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Importancia de los
materiales compuestos a
travs del tiempo
los enfibrados
y los particulados.
Particulados
Fibrosos
Laminares
Los materiales particulados estn compuestos por partculas de un material duro y frgil dispersas
discreta y uniformemente, rodeadas por una matriz ms blanda y dctil.
La estructura recuerda a la de muchas aleaciones metlicas de dos fases, sin embargo en estos
materiales las partculas se introducen mediante un proceso mecnico.
Tipos: a)
b)
Particulados verdaderos
Generalmente lo que se busca con este tipo de compuestos es conseguir materiales que presenten una
elevada resistencia y rigidez junto con una baja densidad. Ingenierilmente estas propiedades se expresan mediante dos
parmetros: Resistencia especfica y mdulo especfico, que
corresponden con las relaciones entre resistencia a traccin y densidad
por un lado, y la relacin mdulo de elasticidad y densidad por otro. A
su vez, estos materiales compuestos reforzados con fibras se
subclasifican dependiendo del tamao de las mismas.
Existen muchos factores que afectan estos esfuerzos, como son la
forma de las fibras, la geometra de los extremos, los mdulos
elsticos y de cortante respectivos de la fibra y la matriz y la resistencia
de la interfase matriz-refuerzo. La fibra de vidrio es un compuesto
reforzado con fibra contiene largas fibras rgidas de fibra de vidrio en
una matriz polimrica ms blanda.
Regla de las mezclas: predice la densidad, conductividad trmica y elctrica y el mdulo de
elasticidad. E
m Elasticidad de la matriz
Ef Elasticidad de las fibras
Esta es la curva esfuerzo-deformacin para un compuesto reforzado
con fibras. A bajos esfuerzos el mdulo de elasticidad viene dado por la regla de las mezclas (parte
lineal) y a esfuerzos mayores la matriz se deforma, perdindose la linealidad, por lo
que la regla de las mezclas no se cumple. En este caso el modulo se calcula:
Si la carga se aplica perpendicularmente a las fibras, el modulo es:
Relacin de aspecto ( l/d (l) longitud (d) dimetro): Las fibras continuas dan mayor resistencia
pero son ms difciles de introducir en la matriz. Con las discontinuas es ms fcil pero dan una
menor resistencia debido a que tienen una relacin de aspecto menor. Esto se mejora
disminuyendo el dimetro de las fibras.
Fraccin volumtrica de fibras: Cuando todas las fibras tienen la misma direccin, la rigidez y
resistencia son mximas en la direccin de las fibras, pero las propiedades son anisotrpicas. Si
las fibras estn entrecruzadas tenemos una menor rigidez y resistencia, pero las propiedades son
ms homogneas.
Desde el punto de vista de refuerzo, para que el efecto reforzante de las fibras sea significativo, stas
deben de ser continuas, ya que los materiales reforzados con fibras cortas pueden ser considerados a
los reforzados con partculas que veremos a continuacin.
Representaciones esquemticas
de compuestos reforzados con
fibras
a) Continuas y alineadas
b) Discontinuas y alineadas
c) Discontinuas y orientadas al
azar.
6.3.
Se arreglan los componentes en series de capas alternadas Cuando se aplican cargas, los esfuerzos
resultantes son proporcionales a los mdulos elsticos y de corte de los constituyentes, Tambin
pueden aparecen esfuerzos internos debido a las contracciones o expansiones de las diferentes lminas
(diferentes relaciones de Posisson). En esfuerzos transversales, se producen esfuerzos de corte entre
las superficies de contacto.
Los compuestos laminares incluyen laminados, recubrimientos ms gruesos, metales de
revestimiento, bimetales y muchos otros. Son diseados para mejorar la resistencia a la corrosin y
al desgaste, manteniendo un bajo costo.
Regla de las mezclas: predice propiedades como densidad, conductividad elctrica y trmica y el
mdulo de elasticidad.
Sin embargo muchas propiedades importantes como la resistencia a la corrosin y al desgaste
dependen principalmente de un solo componente del compuesto, por lo que la regla de las mezclas
no se cumple.
Tipos
En materiales aislantes, p.ej. cermicos o polmeros, se precisa una conductividad elctrica muy
baja (dielectricidad) para impedir la ruptura dielctrica del material y los arcos elctricos entre
conductores
En materiales semiconductores: Por ejemplo: dispositivos fotoelctricos. Se necesita optimizar sus
propiedades elctricas para que con ellos se puedan fabricar fuentes prcticas y eficientes de energas
alternativas P. ej. Transistores, circuitos lgicos, etc. El estudio y posterior mejora de sus propiedades
elctricas permite la fabricacin de chips y ordenadores ms rpidos y pequeos. Hay
una relacin fundamental entre las tres magnitudes bsicas de todos los circuitos, y es:
Es decir, la intensidad que recorre un circuito es directamente proporcional a la tensin de la fuente
de alimentacin e inversamente proporcional a la resistencia en dicho circuito.
Esta relacin se conoce como Ley de Ohm. Es importante apreciar que:
1. podemos variar la tensin en un circuito, cambiando la pila, por
ejemplo;
2. podemos variar la resistencia del circuito, cambiando una bombilla,
por ejemplo;
3. no podemos variar la intensidad de un circuito de forma directa,
sino que para hacerlo tendremos que recurrir a variar la tensin o la
resistencia obligatoriamente. Tener en cuenta que:
Cuando resolvemos problemas de la ley de Ohm tendremos que saber despejar cada una de las
variables en funcin de cul sea la incgnita que nos pregunten. El siguiente grfico te servir para
hacer esto: tapa la variable que deseas despejar y si las que te quedan a la vista est, a la misma altura,
pon entre ellas un signo de multiplicar; si quedan una sobre la otra, pon un signo de dividir.
Cuando se considera un conductor metlico de longitud L(en cm), rea de seccin transversal A (en
cm2), por el que pasa una corriente i perpendicular al rea A su resistencia elctrica, R,
puede expresarse a travs de la propiedad intrnseca del conductor conocida como
resistencia especfica o resistividad ( , en ohm-cm):
La teora de orbitales moleculares puede emplearse para explicar
las propiedades de los slidos (inicos, metlicos y moleculares).
Un slido se puede considerar formado por una serie de tomos
unidos entre s mediante enlaces de tipo covalente. Esta idea tiene
la ventaja, desde un punto de vista qumico, de tratar al slido
como una especie no muy diferente a las pequeas molculas
covalentes. La aproximacin es aceptable para describir el enlace en slidos metlicos as como para
explicar las propiedades que presentan estos compuestos como el brillo, la maleabilidad y las
conductividades trmicas y elctricas. Todas estas propiedades son el resultado de la contribucin de
los electrones de cada tomo en la formacin de un mar de electrones.
La teora de orbitales
La teora de orbitales moleculares puede emplearse para explicar las propiedades de los slidos
(inicos, metlicos y moleculares). Un slido se puede considerar formado por una serie de tomos
unidos entre s mediante enlaces de tipo covalente. Esta idea tiene la ventaja, desde un punto de vista
qumico, de tratar al slido como una especie no muy diferente a las pequeas molculas covalentes.
La aproximacin es aceptable para describir el enlace en slidos metlicos as como para explicar las
propiedades que presentan estos compuestos como el brillo, la maleabilidad y las conductividades
trmicas y elctricas. Todas estas propiedades son el resultado de la contribucin de los electrones de
cada tomo en la formacin de un mar de electrones.
En un metal puro la conductividad elctrica est determinada por su estructura de bandas. El valor de
depende del nmero de portadores y de la movilidad de los mismos, .
El valor de depende a su vez de la velocidad de desplazamiento de las cargas elctricas dentro del
material. En un metal real (con defectos) la movilidad y velocidad de las cargas elctricas depende
crticamente del nmero y tipo de defectos estructurales. A mayor nmero de defectos, menor
distancia entre colisiones, menor movilidad y menor conductividad elctrica.
Factores que afectan a la conductividad elctrica:
-
La temperatura
Las imperfecciones de la red cristalina
El procesamiento y endurecimiento del material
Los electrones se desplazan por el material como ondas electromagnticas que ajustan su
periodicidad a la de la red cristalina. Cualquier irregularidad en esta red cristalina provoca una
dispersin (colisin) de dicha onda electrnica y, por tanto, una disminucin de su movilidad y
velocidad (disminucin de la conductividad elctrica).
La temperatura: Un aumento de la temperatura del material supone un aumento de la energa de
vibracin de los tomos de la red cristalina. Los tomos oscilan en torno a sus posiciones de equilibrio
y dispersan a las ondas electrnicas. Disminucin de la movilidad de los electrones y de la
conductividad elctrica. Aumento lineal de la resistividad elctrica con la temperatura.
Las imperfecciones de la red: Los defectos reticulares (vacantes, impurezas, dislocaciones, fronteras
de grano,) son irregularidades de la red cristalina y, por tanto, dispersan las ondas electrnicas.
Aumento de la resistividad del material: dependiente del nmero de imperfecciones e independiente
de la temperatura Ejemplo: resistividad, D, debida a una fraccin atmica de tomos de solucin
slida o de impurezas presentes en el material, x.
Los mtodos de endurecimiento del material son ms o menos perjudiciales para la conductividad
elctrica del material segn sean las distancias entre las irregularidades introducidas: distancias
pequeas, menor movilidad de los electrones y mayor resistividad elctrica. Los mtodos de
reblandecimiento de los materiales (templados) disminuyen las irregularidades internas del material
y mejoran sus propiedades elctricas conductoras.
estudio examinando las propiedades fsicas de dichos elementos. Estudiaremos las caractersticas de
los materiales que nos permiten distinguir un semiconductor de un aislante y de un conductor.
Veremos, adems, el dopado de un semiconductor con impurezas para controlar su funcionamiento.
El estudio anterior puede abordarse desde dos puntos de vista:
En los semiconductores ms usuales (Si, Ge) su estructura cristalina (disposicin atmica que se
repite peridicamente en tres dimensiones) es la que aparece reflejada en la figura y se denomina
estructura diamantina. Para comprenderla, hay que tener en cuenta que tanto el Si como el Ge
poseen cuatro e- de valencia, esto es, 4 e- externos.
Pues bien, en la estructura
diamantina, cada tomo
est rodeado de 4 tomos
vecinos y adems cada
tomo tiende a compartir
uno de sus 4 e- de
valencia con cada uno de
los 4 tomos vecinos de
los que toma otra e- en
proceso anlogo. Las
barras de conexin de la
figura
pueden
considerarse como pistas a lo largo de cada una de las cuales se mueven dos e- en uno y otro sentido
entre los tomos asociados. Esta disposicin de pares de e- compartidos es lo que se denomina enlace
covalente. Como ya se ha comentado anteriormente, en un metal todos los e- exteriores (e-de
valencia) se encuentran compartidos por todos los tomos de la red cristalina. Estos e- constituyen
una nube electrnica pudindose mover libremente a travs de todo el cristal. Estadsticamente, en
su movimiento, el nmero de e- que se mueven en un sentido ser el mismo que los que lo hacen en
sentido contrario, es decir, no habr un
movimiento neto de carga y por lo tanto no
habr corriente elctrica. Si ahora aplicamos un
campo elctrico exterior aparecer una
corriente de desplazamiento.
densidad de carga obligar a la muestra a variar las dimensiones en la direccin del campo aplicado. La muestra
sufre un ligero alargamiento, debido al incremento de la carga positiva que en uno de sus extremos atrae a los
polos negativos de los dipolos, con un comportamiento contrario en el otro extremo de la muestra.
De este modo, el efecto piezoelctrico es un efecto electromecnico por el cual fuerzas mecnicas
sobre un material ferroelctrico pueden producir una respuesta elctrica o bien fuerzas elctricas una
respuesta mecnica. Algunos materiales PIEZOELCTRICOS: El titanato de bario (BaTiO3) y otros
materiales cermicos exhiben este efecto. Aunque el BaTiO3 se utiliza comnmente ha sido
ampliamente reemplazado por materiales cermicos fabricados a partir de disoluciones slidas de
circonato de plomo (PbZrO3) y titanato de plomo (PbTiO3) debido a que presentan una temperatura
crtica notablemente ms alta. Las aplicaciones ms usuales de los materiales piezoelctricos son
como transductores ultrasnicos. El efecto piezoelctrico es el responsable del funcionamiento del
telfono, grabadoras, equipos estereofnicos, as como en otros dispositivos electroacsticos.
Tambin se usa en sintonizadores para radios.
El efecto piezoelctrico directo es la generacin de un desplazamiento elctrico en
un slido linealmente proporcional a una tensin mecnica.
El efecto piezoelctrico inverso es la deformacin lineal de un slido
bajo la aplicacin de un campo elctrico. El efecto electroconstrictivo
es la deformacin no lineal de un slido bajo la aplicacin de un campo
elctrico.
Ambos efectos estn ntimamente ligados con la existencia de acoplo entre polarizacin y la
deformacin, de manera que se puede describir, quizs de forma ms fundamental.