ESCUELA POLITCNICA

NACIONAL
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y

INFORME
Prctica #: 11

Tema: Transistor de Efecto de Campo.

Realizado por:
Alumno(s): -Angel Ricardo Torres Cuenca.
-Vctor Hugo Tibanlombo Timbila.
-David Gastn Guamn Caiza.

Fecha de entrega: 02/02/2015

f.______________________

Semestre: 2014-B
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
PRCTICA N11

GR1-S1
Grupo:

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y

ELECTRNICA
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

Tema: Transistor de Efecto de Campo.

Objetivo General: -Analizar e implementar un circuito de polarizacin para
JFET.
-Analizar e implementar un amplificador en JFET
INFORME
1. Tabular un cuadro en el cual consten los valores medidos, los tericos del preparatorio y
calcular el error, justificar su respuesta.
CIRCUITO POLARIZACION:

VG
VS
VD
VDS
VGS
ID

VALOR
TEORICO
2.29 V
2.4 V
10.6 V
8.2 V
-0.11 V
2 mA

VALOR
MEDIDO
2.23 v
2.3 v
10.8v
8.5 V
-0.07 V
1.96 mA

Calculo de los valores tericos:

Circuito de polarizacin Total

I Dss =2.58 mA
Vp=-1.05V
VGS=VG-VS

V GS=

15 270 k
1200 I D
1.5 M +270 k

V GS=2.291200 I D

I D =I Dss 1

V GS
Vp

ERROR
CALCULADO
2.62%
4.16%
1.88%
3.65%
36.36%
2%

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2.291200 I D
I D =0.00258 1
1.05

64 I D =0.00258 ( 1.05+2.291200 I D )2
2

1440000 I D 8443.32 I D +11.15=0

I D 1=3.85 mA

I D 2=2 mA

V G=2. 29 V
V S =2. 4 V
V GS=0 . 11 V
D R D =10.6 v
V D=15 V I

JUSTIFICACION DE ERRORES:
Debido a los valores de tolerancia que presenta cada resistencia, los valores de las mismas varan.
Debido a que los valores de voltaje de corte y la corriente de saturacin fueron clculos al inicio de
la prctica y estos varan respecto a los valores que d el fabricante.
2. Realizar los clculos necesarios para determinar la ganancia de
voltaje, compararla con el valor terico y calcular los errores.
a) Valor terico

I Dss =2.58 mA
Vp=1.05 V

VGS=VGVS

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V GS=

15 270 k
1200 I D
1.5 M +270 k

V GS=2.291200 I D

I D =I Dss

V
1 GS
Vp

2.291200 I D
I D =0.00258 1
1.05

1.1 I D=0.00258 (1.052.29+1200 I D )2

3369.8 I D219.75 I D +0.026=0
2

+ / 19.75 (4 3369.8 0.026)

2 3369.8
19.75
I D =
2

I D 1=3.85 mA ; I D 2=2.01 mA
V GS=2.291.2 ( 2.01 ) =0.122

gm=

2 I DSS
V
1 GS
|Vp|
Vp

gm=

2 2.58 103
0.122
1
=4.34 103
1.05
1.05

AV =g m (R D R L )

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AV =4.34

3.23 10520
( 3.23+10520
)=14.31 AV =14.31

b) Valor prctico

V GS=2.221170 I D
V GS=2.221.17 ( 2.01 )=0.132

gm=

2 2.58 103
0.132
1
=4.29 103
1.05
1.05

AV =4.29

%Er=

3.23 10520
=13.85 AV =13.85
( 3.23+
10520 )

|14.3113.85|
14.31

100=3.21

Error en la ganancia de voltaje Er=3.21

3)Graficar en hojas de papel milimetrado las seales observadas en el

osciloscopio

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CONCLUSIONES
Por Angel Ricardo Torres:

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Se puede medir el valor de Idss y Vp de un JFET. El valor de Idss se produce

cuando el voltaje compuerta - fuente Vgs posee un valor de cero, mientras
el Vp se produce cuando la corriente de drenaje Id posee un valor de cero.
Se logran estas condiciones polarizando al JFET mediante dos fuentes y
variando los valores de ests.
Un amplificador en drenaje comn, es el equivalente a un amplificador en
emisor comn, por tanto posee las caractersticas de esta configuracin, sin
embargo la amplificacin de un JFET es inferior a la amplificacin de un TBJ.
En un JFET no existe perdida de corriente, la corriente que circula por el
drenaje es la misma que la que circula por la fuente, y esta corriente
depende del valor de voltaje con que se polarice la compuerta.
El voltaje entre la compuerta y fuente Vgs debe ser menor a cero para que
el JFET funcione correctamente.
Por David Guamn:
Debido que el transistor usado en la prctica no era el adecuado, se procedi a calcular los
parmetros tanto de voltaje de corte y corriente de saturacin, como el transistor usado en la
prctica era canal n el voltaje de corte era negativo.
Una de las formas de verificar que el transistor canal n este funcionando, era verificando
que el voltaje entre compuerta y fuente sea negativa.
Se verifico que existe un desfase de 180 entre el voltaje de entrada y el voltaje de salida en
un circuito amplificador en fuente comn de manera similar como en un amplificador
emisor comn.
El comportamiento de un FET en AC, es que la resistencia que presenta en la compuerta es
extremadamente grande por tal motivo no existe corriente atreves de la compuerta y se
concluye que la corriente de fuente es igual a la corriente de drenaje.

Por Victor Timbalombo:

Se pudo constatar mediante las grficas en el osciloscopio que un fet se
le puede usar como amplificador de voltaje.
Mediante la prctica se pudo constatar que esta configuracin de fet el
cual es en fuente comn es homologo al TBJ en emisor comn en el
anlisis de ac ya que existe un desfase de la seal de salida con
respecto al de entrada.
En los errores obtenidos en la prctica se justifica mediante la tolerancia
de los valores de las resistencias as como la diferencia entre el IDSS y
VGSoff usado tericamente y el medido prcticamente.

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El transistor de efecto de campo se basa en la presencia y no presencia

de un campo elctrico por lo que se debe manejar cuidadosamente sin
tocar sus terminales ya que este es sensible a la esttica pudindose
daar.

REFERENCIAS
-

Apuntes de clase, Dispositivos Electrnicos, Ing. Jorge Rivadeneira.

Dispositivos Electrnicos, Thomas L. Floyd, 8va edicin, Editorial
Pearson, Captulo 6.