Universidad Nacional de Colombia

Juan Camilo Narvez Villota

Electrnica anloga II

Solucin parcial I
El parcial nos plantea disear un amplificador cascodo que cumpla con cualquiera de las dos tecnologas
mencionadas a continuacin, de tal manera que el producto de ganancia por ancho de banda sea lo ms alto
posible. Una restriccin es que las fuentes de tensin no podrn ser superiores a 3V.
Kn[A/V
]

Cox[fF/m2]

Lmn[m]

Lov[m]

Tecnologa 1
160
3.68
1
0.05
Tecnologa 2
34
0.778
5
0.25
El modelo del cascodo se puede visualizar en la figura de la derecha.

VA[V/]

20
15

x
[V-1]
0.15
0.15

VT [V]

0.6
0.8

Escog la tecnologa 1 y decid polarizar el cascodo con una corriente

I D =1mA , adems opt por que el ancho de canal sea

V GS 1 estar dado por

De esta manera el voltaje

W =20 m .

2I D

2( 1 E3 )
V GS 1=
+V T =
+0.6=1.39V
n' W
(160 E6 )20
k
L
1
Por lo que decido que el voltaje

V bias =V GS 2+V D 1

V D 1=1V , entonces el voltaje

pero al saber que por los dos transistores la corriente debe ser igual entonces

V GS 1=V GS 2 , por lo que V bias =VG S1 +V D 1=1.39+1=2.39 V , ahora bien para comprobar esta
polarizacin acudir al simulador LTspice; acto seguido debo asignar los parmetros para ambos transistores y
se visualizara as.
As entonces debo encontrar una magnitud para la fuente de corriente de tal manera que la tensin

V D 1=V (n 013) 1 V

V D 2=V (n 001) 2 V

por lo que hago un barrido de la fuente de

corriente en valores cercanos a la polarizacin que escog anteriormente y obtuve como resultado la siguiente
figura donde se aprecia que las tensiones deseadas se encuentran en una corriente de polarizacin

I D 1.0485 mA

Tome el valor de

I 1=I D=1.0485 mA y asign los valores correspondientes a cada fuente en la

simulacin, despus realice el clculo del punto de operacin en la simulacin y obtuve los valores que se
aprecian en la siguiente figura. Se observa que efectivamente las tensiones son las deseadas en cada punto.

Ahora bien necesito calcular la ganancia de voltaje a circuito abierto para lo cual debo calcular la
transconductancia

gm y la resistencia ro , para lo que utilizo las siguientes expresiones. Cada resaltar

que para este caso es vlido afirmar que las ganancias intrnsecas para ambos transistores son iguales.

gm=

ro=

3
2ID
21.0485 E
mA
=
=2.6544
V GS V T
1.390.6
V

V A V 'AL 20 E61 E6
=
=
=19075
3
ID
ID
1.0485 E
3

A VO= AO =( gmro ) =( 2.6544 E 19075 ) =2563.67

V
V

V sig

En la simulacin asigno a la fuente de entrada

una seal seno de frecuencia 1kHz y de amplitud

10V. La salida vista en el osciloscopio se observa en la siguiente figura donde se ha quitado el valor de offset
correspondiente al valor encontrado en el clculo del punto de operacin y se nota que el pico de la seal es

V OUT 28.85 mV , es decir que la ganancia a circuito abierto est dada por

cercano a

A VO=V OUT /V sig=28.85 E3 /10 E6=2885 V /V .

El

equivalente

Thevenin

est

dado

por

V TH = AOV sig =2563.67V sig

una
en

fuente
serie

dependiente
con

una

de

tensin

resistencia

de

con

la

forma

el

valor

RTH = A Oro=50.6319075=965.82 k . Este circuito equivalente lo pongo junto al circuito

original en la simulacin tal como se observa en la siguiente figura para poder comparar la seal en sus
salidas.

De la figura anterior miramos que la salida del circuito equivalente (V(n013)) tiene un nivel de offset de
-2563.67 veces el offset de la seal de entrada

V sig

por lo tanto para comparar las salidas es necesario

restar a cada una su respetivo offset y se obtiene la siguiente figura, donde la seal de salida del circuito

equivalente es ms pequea que la salida del circuito original, sin embargo si dividimos su amplitud mxima
entre la amplitud de la entrada notamos que la ganancia se acerca mucho ms al valor obtenido tericamente

A VOTH =25.59 E3 /10 E6=2559V /V .

La respuesta en frecuencia del amplificador cascodo est determinada por las capacitancias internas de cada
mosfet, por lo que el mtodo de las constantes de tiempo a circuito abierto es la mejor forma de calcular la
frecuencia de 3dB

f H . As entonces Sedra nos propone la siguiente ecuacin para determina esta

frecuencia.

f H=
Donde

1
2 H
H est dado por:

H =R sig ( C gs 1+C gd 1 ( 1+ gm 1 R d 1 ) ) + R d 1 ( C gd 1+ Cdb 1 +C gs 2) +(R L / Rout )(C L +C gd 2 )

Sin embargo en este caso, para simplificar cuentas no tomamos en cuenta

C db1 ,

RL

Rsig =0 , as que la ecuacin anterior pasa a ser la siguiente.

H =r o1 ( C gd 1 +C gs 2 )+(Rout )(C gd 2 )
6

C gd 1=C gd 2=C OV =WLOV C OX=20 E 0.05 E 3.68 E =3.68 fF

2
2
6
6
3
15
C gs 2= WLCOX +C OV = 20 E 1 E 3.68 E +3.68 E =52.75 fF
3
3

ni

CL

Rout = A O r o1=965.82 k
Entonces tengo que:

H =19075 ( 3.68 E15+ 52.75 E15 ) + ( 965.82 E 3) ( 3.68 E15 ) =4.63 ns

f H=

1
1
=
=34.37 MHz
2 H 2 4.63 E9

Para comprobar este resultado con la simulacin es necesario determinar CGDO, CGSO y TOX como
parmetros del modelo nmos, teniendo en cuenta que

C gd=W CGDO

C gs=W CG SO .

Entonces se obtiene un comando como el que se aprecia a continuacin.

Y una vez aplicados estos cambios, se realiza un barrido en frecuencia desde 100kHz hasta 100MHz y se
obtiene el siguiente diagrama de Bode en el cual se aprecia que

f H 5.4 MH , valor que no coincide con

el calculado tericamente.

Como conclusin puedo afirmar que si se desea obtener una mayor ganancia, se necesita emplear la menor
corriente posible, puesto que la ganancia es inversamente proporcional al cuadrado de Vov, de la misma forma
es inversamente proporcional a la corriente (para este caso con una corriente de 1mA se obtuvo una ganancia
de aproximadamente 70dB, al hacer el mismo anlisis pero con una corriente 10 veces ms pequea se obtuvo
una ganancia cercana a 90dB; es por esto que a grandes rasgos puedo afirmar que es una buena aproximacin
si se dice que por cada dcada en corriente que se disminuya, 20dB de ganancia se irn obteniendo). En un
caso real la ganancia mxima debe ser limitada a la capacidad de alimentacin de las fuentes.