Teoria dos Transistores

CMOS

Professor: Sandro Haddad

sandrohaddad@unb.br

Outline

Introduction
MOS Capacitor
nMOS I-V Characteristics
pMOS I-V Characteristics
Gate and Diffusion Capacitance

Caractersticas de dispositivos MOS

Para design analgico, os transstores no so
meras chaves

Entendimento dos efeitos de segunda ordem

so essenciais para um design apropriado

Introduction
So far, we have treated transistors as ideal switches
An ON transistor passes a finite amount of current
Depends on terminal voltages
Derive current-voltage (I-V) relationships
Transistor gate, source, drain all have capacitance
I = C (DV/Dt) -> Dt = (C/I) DV
Capacitance and current determine speed

MOSFET como uma chave

Os trs terminais de um MOSFET so: Gate (G), Dreno (D),
Source (S):

Quando a tenso de gate Vg maior ou igual a um

determinado valor Vth (treshold voltage), o transstor liga e
a corrente flui do Dreno para o Source.

Estrutura de um MOSFET

Fabricado em um substrato tipo p (bulk)

Dreno e Source so 2 regies dopadas do tipo n
Gate do tipo poly Polisilcio altamente dopado, para evitar alteraes quimicas
entre metais e a o gate.
Gate isolado do substrato por Dixido de silcio (isolante)
Estrutura simtrica em relao ao Dreno e ao Source

Conexo do corpo
Em circuitos integrados, so vrios transstores
compartilhando o mesmo substrato
A polarizao do substrato importante para que
no haja fluxo de corrente do dreno e do source para
o terminal Bulk. (GND para NFET e VDD para PFET)

MOSFET tipo P
Obtido negando-se a dopagem de um tipo N
Construdo a partir de ilhas de dopagem dentro de um
substrato p. As ilhas so chamadas de wells
MOSFETS tipo N -> NFETs
MOSFETS tipo P -> PFETs

Simbologia

MOS Capacitor

Gate and body form MOS

capacitor
V <0
Operating modes
+
Accumulation
Depletion
(a)
Inversion
0<V <V
g

polysilicon gate
silicon dioxide insulator
p-type body

+
-

depletion region

(b)

Vg > Vt
+
-

(c)

inversion region
depletion region

Terminal Voltages

Mode of operation depends on Vg, Vd, Vs

Vgs = Vg Vs
Vgd = Vg Vd
Vds = Vd Vs = Vgs - Vgd
Source and drain are symmetric diffusion terminals
By convention, source is terminal at lower voltage
Hence Vds 0
nMOS body is grounded. First assume source is 0 too.
Three regions of operation
Cutoff
Linear
Saturation

Vg
+
Vgd
-

+
Vgs
Vs

Vds

Vd

Funcionamento do MOSFET
Supondo um aumento de Vg a partir do 0, um campo eltrico
formado abaixo do gate, repelindo os portadores de carga
positiva, deixando ons negativos em seu lugar.

Estes ons negativos criam uma zona de depleo, pois no h

portadores de cargas disponveis.

Funcionamento do MOSFET
Aumentando a tenso Vg, as lacunas so
repelidas ainda mais, formando algo como 2
capacitores em srie: Um da Camada de xido
e outro da camada de depleo:

Funcionamento de um MOSFET
Quando Vg chega a um determinado nvel, eltrons comeam a fluir
da interface do Source e eventualmente chegam ao Dreno,
formando um canal de portadores de carga (camada de Inverso).
Esta tenso limiar chamada Vth (Treshold Voltage), que a tenso
em que o transistor est ligado, ou seja, conduzindo corrente
entre o dreno e o source. Nesta situao, a carga do canal igual
carga da zona de depleo.

nMOS Cutoff
No channel
Ids 0
Vgs = 0

+
-

+
-

n+

n+
p-type body
b

Vgd

nMOS Linear
Channel forms
Current flows from d to s

Vgs > Vt

+
-

e- from s to d

Ids increases with Vds

Similar to linear resistor

+
-

n+

n+

Vgd = Vgs

Vds = 0

p-type body
b

Vgs > Vt

+
-

+
d

n+

n+
p-type body
b

Vgs > Vgd > Vt

Ids
0 < Vds < Vgs-Vt

nMOS Saturation

Channel pinches off

Ids independent of Vds
We say current saturates
Similar to current source
Vgs > Vt

+
-

+
-

Vgd < Vt

d Ids

n+

n+
p-type body
b

Vds > Vgs-Vt

Funcionamento de um MOSFET
complicado definir Vth com preciso. Para melhorar a exatido
deste valor, aumenta-se a dopagem do substrato na regio em que
o canal se forma, elevando Vth:
Apesar da condutividade entre o Dreno e o Source se dar de forma
gradual com o aumento de Vgs, podemos assumir que esta
condutividade se d abruptamente quando Vgs >= Vth

Funcionamento de um MOSFET
O funcionamento de um PMOS se d de forma
similar ao NFET, porm com polaridades
reversas:

Caractersticas I/V
Considerando-se Qd a densidade de carga por seo de rea em
uma barra transversal condutora, e v a velocidade de
deslocamento dos eltrons em m/s, a corrente dada pela frmula:
( A= C/s v=m/s Qd= C/m)

In Linear region, Ids depends on

How much charge is in the channel?
How fast is the charge moving?

Channel Charges
MOS structure looks like parallel plate capacitor while
operating in inversions
Cox e ox / tox
e ox kox .e 0
Gate oxide channel
C = Cg = eoxWL/tox = CoxWL

e 0 8,85 1014 F / cm permittivity _ free _ space

kox 3.9 permittivity _ of _ Si02

Channel Charges
We can compute currents if we know the amount of charge
in the channel and the rate at which it moves.
Qchannel = CV

C = Cg = eoxWL/tox = CoxWL
V = Vgc Vt = (Vgs Vds/2) Vt

Qchannel CoxWL .VGS Vth VDS / 2

Caractersticas I/V
Para um MOSFET com o dreno e source
aterrados, a densidade de carga para um
tenso Vg > Vth :

Carrier velocity
Charge is carried by e Electrons are propelled by the lateral electric
field between source and drain
E = Vds/L

Carrier velocity v proportional to lateral E-field

v = mE

m called mobility

Time for carrier to cross channel:

t=L/v

L L
L
L2
t

mE mVDS / L mVDS

nMOS Linear I-V

Now we know
How much charge Qchannel is in the channel
How much time t each carrier takes to cross
Qchannel CoxWL .VGS Vth VDS / 2

Qchannel
I ds
t
W
mCox
L

V V Vds
gs
t
2

Vds

Vgs Vt
Vds
2

L L
L
L2
t

mE mVDS / L mVDS

V
ds

Caractersticas I/V
Para um MOSFET polarizado com Vd > 0, a densidade
de Carga sob o canal para Vg > Vth, para uma posio x
do canal :

Caractersicas I/V
Podemos deduzir a frmula da corrente que
flui do Dreno para o Source Id:

Caracterrsticas I/V - Triodo

Assim, o grfico Id x Vds uma parbola, mas a funo
s vlida para a regio antes do valor mximo de
corrente, quando Vds = Vgs Vth. Chamamos (Vgs
Vth) de Overdrive Voltage. Esta faixa de operao
chamada de regio de triodo.

Caractersticas I/V Triodo Profundo

Para valores muito pequenos de Vds (Vds << 2(Vgs-Vth)), a parbola
pode ser aproximada por uma reta, e o MOSFET se comporta como
um resistor. Esta faixa de operao chamada de Triodo Profundo.

Caractersticas I/V - Saturao

Ao invs da corrente cair quando Vds maior que
a tenso de overdrive, ela se mantm quase
constante quando aumentamos Vds. Esta faixa de
operao chamada de regio de saturao

Caractersticas I/V - Saturao

Com o aumento de Vds, o canal de portadores
negativos estrangulado, pois a Densidade de carga
Qd tende a 0. Se chamarmos L = L - x, temos:

nMOS Saturation I-V

If Vgd < Vt, channel pinches off near drain
When Vds > Vdsat = Vgs Vt

Now drain voltage no longer increases current

V
I ds Vgs Vt dsat
2

gs

Vt

V
dsat

Caractersticas I/V - Saturao

Neste ponto, a carga acumulada no canal comea a ser
drenada, e a tenso do gate insuficiente para manter a
camada de inverso. Assim, idealmente a corrente
permanece constante para Vds >= VGs Vth, assumindo o
comportamento de uma fonte de corrente constante.

Transcondutncia
Para um MOSFET em saturao, a transcondutncia
gm a medida de o quanto o dispositivo consegue
transformar a tenso Vgs em corrente Id. De certa
forma, gm a medida da sensibilidade do MOSFET
interessante observar que gm aumenta aumenta com
a tenso de overdrive se W/L constante, enquanto
que gm diminui com a tenso de overdrive se Id
constante

nMOS I-V Summary

Shockley 1st order transistor models

Vds
I ds Vgs Vt
2

Vgs Vt

Vgs Vt
V V V
ds
ds
dsat

Vds Vdsat

cutoff
linear
saturation

Example
We will be using a 0.6 mm process for your
project

Plot Ids vs. Vds

1.5

Vgs = 4

1
Vgs = 3

0.5
0

Vgs = 0, 1, 2, 3, 4, 5
Use W/L = 4/2 l mC

Vgs = 5

2
Ids (mA)

From AMI Semiconductor

tox = 100
m = 350 cm2/V*s
Vt = 0.7 V

2.5

Vgs = 2
Vgs = 1

Vds

3.9 8.85 1014 W

W
350

ox
8
L
100 10
L

120
A/V 2

pMOS I-V
All dopings and voltages are inverted for pMOS
Source is the more positive terminal
Mobility m p is determined by holes
Typically 2-3x lower than that of electrons mn
120 cm2/Vs in AMI 0.6 mm process
Thus pMOS must be wider to
provide same current
In this class, assume
mn / mp = 2
0

Vgs = -1
Vgs = -2

Ids (mA)

-0.2

Vgs = -3

-0.4

Vgs = -4

-0.6

-0.8
-5

Vgs = -5

-4

-3

-2
Vds

-1

Transcondutncia
O comportamento de gm para cada situao:

Efeitos de segunda ordem

Mosfets so dispositivos no-lineares e vo
alm da anlise de comportamento ideal. Os
efeitos de segunda ordem descrevem melhor
o comportamento real dos dispositivos, e ao
estud-los podemos fazer simplificaes mais
prximas da realidade

Efeito de Corpo
Os NFETs de um CI so construidos em um
mesmo substrato compartilhado entre todos
eles.
Na anlise anterior, consideramos que o
terminal do corpo estava ligado ao source,
mas isso nem sempre ser possvel

Efeito de corpo
Quando aplicamos ao Bulk uma tenso menor
que o source, as lacunas da regio abaixo do
gate so atradas para o terminal,
aumentando o nmero de ons negativos da
camada de Depleo.

Efeito de Corpo
Isso faz com que seja necessria uma tenso no Gate
maior para que a carga em seu terminal seja idntica
carga da zona de depleo.
Assim, uma diferena de potencial entre o Source e o
Bulk (Vsb) causa uma alterao em Vth dada por:
Onde o coeficiente de efeito de corpo, e seu valor
fica entre 0.3 e 0.4 V1/2

Modulao do Canal
Quando o dispositivo entra em saturao, alm do
estrangulamento do canal, h um encurtamento dele, e a
largura do canal encurtado L no deve ser simplesmente
aproximada por L. Na verdade, L uma funo de Vds.
A relao entre L e Vds, e a equao nova:

Modulao do canal
A transcondutncia de um dispositivo em
saturao levando-se em conta a modulao
do canal fica:

Conduo Sub-Treshold
Em um MOSFET ideal, a conduo inicia-se
abruptamente com Vgs >= Vth, mas na prtica,
para Vgs <= Vth, uma fraca corrente flui do
dreno para o source devido a formao de
uma fraca camada de inverso principalmente
na fronteira do substrato com o Gate.

Conduo Sub-Treshold
Para um Vds superior a 200mV, a corrente em
sub-treshold est relacionada de forma
exponencial com Vgs:
Em uma escala logartmica,
Id cai uma dcada para cada
reduo de 80mV em Vgs.
A corrente de sub-treshold
pode causar muita dissipao
desnecessria de energia em
circuitos complexos.

Modelos construtivos

Capacitncias do MOSFET
As anlises at aqui foroam feitas para valores
invariantes no tempo, ou seja, estticas.
Quando estamos projetando circuitos onde o
comportamento do dispositivo no tempo
relevante (altas frequencias), as capacitncias
entre as junes devem ser levadas em
considerao

Capacitncias do MOSFET

So elas:
Cgd -> gate-dreno
Cgs -> gate-source
Cgb -> gate-bulk
Cdb -> dreno-bulk
Csb -> source-bulk
Cgd -> gate-camada de
depleo

Modelo de Pequenos sinais

Se o MOSFET est operando em torno de um ponto (bias), de
grandezas aplicadas em seus terminais de tenso e corrente, e
a variao em torno deste ponto pequena de forma que as
curvas caractersticas so aproximadamente lineares dentro
deste intervalo, ento podemos fazer um modelo simplificado
de pequenos sinais

Modelo de pequenos sinais

Considerando um MOSFET ideal em saturao,
temos que a corrente entre o dreno e o source
constante, ento podemos model-lo como
uma fonte de corrente ideal:

Modelo de pequenos sinais

Adicionando agora o efeito da modulao do canal, temos
uma componente proporcional a Vds, mas uma corrente
proporcional a uma tenso pode ser modelada como um
resistor r0, que a impedncia de sada do MOSFET

Modelo de pequenos sinais

Considerando o efeito de corpo, que como se houvesse um segundo gate que

adiciona uma corrente proporcional tenso Vbs, temos:
No entanto, uma tenso positiva Vbs pode causar o efeito de latch-on, ou seja,
cria-se um diodo polarizado condutor entre o Bulk e o Source. Assim, o terminal B
deve estar sempre no menor potencial do circuito.

Modelo de pequenos sinais

O Modelo de pequenos sinais completo,
considerando as capacitncias fica:

Capacitance
Any two conductors separated by an insulator
have capacitance
Gate to channel capacitor is very important
Creates channel charge necessary for operation

Source and drain have capacitance to body

Across reverse-biased diodes
Called diffusion capacitance because it is
associated with source/drain diffusion

Capacitance

Esperamos que uma capacitncia exista entre duas a cada

quatro terminais de um MOSFET.
O valor de cada uma dessas capacitncias pode depender
da conduo de polarizao do transistor.

Capacitance

Esperamos que uma capacitncia exista entre duas a

cada quatro terminais de um MOSFET.
O valor de cada uma dessas capacitncias pode
depender da conduo de polarizao do transistor.

Capacitance

Na figura identificamos capacitncia xido entre o gate e o canal,

.
Capacitncia de depleo entre o canal e o substrato
.
Capacitncia devida ao overlap do poly gate com as reas do source
e do dreno, C3 e C4.
Capacitncia de juno entre as reas source/dreno e o substrato,
como mostrado na segunda figura. Cj e Cjsw so as capacitncias por
unidade de rea e unidade de comprimento, respectivamente.
, onde VR a tenso reversa atravs da juno, m est entre 0.3 e
0.4.

Capacitance
Derivando as
capacitncias entre
os terminais do
MOSFET em
diferentes regies
de operao.

Se o dispositivo est desligado,

,ea
capacitncia gate-bulk consiste de uma srie de
combinaes de capacitncias gate xido e capacitncias
da regio de depleo,
, onde
L o comprimento efetivo e
. O valor
de CSB e CDB est em funo das tenses do gate e do
source em relao ao substrato.

Capacitance

Se o dispositivo est em regio triodo profunda, por exemplo, se S e D

possuem tenses aproximadamente iguais, ento a capacitncia gatecanal,
, dividida igualmente entre os terminais gate e source e os
terminais gate e dreno. Isto porque a diferena na tenso gate, iguala
a carga de S para D. Assim,
.
Se em saturao, o MOSFET apresenta uma capacitncia gate-dreno de
aproximadamente
, a diferena de potencial entre o gate e o canal,
varia de Vgs no source Vgs-Vth no ponto pinch-off, resultando num
campo eltrico vertical no uniforme no xido do gate ao longo canal.
A capacitncia gate-source negligenciada nas regies de triodo e
saturao porque a camada de inverso atua como um escudo entre o
gate e o bulk. Em outras palavras, se a tenso do gate varia, a carga
fornecida pelo source e pelo dreno, ao invs de ser pelo bulk.

Gate Capacitance
Gate capacitance is necessary to attract charge to invert the
channel High Cg is required to obtain high Ids.
The bottom plate of Cg is the channel. When the transistor is on,
the channel extends from the source. Thus Cg = Cgs.
For high-speed and low dynamic power consumption minimum L
for logic transistors

polysilicon
gate
W
tox
n+

L
p-type body

n+

SiO2 gate oxide

(good insulator, eox = 3.9e0)

Gate Capacitance
Cgs = oxWL/tox = CoxWL = CpermicronW
Cpermicron is typically about 2 fF/m in old processes and 1 fF/m at
the 65nm process. If both the channel length and oxide thickness
are reduced by the same factor, Cpermicron remains almost
unchanged.

polysilicon
gate
W
tox
n+

L
p-type body

n+

SiO2 gate oxide

(good insulator, eox = 3.9e0)

Gate Capacitance

Gate Cap. has two components: Cgc (intrinsic cap.

over the channel) and Cgol (overlap)
The intrinsic cap. Cgc has 3 components: Cgb (gate-tobody), Cgs (gate-to-source) and Cgd(gate-to-drain).
C0 = oxWL/tox = CoxWL

Gate Capacitance

Gate Cap. has two components: Cgc (intrinsic cap.

over the channel) and Cgol (overlap)
The intrinsic cap. Cgc has 3 components: Cgb (gate-tobody), Cgs (gate-to-source) and Cgd(gate-to-drain).

Gate Capacitance
The gate overlaps the source and drain, leading to additional
overlap. These capacitances are proportional to the width of the
transistor. Cgsol(overlap) = CgsolW ; Cgdol(overlap) = CgdolW
Cgsol , Cgdol are typically about 0.2-0.4 fF/m.

Gate Capacitance
For the purpose of delay calculation of digital circuits, we usually
approximate: Cg = Cgs + Cgd + Cgb = C0 + 2CgolW

Diffusion Capacitance
Csb, Cdb - Undesirable, called parasitic capacitance. These cap.
are not fundamental to operation of the devices, but do
impact circuit performance.
The depletion region acts as an insulator between the
conducting p and n-type regions, creating cap. across the
junction.

Diffusion Capacitance
Capacitance depends on area and perimeter of the source and
drain diffusion, the depth of the diffusion, the doping levels
and the voltage.
Use small diffusion nodes for small Csb and Cdb.
Comparable to Cg
for contacted diff
Cg for uncontacted
Varies with process

Diffusion Capacitance
The capacitance depends on both the area AS=WD and sidewall
parimeter PS=2W+2D.
The total source parasitic capacitance is
Csb = AS x Cjbs + PS x Cjbssw
Because the depletion region thickness depends on the bias
conditions, these parasitics are nonlinear.

Diffusion Capacitance
Csb AS C jbs PS C jbssw
C jbs

Vsb

C J 1
0

M J

Vsb
C jbssw C JSW 1
SW
N AND
0 VT ln
ni2

M JSW

CJ is the junction cap. at zero bias

and is highly process-dependent.
MJ is the junction grading
coefficient (0.5 t 0.33)
0 is the built-in potential that
depends on doping levels.
VT is the thermal voltage kT/q
(26mV).
NA ND are the doping levels of the
body and source diffusion region.
ni
is
the
intrinsic
carrier
concentration.

Diffusion Capacitance
In summary, the gate capacitance includes an intrinsic component and
overlap terms with the source and drain.
The source and drain have parasitic diffusion capacitance to the body.

Modelo SPICE do MOS

Modelo SPICE do MOS