Dispositivos Semicondutores de Potncia

Introduo
Os dispositivos semicondutores podem ser encontrados, praticamente, em todos
segmentos do sistema eltrico, para alm da sua aplicao em bens eletroeletrnicos utilizados tanto nas indstrias quanto nas residncias e escritrios.
Algumas Aplicaes dos dispositivos semicondutores:
Retificadores;
Estaes Conversoras CA/CC Transmisso HVDC;
Conversores CC/CC Fontes Chaveadas;
Lmpadas com Balastro Eletrnico;
Inversores de Potncia.
Nota:
Material elaborado a partir da apresentao feita pelo Prof. dson H. Watanabe, utilizada na disciplina Aplicaes de Eletrnica de
Potncia. Esta disciplina est inserida no programa de ps-graduao em Engenharia Eltrica da COPPE/UFRJ.
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Dispositivos Semicondutores de Potncia

Exemplos de Dispositivos
Dentre os
seguintes:

dispositivos

semicondutores

existentes, destacam-se os

Diodos;
Transistor Bipolar de Juno (BJT);
Transistor de Efeitos de Campo (MOSFET);
Tiristores;
GTOs (Gate Turn-Off Thyristor);
IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor);
IGCTs (Integrated Gate-Commutated Thyristor).

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Dispositivos Semicondutores de Potncia

Lista com Alguns Fabricantes
Semikron
http://www.semikron.com
Powerex
http://www.pwrx.com
International Rectifier
http://www.irf.com
Infineon
http://www.infineon.com
ABB Semicondutores
http://www.abb.com/product/pt/9AAC910029.aspx?country=BR
Mitsubishi - Semicondutores
http://www.mitsubishichips.com
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Diodos

Os diodos correspondem a dispositivos no controlveis, com

estrututa PN, que dentro dos seus limites de tenso e corrente
permite a passagem de corrente num nico sentido.

Smbolo:

a+

iD
vak

-k

iD
i

iD
vak

0
Regio de
bloqueio
reverso

vF (i)

Curva caracterstica i-v

vak
0

Caracterstica Ideal

O diodo entra em conduo quando a tenso aplicada sobre o anodo catodo

(vak) for maior do que a tenso de polarizao ( 0.7v), representada por vF (i).
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Diodos Tempo de Recuperao Reversa (trr)
Quando ocorre a transio do estado ON para o estado OFF, a corrente no diodo
(iD) fica temporariamente negativa, durante o intervalo de tempo denominado
por trr . Esta corrente de recuperao reversa resulta da recombinao entre
eltrons e lacunas at que o diodo restaure a barreira de potencial.

iD

trr
t

IRM

turn - off

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Alguns tipos de diodos
-Diodo Schottky
- So diodos projetados de modo a reduzir a queda de tenso quando esto em conduo
(em torno dos 0,3 V), de modo a reduzir as perdas no mesmo. Contudo estes diodos so
para aplicaes de tenses baixas, da ordem de 50 V a 100 V.

-Diodos Fast-Recovery
- So diodos que apresentam um tempo de recuperao reversa muito pequeno, da ordem
de 30 a 50 ns. So utilizados em conjunto com dispositivos controlveis de elevada
freqncia, onde um tempo de recuperao reversa necessrio.

-Diodos de Alta Potncia

-So diodos capazes de suportar tenses reversas de bloqueio da ordem de 4 a 5 kV e
conduzindo correntes variando entre 4 a 5 kA.

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Tiristores
Os tiristores so dispositivos semicondutores parcialmente controlveis (controle
somente da mudana de estado OFF para o estado ON). O tiristor deixa de
conduzir a partir do instante em que no se encontra mais diretamente
polarizado.
Curva caracterstica i-v
Smbolo:
iA
On

a+

iA

-k
vak

Regio de
bloqueio
reverso

Tenso
Reversa de
bloqueio

Transio OFF - ON

vAK

Off

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Tenso em
avano de
bloqueio

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Disparo e Corte no Tiristor
Para o tiristor entrar em conduo, se faz uso de um circuito auxiliar entre a gate e
o catodo de modo a circuilar uma corrente de excitao. Uma vez que o tiristor
esteja em conduo, o circuito poder removido que o mesmo permanece em
conduo.
R

vS

iA

iG
vAK

iA
0

iA

vS
t
T/2

vAK

vAK

trr

tq

Durante o intervalo tq o tiristor precisa ser mantido inversamente polarizado. Do

contrrio, se uma tenso positiva for aplicada ao seus terminais , o tiristor entra
em conduo !!!
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Dispositivos Semicondutores de Potncia

Demais informaes - tiristor
- O Tiristor utilizado em aplicaes de potncia elevada como, por exemplo, nas
estaes conversores do sistema de transmisso em corrente contnua.
Outros Exemplos:
-Light Triggered Thyristor (LTT) Tenso de 8,5 kV e corrente de 3,5 kA;
-Silicon Controlled Rectifier (SCR) Tenso de 4 kV e corrente de 3kA. Transmisso
de Corrente Contnua (Itaip)com mais de 300 SCRs em Srie.

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Transistores Bipolar de Juno (TBJ)
Os transistores bipolar de juno so dispositivos totalmente controlveis, com
capacidade de operar com resposta em freqncia mdia entre 20 a 50 kHz, desde
que sejam submetidos a aplicaes que envolvam centenas de Watts. Em
aplicaes para dezenas de kW, a freqncia mdia de chaveamento decai para 2
a 5 kHz.

iC

iB

Smbolo
Transistor NPN

B
E

iE

iE

iB

Smbolo
Transistor PNP

B
C

iC

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Regies de Operao do TBJ
Regio de Corte
-TBJ no conduz corrente. Juno base-emissor e base-coletor reversamente polarizadas.

Regio Ativa
-TBJ conduz corrente mediante a corrente imposta na base. Juno base-coletor
reversamente polarizada e a juno base-emissor diretamente polarizada.

Regio de Saturao
-Juno base-coletor e base-emissor diretamente polarizadas. Tenso vCE reduz para
aproximadamente 0,2 V (transistor NPN), limitando a corrente conduzida pelo TBJ.

Regio Ativa Reversa

- Juno base-coletor est reversamente polarizada e a juno base-emissor diretamente
polarizada. Corrente do emissor muito baixa com a corrente do coletor praticamente igual
corrente da base.

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Dispositivos Semicondutores de Potncia

Curvas Caractersticas Emissor-Comum (TBJ)
Caracterstica Emissor-Comum:

iC

iB5
iB4
iB3
iB2
iB1

0
Regio ativa

Caracterstica Ideal:

iC

On
Off

vCE

vCE

Regio de saturao (vCE 0,2v)

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Dispositivos Semicondutores de Potncia

Curvas Caractersticas Base-Comum (TBJ)
iC

iE5
iE4
iE3
iE2
iE1

0
Regio ativa

vCB

Regio de saturao (vCE -0,4v)

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Dispositivos Semicondutores de Potncia

Configurao Darlington (TBJ)
A configurao darlington utilizada para aumentar o ganho de corrente como
tambm prover aumento da capacidade do transistor em suportar ternses de
bloqueio maiores e conduzir correntes de maior magnitude.

C
C

ib

iC

iC

ib
B

vCE
vBE

vCE

vBE

Ganho de
Corrente:
20 ~ 100
Exemplo:
1400V / 600A

E
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Dispositivos Semicondutores de Potncia

Transistores de Efeito de Campo MOSFET
Assim como o Transistor Bipolar de Juno, o Transistor de Efeito de Campo
tambm um dispositivo totalmente controlvel, a partir do controle da tenso
aplicada entre a gate e a source (vGS). Em eletrnica de potncia mais comum a
utilizao do FET com tecnologia MOS (Metal Oxide Semicondutor).
D

iG
vGS

iD

Smbolo
MOSFET Canal N
NMOS

vGS

iS

iS

iG
D

Smbolo
MOSFET Canal P
PMOS

iD

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Dispositivos Semicondutores de Potncia

Caractersticas Bsicas NMOS
iD
On
Caracterstica Ideal:
vGS=7V

iD

6V

On

5V

Off

4V

0
Off

vDS

vDS

iG
1A

0.5 A

iD = 25 A
1A

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Dispositivos Semicondutores de Potncia

Demais Caractersticas MOSFET
Capacidade de operar com freqncias de chaveamento de at algumas
centenas de kHz (ton=100ns e toff=200ns);
Capacidade de operar com freqncias de 50 kHz submetido a potncias de
at 10 kW;
Correntes de gate muito baixas (exemplo, para uma corrente id de 25 A
necessrio uma corrente de gate com valor mximo de 1A);
Perdas elevadas durante a conduo.

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Dispositivos Semicondutores de Potncia

GTO Gate Turn-Off Thyristor
Assim como o tiristor, o GTO acionado a partir de uma corrente na gate. Uma vez
em conduo, o circuito que alimenta a corrente na gate iG pode ser removido. A
mudana de estado de conduo para o estado de bloqueio ocorre a partir da
tenso gate-catodo negativa, resultando numa corrente iG negativa. Esta corrente
negativa deve ter um valor elevado (na ordem de 1/3 da corrente iA ).

iA

Smbolo

iA

Turn-off

+
a

On

Turn-on

-k
vak

iA
0

Off-state

Curva caracterstica i-v

Off

vAK

vAK
Caracterstica Ideal

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Dispositivos Semicondutores de Potncia

Transitrio ON-OFF
O GTO no suporta elevada variao de tenso (dv/dt) durante o transitrio em
que muda do estado ON para o estado OFF. Com isso, h a necessidade em utilizar
circuitos SNUBBER para atenuar a variao de tenso.

iA

GTO
Gate
drive
circuit

C
R

G
K

vAK

Circuito
Snubber
t
0
Mudana de Estado ON - OFF

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Dispositivos Semicondutores de Potncia

Transitrios OFF-ON e ON-OFF
Fonte de Referncia:
B.K.Bose Modern Power
Electronics and AC drives
2002, Prentice Hall Inc.
ts -> Tempo necessrio para
que a corrente iA comece a
decair;
tf -> Tempo em que iA decai
com maior di/dt;
td -> Tempo mnimo necessrio
que a corrente iG deve ser
mantida para que o GTO no
entre em conduo.
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Dispositivos Semicondutores de Potncia

Demais Caractersticas
- Durante o transitrio do estado OFF para o estado ON, o GTO apresenta um
intervalo de tempo (ton) entre 1 a 2 micro segundos.
- Durante o transitrio do estado ON para o estado OFF, o GTO apresenta um
intervalo de tempo (toff) entre 5 a 10 micro segundos.
- Ainda utilizado em potncias elevadas podendo suportar tenses de bloqueio
da ordem de 6kV e conduzir correntes de at 6 kA. Desse modo, este dispositivo
ainda utilizado em inversores de ordem elevada (na ordem dos MW).

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Dispositivos Semicondutores de Potncia

IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
- O IGBT um dispositivo semicondutor relativamente moderno, utilizado em
quase todos os segmentos envolvendo a eletrnica de potncia.
- Similar ao MOSFET, o IGBT apresenta uma impedncia interna elevada, o que
requer somente uma pequena quantidade de energia para ser acionado.
- Similar ao TBJ, o IGBT apresenta uma pequena tenso VCE quando est em
conduo, com capacidade de suportar tenses de valor elevado (Von de 2 a 3 volts
com capacidade de bloqueio de at 1000V, por exemplo).
Smbolo

iG

iC

G
E
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Dispositivos Semicondutores de Potncia

Exemplo de Curva Caracterstica (iC x vCE)
Carcatersticas do IGBT:
POWEREX
IPM CM150 TU 12 H
-600 V / 150 A

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Dispositivos Semicondutores de Potncia

Caractersticas de Chaveamento

- Durante o transitrio do estado

OFF para o estado ON, o IGBT
apresenta um intervalo de
tempo (ton) na ordem de 1 us.
- Durante o transitrio do estado
ON para o estado OFF, o IGBT
apresenta um intervalo de
tempo (toff) na ordem de 2 us.

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Dispositivos Semicondutores de Potncia

Caractersticas de Chaveamento - exemplo
Chaveamento:

Tenso

Tenso

Corrente

Corrente

300 ns
(a)

(b)

1,2 kV / 2 kA (200 V/div, 500 A/div, 200 ns/div (a) 25C (b) 125
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Dispositivos Semicondutores de Potncia

IGCT Integrated Gate-Commutated Thyristor
Smbolo

a+

iA

vak

O IGCT um tipo de GTO onde o circuito de gatilho

integrado chave permitindo assim uma maior velocidade
de chaveamento, com um menor intervalo de tempo
durante o transitrio em que o IGCT desligado.

Referncia:
P.K.Steimer, et al.; IGCT-a new emerging technology for high power, low cost inverters, IEEE
Industry Applications Magazine, vol. 5, Issue: 4, pp.12 18, Julho / Agosto de 1999.

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Dispositivos Semicondutores de Potncia

Principal Caraterstica
Caraterstica::
Integrao do circuito de comando junto ao dispositivo de potncia!!!

Conseqncia::
Conseqncia
Tempo de desligamento na ordem de 1 us);
Eliminao dos problemas de dv/dt observados no GTO.

Aspecto Negativo
Negativo::
desligado a partir de uma corrente reversa na gate com a mesma amplitude da
corrente no anodo.

4,5 kV IGCT Com Circuito de Gate

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Dispositivos Semicondutores de Potncia

IGCT Exemplo

Controllable turn-off current (snubber capacitor)

Caractersticas
3kA (0F)
4kA (3F)

Storage time

2,5 s at 3 kA

Turn-on di/dt

1000 A/s

On voltage
Gate trigger current

3,8 V at 3 kA
4 A at 25C

Thermal Resistence (Junction / sink)

Gate off-current

0,11C/W
= Anode current

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Dispositivos Semicondutores de Potncia

POTNCIA X FREQUNCIA
Potncia (W)
SCR

GTO e IGCT
10M

IGBT

1M

MOSFET

100k
10k
1k

Frequncia (Hz)
60 100 1k 10k 100 k 1M

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