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Laboratorio No. 1
Caracterizacin de una Planta de temperatura
Toquica R. Lina 20102005082, Rojas S. Juan 20102005097, Vargas G. Sebastin 20102005089
Resumen El presente informe de laboratorio
contiene
la descripcin detallada de la
caracterizacin,
funcin
de
transferencia
asociada, e implementacin de una planta
trmica segn diferentes requerimientos tales
como modificar la temperatura a partir de
variaciones de voltaje y la sensibilidad del sensor.
OBJETIVOS
1000 c m3 .
100 mV / C .
PRIMERA ETAPA:
Como primera medida se proceder a
implementar la etapa del sistema que a partir de
un voltaje variable de 0 a 12V, permitir
controlar la generacin de calor al interior del
sistema. Para esto, se hizo uso de un PWM o
modulacin por ancho de pulsos por medio del
integrado LM555. El pin No 3 de salida del
circuito integrado 555 provee una onda cuadrada
con duty-cycle ajustable, lo que bsicamente
significa que se puede variar el ancho de pulso
de la onda. La Figura 1. muestra la configuracin
utilizada para la elaboracin del PWM. Se
implementa este circuito debido a costos y
facilidad de diseo.
Se hace necesario alimentar el circuito con
alrededor de 12.7V, con el fin de que a la salida
del PWM, el voltaje mximo sea de 12 V.
XSC2
VCC
D2
R2
100 %
12V
R1
8
330
1N4001
10k
Key=A
D1
1N4001
C1
0.1F
RST
DIS
THR
TRI
CON
C2
0.1F
_
B
A
+
VCC
4
Ext Trig
+
U1
OUT 3
R3
10k
GND
1
Probe1
LM555CN
V: 5.10 mV
V(p-p): 12.0 V
V(rms): 2.27 V
V(dc): 434 mV
I: 0 A
I(p-p): 12.0 pA
I(rms): 2.27 pA
I(dc): 0 A
Freq.: 694 Hz
Figura 1.
SEGUNDA ETAPA:
En esta etapa se procede a proporcionar al
circuito la corriente necesaria para alimentar a
la fuente de calor (bombillo) por lo que se hizo
uso de un circuito de potencia el cual consiste en
la utilizacin de un transistor Mosfet IRFZN44N
que al proporcionar una tensin en la compuerta
(Gate) este se activa y es capaz de permitir el
paso de corrientes altas. En el circuito de la
Figura 2. Se observa la implementacin de esta
etapa.
VCC
XMM1
15V
R3
1k
C3
10F
R2
10k
50%
Key=A
D1
1N4001GP
C2
100nF
RST
DIS
THR
TRI
CON
OUT
R4
1k
LM555CM
Figura 2.
TERCERA ETAPA:
X1
12V_25W
Q1
IRFZ44N
R1
10
GND
C1
100nF
C4
100nF
U1
8
VCC
D2
1N4001GP
Figura 3.
CUARTA ETAPA:
La etapa final es unir cada una de las etapas
anteriores (Figura 4). Se implementa el PWM y
se acondiciona un transistor Mosfet de alta
potencia para evitar prdidas por temperatura.
Se conecta el acondicionamiento al sensor es
decir un amplificador no inversor para la toma de
datos.
Para minimizar el ruido y poder observar la
seal lo mejor posible, se utiliz la tcnica de
trenzar los cables de la fuente y utilizar
Figura 4.
Tabla 1.
G ( s )=
K
s+1
Donde K es la ganancia y
es la constante de
tiempo.
A partir de las grficas obtenidas en la prctica,
podemos deducir que se trata de un sistema de
primer orden con un nivel DC producto de la
temperatura ambiente, partiendo de este hecho
se plantea el siguiente diagrama de bloques:
Figura 5.
Con Vin=12V
Figura 7.
Decimos que
H ( s )=Y ( s )+
TA
s
Entonces
Figura 6.
Y ( s )=H ( s )
Si tomamos
TA
Y (s )
K
K
=
Y ( s )=
U (s)
s
s+1
U ( s ) s+1
U ( s )=
a
s , donde es igual a la
Y ( s )=
K a
s+1 s
G ( s )=
y (t )=ak (1e )
Si
se tiene que
6.51.26
+2.5
135 S +1
y ( )=ak ( 10 )=ak
k=
T T A
a
T =10.113
T A =2.5
Entonces K es igual a:
k=
10.1132.5
=1.2688
6
Figura 8.
y ( )=Ka0.63+2.5=7.2961 Entonces
para
este valor:
=135
(s)
1.268
135
Tabla 2.
RANGO
SISTEMA
DE
FUNCIONAMIENTO
DEL
IV.
-
CONCLUSIONES
V.
REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS