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Debbabi Khaled
Pour obtenir le
Gnie Electrique
Conception des schmas lectriques permettant lextraction des
paramtres de premier ordre des composants microlectroniques.
Ralis : STMicroelectronics
Soutenu le 4 Juin 2008
Devant le Jury :
Prsident : Mr. Bourguiba Riadh
Rapporteur: Mr. Ben Salah Boujemaa
Encadreur ENIT: Mr. Mouine Jaouhar
Encadreur entreprise: Mr. Haddoug Momtez.
Rf : PFE/GE-08
Avertissement
- Il ne peut tre publi ou faire l'objet d'une divulgation, par quelque moyen que ce soit,
l'extrieur de l'tablissement o est inscrit son auteur sans l'accord crit pralable de
STMicroelectronics.
- Il doit tre utilis et diffus au sein de l'tablissement o est inscrit son auteur
uniquement pour les besoins de la soutenance et ne peut tre reproduit qu' des fines
exclusives d'archivage auprs de cet tablissement.
Tout manquement par quiconque ces dispositions est susceptible de causer un prjudice
grave STMicroelectronics qui pourra en obtenir rparation par tout moyen de droit.
Ddicaces
A Ma Chre et Admirable Mre Sabria
A Mes Amis
Rsum :
a rduction des dimensions des circuits intgrs croit rapidement dans le but
daugmenter les performances des circuits et miniaturiser des systmes de plus en plus
complexes dans une seule puce. En fait, la miniaturisation des technologies permet de rduire
les cots de fabrication et lencombrement des fonctions ralises. De nouvelles applications
deviennent envisageables et il est possible dembarquer de plus en plus dintelligence. En
contre partie, la ralisation des systmes fortement intgrs, fiables et performants, nest pas
sans poser des problmes, surtout au niveau de la conception. Lors de la conception, tout doit
avoir t prvu, y compris les situations relatives aux conditions extrmes dutilisation,
temprature en particulier, et aux invitables dispersions technologiques. Ce qui implique
quil est indispensable que les effets physiques soient parfaitement pris en compte et que les
dispositifs actifs et passifs, en particulier les rsistances et les capacits ainsi que lensemble
des phnomnes parasites susceptibles de se produire dans un circuit intgr soient
parfaitement modliss.
Pour cela on va sintresser dans ce projet la conception des schmas lectriques permettant
lextraction des paramtres de premier ordre des composants microlectroniques
essentiellement, les rsistances et les capacits de la technologie CMOS065nm, de crer un
modle avec ces paramtres, de comparer les rsultats de simulation obtenues par ce modle
et celles du modle existant et de vrifier que les planches proposes sont valables pour
dautres technologies.
Remerciements
Je voudrais remercier profondment Monsieur Hichem Ben
Hamida, manager de ST Microelectronics Tunis, de mavoir accueilli
dans cet organisme.
De mme je tiens remercier Mr Laurent SALAGER, manager
de lquipe Design Kit, de mavoir accueilli au sein de son quipe et
pour sa disponibilit et son aide.
Je remercie Mr Moumtez HADDOUG (Ingnieur de lquipe
Design Kit ST Tunis) pour son encadrement, sa disponibilit, son
suivi et les prcieux conseils quil ma prodigus tout au long de mon
stage. Je remercie aussi Mr Moez KHEDRI pour sa disponibilit et
ses conseils.
Je remercie, galement, mon encadreur interne, Mr Jaouhar
MOUINE, qui a bien voulu assurer la direction de ce travail. Je le
remercie infiniment pour sa patience, son assistance et ses prcieuses
recommandations.
Mes penses de reconnaissance vont galement au reste de
l'quipe Design Kit, en particulier Mlle Khaoula HAMMAMI, Anis
KTARI, Zied GRISSA, Wissem CHOUCHENE, Wahbi
BOUJARRA, Fathi JALEL, Khaled AOUADI, Zied ELABED, Rebh
MAJDOUB, Badr CHABBI, Makram BOUDINAR, Ghassen
GAALICHE, Mohamed SOULI, Sami HAMROUNI, Khaled BEN
NACEF, Asma OUECHTATI, Mohamed Hedi MANSOUR et
Mohamed Ridha KHROUF.
Quils trouvent ici lexpression de ma profonde reconnaissance pour
les critiques et conseils quils m'ont fournit au cours de ce travail.
Sommaire
Sommaire
Introduction gnrale ..............................................................................................................1
CHAPITRE 1 : Prsentation de STMicroelectronics et de lquipe Design Kit.............3
1 .Introduction ........................................................................................................................ 4
2 .Prsentation de STMicroelectronics................................................................4
2.1. ST lchelle internationale .........................................................................4
2.2. ST Tunis .......................................................................................5
2.3. Division FTM................................................................................................................6
2.4. Equipe Design Kit.........................................................................................................6
2.4.1 .Produit Design Kit .................................................................................................6
2.4.2 .Composition de lquipe Design Kit......................................................................7
3 .Prsentation du sujet ..........................................................................................................8
4 .Conclusion...........................................................................................................9
CHAPITRE 2 : Etudes Thoriques.......................................................................................10
1 .Introduction.........................................................................................................................11
2 .Modlisation des composants passifs.................................................................................11
3 .Les rsistances intgres.....................................................................................................12
3.1. La structure...................................................................................................................12
3.2. Les dessins ...............................................................................................13
3.3. Lappariement...............................................................................................................14
3.4. Les indices de performance .........................................................................................14
3.4.1 .Coefficient de Temprature ..............................................................................14
3.4.2 .Leffet Thermolectrique ..................................................................................15
3.4.3 .Coefficient de Tension ..................................................................................15
3.4.4 .Rponse en frquence .......................................................................................15
3.4.5 .Prcision dappariement ...................................................................................16
3.4.6 .Lerreur de pas de grille ...................................................................................17
3.5. Les diffrents types de rsistance.....................................................................17
3.5.1 .Les rsistances diffuses................................... ...................................................17
3.5.2 .Les rsistances de caisson .....................................................................................18
3.5.3 .Les rsistances silicium polycristallin ..................................................................19
3.5.4 .Les rsistances mtalliques................................................................................20
4 .Les capacits intgres ..................................................................................................21
4.1. La structure...................................................................................................................21
4.2. Les dessins ...............................................................................................21
4.3. Les indices de performance .........................................................................................22
4.3.1 .Capacits parasites structurelles............................................................................22
4.3.2 .Coefficient de Temprature...................................................................................23
4.3.3 .Coefficient de Tension ......................................................................................23
4.3.4 .Rsistances parasites sries ......................................................................24
4.4. Les diffrents types de condensateurs .........................................................................24
4.4.1 .Les condensateurs poly-diffusion (condensateur MOS non standard)..24
Sommaire
4.4.2 .Les condensateurs poly-poly.....25
4.4.3 .Les condensateurs mtal-poly...............................................................26
4.4.4 .Les condensateurs mtal-mtal (condensateurs MIM) .........................................26
4.4.5. Les condensateurs MOS....27
5 .Conclusion ....................................................................................................................28
CHAPITRE 3 : Les rsistors de la technologie CMOS065nm............................................29
1 .Introduction..........................................................................................................................30
2 .Vue gnrale................................................................................30
2.1. Les bornes.................................................................................................................31
2.2. Classification des modles .......................................................................31
2.3. Les schmas quivalents...............................................................................................31
2.3.1. Schma quivalent dun rsistor de type Poly..................................................32
2.3.2 .Schma quivalent dun rsistor de type OD (actif).........................................32
2.3.3 .Schma quivalent dtaill dun rsistor de type non silicur , actif ...............33
3 .Modles de calcul ...................................................................................................33
3.1. La rsistance nominale..................................................................................................33
3.2. Le modle dun rsistor silicur ...................................................................................34
3.3. Le modle dun rsistor non silicur ...........................................................................35
4 .Les paramtres de premier ordre extraire .................................................................35
4.1. La temprature..............................................................................................................35
4.2. La tension ................................................................................................................... 37
4.3. Capacit parasite.......................................................................39
4.4. Le bruit..........................................................................41
4.5. Le modle statistique.......................................................................44
4.5.1 .Distribution normale..............................................................................................44
4.5.2 .Distribution uniforme............................................................................................44
4.5.3 .Distribution Log-Normale.....................................................................................45
4.5.4 .Quest ce quune Analyse Monte-Carlo ?.............................................................47
4.6. Les rsistances daccs.49
4.6.1. La famille Rpolys...49
4.6.2. La famille Rpolyn/Rpolyp......50
4.6.3. La famille Rpolyh...51
5. Comparaison des rsultats .......52
5.1. RNPO.............53
5.2. RNPORPO.............53
5.3. RPPORPO..................54
5.4. RHIPORPO......54
5.5. RPODRPO.......55
6. Etude des benchs ..........55
6.1. Temprature dc.........56
6.2. La capacit parasite...........57
6.3. IV_dc .......58
6.4. Raccess_ac.59
7. Conclusion ........... 59
CHAPITRE 4 : Les capacits de la technologie CMOS065nm et vrification de la validit de
la mthode propose sur la technologie B7rf..........................................................................60
1 .Introduction.........................................................................................................................61
2 .Le modle de la capacit Cplate... .................................................61
Sommaire
2.1. Nomenclature du modle ............................................................................................61
2.2. Le schma quivalent de la capacit ...............62
2.3. Les paramtres de premier ordre extraire.................................................................62
2.3.1 .Ca et Cf0.......................................................................62
2.3.2 .Modle statistique.........................................................................63
2.4. Comparaison des rsultats de simulation avec celle du modle .............................64
2.4.1 .Cm1mx.................................................................................................................64
2.4.2 .Cmxmx.................................................................................................................64
2.4.3 .Cmxmz.................................................................................................................65
2.4.4 .Cmxmt..................................................................................................................65
3 .Autres modles de capacits de la technologie Cmos065..........................................65
3.1. Modle de la capacit Cstrip.......................................................................65
3.2. Modle de la capacit Cfringe.....................................................................................65
3.3. Cmetal..............................................................................................65
4 .Etude des benchs ...... . 66
4.1. IV_dc ......66
4.2. Cap_ac .......66
4.3. Raccess_ac .......67
4.4. Temprature..........68
5. Vrification de la mthode propose sur la technologie B7rf.......68
5.1. Les rsistors de la technologie B7rf.......68
5.1.1 .Les paramtres de temprature des rsistors de la technologie B7rf.....................68
5.1.2 .Les paramtres de divergence....................69
5.1.3 .Les paramtres de la capacit parasite.......................69
5.1.4 .Les rsistances daccs .....................70
5.2. Les capacits de la technologie B7rf.............71
6. Comparaison des rsultats entre deux versions de la technologie CMOS065 :5.1/5.2..71
7. Conclusion......71
Conclusion gnrale.....................................................................................................................73
Bibliographie....................................................................................................................74
Annexes.............................................................................................................................77
Introduction Gnrale
Introduction Gnrale
Introduction Gnrale
systme dquations, ou bien mme par des tables de valeurs. Cette dmarche gnrale qui
consiste traduire la ralit des phnomnes sous forme dentits mathmatiques sappelle la
modlisation.
ont donc
individuellement un comportement qui est parfaitement connu et que lon peut modliser de
faon trs simplifie en ne gardant que les phnomnes dintrt pour lobjectif vis.
Cest dans ce cadre gnral que sinscrit notre projet intitul Conception des schmas
lectriques permettant lextraction des paramtres de premier ordre des composants
microlectroniques.
Le prsent rapport synthtise tout le travail que nous avons effectu et il sarticule en
quatre chapitres. Le premier chapitre dcrit lenvironnement de travail et le contexte gnral
du projet. Dans le deuxime chapitre, on introduit des notions de base indispensables pour
la modlisation des composants microlectroniques. Dans le troisime chapitre, nous mettons
laccent sur les rsistors de la technologie CMOS065nm. Nous prsentons les diffrentes
mthodes dextraction des paramtres de premier ordre pour ces composants ainsi que les
planches lectriques permettant de le faire.
Enfin dans le quatrime chapitre, on effectue le mme travail ralis dans le chapitre
prcdent pour les capacits de la technologie CMOS065nm et on vrifie que la mthode
propose est valable pour certains types de rsistors et de capacits de la technologie B7rf.
Chapitre
Objectifs :
prsenter l'organisme d'accueil.
prsenter l'quipe qui accueille le projet.
prsenter le projet raliser.
Chapitre 1
Prsentation de STMicroelectronics
et de lquipe Design Kit
1.Introduction
ette premire partie prsente dune manire gnrale le prsent document et le projet que
nous avons ralis. Nous commenons par prsenter l'organisme d'accueil et en particulier le
site ST Tunis. Puis nous donnons une ide sur la division et l'quipe qui accueillent le projet.
Ensuite, nous prsentons le projet raliser et enfin, nous donnons un aperu sur
l'organisation de ce document.
2.Prsentation de STMicroelectronics
2.1 .ST l'chelle internationale
La socit STMicroelectronics est un fabricant mondial de semi-conducteurs. La socit
conoit, dveloppe, fabrique et commercialise une vaste gamme de circuits intgrs et de
composants discrets utiliss dans de nombreuses applications microlectroniques: les
tlcommunications, les produits grand public, les applications industrielles ainsi que les
systmes de contrle.
Le Groupe ST est n en juin 1987 suite au regroupement de Thomson Semiconducteurs
(France) et de SGS Microelectronica (Italie). Depuis cette date, la socit a considrablement
tendu et enrichi sa gamme de produits et de technologies et renforc son rseau de
distribution et de fabrication en Europe, en Afrique, en Amrique du nord, au Japon et dans la
rgion Asie-Pacifique. Depuis dcembre 1994, la compagnie a t place sur la bourse des
valeurs de New York (NYSE : STM), sur la bourse de Paris, et depuis juin 1998 sur celle de
Milan.
En 2006, STMicroelectronics a t classe la cinquime plus grande compagnie de semiconducteurs dans le monde, avec une progression qui montre l'expansion rapide de la
compagnie. En fait, STMicroelectronics offre une gamme tendue de produits diversifis et
dveloppe les meilleures mthodes de conception et processus de fabrication. D'ailleurs, ST a
Comparer les rsultats trouvs par simulation avec ceux disponibles dans les modles.
8
Raliser mon propre modle en introduisant les paramtres trouvs par simulation.
Comparer les rsultats de simulation des diffrents benchs permettant de valider ces
composants.
Vrifier que les planches proposes sont valables pour nimporte quelle technologie.
4.Conclusion
Chapitre
E tudes Thoriques
Objectifs :
Comprendre la structure des composants microlectroniques.
Etudier en dtail la structure des rsistances intgres.
Etudier en dtail la structure des capacits intgres.
10
Chapitre 2
Etudes Thoriques
1. Introduction:
aussi de la qualit et de la prcision des composants passifs. Nous pouvons citer les
rsistances, les capacits et les inductances ; ces composants tant utiliss dans les
amplificateurs faible bruit et les oscillateurs contrls en tension par exemple.
Ces composants peuvent tre situs lextrieur ou intgrs sur la puce de silicium. La
premire solution prsente des inconvnients tels quune taille et un prix plus levs mais
galement de moindres performances. Il ya donc depuis une dcennie de nombreux efforts
pour rendre possible la seconde approche.
Avant de rentrer dans le vif du sujet, une prsentation thorique servira dintroduction afin de bien
comprendre la structure des diffrents composants tudis lors de la ralisation de notre projet.
Nous abordons donc dans ce chapitre ltude thorique en dtail des rsistances et des
capacits intgres.
2. Modlisation des composants passifs :
La technologie silicium prsente deux inconvnients majeurs. Dune part le substrat est
dissipatif et dautre part, en raison de la faible distance entre les composants raliss au sein
des couches dilectriques dposes sur le substrat et le substrat lui-mme, il existe des
capacits parasites qui ont par consquents de limiter la frquence de fonctionnement [1].
Ces deux problmes reprsentent une partie de lensemble des phnomnes et des
couplages qui interagissent de faon plus ou moins complexe aux seins des composants
passifs intgrs sur une puce de silicium. La comprhension et le contrle de lensemble des
paramtres correspondants sont primordiaux pour loptimisation de ces composants, et pour
leur utilisation au sein de fonctions par lintermdiaire de modles lectriques fiables et
ralistes.
11
.
Figure 2. 1: Structure d'une rsistance MOS
12
*L
W *d
(2.1)
[1]
= , qui est une
sq d
L
= 2 * Rcont + R S * n S (2.2) [1]
W
3.2.Les dessins:
Le plus souvent, les grandeurs L et W dfinissant la rsistance sont trs diffrentes
(L>> W), et pour des raisons vidente d'encombrement, on est conduit dessiner les longues
rsistances sous la forme d'un serpentin (figure 2.2) ou d'un rseau de modules lmentaires
(figure2.3) interconnects en srie et ventuellement partiellement en parallle. Pour le
premier type de dessin, du fait de la prsence de coudes, nc tant le nombre de coudes, il faut
modifier le nombre de carrs lmentaires, pratiquement en utilisant la formule empirique
R = 2 * Rcont + RS * ( n S 0.44 * n S )
(2.3) [1]
Il est noter que d'autres formes de coudage peuvent tre utilises et que cette technique est
rserve la ralisation de rsistances relativement peu prcises.
13
R = R(T ) = R(T0 )(
T R
)
(2.4)
T0
[4]
14
1 dR
= R Avec R [ 2... + 2]
R dT
T
(2.5) [4]
15
(2.7) [1]
Ainsi, toute rsistance intgre prsente un caractre passe-bas avec une pente asymptotique
de l'ordre de 10dB/dcade.
1
: la frquence de coupure.
2RC
MR =
M 2 a M 2W M 2 L
+
+ 2 (2.8)
WL
W2
L
16
et dR = dRa + dRb
dR = dRa dRb
TL R = (
M
dR
1
)= R =
R
2
2
M 2 a M 2W M 2 L
+
+ 2 (2.9) [4]
WL
W2
L
L
pdg
(1 + 0.5
) (2.10) [3]
W
L
Le pas de grille (pdg) introduit sur une rsistance R une erreur relative sur chaque module
pdg
Rs
pdg
(1 + ) 0.5
L
R
L
Cette erreur est minimise en prenant des longueurs de dispositif trs grandes
( W 100 Lmin ). Il faut toutefois noter que pour la ralisation de rapports de rsistances, cette
erreur d'arrondi peut facilement tre grer en systmatisant les erreurs de pas de grille dans un
mme sens par dfaut ou par excs.
de rsistances diffuses
de rsistances de caisson
de rsistances mtalliques
17
18
19
20
C=
Le rapport
ox
tox
ox
t ox
.W .L
(2.11) [2]
dC
1
)
C
WL
1 W 1
1 1
L + W = A A + W
(2.12)
[5]
Par annulation de la drive, on constate que cette erreur peut tre minimise avec W = L ,
c'est--dire si le condensateur est carr.
D'autre part, pour minimiser l'erreur d'appariement, les condensateurs intgrs sont constitus
de condensateurs unitaires (Cunit) interconnects par aboutement ou par prise de contact sur
l'armature suprieure. On arrive ainsi aux quatre dessins types de la figure2.13. On notera la
prsence d'ergots situs sur les cots des condensateurs pour compenser les ventuelles
dfauts d'alignement des masques. Il a t montr que la prsence d'angles sur le dessin est un
facteur aggravant pour l'erreur dappariement, la coupure 45des angles de la structure c,
non admise dans certaines filires technologiques, amliore lgrement la prcision en
21
22
23
/sq pour la diffusion, n'est rellement considrer que pour la ralisation de certaines
fonctions analogiques temps continu hautes frquences. Il est noter que du fait de la trs
bonne qualit des oxydes, on considre que la rsistance de fuite est trs grande, le coefficient
de qualit du condensateur est ainsi infini.
condensateurs poly-diffusion.
condensateurs poly-poly.
condensateurs mtal-poly.
condensateurs mtal-mtal.
1
1
1
1
=
+
+
C Cox Csd Csp
(2.15) [2]
25
26
27
5. Conclusion :
Dans ce chapitre, nous avons tudi les structures des diffrents types de rsistances et de
capacits intgrs. Nous avons mis en vidence les diffrents effets physiques indispensables
dans la modlisation de ces composants microlectronique.
Dans la suite nous allons passer la spcification et la conception des planches lectriques qui
permettent dextraire les paramtres de premier ordre des rsistances et des capacits en
technologie Cmos065.
28
Chapitre
Objectifs :
Etudier les diffrents types de rsistors de la technologie CMOS065.
Concevoir des planches permettant lextraction des paramtres de premier
ordre de ces rsistors.
Comparer les simulations obtenues par le modle cr avec ces paramtres
et le modle dj existant.
29
Chapitre 3
Les Rsistors de la technologie
CMOS 065nm
1. Introduction:
des dispositifs essentiels pour la ralisation des circuits intgrs analogiques, puisque associs
des dispositifs actifs (amplificateurs oprationnels,... .), ils permettent la synthse des
diffrentes fonctions lectroniques assurant le traitement des signaux.
Nous abordons dans ce chapitre, une tude dtaille des diffrents types de rsistors de la
technologie CMOS065nm, ainsi que les planches (schmas) permettant lextraction des
paramtres de premier ordre de ces rsistors et nous finirons par une comparaison entre les
simulations obtenues par le modle cr avec ces paramtres et le modle dj existant.
2. Vue gnrale :
Tous les modles des rsistors sont en principe bass sur la physique de ces dispositifs : la
gomtrie, la valeur intrinsque du rsistor, la dpendance la temprature, la dpendance
la tension, le bruit (thermique et de Ficker), les capacits parasites... Ils sont dcrits laide
dquations et de paramtres physiques.
Tous ces paramtres ont t utiliss avec succs pour caractriser les diffrents types de
rsistors utiliss dans la technologie CMOS065nm. Il y a clairement un compromis trouver
entre la complexit du modle et sa prcision. En effet, dune part le simulateur requiert des
modles les plus simples possible pour ne pas augmenter les temps de simulation et dautre
part le modle doit malgr tout tenir compte de tous les phnomnes importants pour obtenir
des rsultats fiables.
30
Modle simple
(Standard)
Modle prcis
Modle
haute
frquence
Rsistor Active
P+ non silicur
Rsistor poly P+
non silicur
Rsistor poly N+
non silicur
Rsistor poly N+
silicur
Rsistor (HIPO)
non silicur
RPODRPO
RPODRPO_ACC
RPODRPO_HF
RPODRPO_HFV
RPPORPO
RPPORPO_ACC
RPPORPO_HF
RPPORPO_HFV
RNPORPO
RNPORPO_ACC
RNPORPO_HF
RNPORPO_HFV
RNPO
RNPO _ACC
RNPO _HF
RNPO _HFV
RHIPORPO
31
Les rsistances daccs du ct Minus et Plus qui reprsentent des sources de bruit
thermique.
Les capacits intrinsques qui sont simplement obtenues en drivant les expressions
des charges : C1= -Qplus/Vplus et C2=-QMinus/VMinus
32
Avec :
Comme cest indiqu la figure3.4, les rsistances daccs la borne Plus et Minus se
composent essentiellement de la mise en srie des rsistances Rhi, Rhs, Rsc.
Avec :
Rhi : la rsistance dinterface entre la tte et le corps (partie silicure et non silicure).
3. Modles de calcul :
La valeur de la rsistance est calcule en utilisant lexpression :
R=
L L
L
= = RS
W t t W
W
(3.1)
Avec :
R : la rsistance ().
Rhs Lhs +
+
+ Rhu Lhu
+ Rhi
L L 2
Rsc
2
2
2
+ 2
+ 2
R = Rho
(3.2)
W W
ncrows Nc
W W
Avec :
W : la largeur dessine.
L1: longueur de loffset pour la protection silicium extraite dans le rsistor de type
Poly P+.
On notera que de part l'impossibilit de placer un contact directement sur une zone faiblement
dope, la zone de contact extrinsque n'est gnralement prsente que pour les rsistances
fabriques en silicium polycristallin haute rsistivit, et que la largeur dessine doit tre
suffisante pour permettre la mise en place d'un contact (de l'ordre du m) et assurer la
circulation du courant (de l'ordre de 1m/mA).
La rsistance additionnelle Rhi permet d'obtenir une formule analytique gnrique
indpendante de la nature du dispositif et des techniques de fabrication.
R = Rho
L
Rsc
+ 2
= Rbody + 2 Rhead (3.3)
W W
ncrows Nc
Avec :
Nc : nombre de contacts dans une range pour une tte (les rsistors doivent tre
dsignes par 2 ranges de contacts).
34
Rhs Lhs +
+ Rhi
L L
Rsc
2
R = Rho
+ 2
+ 2
= Rbody + 2 Rhead (3.4)
W W
ncrows Nc
W W
(3.5)
Avec :
tc1 et tc2 sont les paramtres de temprature de 1er et 2me ordre quon cherche
extraire.
(3.6)
(3.7)
(1 + tc 2 Tref ) =
2
=>
(tc 2 Tref ) =
2
(R1 + R2 )
2.RT 0
(R1 + R2 )
2.RT 0
R1 + R 2.R
2
T0
tc 2 =
(3.8)
2
2.RT 0 Tref
R1 + R2 2.RT 0
R1 = RT 0 1 tc1 Tref +
2.RT 0
On trouve en fin
R1 + R2
R1 = RT 0 1 tc1 Tref +
1
2.RT 0
R R
2
1
tc1 =
(3.9)
2
.
R
T
T 0 ref
V V
1
Pour une source de courant constante on peut crire tc1 = 2
(3.10)
2
.
V
T
T 0 ref
Avec :
Une variation DC de la temprature permet donc dextraire les deux paramtres tc1 et tc2.
36
Avec :
VPB : La tension entre la borne Plus et le substrat.
VPB : La tension entre la borne Minus et le substrat.
On dsire estimer les paramtres non linaire Vca, Vcb et Vcc.
37
R = R0 1 + vcb.VPB + vcc.VPB
] (3.12)
Pour dterminer Vca et Vcb et en suivant le mme principe que prcdemment : il suffit de
prendre deux points doprations :
Pour VPB = VPB1
R 2 = R 0 1 + vcb.VPB 2 + vcc.VPB 2
(3.13) =>
=>
R1
2
1 = vcb.VPB1 + vcc.VPB1
R0
vcb =
(3.13)
] (3.14)
R1 R0
vcc.VPB1 (3.15)
R 0.VPB1
R1 R0
2
vcc.VPB1 .VPB 2 + vcc.VPB 2 (3.16)
R 2 = R0 1 +
R0.VPB1
R 2 R0
R1 R0
vcc =
(3.17)
R0.VPB 2 .(VPB 2 V PB1 ) R 0.V PB1 .(VPB 2 V PB1 )
vcb =
R1 R0 (R 2 R 0).VPB1
R1 R0
(3.18)
R0.VPB1 R0.VPB 2 .(VPB 2 VPB1 ) R0(VPB 2 V PB1 )
L2
38
R1 R0 L
(3.19)
vca =
.
R0 2.VPB1
On obtient alors :
(3.20)
Avec
et
Avec :
39
1re mthode :
dVMinus
+ VMinus = VPlus.Minus = V (3.21)
dt
dVMINUS
1
=
.dt
VMINUS V PLUS .MINUS
R.C
=>
=>
t
+ Ln ( A)
R.C
t
R .C
(1).
2me mthode :
Pour pouvoir extraire ces deux paramtres, il suffit de prendre deux points dopration
diffrents :
Cb1 = Cap Areab1 + Cfp.Perimetreb1 (3.23)
Cb 2 = Cap Areab2 + Cfp.Perimetreb 2 (3.24)
(3.24)
Cap =
Cb 2 Cfp * Perimetreb 2
(3.25)
Areab2
Cfp =
Areab1
Areab 2
perimetreb1 perimetreb 2 *
Areab1
Areab 2
(3.26)
La figure 3.11 reprsente la planche permettant dextraire les deux paramtres modlisant la
capacit parasite dans un rsistor :
40
Figure 3. 11: Planche permettant lextraction des paramtres cap et cfp dun rsistor de
type RNPO
4.4.Le bruit :
On appelle bruit lectrique au sens large de ce terme, tous les signaux alatoires qui
napportent aucune information utile dans un systme de transmission et peuvent au contraire
perturber la transmission dune information en interfrant avec les signaux utiles ou en se
superposant eux. Il est important de savoir que dans un dispositif semi-conducteur, tout
bruit lectrique se manifeste sous forme de fluctuations alatoires et spontanes de la tension
et/ou du courant provoques par divers processus physiques.
Le modle utilis pour dterminer le bruit dune rsistance en fonction de la frquence est :
Si ( f ) =
4K BT K f
+
I Af = bruit thermique+bruit basse frquence (bruit Ficker) (3.27)
R
f
Avec
41
KB : la constante de Boltzmann.
f : la frquence (Hz).
Elles sont extraites pour chaque rsistor en mesurant la tension de bruit une frquence de
10Khz, la zone du bruit blanc.
Il suffit donc de faire une analyse frquentielle et de bien choisir les paramtres de la source
de bruit pour pouvoir extraire les paramtres Af et Kf.
En choisissant deux points dopration pour deux frquences diffrentes (figure 3.12), on
aura :
S1 =
4.K B .T Kf AF
+
I1
(3.27.1)
R
F1
S2 =
4.K B .T Kf AF
+
I2
R
F2
4. K B T
AF
F2 I 1
R
=
4.K B T
F1 I 2
S2
R
S1
(3.27.1)
=>
(3.27.2)
=>
=>
=>
(3.27.2)
4. K B T
F1 . S1 R
= A .Ln I 1
Ln
F
4. K B T
I2
F
.
S
2
AF =
4. K B T
F1 . S1 R
Ln
4. K B T
F2 . S 2 R
I
Ln 1
I2
4. K B T
F1 . S1
R
Kf =
AF
I1
(3.28)
(3.29)
42
(a)
(b)
Figure 3. 13: Planche permettant lextraction des paramtres de bruit pour un rsistor
de type RNPO ((W=0.24m, L=5m, V=1V)
43
f ( x) =
( x )2
2 2
Pour x (3.30)
pour.a x b
f ( x) = b a
(3.31)
0.ailleurs
44
(b a ) 2
a+b
est la moyenne et 2 =
est la variance.
2
12
Une distribution log-normale est une distribution asymtrique, qui commence zro,
slve jusqu un maximum avant de redescendre plus progressivement vers linfini. Elle est
relie la distribution normale : X a une distribution log-normale si ln (X) a une distribution
normale.
La FDP de la distribution log-normale est donne par :
f ( x) =
l x 2
(ln( x ) l ) 2
2 l 2
Pour 0 x (3.32)
Les paramtres requis pour spcifier la fonction sont : l la moyenne de la transformation lognaturel des donnes; et l2 la variance de la transformation log-naturel des donnes. Les
donnes et informations utilisables par le compilateur dinventaire pour dterminer les
paramtres dentre sont : moyenne = ; variance = 2; et les relations :
l = ln
2
( 2 + 2 )
Et
l = ln 2 + 1
Avec :
B2 + NC 2 H 2
R0
(3.34)
Avec:
B = R0
r_A
et
2 W L
H = Rhead
r_K
2 W
(3.35)
Avec :
Quand les paramtres r_A et r_K ne sont pas spcifis aucune distribution nest utilise et la
valeur de la rsistance est gale R0.
Dans eldo la distribution normale est donne en utilisant la fonction gauss .
Les deux paramtres quon cherche extraire sont donc r_A et r_K. Pour se faire, il suffit de
dterminer B et H par une simple analyse Monte Carlo.
Pour nhead = 0
on dduit la valeur de B .
Pour nhead 0
on obtient H .
=> r _ A =
Avec :
B
R0
2 W L
Et
r_K =
H
Rhead
2 W (3.36)
Rhead = R0 2 Rbody
la planche permettant lextraction de ces deux paramtres est donne par la figure ci-dessous
(figure3.16) :
46
Figure 3. 166: Planche permettant lextraction des deux paramtres de divergence dun
rsistor RNPO (W=0.24m, L=5m)
4.5.4. Quest ce quune Analyse Monte-Carlo ?
Lanalyse Monte Carlo effectue les calculs de linventaire de nombreuses fois par
ordinateur, en choisissant chaque fois alatoirement (par ordinateur) les facteurs dmission,
les paramtres de modle et les donnes sur les activits incertaines dans la distribution
dincertitudes spcifie initialement par lutilisateur. Les incertitudes relatives aux facteurs
dmission et/ou aux donnes sur les activits sont souvent importantes et peuvent ne pas
avoir de distribution normale. Dans ce cas, les rgles statistiques utilises habituellement pour
combiner des incertitudes deviennent trs approximatives. Lanalyse Monte Carlo peut
rsoudre ce problme en gnrant une distribution des incertitudes pour lestimation de
linventaire qui est cohrente avec les distributions des incertitudes des entres relatives aux
facteurs dmission, aux paramtres du modle et aux donnes sur les activits.
Cest une analyse qui utilise un grand nombre de donnes et exige de longs temps de
calculs, mais qui est bien adapte au problme de la propagation et de lagrgation des
incertitudes dans un systme tendu.
Lanalyse Monte Carlo consiste en cinq tapes bien dfinies. Seules les deux premires
tapes exigeront un travail de la part de lutilisateur, les autres tapes tant effectues par le
logiciel.
tape 1 Spcification des incertitudes des catgories de source. Spcifier les incertitudes
dans les donnes de base. Ces donnes incluent les facteurs dmission et les donnes sur les
47
Figure 3. 177: Rsultat de lanalyse Monte Carlo pour un rsistor de type RNPO
(W=0.24m, L=5m)
48
L
W W
A partir de cette relation et tant donn que les variables L, W et W sont connus, on peut en
dduire la valeur de Rho.
Rho = Rbody
W W
L
(3.37)
R Rbody
2
(3.38)
Avec
Rsc
ncrows Nc
Figure 3. 188: Planche permettant lextraction des rsistances daccs pour un rsistor
de la famille Rpolys
49
Rho = Rbody
W W
(3.40)
L L
Etant donn que la valeur de la rsistance de contact est la mme pour tous les types de
rsistors de la technologieCMOS065nm, donc la valeur de Rsc peut tre dduite partir du
modle tudi prcdemment.
Puisque la rsistance daccs Rhi est celle qui se trouve entre le corps du rsistor et les
contacts, pour une longueur du corps assez importante, on peut dduire la valeur de cette
rsistance qui est trs proche de zro, cest pourquoi on la considre nulle dans la partie qui
suit.
Dans lquation prcdente (3.4), tous les paramtres sont connus, on peut donc dduire la
valeur de la rsistance Rhs. La planche permettant lextraction de tous les paramtres dcrits
prcdemment sera donc :
50
Figure 3. 20: Planche permettant lextraction des rsistances daccs pour un rsistor de
la famille Rpolyn/Rpolyp
Dans cette planche, les deux rsistors R4 et R5 sont utiliss pour extraire la valeur de la
rsistance Rsc et les autres rsistors pour la dduction des valeurs des rsistances daccs
(Rho,Rhs).
Rho = Rbody
W W
L L 2
(4.41)
Etant donn que la rsistance de contact (Rsc) et la rsistance carr de tte (Rhs) sont les
mmes pour tous les types de rsistors de la technologie CMOS065nm, on peut dduire la
valeur de la rsistance carre extrinsque de la zone de contact (Rhu) partir de la relation
suivante :
Rsc
1
L1
1
Rhu = Rhead
(4.42)
Rhs Lhs + 2
ncrows
Nc
W
L
1 L 2
+
Lhu
2
2
La planche permettant lextraction de tous les paramtres dcrits prcdemment sera donc :
51
Figure 3. 201: Planche permettant lextraction des rsistances daccs pour un rsistor
de la famille Rpolyh
Aprs la traduction de toutes les hypothses prcdentes en langage eldo, le rsultat de la
simulation de la planche prcdente est donn par la figure ci-dessous :
52
5.1. RNPO :
paramtres
Extraits (w=0.24um, l=5um)
Corners
Typ
Rmin
Rmax
> 99.9%
Rtot
--------------100%
Rsheet
--------------> 99.9%
Rbody
--------------100%
Rhead
--------------100%
100%
100%
Rho
100%
100%
100%
Rhi
100%
100%
100%
Rhs
100%
100%
100%
Rsc
100%
100%
100%
Rhu
99.9%
> 98%
> 97%
cap
99.9%
> 98%
100%
cfp
Cbody
-------------------------Chead
------------------------100%
100%
100%
tc1
100%
100%
100%
tc2
vcc
vca
vcb
ctot
Typ
Dans le modle
Rmin
Rmax
-----------------------------
-----------------------------
-----------------------------
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
100%
100%
100%
********
********
********
-------------------------
----------------------------
----------------------------
-------------------------
----------------------------
----------------------------
-----------: paramtre intermdiaire non calcul dans le modle mais qui peut tre extrait.
******** : donne confidentielle.
5.2. RNPORPO :
paramtres
Extraits (w=0.24um,l=0.43um)
Corners
Typ
Rmin
Rmax
> 99.9%
Rtot
---------------> 99.9%
Rsheet
---------------> 99.9%
Rbody
----------------> 99.9%
Rhead
----------------> 99.9%
> 99.9%
100%
Rho
100%
>98%
>98%
Rhi
100%
>
98%
> 98%
Rhs
100%
100%
100%
Rsc
100%
100%
100%
Rhu
> 99.9%
> 99.9%
> 98%
cap
> 99.9%
> 98%
> 99.9%
cfp
Typ
Dans le modle
Rmin
Rmax
-----------------------------
-----------------------------
-----------------------------
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
53
Cbody
Chead
tc1
tc2
-------------------
-------------------
-------------------
> 99.9%
> 99.9%
> 99.9%
> 99.9%
> 99.9%
> 99.9%
********
********
********
********
********
********
vca
vcc
ctot
vcb
100%
100%
100%
100%
100%
100%
********
********
********
-----------
-----------
-----------
>98%
>98%
>98%
-------------------------
----------------------------
----------------------------
100%
100%
100%
100%
100%
100%
----------
-----------
-----------
>98%
>98%
>98%
Typ
Dans le modle
Rmin
Rmax
-----------------------------
-----------------------------
-----------------------------
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
-------------------------
----------------------------
----------------------------
Typ
Dans le modle
Rmin
Rmax
-----------------------------
-----------------------------
-----------------------------
********
********
********
********
********
********
54
Rhs
Rsc
Rhu
cap
cfp
Cbody
Chead
tc1
tc2
> 99.9%
100%
> 99.9%
> 99.9%
> 99%
>98%
100%
> 99.9%
> 99.9%
>98%
>98%
100%
> 99.9%
> 99 %
> 99%
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
---------------------
---------------------
--------------------
100%
100%
100%
100%
100%
100%
********
********
********
********
********
********
vca
vcc
ctot
vcb
100%
100%
100%
100%
100%
100%
********
********
********
----------
-----------
----------
>98%
>98%
>98%
-------------------------
----------------------------
----------------------------
----------
-----------
----------
100%
100%
100%
----------
----------
----------
>98%
>98%
>98%
Typ
Dans le modle
Rmin
Rmax
-----------------------------
-----------------------------
-----------------------------
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
********
55
56
57
6.3. IV_dc :
Ce bench valide le comportement DC du rsistor (leffet principal), et la prsence (et la
direction des connexions) des diodes parasites de diffusion.
58
6.4.Raccess_ac :
Ce bench est le mme que celui de la figure 3.24 mais pour ce bench cest la partie relle
du courant qui est contrle. Ce bench est capable de dtecter la non implmentation et la
mauvaise connexion des rsistances daccs.
On remarque bien daprs la figure 3.26 que les valeurs des rsistances daccs simuls
(Rhs ,Rhu et Rhi) concident bien avec les valeurs indiques dans le modle de la technologie
CMOS065nm.
Figure 3. 289: Comparaison des simulations du bench validant les rsistances daccs
dun rsistor de type RNPO (W=0.24m, L=5m)
7. Conclusion :
A travers ce chapitre, nous avons fait un aperu thorique sur les diffrents types de
rsistors de la technologie CMOS065nm. Nous avons expliqu galement, la faon dextraire
les paramtres de premier ordre de ces composants ainsi que les planches permettant de le
faire. En comparant les rsultats de simulation des diffrents benchs, nous pouvons confirmer
que les paramtres quon a extraits sont suffisants pour pouvoir modliser les rsistors de
cette technologie.
Dans la suite nous allons passer ltude des diffrents types de capacit de la technologie
CMOS065nm
59
Chapitre
60
Chapitre 4
Les capacits de la technologie
CMOS065 et Vrification de la validit de
la mthode en B7rf
1. Introduction:
omme nous avons fait dans le chapitre prcdent, nous allons consacrer ce chapitre
Avec :
La capacit Cplate est un composant deux bornes. La capacit principale est situe entre
le premier et le deuxime terminal. Cette capacit lmentaire consiste en deux plaques en
parallle (la surface de la plaque suprieure est infrieure celle de la plaque infrieure). Ce
composant lmentaire reprsente une capacit verticale entre deux plaques, dans deux
niveaux de mtaux conscutives.
2.1.Nomenclature du modle :
Trois types de mtaux sont utiliss pour construire le corps de la capacit.
Le niveau du mtal est de type 1, X ou Z.Cest pourquoi la famille de Cplate est compose de
quatre modles diffrents (Tableau 4.2) dpendant des mtaux utiliss : Cm1mx, Cmxmx,
61
Cmxmz et Cmzmz. La capacit principale est entre les bornes (Plus et Minus). (Figure 4.2) .Il
est important que le nom de la capacit contienne des informations sur le type du mtal
puisque la valeur de la capacit y dpend :
cm1mx
cmxmx
cm1mz
cmzmz
(4.24)
C1 = Ca Area1 + C f 0 .Perimetre1
(4.23)
C 2 = Ca Area 2 + C f 0 .Perimetre2
(4.24)
Ca =
C 2 C f 0 * Perimetre2
Area 2
(4.25)
62
Cf0 =
C1 C 2 *
Area1
Area 2
perimetre1 perimetre2 *
Area1
Area 2
(4.26)
La planche permettant dextraire ces paramtres est reprsente ci-dessous figure (4.4).
(4.27)
Avec :
c_ A
2 c0
(4.28)
Avec :
Quand le paramtre c_A nest pas spcifi aucune distribution nest utilise et la valeur de
la capacit est gale C0. Une simple analyse Monte-Carlo permet de dterminer la valeur
moyenne et la dviation standard dune capacit Cplate comme cest indiqu la figure
suivante :
63
2.4.1. Cm1mx:
paramtres
Corners
Ca
cf0
Typ
>99%
>99.5%
Extraits
Cmin
>99.9%
>96%
Cmax
>99%
>96%
Dans le modle
Typ
Cmin
Cmax
******** ******** ********
******** ******** ********
Extraits
Cmin
>99.9%
>96%
Cmax
>99%
>96%
Dans le modle
Typ
Cmin
Cmax
******** ******** ********
******** ******** ********
64
2.4.3. Cmxmz:
paramtres
Corners
Ca
cf0
Typ
>99%
>99%
Extraits
Cmin
>99%
>97%
Cmax
>98%
>97%
Dans le modle
Typ
Cmin
Cmax
******** ******** ********
******** ******** ********
Typ
>99%
>99%
Extraits
Cmin
>99.9%
>96%
Cmax
>98%
>96%
Dans le modle
Typ
Cmin
Cmax
******** ******** ********
******** ******** ********
3.3. Cmetal :
La modlisation de la capacit Cmetal est compose de deux contributions qui prennent en
compte, la composante surfacique et les contributions des doigts.
La premire est base sur le calcul classique de la capacit planaire. La deuxime contribution
est dtermine par la thorie des transformations conformes.
65
Cmetal est une capacit constitu de mtaux empils M2-M4.Les deux plaques M2 et M4 sont
les parties de llectrode Minus. La couche M3 constitue llectrode Plus.
Pour des raisons de confidentialit, on ne va pas dtailler lanalyse de ces trois derniers types
de capacit.
4.2.Cap_ac :
Ce bench est le bench principal pour valider leffet capacitif dans une capacit. Cette
validation peut tre faite de plusieurs faons. Ce bench valide aussi la prsence des capacits
parasites. (Voir figure 4.6).
Aprs avoir introduit les paramtres de premier ordre des diffrents types de capacit de la
technologie CMOS065nm dans un modle, ltape suivante consiste comparer les rsultats
de simulation obtenues par le modle cre celles du modle existant. La figure 4.7 montre
une comparaison du courant circulant dans les deux sources de tension Vv2 et Vv4 de la
figure prcdente.
66
67
4.4. Temprature :
Ce bench est le mme que celui de IV_dc. Mais ceci valide le comportement de la
capacit vis vis de la temprature.
La figure 4.8 montre une comparaison du courant circulant dans les deux rsistors R1 et R2 de
la figure prcdente.
(3.5)
Ainsi la dtermination de ces paramtres se fait exactement de la mme faon que dans la
technologie cmos065.
=>Ainsi, les planches proposes en CMOS065nm, permettant lextraction des deux
paramtres de temprature sont valables pour ces types de rsistors et dans les deux
technologies.
La figure 4.9 montre rsultat de simulation dune planche permettant lextraction des
paramtres de temprature dun rsistor silicur de la technologie b7rf.
68
R = Rho
L
Rsc
+ 2
= Rbody + 2 Rhead
W W
ncrows Nc
(3.3)
69
N1 trs grand
N2 trs grand
On dduit ensuite les valeurs de cap et de cfp partir des relations prcdentes :
Cap =
Cfp =
Cb 2 Cfp * Perimetreb 2
(3.25)
Areab 2
Cb1 Cb 2 *
Areab1
Areab 2
Areab1
perimetreb1 perimetreb 2 *
Areab 2
(3.26)
70
7. Conclusion :
A travers ce chapitre, nous avons fait un aperu thorique sur les diffrents types de
capacits de la technologie CMOS065nm. Nous avons expliqu galement, la faon dextraire
les paramtres de premier ordre de ces composants ainsi que les planches permettant de le
71
faire. A la fin de ce chapitre, nous avons montr que notre tude propose en CMOS065 est
aussi valable en B7rf pour certains composants.
En comparant les rsultats de simulation des diffrents benchs, nous pouvons confirmer
que les paramtres quon a extraits sont suffisants pour pouvoir modliser les capacits de
cette technologie.
72
Conclusion Gnrale
Conclusion gnrale :
Dans ce rapport nous avons prsent dans un premier lieu une tude thorique sur les
rsistances et les capacits intgrs .Quant au troisime chapitre, il a t consacr une tude
dtaille des rsistors de la technologie CMOS065nm et la conception des schmas
lectriques pour lextraction des paramtres de ces dispositifs. Enfin, le quatrime chapitre a
t rserv aux capacits de la technologie CMOS065nm, la vrification de la validit de la
mthode propose dans la technologie B7rf et lexposition des rsultats de la simulation et
des rapports de synthse.
Une perspective de ce projet sera de concevoir davantage des schmas lectriques pour
dautres dispositifs comme les inductances, les transistors.
73
B ibliographie
74
Bibliographie
Bibliographie
[1] J.F.CARPENTIER et H.JAOUEN STMicroelectronics Crolles "Modles lectriques pour
la conception des circuits intgrs silicium HERNES SCIENCE , September 2004.
[2] A.T. BEHR, M.C. SCHNEIDER, S. NOCETI, and C.G. MONTORO. "Nonlinearities of
capacitors realized by MOSFET gates ". Proc IEEE International Symposium Circuits and
System, pages pp. 1284-1285, 1992.
[3] A. VAN BEZOOIJEN and J.O. VOORMAN. "Balanced integrator filters at video
frequencies". Proc of the ESSCIRC'91, pages pp. 1-4, 1991.
[4] M. CAND, E. DEMOULIN, J.L. LARDY, and P. SENN. "Conception des circuits
intgrs MOS". Eyrolles, 1986.
[5] A.M. DURHAM and W. REDMAN-WHITE. "High-linearity continuous-time filter in 5v
VLSI CMOS". IEEE Journal of Solid-State Circuit, vol. 27(No. 9):pp. 1270-1276, September
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[6] G.C. TEMES J.B. SHYU and F. KRUMMENACHER. "Random error effects in matched
MOS capacitors and current sources". IEEE Journal of Solid-State Circuit, vol. 19(No. 6):pp.
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[7] J.L. McCREARY. "Matching properties and voltage and temperature dependance of
MOS capacitors". IEEE Journal of Solid-State Circuit, vol. 16(No. 6):pp. 608-616, December
1981.
[8] S. LEMARQUIS M.J. McNUTT and J.L. DNKLEY. "Systematic capacitance matching
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[9] T. PLETERSEK, J. TRONTELJ, L. TRONTELJ, I. JONES, and G. SHENTON. "High
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[10] J. PORTE. "Une mthode d'optimisation discrte pour les filtres cascades capacits
commutes". Annales des Tlcommunication, vol. 47(No. 3-4):pp. 153-158, 1992.
[11] T. QUARLES, A.R. NEWTON, D.O. PEDERSON, and A. SANGIOVANNIVINCENTELLI. "SPICE 3 Version 3F5 user's manual". University of California Berkeley
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[12] R. SINGH and A.B. BHATTACHARYYA. "Matching properties of linear MOS
capacitors". IEEE Transaction on Circuit and System, vol. 36(No. 3):pp. 465-467, March.
1989.
75
Bibliographie
76
A nnexes
77
RS
L
W
d
ns
Fd
Rhead
Rbody
C1
C2
D1
D2
Rhi
Rhs
Rsc
Rho
Rhu
Lhs
L
W
L1
L2
Nc
ncrows
RT0
cap
cfp
Si
I
Af et Kf
2
B
H
Signification
La valeur de la rsistance
La rsistivit
La rsistance carre
La longueur du mtal
La largeur du mtal
La profondeur du mtal
Le nombre de carrs lmentaires
La frquence de coupure
La rsistance de tte
La rsistance du corps
La capacit parasite entre la borne Plus et le
substrat.
La capacit parasite entre la borne Minus et le
substrat
La diode parasite entre la borne Plus et le substrat
La diode parasite entre la borne Minus et le substrat
La rsistance dinterface entre la tte et le corps
La rsistance de la partie silicure de la tte
La rsistance de contact
La rsistance carre du corps
La rsistance carre extrinsque de la zone de
contact
La longueur de la tte
Lerreur systmatique de conception sur la longueur
dessine
Lerreur systmatique de conception sur la largeur
dessine
Longueur de loffset pour la protection silicium
extraite dans le rsistor de type Poly P+
Longueur de loffset dans la diffusion P+
Nombre de contacts dans une range pour une tte
Nombre de contacts de range
La rsistance la temprature Tref=300K
Capacit spcifique
Coefficient primtrique de la capacit
La densit spectrale de la tension quivalente du
bruit pour un rsistor
Le courant du bruit
Les coefficients du modle de bruit de Ficker
La valeur moyenne
La variance
La dviation standard du corps
La dviation standard de la tte du rsistor
Units
-m
/carre
m
m
m
-------Hz
Chapitre
2,3
2,3
2,3
2,3
2,3
2,3
2
2
3
3
3
--------------
/carr
/carr
3
3
3
3
3
3
3
m
m
3
3
m
--------------
F/m2
F/m
V/ Hz
3
3
3
3
3
3
3
A
------------------------------------
3
3
3
3
3
3
78
c_A
l
---------------------F
------------------m
3
3
3
4
4
4
4
79
Simulator Commands
.EXTRACT
.EXTRACT
Extract Waveform Characteristics
.EXTRACT [EXTRACT_INFO] [LABEL=NAME] [FILE=FNAME] [UNIT=UNAME] [VECT]
+ [CATVECT] $MACRO|FUNCTION [OPTIMIZER_INFO] [MC_INFO]
+ [INTERP_MODE=LINEAR|QUADRATIC|SAMPHOLD|HISTOGRAM|SPECTRAL]
By default, using the .wdb format, the .EXTRACT waveforms are saved inside the EXT
folder in the main .wdb file.
80