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UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA - SEDE MANIZALES

Laboratorio 1: Aplicacin de Circuitos con


TRIACs, SCRs y Diodos
Daniel A. Molina Giraldo- 811043, Michael Lan Alvarez - 211035
Universidad Nacional De Colombia Sede Manizales.
Materia: Electrnica de Potencia.

AbstractEn el siguiente trabajo se presenta el desarrollo


de la practica 1 donde se implementan circuitos bsicos con
dispositivos semiconductores no controlados y semicontrolados,
para poder realizar el anlisis de su funcionamiento.

La salida del circuito comparador nos entrega una seal


PWM que nos indica el angulo de disparo de los dispositivos
semiconductores.

I. INTRODUCCIN

El circuito de potencia se ve en la figura 3, el cual se


modificara en dos ocasiones para analizar el funcionamiento
del circuito con la implementacin de un SCR y un diodo en
vez del TRIAC mostrado en la figura.

En este documento se plantea el desarrollo de una practica


de laboratorio con el fin de observar el funcionamiento
de dispositivos semiconductores no controlados y
semicontrolados.
Para empezar se implementara un circuito de disparo, el cual
activara los dispositivos semiconductores semicontrolados y
esta conformado por un circuito generador de rampa como se
ve en la figura 1.

Fig. 3. Circuito de potencia.

II. MATERIALES Y MTODOS


A. Herramientas de Laboratorio

Fig. 1. Circuito generador de rampa.

Ademas de un circuito comparador entre la seal de salida


del circuito de la figura 1 y un voltaje de referencia de 12V,
este circuito se observa en la figura 2.

Fuente de tensin dc.


Transformador 12V.
Multmetro.
Osciloscopio.
Sondas de tensin y corriente para osciloscopio.
Resistencias.
Condensadores.
Amplificadores operacionales LM324, TL084.
Protoboard.
Diodo 1N5407.
Puente rectificador monofsico.
SCR C106D.
Optoacoplador MOC3021.
Triac BT134.

B. Herramientas Computacionales

Fig. 2. Circuito comparador.

Matlab/Simulink.
Otro software de simulacin: Circuit Maker.
Software de osciloscopio: SP107E v302

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III. DESARROLLO DEL CIRCUITO


Para obtener el angulo de disparo dado por la seal PWM,
se compara la seal rampa con un voltaje de referencia que
se calcula de la siguiente manera.
El voltaje mximo de la seal rampa es 3.6V, el cual
corresponde a un angulo de 180 , as para los ngulos
solicitados de 45 , 90 y 135 se realiza una regla de tres
para obtener el voltaje correspondiente a cada angulo. El
voltaje encontrado se ingresa al circuito comparador por
medio de un divisor de voltaje que se implementa con una
resistencia variable, al realizarse la comparacin de voltajes
se crea una seal cuadrada e ancho variable (PWM).
La carga del circuito se cambia de un bombillo incandescente de 60W a una resistencia de 150 a 30V por fines
prcticos.
Fig. 5. Corriente de salida a 45 con TRIAC.

IV. PROCEDIMIENTO
A. Anlisis con el TRIAC
En esta seccin se analizara el funcionamiento del circuito
que se ve en la figura 3 para los diferentes ngulos solicitados
io (t) =

a) Para valores de angulo = 45 y = 225

Las ondas de voltaje y corriente de salida tienen forma


como se observa en la figura 4 y la figura 5 respectivamente.

vo (t)
RL

45 wt < 180

o (t)
vR
225 wt < 360
L

Clculos para el lado DC:


Para el circuito con el TRIAC no se realizan clculos en
DC porque las ondas de salida tienen parte negativa.
Clculos para el lado AC

Valor eficaz de la corriente:

Irms

v Z
u1
u
i2 (t)dt
=t
T
T

Irms

v
u
8.33ms
Z
u
u
= t60
(0.73sen(wt))2 dt +
2.09ms

16.7ms
Z
10.4ms

Irms = 0.492A
Fig. 4. Voltaje de salida a 45 con TRIAC.

Las ecuaciones del voltaje y corriente de salida son:

110sen(wt) 45 wt < 180

110sen(wt) 225 wt < 360


vo (t) =

(0.73sen(wt))2 dt

Clculos de las potencias P,Q,S:


Potencia s:
S = Vrms Irms

110
Vrms = = 77.78V
2

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Irms = 0.492A

Calculo THD de la corriente:


q
2
2
2
Idc
Irms
Irms
1
T HD =
Irms 1

S = 77.78V 0.492A

Irms = 0.492A

S = 38.26V A

Idc =

1
T

Z
i(t)dt
T

Potencia P:
P =

1
T

Z
P (t)dt P (t) = v(t) i(t)

Idc

8.33ms

16.7ms
Z
Z
= 60
0.73sen(wt)dt
0.73sen(wt)dt
2.09ms

10.4ms

Idc = 0

P (t) = 110sen(wt) 0.73sen(wt)

p
Irms 1 =

P (t) = 80.3sen (wt)

a1 =

8.33ms

16.7ms
Z
Z
P = 60
80.3sen2 (wt)dt+
80.3sen2 (wt)dt
2.09ms

2
T

a21 + b21

Z
i(t) cos(wt)dt
T

10.4ms

b1 =
P = 36.52W

2
T

Z
i(t)sen(wt)dt
T

8.33ms
Z
a1 = 120
0.73sen(wt) cos(wt)dt+

Potencia Q:

2.09ms

Q=

Q=

8.33ms
Z
b1 = 120
0.73sen2 (wt)dt+

q
Irms 1 =

0.73sen (wt)dt

(0.115) + (0.66)

= 0.473
2
p

T HD =
F P = 0.95

b1 = 0.66

Calculo del factor de potencia FP


P
S

16.7ms
Z

10.4ms

Q = 11.4V Ar

FP =

0.73sen(wt) cos(wt)dt

a1 = 0.115

2.09ms

10.4ms

S2 P 2

p
38.262 36.522

16.7ms
Z

0.4922 0.4732 02
0.473

T HD = 0.286

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Los valores anteriormente obtenidos se pueden obtener


tambien por medio de la simulacion hecha en la herramienta
SIMULINK como se ve en la figura 6.

Fig. 7. Voltaje de salida a 90 con TRIAC.

Fig. 8. Corriente de salida a 90 con TRIAC.


Fig. 6. Valores a 45 con TRIAC.

b) Para valores de angulo = 90 y = 270

io (t) =
Las ondas de voltaje y corriente de salida tienen forma
como se observa en la figura 7 y la figura 8 respectivamente.

vo (t)
RL

90 wt < 180

o (t)
vR
270 wt < 360
L

Clculos para el lado DC:


Las ecuaciones de las ondas de voltaje y corriente de salida
son:

110sen(wt) 90 wt < 180

110sen(wt) 270 wt < 360


vo (t) =

Para el circuito con el TRIAC no se realizan clculos en


DC porque las ondas de salida tienen parte negativa.
Clculos para el lado AC

Valor eficaz de la corriente:

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Irms

Potencia Q:

v Z
u1
u
=t
i2 (t)dt
T

p
S2 P 2

Q=

Irms

v
u
8.33ms
Z
u
u
= t60
(0.73sen(wt))2 dt +
4.16ms

16.7ms
Z

Q=

(0.73sen(wt))2 dt

33.212 20.12

12.5ms

Q = 26.44V Ar

Irms = 0.427A

Clculos de las potencias P,Q,S:

Calculo del factor de potencia FP


FP =

Potencia s:

P
S

S = Vrms Irms
F P = 0.6
110
Vrms = = 77.78V
2

Irms = 0.427A

Calculo THD de la corriente:


q
2
2
2
Irms
Irms
Idc
1
T HD =
Irms 1

S = 77.78V 0.427A

Irms = 0.427A

S = 33.21V A

Idc =

1
T

Z
i(t)dt
T

Potencia P:
1
P =
T

Idc

Z
P (t)dt P (t) = v(t) i(t)

8.33ms

16.7ms
Z
Z
= 60
0.73sen(wt)dt
0.73sen(wt)dt
4.16ms

12.5ms

Idc = 0
P (t) = 110sen(wt) 0.73sen(wt)
p
Irms 1 =

P (t) = 80.3sen2 (wt)

a1 =

8.33ms

16.7ms
Z
Z
80.3sen2 (wt)dt+
80.3sen2 (wt)dt
P = 60
4.16ms

2
T

a21 + b21

Z
i(t) cos(wt)dt
T

12.5ms

b1 =

2
T

Z
i(t)sen(wt)dt
T

P = 20.1W

8.33ms
Z
a1 = 120
0.73sen(wt) cos(wt)dt+
4.16ms

16.7ms
Z

12.5ms

0.73sen(wt) cos(wt)dt

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a1 = 0.232
8.33ms
Z
b1 = 120
0.73sen2 (wt)dt+
4.16ms

16.7ms
Z

0.73sen (wt)dt

12.5ms

b1 = 0.36

Irms 1

q
2
2
(0.232) + (0.36)

= 0.3
=
2

p
0.4272 0.32 02
T HD =
0.3

T HD = 1.01

Los valores anteriormente obtenidos se pueden obtener


tambien por medio de la simulacion hecha en la herramienta
SIMULINK como se ve en la figura 9.

Fig. 9. Valores a 90 con TRIAC.

c) Para valores de angulo = 135 y = 315


Las ondas de voltaje y corriente de salida tienen forma
como se observa en la figura 10 y la figura 11 respectivamente.
Las ecuaciones de las ondas de voltaje y corriente de salida
son:

110sen(wt) 135 wt < 180

110sen(wt) 315 wt < 360


vo (t) =

vo (t)

RL 135 wt < 180

o (t)
io (t) =
vR
315 wt < 360
L

0
Clculos para el lado DC:

Fig. 10. Voltaje de salida a 135 con TRIAC.

Para el circuito con el TRIAC no se realizan clculos en


DC porque las ondas de salida tienen parte negativa.
Clculos para el lado AC

Valor eficaz de la corriente:

Irms

v Z
u1
u
=t
i2 (t)dt
T
T

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P (t) = 80.3sen2 (wt)

8.33ms

16.7ms
Z
Z
P = 60
80.3sen2 (wt)dt+
80.3sen2 (wt)dt
6.25ms

14.6ms

P = 3.6W

Potencia Q:
Q=

p
S2 P 2

Fig. 11. Corriente de salida a 135 con TRIAC.

Q=
Irms

v
u
8.33ms
Z
u
u
= t60
(0.73sen(wt))2 dt +
6.25ms

16.7ms
Z

p
142 3.62

(0.73sen(wt)) dt
14.6ms

Q = 13.53V Ar
Irms = 0.18A

Calculo del factor de potencia FP

Clculos de las potencias P,Q,S:


FP =
Potencia s:
S = Vrms Irms

110
Vrms = = 77.78V
2

Irms = 0.18A

P
S

F P = 0.25

Calculo THD de la corriente:


q
2
2
2
Irms
Irms
Idc
1
T HD =
Irms 1

S = 77.78V 0.18A

Irms = 0.18A

S = 14V A

Idc =

1
T

Z
i(t)dt
T

Potencia P:
P =

1
T

Z
P (t)dt P (t) = v(t) i(t)
T

P (t) = 110sen(wt) 0.73sen(wt)

Idc

8.33ms

16.7ms
Z
Z
= 60
0.73sen(wt)dt
0.73sen(wt)dt
6.25ms

14.6ms

Idc = 0

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Irms 1

a1 =

2
T

p
a21 + b21

=
2

Z
i(t) cos(wt)dt
T

b1 =

2
T

Z
i(t)sen(wt)dt
T

8.33ms
Z
a1 = 120
0.73sen(wt) cos(wt)dt+
6.25ms

16.7ms
Z

0.73sen(wt) cos(wt)dt

14.6ms

a1 = 0.115
8.33ms
Z
0.73sen2 (wt)dt+
b1 = 120
6.25ms

16.7ms
Z

0.73sen (wt)dt

14.6ms

b1 = 0.065

q
Irms 1 =

(0.115) + (0.065)

= 0.09
2
Fig. 12. Valores a 135 con TRIAC.

p
0.182 0.092 02
T HD =
0.09

T HD = 1.73

Los valores anteriormente obtenidos se pueden obtener


tambien por medio de la simulacion hecha en la herramienta
SIMULINK como se ve en la figura 12.
Fig. 13. Circuito de potencia con SCR.

B. Anlisis con el SCR


En esta seccin se analizara el funcionamiento del circuito
que se ve en la figura 13 para los diferentes ngulos solicitados
a) Para valores de angulo = 45 y = 225
Las ondas de voltaje y corriente de salida tienen forma
como se observa en la figura 14 y la figura 15 respectivamente.

vo (t) =

110sen(wt) 45 wt < 180

io (t) =

0
vo (t)
RL 45 wt < 180

Calculos para el lado DC:

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Potencia P:
P =

1
T

Z
P (t)dt
T

P (t) = 80.3sen2 (wt)

8.33ms

Z
P = 60
80.3sen2 (wt)dt
2.09ms

P = 18.23W

Fig. 14. Voltaje de salida a 45 con SCR.

Factor de rizado de corriente:


p
2
2
Irms
Idc
F RI =
Idc

Irms

v Z
u1
u
=t
i2 (t)dt
T
T

Irms

u
8.33ms
Z
u
u
2
= t60
(0.73sen(wt)) dt
2.09ms

Irms = 0.348A

Idc = 0.198A

Fig. 15. Corriente de salida a 45 con SCR.

q
Valor promedio de corriente:
Idc

1
=
T

F RI =

0.198

Z
i(t)dt
T

Idc

(0.348) (0.198)

8.33ms
Z
0.73sen(wt)dt
= 60
2.09ms

F RI = 1.445 100% = 144.5%

Los valores anteriormente obtenidos se pueden obtener


tambien por medio de la simulacion hecha en la herramienta
SIMULINK como se ve en la figura 16.
b) Para valores de angulo = 90 y = 270

Idc = 0.198A
Las ondas de voltaje y corriente de salida tienen forma
como se observa en la figura 17 y la figura 18 respectivamente.

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Fig. 17. Voltaje de salida a 90 con SCR.

Fig. 16. Valores a 45 con SCR.

Calculos para el lado DC:

110sen(wt) 90 wt < 180


vo (t) =

0
vo (t)
RL 90 wt < 180
io (t) =

Fig. 18. Corriente de salida a 90 con SCR.

Potencia P:
1
P =
T

Valor promedio de corriente:


Z
1
Idc =
i(t)dt
T

Z
P (t)dt
T

P (t) = 80.3sen2 (wt)

Idc

8.33ms

Z
= 60
0.73sen(wt)dt
4.16ms

Idc = 0.116A

8.33ms

Z
P = 60
80.3sen2 (wt)dt
4.16ms

P = 10.07W

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Factor de rizado de corriente:


p
2
2
Irms
Idc
F RI =
Idc

Irms

v Z
u1
u
=t
i2 (t)dt
T
T

Irms

u
8.33ms
Z
u
u
2
(0.73sen(wt)) dt
= t60
4.16ms

Irms = 0.258A

Idc = 0.116A

q
F RI =

(0.258) (0.116)

0.116

F RI = 1.986 100% = 198.6%


Fig. 19. Valores a 90 con SCR.

Los valores anteriormente obtenidos se pueden obtener


tambien por medio de la simulacion hecha en la herramienta
SIMULINK como se ve en la figura 19.
c) Para valores de angulo = 135 y = 315

Idc

8.33ms

Z
= 60
0.73sen(wt)dt
6.25ms

Las ondas de voltaje y corriente de salida tienen forma


como se observa en la figura 20 y la figura ?? respectivamente.

Idc = 0.034A
Calculos para el lado DC:

110sen(wt) 135 wt < 180


vo (t) =

0
vo (t)
RL 135 wt < 180
io (t) =

Potencia P:
P =

1
T

Z
P (t)dt
T

P (t) = 80.3sen2 (wt)


Valor promedio de corriente:
Z
1
Idc =
i(t)dt
T
T

8.33ms

Z
80.3sen2 (wt)dt
P = 60
6.25ms

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12

Los valores anteriormente obtenidos se pueden obtener


tambien por medio de la simulacion hecha en la herramienta
SIMULINK como se ve en la figura 21.

Fig. 20. Voltaje de salida a 135 con SCR.

P = 1.82W

Factor de rizado de corriente:


p
2
2
Irms
Idc
F RI =
Idc

Irms

v Z
u1
u
i2 (t)dt
=t
T
T

Irms

u
8.33ms
Z
u
u
2
= t60
(0.73sen(wt)) dt
Fig. 21. Valores a 135 con SCR.

6.25ms

Irms = 0.11A

C. Anlisis con el Diodo


En esta seccin se analizara el funcionamiento del circuito
que se ve en la figura 22 para los diferentes ngulos solicitados

Idc = 0.034A

q
F RI =

Como los diodos son semiconductores no controlados, el


disparo de activacin no tiene ningn efecto sobre ellos,
por lo tanto no se realiza el anlisis de los ngulos solicitados.
2

(0.11) (0.034)
0.034

F RI = 3.076 100% = 307.6%

Las ondas de voltaje y corriente de salida tienen forma


como se observa en la figura 23 y la figura 24 respectivamente.
Calculo en el lado DC:

110sen(wt) 0 wt < 180


vo (t) =

0 180 wt < 360

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13

Fig. 22. Circuito de potencia con Diodos.

Fig. 24. Corriente de salida con Diodo.

P (t) = 80.3sen2 (wt)

8.33ms

Z
P = 60
80.3sen2 (wt)dt
0ms

P = 20.07W
Fig. 23. Voltaje de salida con Diodo.

i(t) =

vo (t)
RL

0 180 wt < 360

0 wt < 180

Calculo de factor de rizado de corriente:


p
2
2
Irms
Idc
F RI =
Idc

Valor promedio de corriente:


Z
1
I=
i(t)dt
T

Irms

8.33ms

Z
I = 60
0.73sen(wt)dt

v Z
u1
u
=t
i2 (t)dt
T

Irms

u
8.33ms
Z
u
u
2
(0.73sen(wt)) dt
= t60
0ms

0ms

Irms = 0.365A
I = 0.232A
Idc = 0.232A
Calculo de potencia P:
P =

1
T

P (t)dt
T

F RI =

(0.365) (0.232)
0.232

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F RI = 1.214 100% = 121.4%

Se logr de proporcionar un control sobre el sistema RMS


en la carga del sistema y de la potencia proporcionada a
sta, mediante los semiconductores semicontrolados.
VI. BIBLIOGRAFIA

Los valores anteriormente obtenidos se pueden obtener


tambien por medio de la simulacion hecha en la herramienta
SIMULINK como se ve en la figura 25.

Fig. 25. Valores con Diodo.

V. CONCLUSIONES

El modelamiento de un sistema resulta fundamental como


etapa de diseo de este, ya que permite observar, predecir
y corregir posibles errores antes de una implementacin
fsica de este, lo cual puede ahorrar esfuerzos y costos al
momento practico.
Analizar la respuesta del sistema ante las ya mencionadas
excitaciones resulta til para establecer ciertos parmetros
de funcionamiento y respuestas que muy seguramente se
vern al momento de tener el sistema en funcionamiento.
Se observ el comportamiento de los dispositivos semiconductores en un circuito con fuentes de AC para poder
convertirlo en un circuito con salida DC.

R EFERENCES
[1]
[2]
[3]
[4]

http://es.slideshare.net/betsyza/rectificadores-13687981
http://es.wikipedia.org/wiki/Rectificador_trif%C3%A1sico
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Eltriac.php
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Eltiristor.php

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