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Profesor: Justino
Unidad 1
Electrnica Analgica
Integrantes:
Barranco Martnez Aldo
Almanza Castaeda David
Villamayor de la Cruz Yessica
EVIDENCIA
S
Electrnica Analgica
1.1 Corriente alterna y corriente directa
Corriente alterna
La corriente alterna es aquella en que la que la intensidad cambia de direccin
peridicamente en un conductor. Como consecuencia del cambio peridico de
polaridad de la tensin aplicada en los extremos de dicho conductor.
La variacin de la tensin con el tiempo puede tener diferentes formas: sinodal (la
forma fundamental y ms frecuente en casi todas las aplicaciones de electrotecnia);
triangular; cuadrada; trapezoidal; etc. Si bien estas otras formas de onda no
sinodales son ms frecuentes en aplicaciones electrnicas. Las formas de onda no
sinodales pueden descomponerse por desarrollo en serie de Fourier en suma de
ondas sinodales (onda fundamental y armnicos), permitiendo as el estudio
matemtico y la de sus circuitos asociados
Corriente Directa
La corriente directa (CD) o corriente continua (CC) es aquella cuyas cargas elctricas
o electrones fluyen siempre en el mismo sentido en un circuito elctrico cerrado,
movindose del polo negativo hacia el polo positivo de una fuente de fuerza
electromotriz (FEM), tal como ocurre en las bateras, las dinamos o en cualquier otra
fuente generadora de ese tipo de corriente elctrica.
1.1.1
Caractersticas
CICLO:
Variacin completa de la tensin o la corriente de cero a un valor
mximo positivo y luego de nuevo a cero y de este a un valor
mximo negativo y finalmente a cero.
FRECUENCIA:
Nmero de ciclos que se producen en un segundo. Su unidad es el
Hertz (Hz ) que equivale a un ciclo por segundo, se representa con
la letra f.
en
segundos
Frecuencia
T=1/ff=1/T
y
y
se
representa
periodo
con
la
letra
P.
son valores inversos
PERIODO:
Tiempo necesario para que un ciclo se repita. Se mide en
segundos y se representa con la letra . Frecuencia y periodo son
valores inversos T= 1/f =1/T
1.1.2
Generacin de corriente en CA y CD
1.3.1
Caractersticas Semiconductores
Un semiconductor es un elemento con propiedades elctricas entre las de un
conductor y un aislante. Son materiales que ocupan una oposicin intermedia
entre los aislantes y los conductores. Los primeros poseen muy pocas cargas
mviles y, en consecuencia, presentan una resistencia muy alta al paso de la
corriente (idealmente una resistencia infinita). La resistencia elctrica que
presentan los segundos es muy baja(idealmente cero) debido a su riqueza en
dichas cargas. Los semiconductores suelen ser aislantes a cero grados Kelvin, y
permiten el paso de corriente a la temperatura ambiente. Esta
capacidad de
conducir corriente puede ser controlada mediante la introduccin en el material de
tomos diferentes al del semiconductor, denominados impurezas. Cuando un
semiconductor posee impurezas se dice que est dopado. Son elementos, como el
germanio y el silicio, que a bajas temperaturas son aislantes. Pero a medida que
se eleva la temperatura o bien por la adiccin de determinadas impurezas resulta
posible su conduccin. Su importancia en electrnica es inmensa en la fabricacin
de transistores, circuitos integrados, etc.
En la electrnica de estado slido, ya sea el silicio como el germanio puros pueden ser
utilizados como semiconductores intrnsecos, los cuales forman el punto de partida para la
fabricacin. Cada uno de ellos tienen cuatro electrones de valencia, pero el germanio a
una determinada temperatura tiene ms electrones libres y una mayor conductividad. El
silicio es de lejos, el semiconductor ms ampliamente utilizado en electrnica,
particularmente porque se puede usar a mucha mayor temperatura que el germanio.
-El germanio se utiliza como material semiconductor. Se usa
generalmente, junto al silicio, en los circuitos integrados de alta
velocidad para mejorar su rendimiento. En algunos casos se
est planteando sustituir al silicio por germanio para hacer
chips miniaturizados.
-Tambin se utiliza en las lmparas fluorescentes y algunos
diodos LED.
-Algunos pedales de guitarra contienen transistores de
germanio para producir un tono de distorsin caracterstico.
-Se puede utilizar en los paneles solares. De hecho, los robots
exploradores de marte contienen germanio en sus clulas
solares.
-El germanio se combina con el oxgeno para su uso en las lentes de las cmaras y la
microscopa.
-Tambin se utiliza para la fabricacin del ncleo de cables de fibra ptica.
-Tambin se utiliza en aplicaciones de imgenes trmicas para uso militar y la lucha
contra incendios.
-El germanio se utiliza en el control de los aeropuertos para detectar las fuentes de
radiacin.
-Hay algunos indicios de que puede ayudar al sistema inmunolgico de pacientes con
cncer, pero esto todava no est probado. Actualmente el germanio est considerado
como un peligro potencial para la salud cuando se utiliza como suplemento nutricional.
Dispositivos Semiconductores
1.3.2.2 Transistores
El transistor unipolar (Unipolar transistor) es un dispositivo electrnico activo de tres
terminales a travs del cual circulan cargas elctricas de un solo signo. Se caracteriza por
poseer un elemento de control denominado puerta (Gate) que acta sobre el dispositivo
mediante la tensin que se le aplica en lugar de mediante la corriente que lo atraviesa.
Recibe por ello el nombre de dispositivo de efecto de campo (Field Effect Transistor).
Los transistores de efecto de campo son de dos tipos diferentes:
Transistores de efecto de campo cuya puerta no est aislada. Reciben el nombre de
JFET (Junction Field Effect Transistor) o simplemente FET.
Transistores de efecto de campo de puerta aislada. Reciben la denominacin de
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) o simplemente MOS (Metal
Oxide Semiconductor).
1.3.2.2.1 Bipolares
TRANSISTOR BIPOLAR: El transistor bipolar, denominado en ingls BJT (acrnimo de
Bipolar Junction Transistor), es un dispositivo electrnico activo de tres terminales
constituido por un material semiconductor que posee tres regiones adyacentes,
denominadas emisor E (Emitter), base B (Base) y colector C (Collector). La regin de
base est situada entre las de emisor y colector y forma con ellas dos uniones P-N que
reciben el nombre de unin emisor-base y unin colector-base respectivamente. Segn el
tipo de impurezas (donadoras o aceptadoras) de cada regin, el transistor bipolar puede
ser PNP o NPN.
El transistor bipolar funciona como un generador de corriente controlado por otra
corriente. La corriente de control es la que atraviesa la unin emisor-base, y la corriente
controlada es la que atraviesa el colector.
1.3.2.2.2 Fet
El transistor FET est formado por un canal semiconductor extrnseco que puede ser de
tipo N (Figura 4.8a) o P (Figura 4.9a), situado entre dos regiones de tipo P o N
respectivamente, conectadas entre s. Los extremos del canal reciben la denominacin de
surtidor (Source) o fuente y drenador (Drain) y las regiones que lo rodean la de puerta
(Gate) porque controla la corriente que pasa a travs del canal cuando se aplica una
tensin entre la fuente y el drenador.
El smbolo del FET consta de un segmento que representa el canal en cuyos extremos se
sitan dos segmentos perpendiculares al primero que representan la fuente y el drenador.
En el centro y hacia el lado opuesto se coloca otro segmento perpendicular que
representa la puerta. El tipo de canal (P o N) se indica mediante una flecha en el
segmento de la puerta. Esta flecha indica el sentido que tendra la corriente en la puerta si
la unin P-N se sometiese a una polarizacin directa.
1.3.2.2.3 Mosfet
El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET es un
transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Aunque el MOSFET
es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G)
y sustrato (B), el sustrato generalmente est conectado internamente a la terminal del
surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a
otros transistores de efecto de campo.
1.3.2.3 Tiristores
El tiristor es un componente electrnico constituido por elementos semiconductores que
utiliza realimentacin interna para producir una conmutacin. Los materiales de los que se
compone son de tipo semiconductor, es decir, dependiendo de la temperatura a la que se
encuentren pueden funcionar como aislantes o como conductores. Son dispositivos
unidireccionales porque solamente transmiten la corriente en un nico sentido. Se emplea
generalmente para el control de potencia elctrica.
El dispositivo consta de un nodo y un ctodo, donde las uniones son de tipo PNPN entre
los mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores tpicos PNP y NPN, por eso
se dice tambin que el tiristor funciona con tensin realimentada. Se crean as 3 uniones
(denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta est conectado a la
unin J2 (unin NP).
1.3.2.3.1 SCR
El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio,
Figura 1), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres
uniones pn con la disposicin pnpn (Figura 2). Est formado por tres
terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. La conduccin entre nodo y
ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento
unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal,
rectificador y amplificador a la vez.
1.3.2.3.3 DIAC
El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado
para
disparar TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado
por
tensin). Tiene dos terminales: MT1 y MT2. Ver el diagrama.
El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero
orientados en formas opuestas. La conduccin se da cuando se ha
superado el valor de tensin del zener que est conectado en sentido
opuesto. El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una
pequea corriente de fuga. La conduccin aparece cuando la tensin de
disparo se alcanza
1.3.2.3.4 TRIAC
Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la familia
de los tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es que ste es unidireccional y
el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podra decirse que el TRIAC es un
interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.
Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposicin que formaran dos SCR
en direcciones opuestas. Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la
denominacin de nodo y ctodo) y puerta. El disparo del TRIAC se realiza aplicando una
corriente al electrodo puerta.
1.3.3 Tcnicas de Diseo con semiconductores
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un
cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso negativos o electrones).
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un
cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso positivos o huecos).
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES:
Diac
Diodo
Estructura MOS
Interruptor unilateral de
silicio
JFET
MOSFET
MTFET
Rectificador controlado
silcio
SBS
SIDAC
Stabistor
Termistor
Tiristor
Tiristor GTO
de
Tiristor IGCT
Transistor
Transistor de efecto
campo
Transistor de unin
bipolar
Triac
1.3.4.1 Rectificadores
Un rectificador es el elemento o circuito que permite convertir la corriente
alterna en corriente continua. Esto se realiza utilizando diodos rectificadores, ya
sean semiconductores de estado slido, vlvulas al vaco o vlvulas gaseosas como las
de vapor de mercurio.
1.3.4.2 Amplificadores
1.3.4.3 Conmutadores
Es un conmutador que conecta mltiples entradas y mltiples salidas en forma de malla.
Originalmente el trmino fue usado literalmente, para una matriz de conmutadores
controlados por una malla de barras metlicas, y luego fue ampliado a conmutadores de
matriz en general.
1.4.1.2 Comparador
Un comparador es un circuito electrnico, ya sea analgico o digital, capaz de comparar
salida en funcin de cu
l es mayor.
1.4.1.5 Restador
Este amplificador usa ambas entradas invertida y no invertida con una ganancia de uno,
para producir una salida igual a la diferencia entre las entradas. Es un caso especial del
amplificador diferencial. Se pueden elegir tambin las resistencias para amplificar la
diferencia.
1.4.1.6 Integrador
Que integra o incorpora diferentes caractersticas o elementos ponindolos al mismo
nivel, de manera que forman parte de un todo.
1.4.2 Aplicaciones
Calculadoras analgicas
Filtros
Preamplificadores y buffers de audio y video
Reguladores
Conversores
Evitar el efecto de carga
Adaptadores de niveles (por ejemplo CMOS y TTL)
PRACTICAS
DE
LABORATORIO
Practica 1
Evidencias:
Fuente regulada entrega a sus bornes de saluda un voltaje contante, independiente de las
variaciones en la lnea de alimentacin y en la carga
Primario: 976
Secundario: 0.5
Diodos:
1.- 5.71
2. 5.49
3.- 5.56
4.- 5.56
Practica 2:
Medidas
POSITIVO
Emisor=6.87
Colector=6.67
NEGATIVO
Emisor=0
Colector=0
Evidencias:
Practica 3
Evidencias
Practica 4:
Tipos de Datasheet:
Compuertas lgicas
Compuerta AND: es una puerta lgica digital que implementa la conjuncin lgica -se
comporta de acuerdo a la tabla de verdad mostrada a la derecha. sta entregar una
salida ALTA (1), dependiendo de los valores de las entradas, siendo este caso, al recibir
solo valores altos en la puerta AND. Si alguna de estas entradas no son ALTAS, entonces
se mostrar un valor de salida BAJA (0). En otro sentido, la funcin de la compuerta AND
efectivamente encuentra el mnimo entre dos dgitos binarios, as como la funcin OR
encuentra al mximo
Compuerta NOT es una puerta lgica digital que implementa la negacin lgica -se
comporta de acuerdo a la tabla de verdad mostrada a la derecha. Cuando su entrada est
en 0 (cero) o en BAJA, su salida est en 1 o en ALTA, mientras que cuando su entrada
est en 1 o en ALTA, su SALIDA va a estar en 0 o en BAJA.
Se puede ver claramente que la salida X solamente es "1" (1 lgico, nivel alto) cuando la
entrada A est en "0" o en BAJA, mientras que la salida X solamente es "0" (0 lgico, nivel
bajo) cuando la entrada A est en "1" o en ALTA.
Esta situacin se representa en lgebra booleana como: X = (-A)
La representacin circuital es con un solo pulsador normal cerrado, conectado en circuito
simple. Una proposicin lgica que corresponde a una compuerta NOT es la siguiente:
Las compuertas Lgicas NOT o INVERSORA se fabrican de una sola entrada.
Compuerta OR: es una puerta lgica digital que implementa la disyuncin lgica -se
comporta de acuerdo a la tabla de verdad mostrada a la derecha. Cuando todas sus
entradas estn en 0 (cero) o en BAJA, su salida est en 0 o en BAJA, mientras que
cuando una sola de sus entradas est en 1 o en ALTA, su SALIDA va a estar en 1 o en
ALTA.
Se puede ver claramente que la salida X solamente es "0" (0 lgico, nivel bajo) cuando la
entrada A como la entrada B estn en "0". En otras palabras la salida X es igual a 0
cuando la entrada A y la entrada B son 0
Esta situacin se representa en lgebra booleana como:
X=A+B