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ELECTRNICA INDUSTRIAL
Laboratorio 1
TIRISTORES
TECSUP
TIRISTORES
I. OBJETIVOS:
1. Obtener destreza en el reconocimiento y prueba de semiconductores de
potencia.
2. Probar su funcionamiento y establecer diferencia de comportamiento.
TECSUP
Cantidad
Descripcin
Marca
Modelo
Observacin
TECSUP
IV. PROCEDIMIENTO
A. RECONOCIMIENTO Y PRUEBA DEL DIODO
1. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos:
Smbolo:
Fabricante:
............................................................
Parmetro
Abreviacin
Valor
..................
..................
..................
..................
..................
..................
..................
..................
..................
..................
TECSUP
Inoperativo:
Conclusiones y Observaciones:
.
.
.
Smbolo:
TECSUP
Fabricante:
.............................................................
Parmetro
Abreviacin
Valor
..................
..................
..................
..................
..................
..................
..................
..................
..................
TECSUP
In operativo:
Conclusiones y Observaciones:
...
...
...
...
...
...
TECSUP
C. RECONOCIMIENTO DE TRANSISTORES
TRANSISTOR N 1
9. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos:
Tipo de Transistor:
Smbolo:
Fabricante:
.............................................................
Parmetro
Abreviacin
Valor
.................
..................
..................
..................
Ic Mximo:
..................
..................
Potencia de Disipacin:
..................
..................
Beta o hfe:
..................
..................
Frecuencia de Operacin:
..................
..................
TECSUP
Inoperativo:
Conclusiones y Observaciones:
..
..
..
TECSUP
TRANSISTOR N 2
13. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos:
Tipo de Transistor:
Smbolo:
............................................................
Abreviacin
Valor
.................
..................
Voltaje G-S :
..................
..................
ID Mximo a 25C :
..................
..................
Potencia de Disipacin :
..................
..................
..................
..................
10
TECSUP
Inoperativo:
Conclusiones y Observaciones:
...
...
...
...
...
...
11
TECSUP
TRANSISTOR N 3
17. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos:
Tipo de Transistor:
Smbolo:
Fabricante:
..............................................................
Parmetro
Abreviacin
Valor
.................
..................
Voltaje G-E :
..................
..................
Ic Mximo :
..................
..................
Potencia de Disipacin :
..................
..................
Voltaje C-E ( On ) :
..................
..................
12
TECSUP
Inoperativo:
Conclusiones y Observaciones:
...
...
...
...
...
...
13
TECSUP
D. PRUEBA DE TRANSISTORES
21. Implemente el siguiente circuito usando para ello:
-
Potencimetro de 10 kOhms
Resistencias de 15 Ohms / 20 W
100 Ohms
Multmetro digital :
Cable
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TECSUP
TRANSISTOR BIPOLAR
Colector
Base
Emisor
23. Usando el terminal rojo del multmetro, ubicarlo en el punto B del circuito y
regular el potencimetro a los valores mostrados en el cuadro siguiente, y para
cada uno de ellos con el mismo terminal rojo del multmetro colquelo en el
punto A y mida la lectura del voltaje y anote lo en el cuadro.
Voltaje en B
Voltaje en A
15 V
..
12 V
..
10 V
..
8 V
..
6 V
..
4 V
..
2 V
..
1 V
..
0.5V
..
0 V
..
24. En el cuadro anterior encierre en un recuadro las mediciones que muestren los
siguientes estados:
Corte, Amplificacin y Saturacin
Conclusiones y Observaciones:
..
..
..
15
TECSUP
TRANSISTOR MOSFET
25. Ubicar el transistor en el circuito con sus terminales de la siguiente manera:
T1
T2
T3
Drenador
Gate
Surtidor
26. Usando el terminal rojo del multmetro, ubicarlo en el punto B del circuito y
regular el potencimetro a los valores mostrados en el cuadro siguiente, y para
cada uno de ellos con el mismo terminal rojo del multmetro colquelo en el
punto A y mida la lectura del voltaje y anote lo en el cuadro.
Voltaje en B
Voltaje en A
15 V
..
12 V
..
10 V
..
8 V
..
6 V
..
4 V
..
2 V
..
1 V
..
0.5V
..
0 V
..
27. En el cuadro anterior encierre en un recuadro las mediciones que muestren los
siguientes estados:
Corte, Amplificacin y Saturacin
Conclusiones y Observaciones:
..
..
..
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TECSUP
TRANSISTOR IGBT
Drenador
Gate
Surtidor
29. Usando el terminal rojo del multmetro, ubicarlo en el punto B del circuito y
regular el potencimetro a los valores mostrados en el cuadro siguiente, y para
cada uno de ellos con el mismo terminal rojo del multmetro colquelo en el
punto A y mida la lectura del voltaje y anote lo en el cuadro.
Voltaje en B
Voltaje en A
15 V
..
12 V
..
10 V
..
8 V
..
6 V
..
4 V
..
2 V
..
1 V
..
0.5V
..
0 V
..
31. Cul de los dispositivos posee una cambio ms rpido de corte a saturacin?
T. Bipolar
T. Mosfet
T. IGBT
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TECSUP
Conclusiones y Observaciones:
..
..
..
..
..
..
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TECSUP
ANOTACIONES
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