UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

CIRCUITOS ELECTRONICOS

DIMMER PARA LAMPARAS INCANDESENTES Y

HALOGENAS

EL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

El Transistor de Unin Bipolar (Bipolar Junction Transistor-BJT)
El trmino bipolar hace referencia al hecho de que en la conduccin de
la corriente intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos).
El trmino junction (unin) hace referencia a la estructura del dispositivo,
ya que como veremos a continuacin tenemos dos uniones "p-n" en el

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transistor, y mediante la polarizacin de estas uniones conseguiremos
controlar el funcionamiento del dispositivo.
Estructura del Transistor
El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas. Podemos tener una
zona dematerial tipo n en medio de dos zonas de material tipo p, en este
caso se denominatransistor pnp, o bien tener una zona tipo p con dos zonas
tipo n a cada lado, en cuyocaso estaramos hablando de un transistor npn.
La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada
una de las zonas consta de un terminal por donde extraer las corrientes.
Estos terminales serepresentan por la inicial del nombre de la zona
respectiva: E (emisor), B (base) y C(colector).
La zona de emisor es la ms fuertemente dopada de las 3, es la zona
encargada de emitir o inyectar portadores mayoritarios hacia la base.
Huecos en el caso de untransistor pnp o electrones en el caso del transistor
pnp. La base tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de
emisor. Se trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas
exteriores. Su misin es la de dejar pasar la mayor parte posible de
portadores inyectados por el emisor hacia el colector.

Parmetros importantes en el funcionamiento del Transistor BJT.

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La zona de colector, como su propio nombre indica es la encargada de

recoger ocolectar los portadores que inyectados por el emisor han sido
capaces de atravesar labase. Es la zona con un nivel de dopado inferior de
las tres.
Estamos ante un dispositivo que tiene dos uniones, una unin entre las
zonas de emisor y base (que denominaremos a partir de ahora unin de
emisor) y otra unin entre las zonas de base y colector (de que
denominaremos unin de colector), cada una de las cuales puede ser
polarizada de dos maneras: polarizacin en directa y polarizacin en
inversa. As, desde el punto de vista global del dispositivo tenemos cuatro
zonas de funcionamiento posibles en funcin del estado de polarizacin de
las dos uniones.

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Si polarizamos las dos uniones en directa, diremos que el transistor est

trabajando en la zona de saturacin.
En el caso de que la unin de emisor la polaricemos en directa y la unin
de colector en inversa, estaremos en la zona activa.
Cuando las dos uniones se polarizan en inversa, se dice que el transistor
est en lazona.
de corte
Por ltimo, si la unin de emisor se polariza en inversa y la unin de
colector
en directa, el transistor se encuentra en activa inversa.
De las cuatro zonas, las 3 mencionadas en primer lugar son las ms
interesantes desde el punto de vista del funcionamiento del transistor,
siendo la zona activa inversa una zona puramente terica y sin inters
prctico.
Anlisis de Corrientes en la Zona Activa:

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Un transistor est trabajando en la zona activa cuando la unin de emisor

se polariza en directa y la unin de colector en inversa.
En el caso de un transistor

pnp, para polarizar la unin de emisor

en directa habr que aplicar una tensin positiva del lado del
emisor, negativa del lado de la base, o lo que es lo mismo una
tensin VBE positiva. De igual manera, para polarizar la unin de
colector en inversa hay que aplicar una tensin VCB negativa. (Ver
figura)

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En el caso de un transistor

npn, para polarizar la unin de

emisor en directa habr que aplicar una tensin negativa del

lado del emisor, positiva del lado de la base, o lo que es lo
mismo una tensin VBE negativa. De igual manera, para
polarizar la unin de colector en inversa hay que aplicar una
tensin VCB positiva.

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De manera que el transistor bipolar funciona como un interruptor o

switch, permitiendo activar o desactivar una carga conectada en el Colector
(NPN) y en el Emisor (PNP), siempre y cuando se configure con la
polarizacin especfica para cada uno de ellos.
Tanto el transistor NPN, como el PNP, poseen una caracterstica comn,
denominadaGanancia del Transistor, expresada por hfe (Beta) y depende
del fabricante del mismo (con un valor comprendido entre 80 y 300). La
ganancia del transistor depende de la relacin entre la Corriente del
Colector (Ic) y la Corriente de la Base (Ib) y se expresa as: hfe = Ic /
Ib. Est expresin permite determinar el nivel de amplificacin de
corriente del transistor.
EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO AMPLIFICADOR DE SEALES:

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