanteur
moyenne sur la terre . Voici quelques ordres de grandeurs dacclrations pouvant tre
340 rencontres : 1g est lacclration subie par un objet, lorsquil est soumis la seule force
gravitationnelle terrestre ; 0-2g correspond lacclration dune personne se mettant en
mouvement ; 5-30g est lacclration subie par un conducteur lors dun accident de
voiture ; 100-2000g serait lacclration subie par un objet lors du choc si vous le
laissiez tomber dun mtre sur un sol dur ; enfin 10 000g est lordre de grandeur de
345 lacclration subie par une balle au dpart dun fusil.
Les acclromtres sont dfinis par les paramtres suivants : sensibilit,
rsolution, plage de fonctionnement, bande passante, sensibilit hors axe... Ces
paramtres dterminent les domaines dapplications associs chaque type
350 dacclromtre. Le tableau 3 donne les spcifications pour des applications de type

page 13/18

navigation. Ces applications ncessitent des capteurs avec une bonne rsolution (de
lordre du micro-g) pour des amplitudes dacclration infrieures au g, une faible non
linarit, et une sensibilit hors axe aussi trs faible (rponse une acclration qui n'est
pas dans la direction de mesure cible).
355
Amplitude acclrations
Frquences de fonctionnement

1g
DC -100Hz

Rsolution

< 4 g

Sensibilit hors axe

< 0,1 %

Non linarit

< 0,1 %

Tableau 3 : caractristiques d'un micro-acclromtre pour la navigation

Le march actuel offre plusieurs types de capteurs dacclration. Les deux
principaux sont les capteurs pizorsistances et les capteurs capacitifs.
360

Les acclromtres pizorsistance consistent en un substrat micro-usin,

comprenant une masse sismique suspendue par une ou plusieurs poutres de flexion en
silicium. Les poutres comportent des pizorsistances qui afin de fournir un signal
maximal sont places sur les cts des poutres.
La figure 3 reprsente un capteur d'acclration industrialis, la dynamique de

365 mesure est de l'ordre du g pour une bande passante de quelques centaines de hertz et une
sensibilit de 1mV/g. Bas sur un principe pizorsistif, il permet thoriquement le
passage du continu, mais les fortes drives thermiques (10 V/K) induites par les
contraintes provenant du collage pied/botier le limitent souvent la mesure des
acclrations variables (au-dessus de 0,01 Hz).
370

Les mouvements de la poutre lors des acclrations entranent des dformations

dans la zone du rtreint, qui sont lorigine des contraintes mcaniques sur les jauges
colles sur cette poutre.

375

380

Figure 3 : Acclromtre pizorsistif

page 14/18

 La dtection capacitive est la mthode la plus utilise actuellement. Le "corps

d'preuve" (partie du capteur sensible l'acclration) ou "masse sismique" est une
lectrode mobile. Le principe consiste traduire le dplacement de la masse sismique
mobile, d l'acclration, en une mesure de variation de capacit.
385

Les capacits sont souvent formes par des poutres disposes de faon former
des peignes interdigits l'un mobile l'autre fixe. Pour garantir une excellente linarit et
la possibilit dintgrer une boucle retour lectromcanique, le systme est conu
comme une capacit diffrentielle (figure 5).
La figure 4 prsente le principe dun acclromtre capacitif simple dans laxe z,

390 et inter digit mont en capacit diffrentielle dans laxe y.

395

400

Figure 4 : acclromtre capacitif en z (a) et en y (b)

405

410
Figure 5 : principe dune cellule capacitive diffrentielle

15

page 15/18

VI. Conclusion
415
On vient de voir dans ce dossier qu'en associant dans un mme boitier des micromagntomtres,

des

micro-acclromtres,

leurs

chaines

lectroniques

de

conditionnement et de mesure ainsi qu'une centrale de calcul (micro-contrleur), on

peut dsormais proposer un prix tout fait abordable de vritables centrales dattitude
420 embarques.

page 16/18

ANNEXE : Lexique
425
Semi-conducteur intrinsque : rseau cristallin pur qui, comme son nom lindique, se
situe, en termes de mobilit des charges et de robustesse des liaisons, entre les
conducteurs et les isolants. Lnergie fournir pour arracher un lectron est denviron
1eV contre 0,1eV pour les conducteurs et 5eV pour les isolants.
430
Semi-conducteur extrinsque de type N : le cristal est dop avec des impurets
(atomes ayant 5 lectrons de valence comme le phosphore ou larsenic) qui vont prendre
la place datomes de silicium dans le rseau cristallin. Les lectrons de valence
supplmentaires sont des lectrons libres, pratiquement aussi mobiles que dans le cas
435 des conducteurs.
Semi-conducteur extrinsque de type P : le principe est le mme que pour le type N
mais avec des atomes dimpuret ayant un lectron de valence en moins que le silicium.
Il manque ainsi un lectron l'atome trivalent pour raliser toutes les liaisons covalentes
440 avec ses voisins, ce qui cre un trou . Latome de type III est ainsi un atome
accepteur dlectrons.
Silicium (Si) : matriau semi-conducteur le plus utilis actuellement pour la fabrication
des circuits lectroniques. Il se prsente sous la forme dun rseau cristallin datomes
445 possdant 4 lectrons de valence (colonne IV du tableau de classification des lments).
Arsnure de Gallium (AsGa) : alliage semi-conducteur de type III-V comportant part
gale des atomes darsenic (colonne V)

et de Gallium (colonne III).Utilis

principalement pour des composants opto-lectroniques.

450
Technologie CMOS (Complementary MOS) : technologie de conception de circuits
intgrs utilisant les deux types de transistors PMOS et NMOS.
Transistors MOS (Mtal-Oxyde-Semiconducteur) : ils se dclinent en deux types, les
455 transistors canal N (NMOS) et les transistors canal P (PMOS). Leurs lectrodes
sappellent : drain (D), source (S) et grille (G).

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Le transistor NMOS est schmatis sur la figure suivante. La grille (actuellement en

polysilicium mais au dpart en mtal) est spare du substrat par une fine couche
doxyde isolant (SiO2) do le nom de MOS : Mtal-Oxyde-Semiconducteur.
460

Pour un transistor PMOS, on cre un puits N dans le substrat P, et on insre dans

le puits deux zones P qui seront les drain et source du transistor.

465

Figure A1 : coupe dun transistor NMOS

MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) : Un microsystme lectromcanique

est un

micro-systme comprenant un ou plusieurs lments mcaniques, utilisant

470 llectricit comme source dnergie, en vue de raliser une fonction de capteur et/ou
dactionneur avec une structure prsentant des dimensions micromtriques.

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