Jeremy Sandro Garca Falcn Ing.

De Sistemas 4to ciclo

UNION P N
Para comprender la conduccin de corrientes en los semiconductores,
debemos entender primero como funciona la unin P-N, es decir la
unin de un semiconductor tipo P donde hay huecos libres y un
semiconductor tipo N donde hay electrones libres.
La unin P-N la conocemos en los diodos, cuando aplicamos un voltaje
a la unin P-N los electrones y los huecos se mueven respectivamente
hacia la unin de los dos materiales porque polaridades del mismo
signo se repelen, el voltaje positivo que se aplica al material tipo P
repele los huecos y estos cruzan la unin hacia el material tipo N, y
as cada hueco encuentra un electrn y de esta forma las cargas se
neutralizan, por otro lado los electrones cruzan la unin hacia el
material tipo P y sucede lo mismo, los electrones y huecos que se
neutralizan son remplazados por ms electrones y huecos que entran
en la unin P-N.
Entonces si se aplica el voltaje positivo al material tipo P y el voltaje
negativo al tipo N la corriente fluye y es lo que nosotros llamamos
polarizacin directa. Cuando invertimos este voltaje los huecos y
electrones son atrados a cada terminal y se alejan de la unin, lo que
hace que las partculas cargadas no puedan pasar la unin y de esta
forma el flujo de corriente se anula, esto es lo que conocemos como
polarizacin inversa. Esta propiedad de dejar pasar o bloquear la
corriente en un semiconductor de unin P-N no solo se usa en los
diodos sino tambin en los transistores.

DIODO DE UNION P N POLARIZADO

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http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/3.Union_PN_en_eq
uilibrio_y_polarizada/Applet3.html

Con la polarizacin directa, la unin P-N impulsa los huecos desde el

material tipo P a la unin y los electrones desde el material tipo N a la
unin. En la unin, los electrones y huecos se combinan de modo que
se mantiene una corriente continua.

El color rojo es la zona P y el azul la Zona N. se visualiza que los dos

cristales P y N por separado no tienen carga elctrica porque el
nmero de electrones y protones es el mismo, por lo tanto su carga
neta es cero.

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En el grfico se observa que se unen ambos cristales y hay una

difusin de electrones que al unirse aparecen cargas fijas en ambas
partes de la unin que es llamada la zona de la Carga espacial, se
muestra las cargas negativas y positivas. La acumulacin de estos
iones positivos y negativos, se crea el Campo elctrico, lo cual genera
una diferencia de tensin entre la zona P y N.
La unin p-n est polarizada directamente cuando a la regin p se le
aplica un potencial mayor que a la regin n. Para ello, tal y como se
ve, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo
(zona P) y el polo negativo al ctodo (zona N).
En estas condiciones podemos observar los siguientes efectos:

Los huecos de la regin p y los electrones de la regin n son

empujados hacia la unin por el campo elctrico Epol a que da
lugar la polarizacin. Por lo tanto, se reduce la anchura de la

zona de transicin.
El campo elctrico de la polarizacin Epol se opone al de la
unin Eu. As, se reduce el campo elctrico de la unin y,
consecuentemente, la barrera de potencial sin polarizacin es
VJ=Vo. Con la polarizacin directa de la unin P N se reduce en
la forma VJ=Vo-V, siendo V la tensin directa aplicada a dicha
unin.

LA LEY DE SHOCKLEY
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/4.
La_ley_de_Shockley/Applet4.html

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Permite mostrar la polarizacin lineal de la concentracin de

electrones minoritarios tipo P y la concentracin de electrones tipo N.
Utilizando los botones para y pausa podemos visualizar lo que
suceden dicha polarizacin
Mientras que las relaciones no lineales dan como resultado curvas
entre la concentracin de huecos y la concentracin de huecos minoritarios.

Al marcar Recombinacin, corrientes y parmetros, se observa que la

polarizacin de la zona P y N tienen el mismo valor, lo cual indica que
tiene un estado estable.
Al marcar solo la corriente se observa que la intensidad de la
corriente es de 1.1455E-10, el voltaje trmico es de 300K
Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos
estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia.
No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky.
Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p,
dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor.
La caracterstica V-I se muestra en la figura. La regin I es la regin de
alta impedancia (OFF) y la III, la regin de baja impedancia. Para
pasar del estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta
alcanzar Vs, tensin de conmutacin. La impedancia del diodo
desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se
incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio
en la regin III (Punto B). Para volver al estado OFF, se disminuye la

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corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo

aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente,
mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II,
hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A).

CONMUTACION DEL DIODO

http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/Appl
et3/DiodoConmutaApplet.html

En este applet se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo

cambiar la tensin aplicada en sus bornas de positiva a negativa y
viceversa. Para ello se dispone del esquema de un circuito con dos
fuentes de tensin (una positiva y otra negativa) y un conmutador, un
circuito de polarizacin (que incluye una resistencia) y un diodo de
unin.
Este esquema se sita en la parte superior derecha del applet y se
puede conmutar entre tensiones haciendo click con el ratn en la
zona entre las dos fuentes de tensin. Al iniciar la aplicacin
aparecer un mensaje y una flecha que seala la mencionada zona
sensible.

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ACTIVANDO LA CORRIENTE:

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ACTIVANDO TENSIN