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Apuntes de Fsica Electrnica

Capitulo I

1-Estructura de Bandas en Semiconductores.

1.1-Funciones de Distribucin.

Los semiconductores se diferencian de los aisladores solamente en el ancho de banda de

energa prohibida. En la figura 1.1 se muestra el diagrama de bandas para el caso del Silicio. El
fenmeno de cambio de estructura de la banda tal como se muestra en la figura es tpico de los
semiconductores del grupo IV.
R0
relativamente angosta. El slido se clasifica como semiconductor
a temperatura ambiente hay suficiente numero de electrones excitados que cruzan la
de conduccin y valencia sea lo suficientemente grande como para provocar conductividad
apreciable.

Figura 1.1 a) Niveles de energa perturbados en Silicio.

b) Diagrama de Bandas de Energa

Como estamos tratando con sistemas que contienen muchas partculas debemos usar
mecnica estadstica para describir los sistemas. La mecnica estadstica consiste en un conjunto
de leyes que pueden ser usadas para modelar el movimiento de grandes grupos de partculas sin
que se conozca el movimiento de una en particular.
Bsicamente nos interesan dos leyes: la funcin de distribucin de Maxwell-Boltzmann,
que se deriva de la mecnica clsica y que se utiliza en la descripcin del comportamiento de
gases y de otros sistemas que tienen muchos estados permitidos comparados con el numero de
partculas del sistema y la funcin de distribucin de Fermi-Dirac, utilizada para describir
sistemas densos en el que el numero de partculas y estados es comparable.
Estas funciones no sern deducidas ya que escapan al propsito del curso, pero si nos
interesa su forma.
La distribucin de Maxwell-Boltzmann sigue a la funcin siguiente:

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Capitulo I

f MB ( E ) = A e

E
KT

(1)

en donde A es una densidad de referencia.

Por su parte, la distribucin de Fermi-Dirac es de la forma de la funcin siguiente:

f FD ( E ) =

1
EE f

1+ e

(2)

KT

en donde Ef es una constante denominada energa de Fermi y es usada como energa de

referencia en toda discusin de slidos. La forma de esta funcin de distribucin se muestra en la
figura 1.2 para 3 temperaturas diferentes.

Figura 1.2 Funcin de Fermi-Dirac para 3 temperaturas diferentes.

Cmo se interpreta esta funcin de distribucin con respecto a la presencia de electrones

en un slido?. La interpretacin mas til es que esta constituye la funcin de distribucin de la
probabilidad que un cierto estado de energa este ocupado por un electrn. Es preciso destacar
que la funcin es independiente de la distribucin de estados.
Como en un gas, los electrones en un slido estn en movimiento constante y
consecuentemente estn cambiando sus momentum de energa. En un cierto instante un
determinado estado de energa dentro del slido puede estar lleno y al siguiente vaco. La
interpretacin probabilistica nos permite decir que si observamos un cierto estado de energa por
un tiempo, el contendr un electrn por una cierta fraccin de ese tiempo.
La fraccin corresponde a un cierto valor de la funcin de Fermi para el nivel observado de
energa. El valor mximo 1 significa que un estado puede estar lleno todo el tiempo. Para energas
crecientes la funcin tiende a cero lo que significa que un nivel de energa muy alto rara vez
contendr un electrn. Ahora, en lugar de observar un solo estado por un tiempo largo, podramos
mirar a todos los estados de energa en un cierto instante y dibujar la densidad de electrones como
funcin de la energa y obtendramos la misma distribucin.
Si la funcin de Fermi se evala en el nivel de energa de Fermi Ef, el valor de la funcin es
cualesquiera sea la temperatura. Esto significa que un estado de energa localizado en el nivel
de Fermi siempre tendr la probabilidad de de estar ocupado p
or un electrn.

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Capitulo I

Para T=0K la funcin cambia abruptamente de 0 a 1 al llegar al nivel de Fermi. La

interpretacin es que bajo el nivel de Fermi todos los niveles de energa estn llenos, o sea la
probabilidad de ocupacin es 1 y arriba de esta energa estn vacos, lo que nos indica que el nivel
de Fermi se encuentra en alguna parte en la banda de energa prohibida del slido. Para
temperaturas mas altas la transicin es gradual.
1.2-Particulas
Para entender adecuadamente las propiedades de los semiconductores, el movimiento de
partculas debe considerarse con algn detalle. Dos grupos de partculas son importantes: el
primero esta caracterizado por su libertad de movimiento y esta compuesto por fotones, fonones,
electrones y huecos. El segundo grupo esta compuesto por los as llamadas imperfecciones
que estn mas o menos fijas en el espacio dentro de la red cristalina y que consisten en impurezas
qumicas y defectos de ella.
Se menciono que el electrn presenta propiedades de partculas y de funcin de onda.
interacta con la red, con otros electrones y huecos, as como con fonones y fotones. Esta ultima
interaccin se manifiesta por el hecho de que la energa, en forma de radiacin, es entregada o
absorbida por un electrn cuando cambia de estado de energa.
El fotn, que es una vibracin electromagntica, puede considerarse que tiene
propiedades de forma de onda y de partcula. El fotn puede transmitir energa de un punto a otro
del cristal, sufriendo choques con la red y con otra partculas. Se mueve a la velocidad de la luz y
su existencia transcurre entre el tiempo en que es radiado y en el que es reabsorbido.
En el momento en que el fotn es absorbido, su energa es usada en llevar un electrn
desde la banda de valencia a la de conduccin. Este proceso crea un electrn libre y un hueco libre
que contribuyen a la conduccin. El proceso inverso tambin puede ocurrir: un electrn que salta a
la banda de valencia para recombinarse con un hueco, da origen a un fotn. La conduccin
causada por el proceso de excitacin se conoce como fotoconductividad.
Una segunda partcula que interacta con electrones en la red es llamada fonn. La res
cristalina puede ser concebida como un sistema mecnico de masas y resortes. El fonn se
considera como la vibracin mecnica cuantizada de la red.
El fonn tambin puede transmitir energa de punto a punto en la red y puede, como el
fotn, liberar su energa y causar una transicin. La frecuencia de la vibracin puede ir de la
frecuencia del sonido a aquella que corresponde a radiacin infrarroja.
Consideremos como ejemplo de interaccin de partculas aquella que ocurre en un
semiconductor (figura 1.3)

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Capitulo I

Figura 1.3 La banda de valencia est completa con electrones para T=0K. La energa suministrada por fonones permite que
mas electrones alcancen la banda de conduccin a temperaturas mas altas.

En T=0K, la banda de valencia (BV) esta completa con electrones y la banda de

conduccin (BC) esta vaca. Para T1>0, la temperatura es suficiente como para excitar algunos
electrones de la BV a la BC. Para T2>T1, los fotones y fonones tienen la energa suficiente para
excitar mas electrones hacia la BC. Esta produccin de hueco electrn o par hueco-electrn se
denomina generacin de portadores.
En equilibrio, el numero de electrones y huecos generados intrnsecamente es igual. Esto
es:
g-r=0
en que g es la tasa de generacin de portadores y r la tasa de recombinacin de pares huecoelectrn.
El segundo grupo de partculas a considerar es el que constituyen los defectos e
impurezas que tienen una fuerte influencia sobre las caractersticas fsicas y elctricas de los
semiconductores.
En la figura 1.4 se muestra una parte de la red cristalina del Si. Se cosiera que existe una
vacancia cuando falta un tomo en red.

Figura 1.4 Imperfeccion en la red cristalina del Silicio. La ausencia de un tomo se denomina vacancia.

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Capitulo I

Se produce entonces una perturbacin de la regularidad del la red. Como los enlaces entre
los tomos se deben a que los electrones de valencia se comparten, la perturbacin produce
estiramiento o disminucin de dichos enlaces y, por lo tanto, un cambio en la energa de los
mismos cerca del defecto. Ya que cada enlace representa un cierto estado en la banda de
valencia, la distorsin causada por el defecto desplazara algunos de los estados de energa de los
enlaces a posiciones nuevas. As, cuando un electrn libre pase cerca de la regin del defecto
experimentara fuerzas distintas a las que encuentra en la red regular. Estos defectos son mas
importantes cuando el estado de energa desplazado se encuentra en la banda de energa
prohibida. Los electrones usaran este nivel de energa como punto de cruce hacia la banda de
conduccin o hacia la banda de valencia.
Finalmente, en esta revisin de partculas, se tiene los tomos de otros elementos que
entran a la red por sustitucin de un tomo o que pertenecen en posiciones intersticiales en ella.
Estas impurezas pueden producir niveles extras de energa del cristal. En efecto, los estados de
energa propios del tomo de impureza y aquellos de los tomos de la red se perturbaran debido a
la proximidad en que se encuentran. Dependiendo de la posicin de los estados de energa
introducidos en la escala de energa del cristal y de la valencia del tomo de impureza, el tomo
introducido puede tener un importante efecto sobre las propiedades elctricas del cristal.
1.3-Semiconductor Intrnseco

Se denomina as al semiconductor puro, sin imperfecciones del tipo impurezas, aunque si

puede tener defectos. Las propiedades fsicas y elctricas de los semiconductores intrnsecos no
son de primera importancia para la operacin de dispositivos semiconductores simples, pero su
estudio es til, pues sus propiedades se sobreponen a las propiedades de los semiconductores
extrnsecos, los cuales veremos mas adelante.
Consideremos el caso del Si. Este es un semiconductor cristalino con enlaces que tienen
una estructura tetradrica o de diamante. As, en la red, cada tomo esta rodeado por otros 4,
compartiendo los electrones de su ultima capa. A 0K, los electrones estn todos en su lugar y la
banda de valencia esta completa. La energa necesaria para remover un electrn desde los
enlaces y permitirle que se mueva libremente es igual a la banda de energa prohibida Ego
(aproximadamente 1.1 eV a 300K).
A temperatura ambiente, la energa trmica es suficiente para generar un numero
apreciable de pares hueco-electrn. Este proceso se conoce como excitacin intrnseca o
generacin y la conduccin resultante se denomina conduccin intrnseca.
Para calcular la densidad de huecos y electrones en el cristal debemos calcular la posicin
del nivel de Fermi. Consideremos la densidad estados del energa permitidos cerca de los bordes
de las banda de conduccin y valencia y supongamos que las funciones de densidad de estados
se relacin parablicamente con la energa. Podemos verlo en la figura 1.5.

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Figura 1.5 Distribucion de la densidad de los estados de energa.

A una temperatura T=0K, todo lo que podemos determinar es que el nivel de Fermi, esta
en alguna parte de la banda de energa prohibida.
Es posible calcular la distribucin en energa de los estados en el borde inferior de la banda
de conduccin y en el borde superior de la banda de valencia. El resultado es:

S ( E) =

8 m *
2m * E
h3

(4)

en que m* es la masa efectiva del electrn.

Haciendo el producto entre esta distribucin y la funcin de Fermi se obtiene la densidad
de huecos y electrones en las respectivas bandas.

n( E ) = S ( E ) f ( E )

(5)

La densidad efectiva de estados Nc se define como el numero de estados realmente llenos

con un electrn y es igual a

N c f ( Ec ) = n( E )dE

(6)

Ec

8 m *
Nc =
e
h3

Ec E f
k T

EE f

2m * ( E E c ) e
Ec

kT

dE

(7)

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Haciendo el cambio de variables siguiente:

n=

E Ec
kT

(8)

integrando se llega a:

N c = 3 (2m * kT ) 2
4
h
3

(9)

N c = cte T 2

(10)

El valor de esta constante es 4.74*1022 para el silicio. La concentracin electrnica de la

banda de conduccin es:

3
2

n( Ec ) = cte T f ( Ec )

(11)

La concentracin de huecos en la banda de valencia es:

p( Ev ) = N v [1 f ( Ev )]

(12)

En un semiconductor intrnseco el numero de electrones y huecos es el mismo, porque

ellos se generan en pares y se recombinan en pares. La concentracin es entonces la misma, por
lo que:

n( Ec ) = N c f ( Ec ) = p( Ev ) = N v [1 f ( E v )]

(13)

Considerando en primera aproximacin que las masas efectivas de un hueco y un electrn

libre son las mismas, entonces

N c = N v f ( Ec ) = 1 f ( Ev )

(14)

Reemplazando la funcin de Fermi, se tiene:

Ev E f

1
Ec E f

1+ e

kT

= 1

1
Ev E f

1+ e

kT

kT
Ev E f

1+ e

kT

(15)

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Capitulo I

De aqu Ef es :

Ef =

E v Ec
2

(16)

Se concluye entonces que el nivel de Fermi en un semiconductor intrnseco esta en medio

de la banda prohibida.
Tomando Ev como la referencia de energa:

Ef =

Eg

(17)

La densidad de electrones es:

Eg

n = cte T 2 e 2 kT

(18)

El numero de portadores intrnsecos por lo tanto dependen fuertemente del ancho de la

banda de energa prohibida.
Una propiedad interesante e importante de la densidad de portadores se obtiene tomando
el producto de las densidades de huecos y electrones. Como:

Eg

3
2

p = cte T e

2 kT

(19)

entonces

Eg

np = cte T e kT
2

(20)

Es importante notar que el producto np depende solo del ancho de la banda prohibida y de
la temperatura, pero no de la posicin del nivel de Fermi.
Se define:
2

ni = np

(21)

en que ni se denomina concentracin intrnseca de portadores.

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1.4-Semiconductores Extrnsecos.

Los semiconductores mas interesantes son aquellos cuyas propiedades elctricas se han
cambiado deliberadamente agregando aditivos qumicos al cristal. Tales tomos de impurezas se
denominan donores si ellos introducen niveles de energa ocupados para los cuales los
electrones pueden ser fcilmente excitados dentro de la banda de conduccin. Se les denomina
aceptores si ellos introducen niveles de energa vacantes hacia los cuales pueden excitarse
electrones desde la banda de valencia produciendo huecos.
Los elementos donores tpicos para el silicio son los elementos del grupo V de la tabla
peridica: P, As, Sb. Los elementos aceptores tpicos pertenecen al grupo III: B, Al, Ga e In.
Mediante tcnicas de anlisis por difraccin de rayos X, se han demostrado que las impurezas son
sustitucionales en el silicio.
Es posible estimar la energa de ligazn del electrn sobrante en la red cuando, por
ejemplo, una impureza del grupo V se sustituye por un tomo de silicio en la red cristalina. En la
figura 1.6 se ilustra este caso. Suponemos que el electrn se mueve suficientemente lejos del
tomo de impureza, de tal manera que podemos considerar que esta en un medio que tiene la
constante dielctrica del cristal, k. De acuerdo al tratamiento del tomo de Bohr visto en cursos
anteriores, la energa de un estado permitido es:

m e4
U =
2
8 0 k 2 n 2 h 2

(22)

Para n=1 y k=1 el valor de U es 13.58 eV.

Figura 1.6 rbita del tomo extra inducido por un tomo de P al sustituir un tomo de Si en la red.

La constante dielctrica del silicio es 11.7; por lo tanto la energa de atraccin del primer
orbital es:

U =

13.58
= 0.099eV
(11.7) 2

(23)

En un diagrama de bandas como el de la figura 1.7, esta energa esta representada por un
nivel de energa ubicado a 0.099 eV bajo la banda de conduccin.

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Capitulo I

Figura 1.7 Representacin de nivel de energa introducido por impurezas donoras en silicio.

En un semiconductor extrnseco, entonces, es posible influir sobre la concentracin de

electrones, controlando la concentracin de impurezas. Un electrn que ocupa un nivel de energa
discreto dentro de la banda de energa prohibida y muy cercano a la banda de conduccin, puede
fcilmente ser excitado y pasar a la banda de conduccin. El nivel de energa disponible puede
entonces ser ocupado por un electrn de la banda de valencia, que a su vez pasara a la banda de
conduccin. La conduccin de este material con impurezas donoras ser esencialmente
electrnica (la concentracin de huecos es muy pequea) y se debe bsicamente a la ionizacin
de los tomos de impurezas. A temperatura ambiente la energa trmica es suficiente para excitar
al electrn extra a la banda de conduccin. El tomo retiene entonces una carga positiva y se dice
que el donor esta ionizado.
Anlogamente para los elementos aceptores la energa de ligazn de un estado vaco se
encuentra alrededor de 0.05 eV sobre el borde superior de la banda de valencia. Los elementos del
grupo III (B, Al) que son impurezas del silicio, contribuyen con huecos en la banda de valencia
capturando un electrn de esta banda.
Un cristal que tiene donores se determina tipo-n porque los portadores de carga son
negativos, mientras que un cristal de aceptores se denomina tipo-p porque los portadores de carga
son positivos.
1.5-Nivel de Fermi en un Semiconductor con Impurezas.

A temperatura ambiente, los tomos donores introducidos en el cristal de silicio estn

ionizados. As, los primeros ND estados de la banda de conduccin se encuentran ocupados y por
lo tanto para los electrones de la banda de valencia es mas difcil de superar la banda de energa
prohibida obtenida de la agitacin trmica. En consecuencia, el numero de pares hueco-electrn
generados trmicamente se reducir en comparacin a los generados en un semiconductor
intrnseco.
Ya que el nivel de Fermi es una medida de la probabilidad de ocupacin de los estados de
energa permitidos es claro que Ef, el nivel de Fermi, debe estar cerca de la banda de conduccin
para indicar que muchos de los estados de energa de la banda estn ocupados con electrones de
los tomos donores y pocos huecos existen en la banda de valencia. Este caso se ilustra en la
figura 1.8. Anlogamente, en un material tipo-p, el nivel de Fermi se encuentra cerca del borde
superior de la banda de valencia.

10

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Capitulo I

Figura 1.8 Nivel de Fermi en un semiconductor tipo n

Por otra parte, el nivel de Fermi depende tambin de la temperatura. Si para una
concentracin dad de impurezas de un material tipo n la temperatura aumenta. Si para una
concentracin dada de impurezas de un material tipo-n la temperatura aumenta, se formaran mas
pares hueco-electrn. Como todos los tomos donores estn ionizados, es posible que la
concentracin de electrones trmicamente generados en la banda de conduccin puede llegar a
ser mucho mayor que la concentracin de los electrones donores. Bajo estas condiciones, la
concentracin de huecos y electrones llega a ser prcticamente igual y el cristal llega a ser
intrnseco. El nivel de Fermi en este caso se encontrara cerca del medio de la banda de energa
prohibida.
El nivel de Fermi en un material del tipo-n se puede calcular sustituyendo n=ND en (10). La
expresin queda entonces

N D = NC e

Ec E f
kT

E f = EC kT ln(

NC
)
ND

(24)

(25)

1.6-El Proceso de Conduccin en Slidos.

Desde nuestro punto de vista, la caracterstica mas importante en un semiconductor es su

habilidad para conducir corriente elctrica. Considerando que la corriente se define como la
variacin de carga por unidad de tiempo transportada a travs de la superficie en una direccin
normal al flujo, la corriente depender del flujo de cargas libres para moverse y de la velocidad a la
que ellas se mueven. Es importante destacar que las corrientes que generalmente medimos son el
resultado del movimiento de un gran numero de cargas individuales y no la componente de
corriente producida por el movimiento de una sola.

11

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Capitulo I

En el caso de metales, el numero n de electrones de conduccin por cm3 es muy grande y

virtualmente independiente de la temperatura sobre un rango muy amplio. Por supuesto, tanto los
tomos del cristal y los electrones de conduccin estn siempre en movimiento aleatorio; los
tomos vibran alrededor de sus posiciones medias en la red cristalina y los electrones se mueven
rpidamente en todas direcciones, provocando numerosas colisiones con los tomos vibrantes.
Bajo estas condiciones, los electrones como grupo no transportan corriente media en el tiempo ya
que en promedio hay muchos movindose en una direccin como en otra. Existe, sin embargo, una
componente de corriente alterna medible y asociada con este movimiento aleatorio que toma en
cuenta el ruido por agitacin trmica en resistencias y que se denomina ruido de Johnson.
En resumen, las partculas o portadores libres en el semiconductor aun cuando estn
uniformemente distribuidos en el slido, se encuentran en constante movimiento aleatorio. Si en
una seccin del semiconductor existe una concentracin muy alta de portadores respecto de otra
regin del semiconductor, los portadores experimentaran una fuerza neta que tiende a uniformar la
distribucin. En este caso se producir un movimiento de partculas en la direccin de baja
concentracin y que ser proporcional al gradiente de la concentracin. Analticamente, esto se
puede expresar por:

J d = D

dm
dx

(27)

en que por simplicidad se ha considerado el caso unidimensional y en el que Jd es la densidad de

corriente de portadores por difusin en el material y m es la concentracin de partculas.
Si la corriente se debe a un flujo de electrones, entonces:

J n = q Dn

dn
dx

(28)

y si es debida a huecos:

J p = q D p

dp
dx

(29)

Debido al fenmeno que causa estas corrientes, ellas se conocen por corrientes de
difusin.
Otra forma de conduccin en un slido se produce al aplicar un campo elctrico. La
velocidad que adquieren los portadores por la aplicacin del campo elctrico esta dada por:

r
r
v = E

(30)

en que es la movilidad de los portadores. En esta definicin se considera la componente debida

al campo y no incluye la componente trmica de la velocidad, que esta siempre presente, en
direcciones aleatorias.
La densidad de corriente debida al campo aplicado esta dada por:

J = Nqv = NqE
donde N es el numero de partculas libres.

12

(31)

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Tanto N como pueden variar con la temperatura y con la intensidad de campo. En un

metal, por ejemplo, N es esencialmente constante con la temperatura. As, para explicar el hecho
que la conductividad es inversamente proporcional a la temperatura, la atencin se debe enfocar a
las variaciones de la movilidad.
En un semiconductor, los portadores de carga son electrones y huecos libres. Las
densidades de corriente debido a estos portadores son:

r
r
J = qpE

(32)

r
r
J = qnE

(33)

y en el caso de los huecos:

en el caso de los electrones.

La densidad de corriente total debida al campo elctrico E es entonces

r
r
J = qE ( n n + p p )

(34)

Se define la conductividad como:

J
E

(35)

luego, reemplazando:

= q ( n n + p p )

(36)

Considerando que en un semiconductor tipo n el numero de electrones libres es mucho

mayor que el de huecos, la conductividad en este material se puede aproximar por:

n q n n

(37)

De la misma manera, en un semiconductor tipo p:

p q p p

(38)

Estudiando la conductividad de un material en funcin de la temperatura es posible

determinar en que rangos de temperatura el material es intrnseco o extrnseco. En la figura 1.9 se
muestra el logaritmo de la conductividad normalizado versus 1/T para muestras de germanio
dopado n y p.
FIGURA 1.9

El estudio de la conductividad de un material tambin permite determinar la movilidad de

los portadores. As, por ejemplo, para materiales a 300K, se tienen los valores de la tabla 1.1.

13

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Capitulo I

Material

Movilidad a 300K
[cm2/V*s]

Ge
Electrones libres
Huecos

3900
1900

100
50

Electrones libres
Huecos

1350
480

100
15

Si

Tabla 1.1 Movilidad de portadores en Ge y Si. (E.M:Conwell, Proc. IRE, 46 (1958), pp.1281-1300)

1.7-Corriente Total.

En la seccin anterior se vio que los portadores mviles producen corrientes mediante
mecanismos de difusin y de conduccin ( o por campo aplicado). La corriente total debida a los
huecos es entonces la suma de las corrientes producidas por ambos mecanismos.

r
r
J p = q p pE qD p p

(39)

En el caso de los electrones

r
r
J n = q n nE + qDn n

(40)

En estas ecuaciones el termino debido al campo tiene el mismo signo algebraico porque el
campo elctrico produce corriente en la misma direccin para partculas de cargas opuestas.
En condiciones de equilibrio trmico:
Jp=Jn=0

(41)

r
r
J p = q p p 0 E qD p p0 = 0

(42)

El potencial electrosttico esta relacionado con el campo como

r
E =

(43)

y por lo tanto

p
p 0
= ( )
p0
Dp

(44)

p
ln p o +
= 0

D
p

14

(45)

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Capitulo I

ln p 0 +

p
Dp

= constante = C

(46)

Si C es una constante independiente de la posicin

p0 = C e

Dp

(47)

De manera anloga para electrones.

n0 = C 'e

n
Dn

(48)

A partir de estas ecuaciones se puede demostrar que

n, p =

q
D p,n
kT

(49)

ecuacin que se conoce como la relacin de Einstein y que permite simplificar problemas de flujo
de corrientes en dispositivos.
1.8-Otros Procesos Electrnicos.
1.8.1-Generacion y Recombinacin de Cargas.
En prrafos anteriores se puntualizo que en el semiconductor puro el numero de huecos es
igual al numero de electrones. La agitacin trmica produce una tasa de generacin de pares
hueco-electrn por unidad de volumen simultneamente con la desaparicin de otros pares hueco
electrn por recombinacin. En el promedio de un hueco o un electrn existir un tiempo antes de
recombinarse. Este tiempo se denomina tiempo de vida medio de huecos y electrones ,
respectivamente. La importancia de este tiempo en dispositivos semiconductores radica en el
hecho de que indica el tiempo requerido por el exceso de concentracin de huecos y electrones
para regresar a su concentracin de equilibrio.
Si una barra de silicio tipo n que contiene una concentracin de equilibrio no y p0 se ilumina
en t=t, se generan uniformemente a travs del cristal pares hueco-electrn. Si la iluminacin se
mantiene por un tiempo mayor que los tiempos de vida medio de los portadores, se alcanza una
nueva situacin de equilibrio con concentracin de huecos y electrones p-n y n-p respectivamente.
La concentracin de exceso foto inyectada es pn-p0 en el caso de huecos y nn-n0 en el caso de
electrones. La situacin de equilibrio implica que:

p n p0 = n n n0

(50)

Es necesario destacar que aunque el aumento de concentracin de huecos iguala a la de

electrones, el aumento de porcentaje de electrones en un semiconductor tipo n es muy pequeo.
En contraste, el aumento de concentracin de huecos es significativo ya que en un semiconductor
tipo n la concentracin de huecos es muy pequea. As la radiacin incidente afecta apenas a la
concentracin de los portadores mayoritarios, pero no a la de minoritarios. Fijaremos nuestra
atencin en estos ltimos.

15

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Capitulo I

Supongamos que despus de transcurrido un tiempo de iluminacin relativamente largo, la

iluminacin se quita en t=0 , figura 1.10.

Figura 1.10 Variacin de la concentracin de huecos en funcin del tiempo. En t=0 se quita la iluminacin.

Para estudiar este problema se debe encontrar la ecuacin diferencial que gobierna la
concentracin de huecos en funcin del tiempo para t>0 sin excitacin externa.
De la definicin del tiempo de vida medio p y suponiendo que este tiempo es
independiente de la magnitud de la concentracin de huecos, se tiene que p0/p representa una
disminucin de concentracin de huecos/segundo debido al mecanismo de recombinacin.
Por otra parte, de la definicin de tasa de generacin g representa un incremento de la
concentracin de huecos/segundo debido a agitacin trmica.
La variacin de concentracin de huecos por unidad de tiempo debe igualar entonces a la
diferencia de concentraciones provocadas por estos mecanismos, es decir:

p
dp n
=g n
dt
p

(51)

dp n
= 0 . Si no hay iluminacin, la concentracin de huecos p
dt
p
alcanza el valor de equilibrio trmico p0. De aqu que g = 0 y la ecuacin diferencial es entonces
p
En rgimen permanente,

dp n
p pn
= 0
dt
p

(52)

La concentracin de portadores en exceso o foto inyectados p0 se define como el aumento

de concentracin de portadores minoritarios por arriba del valor de equilibrio.
p0 = pn p0 = pn (t)

(53)

Realizando el cambio de variable de la ecuacin diferencial (52) se tiene

16

EL41A
Apuntes de Fsica Electrnica

Capitulo I

dp' n
p'
= n
dt
p

(54)

La solucin de esta ecuacin para t>0 es

p' n (t ) = p' n (0) e

t
p

= ( pn p0 ) e

t
p

(55)

en que pn(0) es la concentracin en exceso de portadores minoritarios en t=0.

1.8.2-Neutralidad de Carga Espacial.

Otra propiedad importante en semiconductores en equilibrio es la neutralidad de carga

espacial.
En un semiconductor en el cual las impurezas introducidas estn uniformemente
distribuidas, la densidad neta de carga en cualquier volumen del semiconductor es cero. Esta
condicin se conoce como condicin de neutralidad de carga espacial.
Para obtener la densidad neta de carga se suman todas las cargas en el semiconductor
suponiendo que tanto los tomos donores como los aceptores estn completamente ionizados.

p = q( p n + N D N A )

(56)

La condicin de neutralidad de carga implica que

p n = NA ND

(57)

En equilibrio se cumple que p n = ni . Luego, combinando con (57) se tiene que

2

nn =

1
N D N A + ( N A N D ) 2 + 4ni2
2

(58)

donde nn es la concentracin de portadores mayoritarios (electrones) en un semiconductor tipo n.

De la misma forma la concentracin de huecos en un semiconductor tipo p esta dada por

pp =

1
N A N D + ( N A N D ) 2 + 4ni2
2

(59)

Si la concentracin neta de impurezas es mayor que la concentracin intrnseca de

portadores ni las expresiones (58) y (59) se simplifican a

nn = N D N A para ND NA >> ni

(60)

p p = N A N D para NA ND >> ni

(61)

17

EL41A
Apuntes de Fsica Electrnica

Capitulo I

Combinando estas aproximaciones con al condicin de equilibrio, es posible determinar la

concentracin de portadores minoritarios.

ni2
n2
i
ND N A ND

(62)

ni2
ni2
np =

NA ND N A

(63)

pn =
y

18