SUMRIO

1. RESUMO................................................................................................................
2. INTRODUO TERICA..................................................................................
3. OBJETIVOS..........................................................................................................
4. MATERIAIS E MTODOS...................................................................................
5. RESULTADOS E DISCUSSES..........................................................................
6. CONCLUSES......................................................................................................
7. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS.................................................................

1. RESUMO
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2. INTRODUO TERICA
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3. OBJETIVOS
Entender o funcionamento e propriedades do diodo e realizar o levantamento de
sua curva caracterstica.

4. MATERIAS E MTODOS UTILIZADOS

4.1. Materiais Utilizados:
- 1 resistor de 1k;
- 1 diodo 1N4148;
- 2 multmetros digitais;
- 1 fonte de tenso CC ajustvel;
- 1 osciloscpio;
- pontas de prova para os instrumentos;
- Computador/Notebook;
- Software Multisim.
4.2. Mtodos Utilizados:
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5. RESULTADOS E DISCUSSES
5.1. Curva Vd x Id do diodo:
Vd = 0.554V
Primeiramente montamos o circuito do Diodo Polarizado Diretamente,
Figura.1(no laboratrio) e Figura.2(no multisim). Variamos a fonte de tenso CC de 0,1V
a 12V e encontramos valores de tenso e corrente no diodo (Vd e Id). Pudemos analisar
que os valores da simulao e do laboratrio esto aproximados.
Teoricamente dizemos que caso Vd > V1, Vd deve ser igual a V1 e Id deve ser
zero, j que o circuito estaria aberto, o diodo no est polarizado. Mas como podemos
observar na Tabela.1, na Tabela.2 e na Tabela.3, isto no ocorre. E no est correto dizer
que Id=0 (quando Vd>V1), j que, na verdade a corrente sempre existe, mesmo que seja
mnima, mas para facilitar nos clculos consideramos Id = 0.
Quando Vd = 0.554V dizemos que o Diodo comea a conduzir, ou seja, a corrente
deixa de ser muito baixa (ou zero, na teoria) e comea a se normalizar/ elevar, isto ,
permite que passe corrente nos demais componentes do circuito.
J quando Vd < V1, observamos, que mesmo assumindo nos clculos que Vd
igual a 0.554V(como, no modelo simplificado do diodo), Vd aumenta aos poucos at que
ele atinja seu nvel de saturao e assim no funcione mais corretamente.

Figura.1 : Circuito I

Figura.2 : Medio do Diodo Polarizado Diretamente

Tabela: Regio de Polarizao Direta

Medido

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

V1[V]

Simulado
Medido

0.1
0.15

0.2
0.21

0.3
0.28

0.4
0.37

0.5
0.45

Vd[V]

Simulado
Medido

0.0999
0

0.1995
0

0.2963 0.379 0.4335

0
0
0.06

Id[mA]

Simulado

55.511[nA]

499.6[nA]

0.0036 0.021 0.0665

Tabela.1 : Regio de Polarizao Direta I

Tabela: Regio de Polarizao Direta

Medido
0.6
0.7
0.8

V1[V]

Simulado
Medido

0.6
0.55

0.7
0.56

0.8
0.57

1
0.59

2
0.64

Vd[V]

Simulado
Medido

0.4665
0.11

0.4883
0.18

0.5042
0.27

0.5265
0.42

0.579
1.36

Id[mA]

Simulado

0.1335

0.2117

0.2958

0.4736

1.421

Tabela.2 : Regio de Polarizao Direta II

Tabela: Regio de Polarizao Direta

Medido
3
5
10

12

V1[V]

Simulado
Medido

3
0.68

5
0.72

10
0.76

12
0.78

Vd[V]

Simulado
Medido

0.6044
2.32

0.6339
4.28

0.673
9.16

0.6834
11.17

Id[mA]

Simulado

2.396

4.366

9.328

11.319

Tabela.3 : Regio de Polarizao Direta III

Depois coletamos os dados para o Diodo Polarizado Inversamente, Figura.1(no

laboratrio) e Figura.3(no multisim). Neste caso, variamos a fonte de tenso CC de -1V
a -10V e, do mesmo modo, encontramos valores de tenso e corrente no diodo (Vd e Id).
Pudemos analisar que os valores da simulao e do laboratrio esto aproximados.
Observamos que Id est sempre prximo de zero, j que, o diodo no est
conduzindo fazendo o circuito ser aberto, esse Id chamado de corrente de saturao
(Is).
Outra anlise feita em relao a Vd, no qual, Vd aproximadamente igual a V1.
Como a corrente baixa a tenso ir toda para o Diodo.
Se trassemos a curva do diodo verificaramos que o diodo no atingiu a tenso
de ruptura Zener (regio onde a tenso reversa bastante elevada).

Figura.3 : Medio do Diodo Polarizado Inversamente

Tabela: Regio de Polarizao Reversa

Medido
-1
-2
-5

-8

-10

V1[V]

Simulado
Medido

-1
-1.066

-2
-2.018

-5
-5.045

-8
-8.037

-10
-10.057

Vd[V]

Simulado
Medido

-0.999
0

-2
0

-5
0

-8
0

-10
0

Id[mA]

Simulado

0.0004

0.0008

0.0017

Tabela.4 : Regio de Polarizao Reversa

5.2. Curva Vd x Id do diodo atravs do Osciloscpio:

Nesta parte da prtica utilizamos um gerador de funo para fornecer de entrada
uma onda senoidal de 5Vpp em 100Hz e montamos o circuito da Figura.4 (no laboratrio)
e da Figura.6 (no multisim).
Com as propriedades existentes no Osciloscpio pudemos realizar o
acoplamento DC nos canais e inverter o canal dois. Colocando-o em modo XY traou-se,
nos visores, a curva do diodo/oscilograma no Osciloscpio (Figura.5 no laboratrio e
Figura.6 no multisim).
A anlise da curva que pode ser feita corresponde aos dados coletados do item
5.1, no qual existe a regio de polarizao reversa (Vd<0V, Id=-Is), a regio sem polarizar
(Vd~0V, Id~0mA) e a regio de polarizao direta (Vd>0V, Id>0mA). A regio Zener no
foi alcanada, como pode ser comprovado nas imagens e nos dados.

Figura.4 : Circuito II

Figura.5 : Curva Vd x Id _ Osciloscpio

Figura.6 : Curva Vd x Id

5.3. Tempo de Recuperao Reverso:

Nesta parte do relatrio calculamos o tempo de recuperao reversa do
diodo(trr), sendo trr(tempo recuperao reversa) = ts(tempo de armazenamento) +
tt(intervalo de transio). O tempo de recuperao reversa nada mais do que a grande
quantidade de portadores minoritrios, que ficam no material aps o diodo conduzir
diretamente, onde carregam-se e descarregam-se produzindo uma corrente reversa. Desta
forma os portadores minoritrios voltem a condio de portadores majoritrios no
material, mas o diodo, durante esse trr, permanecer em estado de curto circuito.
Para mensurar o Tempo de Recuperao Reverso
apenas utilizamos o visor do Osciloscpio, Figura.7 e Figura.8(no laboratrio). Olhamos
a escala e conforme o posicionamento, o tamanho da curva e os dados gerados achamos
que trr ~ 180ns.

Figura.7 : Dados para Tempo de Recuperao Reversa I

Figura.8 : Dados para Tempo de Recuperao Reversa II

6. CONCLUSO
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7. BIBLIOGRAFIA
DISPOSITIVOS ELETRNICOS E TEORIA DE CIRCUITOS, ed. 3 - ROBERT L.
BOYLESTAD e LOUIS NASHELSKY - Pearson, 2009.
MICROELETRNICA, ed. 5 - SEDRA E SMITH - Pearson, 2012.