UNIVERSIDADE FEDERAL DO MATO GROSSO

INSTITUTO DE FSICA
PROGRAMA DE PS GRADUAO EM FSICA

Adsoro de Potssio
em Grafeno Bicamada
Jorge Hulk
UFMT

Adsoro de Potssio em Grafeno Bicamada

Introduo

O que o grafeno?
Rede hexagonal de tomos de
carbono.

Carbono
- O que o carbono possui de especial e
diferente?

3 estados de hibridizao.
Possibilita a formao de estruturas
complexas.

Adsoro de Potssio em Grafeno Bicamada

Introduo
Obteno
- A. Geim e K. Novoselov (2004)

Propriedades

Carbono abundante.
Sntese potencialmente barata.
Material mais fino jamais
sintetizado
Extremamente impermevel

Fita durex para clivar o grafite.

No microscpio tico, podemos
observar uma mancha que
corresponde a uma nica camada de
tomos de carbono.

Mecnicas : material mais rgido

Trmicas: maior condutividade
trmica
Eltricas: semicondutor de gap
nulo.

Adsoro de Potssio em Grafeno Bicamada

Introduo

Rede Cristalina

Rede Recproca

Clula unitria
1 Zona de Brillouin

Clula unitria (losango) formada por 2

tomos de carbono, identificados por
A e B.
- A estrutura do grafeno pode ser vista como
uma rede triangular com uma base de 2
tomos por clula unitria.

- A primeira zona de Brillouin

representada pela parte hachurada e
nela so mostradas os pontos de alta
simetria , M, K e K

Adsoro de Potssio em Grafeno Bicamada

Introduo

Disperso dos eltrons no grafeno

Pontos de

Dirac

Banda de Conduo
Nvel de Fermi
Banda de Valncia

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Fundamentos tericos

Monocamada do Grafeno

- O Hamiltoniano do grafeno perto dos pontos k e k (pontos de Dirac)

Onde,
a velocidade de Fermi
(300 vezes menor que c)
e
e

Sub-rede A e B
(eltron)
Sub-rede A e B
(buraco)

Frmions de Dirac.

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Fundamentos tericos

Bicamada do Grafeno

A relao de disperso no mais linear.

Energia depende do quadrado de k.
Banda de valncia e banda de conduo se tocam:
semicondutor de gap nulo.

Adsoro de Potssio em Grafeno Bicamada

Fundamentos tericos

Abertura e Controle do gap:

Adsoro do Potssio

- Adio de Potssio sobre as folhas do

grafeno acrescenta um novo termo no
hamiltoniano.
- Efeito semelhante a aplicao de um
campo eltrico perpendicular.

- A incluso do potssio na
rede tem o mesmo efeito
da aplicao de um campo
eltrico externo
perpendicular

Bicamada com Potssio

Onde
o
ngulo de fase do
eltron no ponto k
e p momento.

Adsoro de Potssio em Grafeno Bicamada

Clculos DFT

Aproximao de Densidade Local (LDA)

Aproximao mais simples.

A aproximao LDA consiste em olhar
localmente a densidade e usar a expresso do
funcional de
, para o gs de eltrons
homogneo.

Neste caso a forma funcional de depender no

s da
, mas do mdulo do gradiente
.
o que tornam os funcionais mais complexos,
porm mais precisos.

espera-se melhor descrio de sistemas nohomogneos.

Onde
representa a energia de trocacorrelao por partculas de um gs de eltrons
com densidade uniforme.
Essa aproximao funciona bem para sistemas
cujas densidades eletrnicas no variam
rapidamente dentro de uma regio

Aproximao de Gradiente Generalizada

(GGA)
Para os casos onde a densidade varia no espao
de forma menos suave (sistemas nohomogneos) , a
expressa em termos
do gradiente da densidade de carga total.

Adsoro de Potssio em Grafeno Bicamada

Clculos DFT

Porque Pseudopotenciais?
Os eltrons de valncia so os mais
relevantes para os slidos

Leva em conta a blindagem dos

eltrons de caroo em relao ao
eltron de valncia

Os eltrons de caroo permanecem

congelados na maioria dos processos envolvendo propriedades de
estado slido

No preciso lidar explicitamente com

eltrons de caroo, descon- siderase os clculos de suas funes de
onda

- Eltrons de valncia: funes de onda com

oscilaes rpidas na regio do caroo
- Necessidade de definir pseudofuno de onda
com comportamento suave til m clculo com
ondas planas.

A soluo do Pseudopotencial
uma pseudofuno de onda.

Adsoro de Potssio em Grafeno Bicamada

Clculos DFT

Energia de Corte
Eltron em um potencial peridico ( Teorema de Bloch):

Em princpio precisaramos de um nmero infinito de ondas planas para expandir a

funo de onda.
Na prtica os coeficientes
menos importantes, so os com maior energia
cintica e mais importantes os com menor energia cintica.

Definimos ento
Energy Cutoff:
Truncar a base,
tornando-a finita
Testes de convergncia para a
energia de corte.

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Resultados

Bandas de Energia

Empilhamento AB (Bernal)

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Resultados

Parmetro de rede aumentado em 50%

Acrscimo de 9/4 nmero de carbonos
Variao de 1,5a no parmetro de rede, pontos de alta simetria reconfigurados. Centro da
zona de Brillouin em K .
Gap da ordem de 0,2582eV , encontrado em (ponto de Dirac)
Diminuio do gap.

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Resultados

Adsoro de Potssio em Grafeno Bicamada

Resultados
- Gap obtidos pelos clculos DFT para KC16,
KC36 e KC64 Diminuio do gap de energia
em relao a concentrao de potssio

- Grfico do gap de energia em funo da

concentrao de potssio [1]

- Comparao Modelos Tight

Binding e mtodos Ab initio
KC64 ( esquerda) KC36 (
direita) Linhas Azuis (DFT)
Linhas vermelhas (Tight
Binding) [1]

[1] Gap opening by asymmetric doping in graphene bilayers - MG Menezes, RB Capaz, JLB Faria, Physical Review B 82 (24),

Adsoro de Potssio em Grafeno Bicamada

Resultados

Empilhamento AA

Empilhamento AB

Padro
de
Moire
formado
pela
sobreposio das folhas de grafeno
formam dois stios distntos

Estudando os casos extremos pode-se

obter o ponto na rede mais sucetvel a
adsoro do Potssio.

Foram calculados os valores de energia

do estado fundamental das conguraes do GBC tipo AA e AB

Adsoro de Potssio em Grafeno Bicamada

Resultados

Caso

: Potssio ter maior anidade qumica com os stios AB

EAB < EAA, porm EGBC(AB) > EGBC(AA), e sendo:

Ento o stio AA prefervel para a adsoro do potssio.

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Resultados

Empilhamento AB

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Resultados

Empilhamento AA

Adsoro de Potssio em Grafeno Bicamada

Agradecimentos

Adsoro de Potssio em Grafeno Bicamada

Agradecimentos

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Agradecimentos

OBRIGADO !!!