FACULDADE SANTO AGOSTINHO - FSA

ENGENHARIA ELTRICA

Diodos
Semicondutores
Prof. Fbio Leite, Esp

As 12 normas de convivncia

1. - Recomenda-se chegar aula no horrio estabelecido.

2. Evitar o uso do celular e colocar obrigatoriamente no silencioso durante as aulas, pois a participao ativa
nas aulas sempre incentivada.
3. - As provas tem durao de no mximo 100 minutos.
4. - Quem chegar com at 30 minutos de atraso em prova ser autorizado a entrar desde que nenhum aluno

tenha sado at aquele momento. Alm disso, no ganhar tempo de compensao.

5. - Depois de entregar a prova, o aluno no pode ficar no corredor das salas.
6. - No permitida a ida ao banheiro durante a prova.
7. - A prova dever necessariamente ser preenchida por caneta esferogrfica de tinta azul ou preta. No

sero aceitas reclamaes lpis.

8. - No permitido durante a prova pedir qualquer material ao colega.
9. - No sero permitidas calculadoras grficas, celulares ou qualquer outro dispositivo que permita
comunicao.

10. - A boa organizao da apresentao responsabilidade do aluno sendo objeto de avaliao, desta forma
caso no seja possvel compreender adequadamente as questes, estas sero consideradas sem efeito.
11. - No haver atendimento individual durante a prova.
12. - Qualquer violao do comportamento adequado ser punida com as medidas administrativas previstas

no regimento da faculdade.

Diodos
O diodo um dispositivo de dois terminais.

Idealmente, um diodo conduz somente em uma nica direo.

Caractersticas do diodo

Regio de conduo

A tenso ao longo do diodo de 0 V

A corrente infinita
A corrente direta definida pela
frmula RF = VF / IF
O diodo se comporta como um curto

Regio de no conduo

Toda a tenso fica ao longo do diodo

A corrente de 0 A
A resistncia reversa definida pela
frmula RR = VR / IR
O diodo se comporta como aberto

Materiais semicondutores
Materiais geralmente utilizados no desenvolvimento de dispositivos
semicondutores:

o Silcio (Si).
o Germnio (Ge).

o Arseneto de glio (GaAs).

Dopagem
As caractersticas eltricas do silcio e do germnio so melhoradas
pela adio de materiais em um processo denominado dopagem.
H somente dois tipos de materiais semicondutores dopados:

tipo n
Materiais do tipo n contm
excesso de eltrons na
banda de conduo.

tipo p
Materiais do tipo p contm
um excesso de lacuna na
banda de valncias.

Junes p-n
Uma extremidade de um cristal de silcio ou germnio pode ser
dopada como um material do tipo p e a outra extremidade como um
material do tipo n.

O resultado uma juno p-n

Junes p-n
Na juno p-n, o excesso de eltrons na banda de conduo no lado
do tipo n atrado para as lacunas na banda de valncia no lado do
tipo p.
Os eltrons no material do tipo n migram ao longo da juno para o
material do tipo p (fluxo de eltrons).
A migrao de eltrons resulta em uma carga negativa no lado do
tipo p da juno e em uma carga positiva no lado do tipo n da juno.

Junes p-n
O resultado a formao de uma regio de depleo em torno da
juno.

Condies de operao do
diodo
Um diodo tem trs condies de operao:

o Ausncia de polarizao.

o Polarizao direta.

o Polarizao reversa.

Condies de operao do
diodo
Ausncia de polarizao

o Nenhuma tenso externa aplicada: VD = 0 V.

o No h corrente no diodo: ID = 0 A.
o S uma modesta depleo.

Condies de operao do
diodo
Polarizao reversa
o Uma tenso externa aplicada ao longo da juno p-n na
polaridade oposta dos materias do tipo p e n.

Condies de operao do
diodo
Polarizao reversa
o A tenso reversa faz com que a rea
da regio de depleo aumente.

o Os eltrons no material do tipo n

so atrados para perto do terminal
positivo da fonte de tenso.

As lacunas no material do tipo p so atrados para perto do terminal

negativo da fonte de voltagem.

Condies de operao do
diodo
Polarizao direta
o Uma tenso externa aplicada ao longo da juno p-n na mesma
polaridade dos materiais do tipo p e n.

Condies de operao do
diodo
Polarizao direta
o A tenso direta faz com que
a rea da regio de depleo
diminua.
o Os eltrons e lacunas so
empurrados em direo
juno p-n.
Os eltrons e lacunas tm energia suficiente para cruzar a juno
p-n.

Caractersticas reais do
diodo
Observe que na regio as
condies so de ausncia de
polarizao, polarizao reversa
e polarizao direta.
Observe atentamente a escala
para essas condies.

Portadores majoritrios
e minoritrios
Duas correntes ao longo de um diodo:
o Portadores majoritrios

Os portadores majoritrios em materiais do tipo n so eltrons.

Os portadores majoritrios em materiais do tipo p so lacunas.

o Portadores minoritrios
Os portadores minoritrios em materiais do tipo n so lacunas.
Os portadores minoritrios em materiais do tipo p so eltrons.

Regio Zener
A regio Zener fica na regio de polarizao reversa do diodo.

Em um certo momento, a voltagem da polarizao reversa to alta

que o diodo rompido e a corrente reversa aumenta drasticamente.
A tenso reversa mxima que no levar um diodo regio Zener
denominada tenso de pico inversa ou tenso de pico reversa.
A tenso que faz com que um diodo entre na regio Zener de
operao denominada tenso Zener (VZ).

Regio Zener

Tenso de polarizao
direta
O ponto no qual o diodo muda da condio de ausente de
polarizao para a condio de com polarizao direta ocorre quando
os eltrons e as lacunas fornecem energia suficiente para cruzar a
juno p-n. Essa energia vem da tenso externa aplicada ao longo do
diodo.
A tenso de polarizao direta necessria para um:

o Diodo de arseneto de glio 1.2 V

o Diodo de silcio 0.7 V

o Diodo de germnio 0.3 V

Efeitos da temperatura
medida que a temperatura aumenta, adicionada energia ao
diodo.
Ela reduz a tenso de polarizao direta necessria para conduo
de polarizao direta.
Ela aumenta a quantidade de corrente reversa na condio de
polarizao reversa.
Ela aumenta a tenso mxima de avalanche da polarizao reversa.
Os diodos de germnios so mais sensveis a variaes de
temperatura que os de silcio ou de arseneto de glio.

Nveis de resistncia
Semicondutores reagem de modo diferente a correntes CC e CA.

H trs tipos de resistncia:

o Resistncia CC (esttica).
o Resistncia CA (dinmica).
o Resistncia CA mdia.

Resistncia CC (esttica)
Para um tenso CC especfica
aplicada (VD), o diodo tem uma
corrente especfica (ID) e uma
resistncia especfica (RD).

VD
RD
ID

Resistncia CA (dinmica)
Na regio de polarizao direta:

26 mV
rd
rB
ID
A resistncia depende da quantidade de corrente (ID) no diodo.
A tenso ao longo do diodo razoavelmente constante (26 mV para
25C).
rB varia de tpico 0,1 para dispositivos de alta potncia a 2 para
baixa potncia, diodos de uso geral. Em alguns casos o rB pode ser
ignorado.

Resistncia CA (dinmica)
Em regio de polarizao reversa:

rd
A resistncia efetivamente infinita. O diodo se comporta como um aberto.

Resistncia CA mdia

rav

Vd

Id

pt. to pt.

A resistncia CA pode ser

calculada utilizando-se a corrente
e a tenso marca dois pontos na
curva caracterstica do diodo.

Circuito equivalente do
diodo

Capacitncia do diodo
Quando reversamente polarizada, a camada de depleo fica muito
grande. As fortes polaridades negativa e positiva do diodo criam
capacitncia (CT). A quantidade de capacitncia depende da tenso
reversa aplicada.
Quando polarizada diretamente, a capacidade de armazenamento
ou a capacidade de difuso passa a existir medida que a tenso do
diodo aumenta.

Capacitncia do diodo

Tempo de recuperao
reversa (trr)
Tempo de recuperao reversa o tempo necessrio para um
diodo para de conduzir quando sua polarizao alternada de direta
para reversa.

Folhas de dados do diodo

Folhas de dados do diodo contm informaes-padro, fazem
comparaes de diodos para verificar se necessitam ser substitudos
ou se seu design precisa ser melhorado.

1. Tenso direta (VF) a uma corrente e temperatura especficas.

2. Corrente direta mxima (IF) a uma temperatura especfica.

3. Corrente de saturao direta (IR) a uma tenso e temperatura

especficas.

Folhas de dados do diodo

4. Taxa de tenso reversa, PIV ou PRV ou V(BR), a uma temperatura
especfica.
5. O valor mximo de dissipao de potncia a uma temperatura
especfica.
6. Nveis de capacitncia.

7. Tempo de recuperao reversa, trr.

8. Faixa de temperatura de operao.

Smbolo de diodo e
embalagem

A abreviao de nodo a letra A.

A abreviao de ctodo a letra K.

Teste do diodo
Diodos so comumente testado utilizando-se um desses tipos de
equipamento:
o Testador do diodo.
o Ohmmetro.

o Traador de curva.

Testador do diodo
Muitos multmetros digitais tm uma funo de teste de diodo. O
diodo deve ser testado fora de circuito.
Um diodo normal exibe sua tenso direta da seguinte forma:
o Arseneto de glio 1.2 V

o Diodo de silcio 0.7 V

o Diodo de germnio 0.3 V

Ohmmetro
Um ohmmetro ajustado em um baixa escala de Ohms pode ser
utilizado para testar um diodo. O diodo deve ser testado fora do
circuito.

Traador de curva
Um traador de curva exibe a curva caracterstica de uma diodo no
circuito-teste.
Essa curva pode ser comparada s especificaes do diodo de uma
folha de dados.

Outros tipos de diodo

H muitos tipos de diodo alm do padro, o diodo de juno p-n.
Trs dos mais comuns so:

o Diodos Zener.
o Diodos emissores de luz.

o Diode arrays.

Diodo Zener
Um diodo Zener aquele desenvolvido para
operar de modo seguro em sua regio Zener, ou
seja, polarizado em uma tenso Zener (VZ).
Faixas comuns de tenso de um diodo Zener
ficam entre 1.8 V e 200 V

Diodo emissor de luz (LED)

Um LED emite luz quando est polarizado diretamente, o que pode
acontecer num espectro infravermelho ou visvel.

A tenso polarizada direta fica geralmente na faixa de 2 V a 3 V.

Diodo Arrays
Mltiplos diodos podem ser embalados juntos em um circuito
integrado (CI).

Est disponvel no mercado uma

grande variedade de configuraes
de diodo.

Bibliografia Bsica

Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky,

Dispositivos Eletrnicos e Teoria de
Circuitos, 11 Ed., Prentice Hall Brasil ,
Pearson (2013)

SEDRA, A.S.; SMITH, C. Microeletrnica. 5

ed. Makron Books.

Ashfaq Ahmed, Eletrnica

Prentice Hall Brasil , Pearson

de

Potncia,