A pesar de ser una nica capa atmica, el grafeno es uno de los ms fuertes

materiales, ms fuerte que el acero (Lee et al., 2008); es decir, que tiene una
fuerte capacidad
para sobrevivir falla bajo gran carga aplicada. Por otra parte, el grafeno es un
muy
fl exible y el material impermeable a los gases (Manojo et al, 2008) por lo que
es
adecuado para una variedad de aplicaciones, incluyendo ciencias de la vida. Es
por ello
obvio para considerar grafeno como un material con buenas propiedades
mecnicas
para aplicaciones en nano micro sistemas electromecnicos (NEMS / MEMS).
Tales aplicaciones pueden variar de deteccin de accionamiento o aplicaciones
en biotecnologa (Wu et al., 2009, Alwarappan et al., 2009). Mediante la
combinacin de
propiedades electrnicas y mecnicas de grafeno, los dispositivos con mayor
funcionalidad puede ser fabricado. Los tomos en una sola hoja de grafeno
atmica de capa estn dispuestas en una
estructura de nido de abeja y se unen en una confi guracin sp 2 con un
carbono
longitud de enlace de carbono de aproximadamente 1,42 . Hojas sueltas de
grafeno capa pueden ser
apilados juntos para formar mltiples capas de grafeno con la distancia entre
capas
de 3,35 (Delhaes, 2001). Los estudios con microscopio electrnico de barrido
mostr que las ondas de grafeno. Todava es discutible si estas ondas son
intrnseca o extrnseca (Fasolino et al., 2007, Ishigami et al., 2007). Ellos
podrian
ser causadas por impurezas o por el sustrato subyacente. A pesar de esto,
grafeno parece conservar sus atributos mecnicos notables en comparacin
con otros materiales. Nos veremos en las secciones posteriores cmo stos

atributos se pueden explorar para desarrollar sistemas nanomecnicos

mejoradas. Captulo 14 est organizado de la siguiente manera: en el 14,2,
trazamos una comparacin entre
dos materias pendientes, grafeno y silicio; en 14.3, detallamos grafeno 's
parmetros mecnicos, incluyendo el mdulo de Young y el coeficiente de
Poisson;
metodologas y problemas de fabricacin se abordan en 14.4; en 14,5, nos
342 El grafeno
explorar nanoestructuras resonantes grafeno; en el 14,6, presentamos
ejemplos
de dispositivos de deteccin de nanomecnicos hechos con grafeno; y, en 14,7,
nos
discutir las futuras tendencias de nanodispositivos grafeno.
14.2 El grafeno frente silicio
Es instructivo comparar el grafeno con una de las materias pendientes
para MEMS y NEMS, es decir, de silicio monocristalino. Silicio ha dominado
La tecnologa MEMS para las dos ltimas dcadas, lo que permite esta
tecnologa para
generar un mercado de miles de millones de dlares (Yole, http://www.yole.fr/
Reports.aspse). Teniendo en cuenta el notable potencial del grafeno, es
previsto que este material tiene el potencial de contribuir a MEMS y
Tecnologas NEMS e incluso competir con el silicio en el mismo nivel. En
Tabla 14.1, se muestra una comparacin entre los dos materiales, en trminos
de
algunos de sus parmetros de material. Se nota, por ejemplo, que el grafeno
tiene un mdulo de Young ms alto que el silicio, lo que permite la fabricacin
de alta frecuencia
resonadores de grafeno. Por ejemplo, una hecha de nanobeam
grafeno multicapa tiene una frecuencia de resonancia aproximadamente tres
veces ms grandes

que la de un haz de silicio que tiene las mismas dimensiones, de acuerdo con
los valores listados en la Tabla 14.1.
La conductividad trmica notablemente superior y una alta carga de corriente
capacidad permite el uso de grafeno como interconexiones en chips
electrnicos,
potencialmente reemplazar el cobre. Los altos valores de la movilidad grafeno
ofrece
un buen material para su uso como un canal de metal xido semiconductor fi
ELD
transistores de efecto (MOSFETs). Silicio Thin-cuerpo se ha convertido en uno
de los
materiales promisorios para NEMS, y para el desarrollo de la novela
siliconbased
dispositivos de alta velocidad, as como ofreciendo una integracin de alta
densidad.
Dispositivos hechos de fina de silicio sobre aislante (SOI) utilizan el enfoque
hbrido
es decir, una combinacin de estructuras mviles y MOSFETs en el mismo
plataforma (Abele et al. 2005, Buks y Roukes 2001, Garca-Ramrez et al.
2010, Tsuchiya et al. 2005). En principio, este enfoque hbrido puede ser ed
simplifi
an ms en el grafeno, porque la estructura mvil es grafeno s mismo,
que puede ser cerrada electrnicamente y, por lo tanto, que se utiliza como un
sensor sin
la necesidad de un transistor de lado. El grafeno se produce principalmente
mediante los tres
siguientes mtodos: exfoliacin mecnica de grafito (Novoselov et al.,
2004, 2005); crecimiento epitaxial en SiC (Emtsev et al., 2009, de Heer et al.,
2007); y la deposicin qumica de vapor (CVD) en lmina metlica (Cu, Fe
y otros metales de transicin) (Kim et al., 2009, Li et al., 2009a, b, Obraztsov

et al., 2007). Capas delgadas de grafito pueden cultivar epitaxialmente en

4HSiC
sustrato por la descomposicin trmica de cualquiera de Si-C o superficie
terminada
especies. La principal ventaja de grafeno epitaxial de carburo de silicio es el
posibilidad de gran superficie patrones usando microelectrnica estndar
procesos; para la integracin ejemplo, gran rea de la electrnica en la oblea
Nanoelectromechanics grafeno (NEMS) 343
escala es posible (Hass et al., 2006). Exfoliacin de hojas de grafeno se
mantiene
el nico mtodo que produce alta calidad copos de grafeno, obtenida por
escisin de micromecnica de grafito a granel. El grafeno puede benefi ciarse
de la
tecnologas maduras IC desarrollados para el silicio, aunque la de abajo hacia
arriba
enfoque tambin es una ruta viable hacia MEMS grafeno / NEMS.
14.3 grafeno atributos mecnicos
Desde el descubrimiento de grafeno, se han realizado varios experimentos
para medir el mdulo de Young, la fuerza y la relacin de Poisson del grafeno
hojas atmicas. En esta seccin, se discuten los mtodos experimentales
utilizados para
medir estos parmetros.
14.3.1 mdulo de Young
En materiales lineales (ley obedecer Hook 's), el mdulo de Young E es defi
nida
como la relacin de la tensin de traccin a la deformacin por traccin y, en
un isotrpica
material elstico, esto se da por:
= E [14,1]
donde es la deformacin uniaxial. Experimentalmente, el mdulo de Young es

determinada por las pruebas de resistencia a la traccin experimentos: se

aplica una carga a la
espcimen en una direccin y el desplazamiento resultante se mide; la
Mdulo de Young est dada por la pendiente de la parcela de cargadesplazamiento. En
silicio MEMS y NEMS, ya que estamos tratando con tamaos desde unas pocas
decenas de
micrmetros a unas pocas decenas de nanmetros, en general, varios en-chip
configuraciones de prueba de traccin experimental fueron desarrollados (Sato
et al., 1998, Tsuchiya
et al., 2005). Microscopa de fuerza atmica (AFM) tambin se utiliza
ampliamente como una
Parmetros del material Tabla 14.1 silicio y grafeno
Joven
mdulo
(TPA)
Electrn
movilidad
(Cm 2
V-1
s - 1)
Trmico
conductividad
(W m - 1
K - 1)
Relacin de Poisson
El grafeno ~ 1 (Lee et al.,
2008)

> 15000
(Novoselov
et al., 2005)
~5000 (Balandin
et al., 2008)
~0.165 (Lee et al,
2008)
Silicio ~0.13 (Dual
et al., 1997)
<1,400 (Norton
et al., 1973)
~1500 (Gad-elHak,
2002)
~0.28 (Gad-el-Hak,
2002)
escala es posible (Hass et al., 2006). Exfoliacin de hojas de grafeno se
mantiene
el nico mtodo que produce alta calidad copos de grafeno, obtenida por
escisin de micromecnica de grafito a granel. El grafeno puede beneficiarse
de la
tecnologas maduras IC desarrollados para el silicio, aunque la de abajo hacia
arriba
enfoque tambin es una ruta viable hacia MEMS grafeno / NEMS. 14.3 grafeno
atributos mecnicos Desde el descubrimiento del grafeno, se han realizado
varios experimentos
para medir el mdulo de Young, la fuerza y la relacin de Poisson del grafeno
hojas atmicas. En esta seccin, se discuten los mtodos experimentales
utilizados para

medir estos parmetros. 14.3.1 mdulo de Young En materiales lineales (ley

obedecer Hook 's), el mdulo de Young E es defi nida
como la relacin de la tensin de traccin a la deformacin por traccin y, en
un isotrpica
material elstico, esto se da por:
= E [14,1]
donde es la deformacin uniaxial. Experimentalmente, el mdulo de Young es
determinada por las pruebas de resistencia a la traccin experimentos: se
aplica una carga a la
espcimen en una direccin y el desplazamiento resultante se mide; la
Mdulo de Young est dada por la pendiente de la parcela de cargadesplazamiento. En
silicio MEMS y NEMS, ya que estamos tratando con tamaos desde unas pocas
decenas de
micrmetros a unas pocas decenas de nanmetros, en general, varios en-chip
configuraciones de prueba de traccin experimental fueron desarrollados (Sato
et al., 1998, Tsuchiya
et al., 2005). Microscopa de fuerza atmica (AFM) tambin se utiliza
ampliamente como una
Parmetros del material Tabla 14.1 silicio y grafeno
Joven
mdulo
(TPA)
Electrn
movilidad
(Cm2 V - 1 s - 1)
Trmico
conductividad
(W m - 1 K - 1)

Relacin de Poisson
El grafeno ~ 1 (Lee et al.,
2008)
> 15000
(Novoselov
et al., 2005)
~5000 (Balandin
et al., 2008)
~0.165 (Lee et al, 2008)
Silicio ~0.13 (Dual
et al., 1997)
<1,400 (Norton
et al., 1973)
~1500 (Gad-elHak,
2002)
~0.28 (Gad-el-Hak, 2002)
344 El grafeno
tcnica de medicin, sobre todo para los especmenes de tamao nanomtrico
(Tanaka
et al., 2004, Wong et al., 1997). Estas mediciones en-chip permitieron la
caracterizacin de una amplia variedad de materiales incluyendo componentes
MEMS
(Sato et al., 1998) hecha en el silicio de cristal nico, los nanotubos de carbono
(Yu et
al., 2000) y nanocables (Marszalek et al., 2000). Los parmetros elsticos son
una funcin de las constantes elsticas que constituyen
los elementos del tensor de rigidez relativa de los tensores de tensiones y
deformaciones.

Para grafeno monocapa, estos parmetros son para una de dos dimensiones
material, para que las unidades utilizadas para el estrs estn en N m - 1. En
un reciente
desarrollo, Lee et al. (2008) utilizaron AFM nanoindentacin para determinar
parmetros elsticos de las membranas de grafeno monocapa suspendidas
sobre
agujeros abiertos. Estos experimentos utilizados exfolian grafeno en un prepatrn
sustrato de xido de silicio. El grfico de la fuerza de desplazamiento medido
se describe
por la expresin:
Fr
r
EQR
r = ()

+ ()

03
3
[14.2]
donde es el desplazamiento, r es el radio de las membranas suspendidas, 0
es la pretensin, E el mdulo de Young y q est relacionado con el coeficiente
de Poisson
v por q = 1 / (1,049 a 0,15 v - 0,16 v2). El t fi de los datos experimentales para

ecuacin [14.2] permiti la determinacin del mdulo de Young E 342

N m- 1. Esto da un valor del mdulo de Young efectiva (E dividiendo por el
distancia entre capas de grafito 0.335 nm) de 1 TPA. En otros trabajos
conexos, Ramo et al. (2007) midieron el mdulo de Young
de suspensin vigas de grafeno y voladizos ms de SiO2 trincheras. Ellos
electrosttica utilizados, as como la actuacin ptica para medir la resonancia
frecuencia de las hojas suspendidas. El espesor de sus estructuras variado
a partir del espesor de un grafeno de una sola capa de unos pocos nanmetros.
Dentro
la incertidumbre experimental, se encontraron valores de mdulo de Young
entre el
0,5 y 2 tPA. Estos valores se obtuvieron por racor de la terica
expresin para la frecuencia de resonancia con los valores medidos. La
los valores encontrados para el mdulo de Young son ms altos que los de
silicio
resonadores hechos en SOI, pero muy cercanos a los de los nanotubos de
carbono (Qian
et al., 2002). Relacin de Poisson 14.3.2 En la mayora de los casos, los valores
de la relacin de Poisson para el grafeno se establece en 0,16,
que corresponde al grafito en el plano basal (Blakslee et al., 1970). Este
con el apoyo de un cuerpo signifi cativa de trabajo terico utilizando de primer
director
clculos (Liu et al., 2007) o dinmica molecular (Jiang et al., 2009), como
as como las teoras del continuo (Atalaya et al., 2008, Cadelano et al., 2009).
Wei
et al. (2009) realizaron clculos ab initio (usando la densidad funcional
Nanoelectromechanics grafeno (NEMS) 345
teora) el grafeno monocapa de las que derivan de la no lineal
constantes elsticas que aparecen en el segundo orden tensor elstico. En la
Fig. 14.1,

la curva de tensin-deformacin resultante de los clculos ab initio se muestra

as
como la fi cio a la teora no lineal continuo. La descripcin y continuo
el ab initio clculos mostraron una excelente concordancia. El derivado de
Poisson
proporcin era de 0,17. Clculos ab initio de Liu et al. (2007) dio un coeficiente
de Poisson
de 0,186 a pequeas deformaciones, muy cerca del valor de Wei y compaeros
de trabajo. En
gran tensin, la relacin de Poisson se convierte anisotrpico y determina si
la cepa es en la direccin en zigzag o la direccin silln.
14.4 La tecnologa de fabricacin de grafeno
sistemas microelectromecnicos (MEMS) Hay una gran variedad de tecnologas
utilizadas para el patrn y fabricar grafeno
nanodispositivos, dependiendo de la aplicacin buscaban. Podemos aprender
mucho
de los MEMS maduros tecnologas de arriba hacia abajo y tcnicas de
fabricacin
desarrollado para el silicio. Esto permite la integracin inmediata de grafeno
con existente
materiales para MEMS y NEMS. Por ejemplo, el grafeno puede ser
intercalado entre diferentes capas y se estableci contacto a travs de cambios
de cara en 3D
diseo de mltiples chips, lo que permite la integracin de la mecnica y la
electrnica
componentes (Kim et al., 2011). Porque, el grafeno es qumicamente inerte,
que puede
ser utilizado con una variedad de reactivos de ataque. Existe la posibilidad de
la integracin de
grafeno con silicio (Kim et al., 2011); Sin embargo, la produccin a gran escala
de
Se requiere grafeno para lograr esto. Actualmente, la nica opcin viable para

esto es la transferencia de grafeno crecido por la deposicin de vapor qumico

(CVD),
a otro sustrato (vase, por ejemplo, Lee et al., 2010). Sin embargo, transferido
grafeno todava sufre de una alta densidad de defectos (Huang et al., 2011).
14.4.1 hmedo y grabado en seco para fabricar un dispositivo de grafeno, se
utiliza una combinacin de diferentes procesos,
a saber deposicin pelcula, la litografa y el grabado. Thin deposicin pelcula
se utiliza para
proteger a las capas de grafeno o defi ne xidos de puerta en el grafeno fi eldefecto
dispositivos. Ejemplos de tales materiales son xido de hafnio (HFO 2), almina
(Al 2 O 3) y xido de silicio (SiO2). Metlico pelculas deposicin se utiliza para
defi nir
conductores de contacto, as como almohadillas de contacto (por ejemplo, Au,
Ti, Pd y Cr). Magntico
materiales se utilizan como contactos de fuente y drenaje en dispositivos de
giro de grafeno.
Pelculas delgadas son depositados ya sea por evaporacin trmica, deposicin
electrnica, qumica
vapor o deposicin de capa atmica. Patrones de grafeno utiliza generalmente
los siguientes tres principales tcnicas litogrficas: fotolitografa,
haz de electrones (eBeam) litografa y escritura directa con una de iones
enfocado
haz. La fotolitografa se utiliza para modelo ofrece ms grande que un
micrmetro,
por ejemplo, en la fabricacin de grafeno resonadores de MEMS. EBeam
litografa se utiliza para patrn de caractersticas sub-micras, como el grafeno
nanocintas, puntos cunticos o un canal submicrometre en un transistor FET.
Una variedad de resinas fotosensibles tales como S1813 se utiliza en
fotolitografa. Bicapa
poli (metacrilato de metilo) PMMA / MMA resiste es ampliamente utilizado en
eBeam

litografa, principalmente a defi ne contactos elctricos o patrones

submicrometre
de grafeno. La litografa por nanoimpresin tambin se puede utilizar para
grafeno
Nanoelectromechanics grafeno (NEMS) 347
patrn (Wang et al., 2011). Como un material a base de carbono, el grafeno
puede
ser fcilmente grabado con plasma de oxgeno. Este es el ms ampliamente
utilizado en seco
procedimiento de decapado Cuando se emplea un disco o una mscara
protectora, aunque
controlar bajo-grabado durante la defi nicin de nanocintas grafeno un
pocos 10s de nanmetros de ancho todava es un reto. Posteriormente, resistir
mscaras se quitan con acetona e isopropanol (IPA). El recocido de
muestras de grafeno se requieren a menudo despus de resistir la extraccin,
como el residuo resistir
siempre permanece en la superficie de grafeno. Este residuo puede tener un
perjudicial
efecto sobre el rendimiento de los dispositivos de grafeno, sobre todo cuando
el sondeo
propiedades intrnsecas de grafeno. Un estudio reciente (Lin et al., 2012)
usando
microscopa electrnica de transmisin (TEM) y espectroscopia Raman tiene
muestra que la fisisorbida PMMA no puede ser eliminado por completo despus
de
recocido a temperaturas viables para el grafeno (alrededor de 300 C en un H
2/
Atmsfera de Ar). Por lo tanto, las nuevas resiste tienen que ser juzgados y
nueva limpieza
mtodos deben ser desarrollados para el grafeno para reclamar su condicin
prstina

despus del procesamiento. Aunque reactivos de ataque en hmedo no se

utilizan generalmente para patrn de grafeno, que
se utilizan para grabar materiales adyacentes a la misma. Por ejemplo,
tamponada uoric hydrofl
cido (BHF) se utiliza para suspender las vigas de grafeno y membranas por
ataque qumico
distancia del xido subyacente sin atacar el grafeno (Meyer et al., 2007). Hasta
el momento, ningn estudio sistemtico acerca del comportamiento del
grafeno en
reactivos de ataque en hmedo se llev a cabo. Es esencial para la
compatibilidad que tal
estudio se lleva a cabo con el fin de integrar el grafeno con MEMS existentes
y procesos y materiales NEMS. La tecnologa de haz de iones enfocado 14.4.2
haz de iones focalizado (FIB) se utiliza como una herramienta para el anlisis,
selectiva
deposicin y de bombardeo inico de los materiales (Reyntjens y Puers, 2001).
En el
Mtodo FIB, un haz de iones se dirige hacia el material de blanco
provocando su pulverizacin catdica. El ion utilizado principalmente en los
sistemas comerciales es el
iones de galio. Un sistema de FIB disponible comercialmente reciente es el de
iones de helio
microscopio (HIM) que utiliza un haz de helio centrado en lugar de galio
(Boden et al., 2010). FIB de iones de galio se puede utilizar para exfoliar grafito
para
obtener unas pocas capas de grafeno (Lee et al., 2010) y para la
nanoestructuracin
de grafeno crecido en SiC, lo que permite la formacin de defectos peridicos
locales
(Prvel et al., 2011). Helio Focused fresado por haz de iones proporciona
patrones
de pocas capas de grafeno a escala ms fina mucho que la litografa eBeam
puede

proporcionar y sin tanto dao incurrido como cuando los iones de galio son
utilizado (Boden et al., 2010). El HIM proporciona una sonda de iones de helio
con un tamao
menor que 0,7 nm, que puede ser escaneado a travs de una muestra en un
pre-defi nida
patrn para eliminar selectivamente las reas mediante pulverizacin directa
de la grafeno
Material (Bell et al., 2009). El haz de iones de helio tambin exhibe una
proximidad baja
348 El grafeno
efectuar la comparacin con un haz de electrones, permitiendo as que muy
localizada
la escritura. La figura 14.2 muestra (a) una nanobeam, (b) un resonador de
disco copa de vino
nanoestructura y (c) una nanoestructura par resonante (Moktadir et al., 2010).
Estas estructuras fueron modelados con una resolucin de pxel de 1 nm - 1.
Despus de patrones, las estructuras fueron puestos en libertad por HF vapor
de grabado de la
xido subyacente (300 nm de espesor). Los bordes fi nas de estas estructuras
pueden ser
visto por el pequeo punto de la viga. Este nivel de detalle es muy
difcil de lograr con la litografa por haz de electrones, que se utiliza
ampliamente para grafeno
patrones. En la figura 14.3, el nanobeam tiene una longitud de 1 m y una
anchura de
alrededor de 200 nm, mientras que el resonador tiene un dimetro de 1 m y
un hueco de
menos de 30 nm. Las lagunas de menos de 10 nm se puede lograr. Estas
estructuras son
MEMS muy familiares y estructuras NEMS que se utilizan como sensores o
resonadores. Esta tecnologa tambin es prometedor para la fabricacin de

dispositivos de nanoelectrnica. Se puede utilizar en combinacin con haz de

electrones
litografa tal que cuenta con un tamao mnimo de unas pocas decenas de
nanmetros son patrones con litografa eBeam mientras sub 10 nm
caractersticas se modelan con el HIM (cada et al., 2013).
14.5 nanoresonadores grafeno La mayora de los dispositivos actuales NEMS
fabricados en grafeno son
nanoresonadores. Estos se suspenden las hojas de grafeno realizadas por
ataque qumico de
la capa de xido de silicio cial sacrifi (Chen et al., 2009) o por la transferencia
de
grafeno a un sustrato modelado pre (Garca-Snchez et al., 2008). Estos
vigas o lminas suspendidas son accionados ya sea electrostticamente u
pticamente
(Manojo et al., 2007, van der Zande et al., 2010) y sus frecuencias de
resonancia
y factores de calidad se miden. Comprender el comportamiento de la
atmicamente resonadores de grafeno delgadas es un rea activa de
investigacin. Los esfuerzos
estn dirigidas especialmente a identificar la prdida de energa
(amortiguacin) mecanismos
en las estructuras de grafeno atmicamente delgadas. Resonadores de grafeno
podran hallar
aplicaciones en radiofrecuencia, la deteccin ultrasensible de masa y Quantum
procesamiento de la informacin mecnica. En los apartados siguientes, se
muestra
cmo estos dispositivos se fabrican y describir las tcnicas utilizadas para
medir sus caractersticas mecnicas, es decir, la frecuencia y la calidad de
resonancia
factor. 14.5.1 tcnicas de fabricacin en las estructuras generales, grafeno
suspendido se fabrican mediante grabado el

xido subyacente utilizando cido tamponado hydrofl uoric (BHF) o la

transferencia de
hojas de grafeno a un sustrato donde trincheras son pre-hechos (van der
Zande
et al., 2010). En el primer mtodo, las capas de grafeno son preparados por
exfoliacin
de grafito y se transfiere a un sustrato revestido con 90 o 300 nm de silicio
xido. Con el fin de suspender las hojas, que tienen que ser sujeta en ambos
extremos.
En este caso, los contactos elctricos se utilizan como almohadillas de sujecin.
Los contactos
se hacen usando la litografa eBeam seguido de un proceso de lift-off, donde
una
pelcula delgada de metal se deposita por evaporacin. Tras contacto con la
deposicin, la
xido subyacente sacrifi capa cial est grabado en BHF. A fin de evitar la
estructuras suspendidas que se pegan al sustrato, se utilizan dos mtodos:
crtica
secado de punto (Bolotin et al., 2008) y HF vapor de grabado (Moktadir, 2010).
Estructuracin de grafeno antes de la suspensin tambin es posible, por
ejemplo, para
la fabricacin de nanobeams resonadores. En el segundo mtodo, zanjas
se prepatterned sobre los electrodos de xido y de contacto subyacentes son
depositado; entonces exfoliada o grafeno CVD-crecido se transfiere y
suspendido sobre las trincheras (van der Zande et al., 2010).
350 tcnicas grafeno 14.5.2 Caracterizacin Para medir la frecuencia de
resonancia y el factor de calidad del grafeno
resonadores, mtodos pticos y elctricos son utilizados tanto. Uno de los
comnmente utilizado tcnicas de medicin elctricos es la alta frecuencia
la mezcla de enfoque (Chen et al., 2009) desarrollado para detectar el
movimiento de

resonadores nanotubos (Witkamp et al., 2006). En este mtodo, una puerta dc

tensin Vg aplica al dispositivo en combinacin con una puerta de
radiofrecuencia
tensin que tiene una frecuencia f que impulsa el movimiento, es decir, V = V g
+ a cos (2 ft).
Una segunda tensin de RF, a una frecuencia f + Df, se aplica a la fuente (Df / f

1). Durante el movimiento del resonador, su conductancia cambia con

la distancia desde el sustrato y el movimiento es detectado como un mezclado
descendente
actual en la diferencia de frecuencia Df. Este mtodo es ms adecuado para
estructuras monocapa porque la respuesta de conductividad a la puerta
modulacin es dbil en el grafeno multicapa. Un bosquejo de la medicin
configuracin se muestra en la figura 14.3. Sin embargo, el inconveniente de
esta tcnica es que limita las mediciones
a un ancho de banda de ms o menos 1 kHz (Chen et al., 2009) lo que es
inadecuado
para aplicaciones de RF amplios. Xu et al. (2010) utilizaron otra tcnica, donde
el
capacidad parsita se reduce al mnimo y donde la lectura directa sobre el
grafeno
resonadores se realiza usando un analizador de red. El circuito utiliza para
conducir
y detectar la oscilacin mecnica del resonador grafeno se muestra
en la figura 14.4, donde se aplica una tensin continua V d para el desage.
Una seal de RF con
f vg amplitud y frecuencia de accionamiento se combina con una tensin de
corriente continua y vg
aplicada a la puerta. Utilizando una camiseta sesgo, la corriente se divide en dc
y rf
Red

analizador
Puerta
Amplificador
DS
Cg
Vg
Enfermedad venrea
14.4 Configuracin de medicin con un analizador de red, que permite
lectura directa en resonadores de grafeno. (De Xu et al., 2010, con
permiso.)
Nanoelectromechanics grafeno (NEMS) 351
componentes; este ltimo se alimenta a un analizador de red. La medida
de transmisin del dispositivo es S12 = 50 I RF / vg, donde Rf es el
componente de rf
la corriente. Otro mtodo de caracterizacin de resonadores de grafeno es la
ptica
mtodo, por ejemplo el mtodo utilizado por Manojo et al. (2007). La ptica
impulsin se realiza utilizando un diodo lser con 432 nm de longitud de onda.
Esta seal
es modulada en frecuencia usando un analizador de redes y enfocado
directamente en
la hoja de grafeno mvil. La hoja de grafeno y la subyacente
sustrato forman un interfermetro que permite la deteccin de las vibraciones
mediante el registro de la intensidad de refl ejada del resonador usando un
segundo
lser con una longitud de onda de 632,8 nm, se centr en el resonador
suspendido.
En un trabajo reciente, se utilizaron espectroscopia Raman y Fizeau
interferometra

para detectar resonancias mecnicas de voladizos de grafeno (ReserbatPlantey

et al., 2012). La ventaja de este mtodo es que permite que los resonadores
a palpar en dimensiones sub-micromtricas (pocos 100s de un nanmetro). La
voladizos de mltiples capas se sujetan en un extremo a una pelcula de oro y
forman la
espejo superior de una cavidad ptica que tiene el xido de silicio subyacente
como su
segundo espejo. La longitud ptica de la cavidad por lo tanto se puede ajustar
unidad electrosttica del voladizo, lo que resulta en la traduccin de la
interferencia bordea patrn, que, a su vez, permite la deteccin de
movimiento.
Espectroscopia de Raman tambin se utiliz para detectar la frecuencia de
resonancia.
Debido a que el tiempo de vida de fonones pticos es (~) 1 0 0 1 ps = (0 siendo el
frecuencia de resonancia), los fotones dispersados se detectan
instantneamente
proporcionar informacin sobre la tensin en el voladizo en movimiento
(ReserbatPlantey
et al., 2012)
14.5.3 espectro de vibracin Dependiendo de la forma, tamao y nmero de
capas, la frecuencia de resonancia
de grafeno nanoresonadores pueden variar desde unos pocos a cientos de MHz
MHz.
La frecuencia fundamental de un haz de vibracin est dada por Stokey (1988):
fL
EI
A0
2

22
1 = ()
[14.3]
donde = 4,73; E, , A, I son el mdulo de Young, la densidad de masa, corte
transversal
rea de la viga y el rea de momento de inercia de la seccin transversal,
respectivamente. Si la viga est en una pequea tensin T luego un segundo
trmino es
aadido a la ecuacin anterior (Sapmaz et al., 2003):
fL
EI
La
T
AEI 0
2
22
1 0 28
2
1 = () +

. [14.4] Para una viga con una seccin transversal constante y la longitud L,
anchura W y
t espesor, el momento en que est dada por:
352 El grafeno
Yo wh =
3
12 [14,5]

donde w y h son la anchura y la altura de la viga, respectivamente. La

espectro de vibracin se determina mediante el barrido de la frecuencia de
excitacin. En
en general, y en respuesta lineal, el espectro de vibracin fi ts bien con una
Lorentz, lo que permite la determinacin de varios parmetros. En la Fig. 14.5
(a),
un espectro de un haz de grafeno monocapa fijada-pinzada de la longitud
L = 2 m y el ancho W = 3 m se muestra (van der Zande et al., 2010). La
viga suspendida se obtiene modelando grafeno crecido por CVD en
una lmina de cobre; el grafeno patrn se transfiere despus a un xido de
silicio
sustrato que se prepatterned en trincheras. Se obtiene este espectro
por el mtodo ptico descrito anteriormente. La frecuencia de resonancia de
grafeno monocapa depende del estado fsico de la cepa es decir haz
y la masa absorbida (que puede resultar de la contaminacin durante
procesamiento). La frecuencia de resonancia puede ser modelado por la
expresin
(. Van der Zande et al, 2010):
fkE
L
s k = 2 0 2 [14.6]
donde E y 0 son el mdulo de Young y la densidad de masa de monocapa
grafeno, respectivamente; k = 1, 2 .... La cantidad s es el en el plano de
deformacin y
es el factor de masa absorbida, es decir, = / 0 es la densidad incluyendo
el
masa absorbida. La ecuacin [14.6] indica una -dependence 1 / L en lo natural
frecuencia de grafeno monocapa, que es confi rmado experimentalmente como

se muestra en la figura 14.5 (b). La frecuencia de resonancia del resonador de

grafeno monocapa tambin depende
en el voltaje de la puerta (van der Zande et al., 2010). Figura 14.5 (c) muestra
este
dependencia a T = 30 K. En estas mediciones, el mtodo de mezcla actual
descrito se utiliz anteriormente. Los aumenta la frecuencia de resonancia por
un factor de
dos cuando el voltaje de la puerta trasera se barri de 0 a 8 V. Un interesante
observacin es que la dependencia de la frecuencia resonante en el voltaje de
la puerta
se debilita a baja temperatura. Aunque a priori esta dependencia dbil
puede atribuirse al cambio en la tensin en el grafeno bajo enfriamiento, se
sigue siendo poco conocida y esta dependencia de la tensin como el
resonador
se enfra an no es cuantifi ed. Se observ una tendencia similar en
grafeno exfoliada por Chen et al. (2009), donde el efecto de la aadido
masa fue investigado. 14.5.4 Mediciones factor de calidad muestran que el
factor de calidad de resonadores de grafeno es bastante
bajo en comparacin con la de otros resonadores de semiconductores, debido a
la
Nanoelectromechanics grafeno (NEMS) 353
10
8
6
4
2
0
9.5
Frecuencia (MHz)

(A)
Amplitud (a.u.) Frecuencia (MHz)
9 10 10,5
20
10
5
2
L (m)
(B)
20
30
40
10
80-8
Vbg (V)
T = 300 K
(C)
1 (MHz)
15
14.5 (a) Espectro de un haz de grafeno monocapa con dimensiones
L = 2 m y w = 3 m, que muestra una frecuencia de resonancia en f0 =
9,77 MHz. (B) 1 / L-dependencia de la frecuencia del modo de primer resonante
en
la longitud del resonador haz de grafeno monocapa. (C) Mapa de la
mezclar actual, que muestra la variacin de la frecuencia de resonancia como
una
funcin de la tensin de puerta. (A partir de van der Zande et al., 2010, con

permiso.)
354 El grafeno
gran disipacin de energa en los resonadores de grafeno, causado por una
variedad de
mecanismos de disipacin, que no se entienden completamente. Tericamente,
Se propusieron varios mecanismos (Seonez et al., 2007). Estos se enumeran
En la Tabla 14.2 para una hoja de grafeno ideal, donde la dependencia de la
temperatura
(T) tambin se muestra. Se observa que cuando hay una -dependence T, que
es lineal
a la inversa del factor de calidad Q-1. Seonez et al. (2007) sugiri
que a altas temperaturas, la prdida hmica en la puerta metlica y el grafeno
hoja es el mecanismo de disipacin dominante. En este caso, la inversa de
el factor de calidad tiene una dependencia cuadrtica en la carga total de la
hoja de grafeno. Este ltimo es fcilmente controlable por el voltaje de la
puerta. A baja
temperaturas, las prdidas de vnculo (un proceso donde la energa se irradia
lejos
desde el resonador) pueden desempear un papel importante en el proceso
disipativo.
Otra causa de disipacin es el acoplamiento del resonador a un 'dos niveles
sistema '(Seonez et al., 2007). Los sistemas de dos niveles son tomos o un
grupo de
tomos que residen en el dielctrico de puerta (es decir, SiO 2) y que tiene dos
degenerada
confi guraciones energa. Interactan con las vibraciones que causan las
transiciones
entre los dos niveles de energa. La disipacin en este caso es causada por
el acoplamiento entre la hoja de grafeno vibrante y estos sistemas. Si el

hoja est fuertemente impulsado, entonces la disipacin puede ser signifi

cativa. Experimentalmente, el factor de calidad vara desde unos pocos miles a
baja
la temperatura a unos pocos cientos a temperatura ambiente (Manojo et al.,
2007,
Chen et al., 2009, van der Zande et al., 2010, Barton et al., 2011). Estos
valores
son ms bien pequeo en comparacin con las predicciones tericas de
Seonez et al.
(2007). Esto es porque, experimentalmente, el grafeno est lejos de un cristal
ideal
como el procesamiento, ondulacin y las impurezas son todos factores que
contribuyen a la energa
disipacin. El factor de calidad disminuye con el aumento electrosttica
la fuerza utilizada para accionar el resonador (a travs de la puerta de
accionamiento de vuelta en una
resonador tpico). Fuerza electrosttica induce el ablandamiento de la
primavera
constante del resonador vibratorio. Esto hace que el resonador para estar ms
cerca Tabla 14.2 dependencia de la temperatura de la inversa del factor de
calidad de una
haz resonador grafeno como una funcin del mecanismo de disipacin de
involucrados
(De Seonez et al., 2007, con permiso)
Temperatura de la dependencia de Q - 1 (T)
Cargos en SiO2 T
Cargos en el grafeno
Hoja y puerta metlica
T
Allanamiento de la curacin
de bonos de superficie

Dos sistemas de nivel A + B T

Prdidas de fijacin Prdidas termoelsticas T
Nanoelectromechanics grafeno (NEMS) 355
al sustrato resulta en un gran disipacin (Singh et al., 2010). La
factor de calidad disminuye con la tensin de puerta y muestra un chapuzn en
la Dirac
punto (correspondiente a la conductividad mnima en la hoja de grafeno),
la cada en el factor de calidad se puede explicar por las prdidas hmicas,
porque el
la resistencia del resonador grafeno est en su mximo en el punto de Dirac.
Un ejemplo de dependencia de la temperatura del factor de calidad se
muestra
en la Fig. 14.6 (Chen et al., 2009). Aqu, los resonadores estn hechas de
monocapa
grafeno y se sujeta en ambos extremos. El factor de calidad alcanz un valor
de
14 000 a 5 K. Estas mediciones muestran una falta de capacidad de ajuste (por
medio de
la tensin de puerta) de la frecuencia del resonador a baja temperatura. La
inversa
del factor de calidad Q-1
muestra una dependencia de la ley de potencia de la temperatura
con un exponente = 0. 36. La dependencia ley de potencia en T todava no
es
explicado.
Nanoresonadores grafeno tambin pueden mostrar fenmenos de resonancia
no lineal
(Chen et al., 2009, Eichler et al., 2011), donde el espectro de vibracin no es

ya un Lorentz. En general, el proceso de amortiguacin es lineal, vara

proporcionalmente con la velocidad y es independiente de la amplitud. Eichler
et al. (2011) investigaron las estructuras resonantes de grafeno y nanotubos de
carbono
y encontr una fuerte amortiguacin no lineal en esas estructuras. Tambin
encontraron
que el factor de calidad era fuertemente dependiente de la amplitud de la
vibracin.
Se consideran tres tipos de resonadores de grafeno: bajo tensin de traccin,
Los nanotubos de carbono en el marco de traccin de estrs y nanotubos de
carbono bajo holgura.
La dinmica de estos resonadores fueron descritos por la siguiente
ecuacin diferencial:
10-2
1
0
-1
-2
10 129,9 130,1 130,3 -3
10-4
Q-1
10 100
Temperatura (K)
Actual (pA)
Frecuencia (MHz)
T=5K
T0.36
Q = 14 000

Dependencia de 14,6 Temperatura de la inversa del factor de calidad

para resonadores de grafeno monocapa. El recuadro muestra la vibracin
espectro a T = 5 K con un factor de calidad de 14 000. (De Chen et al.,
2009, con permiso.)
356 El grafeno
m
dx
dt
kx dx
dt
xx
dx
dt A ft
2
2
3 2 = - - - - + cos () 2 [14.7]
donde A es la amplitud de la excitacin, k la constante de resorte, lineal
coeficiente de amortiguacin, el Duffi no lineal ng coeficiente y el no lineal
coeficiente de amortiguacin. Eichler et al. alcanzado un factor de calidad de
100 000 en
90 mK, la ms alta registrada hasta ahora en resonadores de grafeno.
14.6 sensores nanomecnicos grafeno
En los ltimos aos ha habido un gran inters en biosensores de grafeno
Gracias a su sensibilidad a las condiciones externas y su afinacin fi ELD-efecto
propiedades. El director de la deteccin en biosensores de grafeno se basa en
intercambio electrnico entre las especies biolgicas adsorbidos y el

fi grafeno canal campo-efecto. Esta interaccin conduce a un cambio en la

resistencia
en el canal y esto puede ser detectado. Por ejemplo, los sensores de grafeno
eran
utilizado para detectar protenas, glucosa y las molculas de gas (Ohno et al.,
2009, Wu et
al., 2009, Alwarappan et al., 2009). Estos sensores se aprovechan los valores
muy altos
de la movilidad en el grafeno monocapa debido a que la sensibilidad de
deteccin
depende de transconductancia del canal de campo-efecto grafeno fi.
Membranas 14.6.1 biosensores
Quiz la aplicacin ms destacada de las membranas de grafeno suspendidas
en biologa es la deteccin de ADN (Garaj et al., 2010). Aqu un
nanopore se perfora en una capa de grafeno que separa dos cmaras que
contienen
soluciones inicas. El fl corriente inica debido entre las dos cmaras es
medido como una molcula de ADN se transloca a travs de la nanoporos.
Membranas de grafeno se montaron en las membranas de nitruro de silicio con
aberturas que separa dos soluciones inicas en contacto con electrodos de Ag /
AgCl.
La corriente inica se reduce o se bloquea como la molcula de ADN se
transloca
a travs de los poros. Esto da una idea del tamao de la molcula y su
conformacin (Garaj et al., 2010).
Nanoporos realizadas en una estructura de capas hechas de grafeno alterna
y Al 2 O 3 tambin se utilizaron para detectar complejos de ADN y ADNprotena
(Venkatesan et al., 2012). La estructura multicapa se denomin nanolaminate
membrana donde un nanopore se perfor utilizando un haz de electrones. La

ventaja de tal estructura es el bajo nivel de ruido elctrico y alta sensibilidad

a los electrolitos que tiene un pH muy bajo. Este sensor es un nanoporo de tres
terminales
dispositivo que permite la deteccin de muy alta resolucin temporal de
plegado y
molculas de ADN desplegadas y el ADN recubierto con RecA.
Nanoelectromechanics grafeno (NEMS) 357
14.6.2 sensores de masa basados en el grafeno
Cuando se aade una pequea cantidad de masa m a un nanobeam de
resonancia, una
se observa cambio en su frecuencia de resonancia. Para obtener este
desplazamiento de frecuencia,
Rayleigh aproximacin se utiliza: el haz se trata como un oscilador armnico
con una masa m y una rigidez k. La masa equivalente y la rigidez son
regalada por los siguientes dos relaciones (Stokey, 1988):
m A x dx L
= (2)
0
[14.8]
k IE x dx L
= '' (()) 2
0
[14.9]
donde (x) es una funcin de forma que satisface la ecuacin diferencial del
haz y
la condicin de contorno adecuado; , E, I y A son la densidad de masa de
la viga, el mdulo de Young, el rea de momento de inercia y el haz
seccin transversal, respectivamente. Si descuidamos el ablandamiento
primavera electrosttica

(Que se introduce durante el accionamiento electrosttico) y asumamos que la

masa aadida no cambia la constante de resorte de la viga, entonces la
frecuencia de resonancia aproximada viene dada por:
fk
m0
2
1=
[14.10]
Por lo tanto, somos capaces de calcular la frecuencia de resonancia
desplazamiento f para una
pequea variacin de masa m:

ff f f
m
m
fm
m
Rm m m
=-=+

=
00
0
11
1
2 ()
[14.11]
donde la capacidad de respuesta R es defi ne como f0 / 2 m. Por lo tanto, con el
fin de aumentar la
vigas de responsividad, se desean una pequea masa y una frecuencia de
resonancia alta.
Este requisito se puede lograr con nanotubos como su masa es
extremadamente
baja (~ 10 - 21 kg) y sus propiedades mecnicas permiten muy alta resonante
frecuencias. De hecho Jensen et al. (2008) fabricados en masa de nanotubos de
carbono
sensores que lograron una resolucin atmica es decir, una capacidad de
respuesta de 0,104 MHz zg - 1
lo que corresponde a unas decenas de tomos de oro. Adems, estos
dispositivos mostraron una
sensibilidad de 0,4 tomos de oro / Hz 1/2 que es sorprendentemente muy baja
teniendo en cuenta
que las mediciones se realizaron a temperatura ambiente. En este estudio,
vigas sujetadas en un extremo se utilizaron como su rango de desplazamiento
cuando se dobla es ms grande

que el rango de desplazamiento de vigas-sujetados sujetos al suelo, lo que

permite una mayor dinmica
gama. Otra ventaja de usar voladizos es que la prdida debido a
de sujecin es menor que con doblemente sujetadas queridos.
358 El grafeno
Nanocintas grafeno o nanolminas pueden fulfi l los requisitos anteriores,
siempre que los dispositivos fabricados tienen un factor de alta calidad en la
habitacin
la temperatura. Hasta ahora, los factores de alta calidad para los resonadores
de grafeno tienen slo
han obtenido a bajas temperaturas.
14.7 Conclusiones y tendencias futuras
Sistemas nanoelectromecnicos grafeno muestran un futuro prometedor
teniendo en cuenta que el grafeno fue descubierto recientemente. Avance
signifi cativo
se ha hecho en el grafeno fabricacin a nanoescala que permita el desarrollo
dispositivos de grosor atmico que tienen la posibilidad de tomar NEMS all
Qu otros materiales NEMS han logrado. El grafeno tiene notable
propiedades electrnicas y, si se combina con estructuras mviles a
nanoescala,
podra permitir el desarrollo de dispositivos que pueden interactuar con tomos
individuales.
Los nanotubos de carbono tambin tienen un gran potencial y muestran
extraordinaria
propiedades mecnicas. Sin embargo, su integracin y control sobre su
ubicacin en el chip hacer la produccin en masa de nanotubos de carbono
basaDispositivos NEMS difi culta lograr. Por el contrario, el grafeno puede ser
producido en una escala de obleas utilizando ECV o SiC annealling y signifi
cativa

se ha avanzado en esta direccin. Adems, el procesamiento de grafeno

es compatible con otras tcnicas de procesamiento de arriba hacia abajo
haciendo su
integracin con otros componentes posibles. Estructuras de grafeno hbridos
la combinacin de dispositivos puramente electrnicos con movimiento
mecnico nos presentan
con posibilidades muy interesantes. Por ejemplo, uno puede explorar la
interaccin
entre los fenmenos de electrones individuales en puntos cunticos grafeno
suspendidas,
utilizar los modos de vibracin para explorar y aprovechar los fenmenos
cunticos, y construir
sensores mejorados para all era CMOS. Interfaz biofuncionalizan
nanoresonadores grafeno y las membranas de grosor atmico voluntad permite
la
fabricacin de una variedad de Biodevices utiliza en varios biotecnolgica
aplicaciones.
El grafeno NEMS tiene un buen futuro y la investigacin est en curso en todo
el mundo
para explorar las posibilidades que ofrece este material.