CURSO TCNICO EM MECATRNICA

DISPOSITIVOS DE POTNCIA
Francisco Andreson de Mesquita da Silva
Emerson Thadeu da Silva Souza

Agosto de 2014

SUMRIO

APRESENTAO..................................................................................
................................... 03

DESENVOLVIMENTO............................................................................
.................................. 04

CONSIDERAES
FINAIS...............................................................................................
.......... 11

REFERNCIAS DE
PESQUISA..........................................................................................
.......... 12

APRESENTAO
Um dos conceitos da eletrnica de potncia utilizao de novas
tecnologias no tratamento da energia eltrica visando obter maior ganho e
uma melhor qualidade. Para obterem essas melhorias na eletrnica de potncia
utilizam-se dispositivos semicondutores operando por meio de chaveamentos
para realizar o controle do fluxo de energia e a converso de formas de onda
de tenses e correntes entre fontes e cargas.
Neste trabalho estaremos apresentando alguns desses componentes
eletrnicos de potncia, no intuito de ampliar nosso conhecimento dos
mesmos.

O Transstor Bipolar
A principal funo do transistor poder controlar a corrente. Ele
construdo em uma estrutura de cristais semicondutores, formando duas
camadas de cristais do mesmo tipo intercaladas por uma camada de cristal do
tipo oposto, que controla a passagem de corrente entre as outras duas. As
extremidades so denominadas de emissor e coletor, e a camada central
chamada de base. Essa caracterstica viabiliza dois modos de criao.

Caractersticas Construtivas
-

O emissor fortemente dopado, com grande nmero de portadores de

carga. O nome emissor vem da propriedade de emitir portadores de carga.

-

A base tem uma dopagem mdia e muito fina, no conseguindo absorver

todos os portadores emitidos pelo emissor.

-

O coletor tem uma dopagem leve e a maior das camadas, sendo o

responsvel pela coleta dos portadores vindos do emissor.

-

Da mesma forma que nos diodos, so formadas barreiras de potencial nas

junes das camadas P e N.

-

O comportamento bsico dos transstores em circuitos electrnicos fazer

o controle da passagem de corrente entre o emissor e o coletor atravs da

base. Para isto necessrio polarizar corretamente as junes do transstor.
2. Funcionamento

Polarizando diretamente a juno base-emissor e inversamente a juno basecoletor, a corrente de coletor IC passa a ser controlada pela corrente de base IB.

Um aumento na corrente de base IB provoca um aumento na corrente de

coletor IC e vice-versa.
A corrente de base sendo bem menor que a corrente de coletor, uma pequena
variao de IB provoca uma grande variao de IC, Isto significa que a variao
de corrente de coletor um reflexo amplificado da variao da corrente na
base. O fato de o transstor possibilitar a amplificao de um sinal faz com que
ele

seja

considerado

um

dispositivo

dativo.

Este

efeito

amplificao,

denominado ganho de corrente pode ser expresso matematicamente pela

relao entre a variao de corrente do coletor e a variao da corrente de
base, isto :

MOSFET
encontrado principalmente em MP3 players, rdios para automveis, caixas
amplificadas, sons residenciais, computadores, entre outros eletrnicos.

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) que tambm

conhecido como transistor de efeito de campo de semicondutor de xido
metlico faz parte de uma classe diferente de transistores de efeito de campo
em circuitos digitais ou analgicos que, por ter uma rpida comutao, se torna
especial para altas frequncias. Uma de suas melhores caractersticas a sua
possibilidade de suportar alta corrente, um componente muito utilizado na
eletrnica de potncia. Ele composto de um canal de material semicondutor.
O terminal de comporta uma camada de polisilcio colocada sobre o canal,
mas separada deste por uma fina camada de dixido de silcio isolante.

Quando uma tenso aplicada entre os terminais comporta (gate) e fonte

(source), o campo eltrico gerado penetra atravs do xido e cria uma espcie
de "canal invertido" no canal original abaixo dele. Assim, ele cria um condutor
atravs do qual a corrente eltrica possa passar. Ao variar a tenso entre a
comporta e a fonte, a condutividade dessa camada modulada e possvel
controlar o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte.
De forma geral quando um componente substitudo por um MOSFET, o
circuito opera de forma mais eficiente e menos calor gerado e uma maior
potncia pode ser transferida para a sada o que resulta em uma maior
potncia do som produzido e uma melhor qualidade do udio, evitando
interferncias e gerando melhor eficincia.

GTO Gate Turn-Off Tiristor

Foi criado no incio da dcada de 60, e pelo seu pssimo desempenho foi pouco
utilizado. Com o avano da tecnologia e a criao de novos semicondutores,
houve um aprimoramento em seus componentes que possibilitou em uma faixa
de aplicao, especialmente naquelas de elevada potncia, uma vez que esto,
disponveis dispositivos para 5000V, 4000A. O GTO um tiristor disparado da
mesma maneira que o SCR, mas tendo a vantagem adicional de ser bloqueado
pela injeo de um pulso negativo de corrente no gate.

A corrente negativa aplicada ao gate deve durar um certo tempo para que haja
o bloqueio e a amplitude dessa corrente deve ser capaz de bloquear o
componente. Como exemplo, um GTO de 2500V, 600A necessita de uma
corrente negativa de e de 150mA, para bloque-lo. Atualmente encontra-se
GTO com valores de at 2500A e 4500V, com uma frequncia mxima de
chaveamento de alguns kHz.
Princpio de funcionamento
A caracterstica principal do GTO a sua capacidade de entrar em conduo e
bloquear atravs de comandos adequados no terminal de gate. O mecanismo
de disparo semelhante ao do SCR: supondo-o diretamente polarizado, quando
a corrente de gate injetada, circula corrente entre gate e catodo. Grande
parte de tais portadores, como a camada de gate suficientemente fina,
desloca-se at a camada N adjacente, atravessando a barreira de potencial e
sendo atrados pelo potencial do anodo, dando incio corrente andica. Se
esta corrente se mantiver acima da corrente de manuteno, o dispositivo no
necessita do sinal de gate para manter-se conduzindo. A figura seguinte mostra
o smbolo do GTO e uma representao simplificada dos processos de entrada
e sada de conduo do componente. A aplicao de uma polarizao reversa
na juno gate-catodo pode levar ao desligamento do GTO. Portadores livres
(lacunas) presentes nas camadas centrais do dispositivo so atrados pelo
gate, fazendo com que seja possvel o restabelecimento da barreira de
potencial na juno J2.

Smbolo, processos de chaveamento e estrutura interna de GTO.

Fatores Caractersticos do GTO
Aparentemente seria possvel tal comportamento do GTO tambm no SCR.
Porm as diferenas destes esto no nvel da construo do componente. O
funcionamento como GTO depende, por exemplo, de fatores como:
Facilidade de extrao de portadores pelo terminal de gate - isto
possibilitado pelo uso de dopantes com alta mobilidade.
Desaparecimento rpido de portadores nas camadas centrais - uso de
dopante com baixo tempo de recombinao. Isto implica que um GTO tem uma
maior queda de tenso quando em conduo, comparado a um SCR de
mesmas dimenses.
Suportar tenso reversa na juno porta-catodo, sem entrar em avalanche
Menor dopagem na camada de catodo.
Absoro de portadores de toda superfcie condutora - regio de gate e
catodo muito interdigitada, com grande rea de contato.

Estrutura interna de GTO rpido (sem bloqueio reverso)

TRANSISTOR IGBT
O transistor bipolar de gatilho isolado (IGBT insulated gate bipolar transistor)
um dispositivo que combina as caractersticas de atuao rpida e de alta
capacidade de potncia do transistor bipolar com a caracterstica de controle
de tenso pelo gatilho do MOSFET. Em termos mais simples, as caractersticas
coletor-emissor so similares quelas dos transistores bipolares, mas as formas
de controle so as mesmas do MOSFET.
Em termos simplificados, pode-se analisar o IGBT como um MOSFET, no qual a
regio N- tem sua condutividade modulada pela injeo de portadores
minoritrios (lacunas), a partir da regio P+, uma vez que J1 est diretamente
polarizada. Esta maior condutividade produz uma menor queda de tenso em
comparao a um MOSFET similar.
O controle de componente anlogo ao do MOSFET, ou seja, pela aplicao de
uma polarizao entre gatilho e emissor. Para o IGBT, o acionamento tambm
ocorre por tenso. A mxima tenso suportvel determinada pela juno J2
(polarizao direta) e por J1 (polarizao reversa). Como J1 divide duas regies
muito dopadas, conclui-se que um IGBT no suporta tenses elevadas quando
polarizado reversamente.

Estrutura bsica do IGBT.

CARACTERSTICA IV

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Na polarizao direta, so qualitativamente idnticas s de juno bipolar,

exceto que o parmetro de controle uma tenso de entrada, isto , a tenso
gatilho-fonte, no lugar de uma corrente de entrada. As caractersticas de um
IGBT canal P so as mesmas, embora com polaridades invertidas.
CIRCUITO EQUIVALENTE E ESTRUTURAS
Podemos comparar um IGBT a um circuito formado por um transistor de efeito
de campo que controla a corrente de base de um transistor bipolar, veja figura
abaixo.

Circuito equivalente ao IGBT.

Outra forma de representar o circuito

equivalente a um IGBT
Nesta representao temos um transistor PNP excitado por MOSFET de canal N
numa configurao pseudo-Darlington. O transistor JFET foi includo no circuito
equivalente para representar a contrao no fluxo de corrente entre os poos
p.
Atualmente existem duas estruturas bsicas utilizadas na construo dos
IGBTs, as quais so:

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Estruturas bsicas do IGBT.

A primeira denominada estrutura PT e a segunda NPT, que foi desenvolvida
pela Siemens.
A estrutura PT (Punch Through = socada atravs) tem camadas epitaxiais
caractersticas e uma regio N+ dopada (camada buffer) e uma regio N- sobre
um substrato dopado com polaridade p. O tempo de vida dos portadores de
carga minimizado pela forte difuso de metal, ou por radiao de alta
energia. O material de base da estrutura NPT (Non Punch Through) um wafer
homogneo dopado com impurezas N-. Do lado de trs, uma camada p
especialmente formada criada durante o processamento do wafer. Neste
caso, no necessrio limitar o tempo de vida dos portadores de carga. Em
ambos os casos a estrutura de clula de um IGBT tpico formada do lado
frontal.
CARACTERSTICAS DE COMUTAO
OS IGBTs so componentes usados principalmente como comutadores em
conversores de frequncia, inversores, etc. Nestas aplicaes normalmente
uma carga indutiva ligada e desligada, podendo com isso aparecer tenses
inversas elevadas contras as quais o dispositivo deve ser protegido. Esta
proteo feita com o uso de diodos. Quando o IGBT liga novamente, o fluxo
de corrente no diodo funciona inicialmente como um curto. A carga
armazenada tem que ser removida inicialmente para que o diodo bloqueie a
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tenso. Isso faz com que aparea uma corrente que se soma corrente da
carga, a qual chamada de corrente reversa de recuperao do diodo ou Irr. O
mximo da corrente Irr ocorre quando as somas das tenses instantneas
sobre o IGBT e o diodo igualam a tenso de alimentao.
CONSIDERAES FINAIS

Aps os estudos feitos podemos notar a importncia dos dispositivos

eletrnicos de potncia, no controle e processamento da energia, a constante
evoluo tecnolgica e suas caractersticas individuais que atendem as mais
diversas necessidades:
Residencial e comercial: iluminao reatores eletrnicos; computadores
pessoais; equipamentos eletrnicos de entretenimento; elevadores; sistemas
ininterruptos de energia (nobreak); equipamentos de escritrio.
Industrial: acionamento de bombas, compressores, ventiladores, mquinas
ferramenta e outros motores; iluminao; aquecimento indutivo; soldagem.
Transporte: veculos eltricos; carga de baterias; locomotivas; metr.
Sistemas Eltricos: transmisso em altas tenses C; fontes de energia
alternativa (vento, solar, etc.); armazenamento de energia.
Aeroespaciais: sistema de alimentao de satlites; sistema de alimentao de
naves;
Telecomunicaes: carregadores de baterias; fontes de alimentao C;
sistemas ininterruptos de energia (UPS).

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REFERENCIAS
ARVM, Transistores bipolares, Disponvel em:
<http://www.arvm.org/exames/trasistor>

Acesso

em

01/08/2014 >

Acesso

em

01/08/2014
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<http://www.magazineluiza.com.br/portaldalu/mosfet-o-que-e/505/ >

Acesso

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01/08/2014
Instituto Newton C. Braga, Como funciona o MOSFET (ART977),Disponvel em:
<http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/como-funciona/6417-art977>
Acesso em 01/08/2014
Instituto Newton C. Braga, Conhea o GTO e IGCT (ART122) Acesso em
01/08/2014 Disponvel em:
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Acesso em 01/08/2014
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Acesso

em 01/08/2014.
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