INFORME DE LABORATORIO

TEMA: SEMICONDUCTORES: DIODOS

1. OBJETIVOS:

Conocer las propiedades de los Semiconductores.

Explicar el comportamientos de la unin P-N
Caractersticas de un diodo semiconductor, tanto en el sentido de conduccin
como en el sentido de bloqueo.

2. MARCO TEORICO:

Los diodos rectificadores son dispositivos electrnicos que se utilizan

para controlar la direccin del flujo de corriente en un circuito
elctrico. Dos materiales comnmente utilizados para los diodos son
el germanio y el silicio. Mientras que ambos diodos realizan funciones
similares, existen ciertas diferencias entre los dos que deben ser
tomadas en consideracin antes de instalar uno u otro en un circuito
electrnico.

DIODOS DE SILICIO
La construccin de un diodo de silicio comienza con silicio purificado.
Cada lado del diodo se implanta con impurezas (boro en el lado del
nodo y arsnico o fsforo en el lado del ctodo), y la articulacin
donde las impurezas se unen se llama la "unin pn". Los diodos de
silicio tienen un voltaje de polarizacin directa de 0,7 voltios. Una vez
que el diferencial de voltaje entre el nodo y el ctodo alcanza los 0,7
voltios, el diodo empezar a conducir la corriente elctrica a travs de
su unin pn. Cuando el diferencial de voltaje cae a menos de 0,7
voltios, la unin pn detendr la conduccin de la corriente elctrica, y
el diodo dejar de funcionar como una va elctrica. Debido a que el
silicio es relativamente fcil y barato de obtener y procesar, los
diodos de silicio son ms frecuentes que los diodos de germanio.
DIODOS DE GERMANIO
Los diodos de germanio se fabrican de una manera similar a los
diodos de silicio. Los diodos de germanio tambin utilizan una unin
pn y se implantan con las mismas impurezas que los diodos de silicio.
Sin embargo los diodos de germanio, tienen una tensin de

polarizacin directa de 0,3 voltios. El germanio es un material poco

comn que se encuentra generalmente junto con depsitos de cobre,
de plomo o de plata. Debido a su rareza, el germanio es ms caro, por
lo que los diodos de germanio son ms difciles de encontrar (y a
veces ms caros) que los diodos de silicio.
3.

MATERIALES Y EQUIPO
Tablero de Circuitos Elctricos
Fuente de Tensin
Voltmetros CC
Ampermetros CC
Multmetro
Resistencias fijas y variables
Diodo de germanio, zinc y zener

4. PROCEDIMIENTO:
4.1.Para determinar la caracterstica de conduccin del diodo utilice el
siguiente circuito elctrico en donde al diodo se le aplica una tensin
en el sentido de conduccin.
4.2.Mantenga la resistencia de carga en su mximo valor y fije los
instrumentos de medicin en el tablero que contiene el circuito
elctrico.
4.3.Vare la tensin de entradas en pasos de 1 voltio y determine la cada
de tensin directa en el diodo, mida tambin la corriente de entrada,
la corriente directa que atraviesa el diodo y la tensin de salida.
Trabaje primero con el diodo de germanio, silicio y zener.
4.4.Para definir la caracterstica de bloqueo del diodo, conmute la
polaridad del circuito y mida los mismos parmetros fsicos,
mencionados anteriormente.
4.5.Registro de datos en la hoja tcnica.
5. TABULACION DE DATOS:
Diodo: Silicio

CONDUCCIN

Tensin de entrada: V
Ue
Corriente de entrada: mA
Ie
Tensin de diodo: Ud V

19

47

73

115

165

0,502

0,620

0,670

0,710

0,745

Corriente del diodo: mA

Id
Tensin de salida: Us V

3,8

26

50

85

140

0,57

0,69

0,76

0,83

0,90

Diodo: Silicio
Tensin de entrada:
Ue
Corriente de entrada:
Ie
Tensin de diodo: Ud
Corriente del diodo:
Id
Tensin de salida: Us

Diodo: Zener
Tensin de entrada:
Ue
Corriente de entrada:
Ie
Tensin de diodo: Ud
Corriente del diodo:
Id
Tensin de salida: Us

Diodo: Zener
Tensin de entrada:
Ue
Corriente de entrada:
Ie
Tensin de diodo: Ud
Corriente del diodo:
Id
Tensin de salida: Us

BLOQUEO
V

-1

-2

-3

-4

-5

mA

-14

-30

-44

-58

-70

V
mA

-0,62
0

-1,25
0

-1,87
0

-2,48
0

-2,99
0

-0,62

-1,25

-1,87

-2,48

-2,99

mA

18

46

74

115

165

V
mA

0,533
2,8

0,690
26

0,752
50

0,790
84

0,815
135

0,55

0,72

0,82

0,90

0,97

-1

-2

-3

-4

-5

mA

-16

-30

-44

-58

-70

V
mA

-0,661
0

-1,24
0

-1,875
0

-2,5
0

-3
0

-0,661

-1,24

-1,875

-2,5

-3

CONDUCCIN

BLOQUEO

6. PREGUNTAS.
A. Construya en sendos grficos las caractersticas de conductor
y bloqueo tanto para el diodo de germanio, silicio y zener.
Desarrolle los anlisis fsicos necesarios
Diodo:
CONDUCCIN
Tensin
de V
diodo: Ud
Corriente
del mA
diodo: Id
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

Silicio
0,5
02
3,8

1.1

0,6
20
26

0,6
70
50

0,7
10
85

0,7
45
140

1.2

La Tensin del diodo es directamente proporcional a la Corriente del

V(
mismo, y la grfica tiene la tendencia a ser una curva a medida que
existe mayor tensin existe mayor corriente
Diodo:
BLOQUEO
Tensin
diodo: Ud
Corriente
diodo: Id

Silicio
de V

del m
A

-0,62 1,2
5
0
0
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0

-7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

1,8
7
0

2,4
8
0

2,9
9
0

La Tensin del diodo constante y negativa mientras la Corriente del

mismo es cero, Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este
conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de
un determinado valor de la tensin, en el diodo normal o de unin
abrupta

Diodo:
CONDUCCIN
Tensin
de V
diodo: Ud
Corriente
del m
diodo: Id
A

Zener
0,53
3
2,8

0,69 0,75 0,79 0,81

0
2
0
5
26
50
84
135

300
250
200
150
100
50
0
0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

La Tensin del diodo es directamente proporcional a la Corriente

del mismo, y la grfica tiene la tendencia a ser una curva a medida
que existe mayor tensin existe mayor corriente.
V(
Diodo:
BLOQUEO
Tensin
diodo: Ud
Corriente
diodo: Id

Zener
de V

del m
A

0,66
1
0

1,2
4
0

1,87
5
0

2,
5
0

-3

1
0.8
0.6
0.4
0.2
-7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

0
0

La
Tensin
del
diodo
constante y negativa mientras la Corriente del mismo es cero,
Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la
corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un
determinado valor de la tensin, en el diodo normal o de unin
abrupta.

B.- Realice un grfico Tensin de salida- Tensin de entrada

para cada diodo, tanto para sentido de conduccin como de
bloqueo, anote las observaciones necesarias.
Diodo:
CONDUCCIN
Tensin
de Eje
salida: Us
y
Tensin
de Eje
entrada: Ue
x

Silicio
0,5
7
1

0,6
9
2

0,7
6
3

0,8
3
4

0,9
0
5

12
10
8
6
4
2
0
0

9 10

La Tensin de salida es directamente proporcional a la Tensin de

entrada, y la grfica tiene la tendencia a ser una curva a medida que
existe mayor tensin de salida existe mayor tensin de entrada.

Diodo:
BLOQUEO
Tensin
salida: Us

Silicio
de V

Tensin
entrada: Ue

de V

-0,62 1,2
5
-1
-2

1,8
7
-3

2,4
8
-4

2,9
9
-5

12
10
8
6
4
2
0
-10 -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0

La Tensin de salida

es directamente proporcional a la Tensin de

entrada, y la grfica tiene la tendencia a ser una curva a medida que

existe menor tensin de salida existe menor tensin de entrada.
Diodo:
CONDUCCIN
Tensin
de V
entrada: Ue
Tensin
de V
salida: Us

Zener
1

0,55

0,7
2

0,8
2

0,9
0

0,9
7

12
10
8
6
4
2
0
0

9 10

La Tensin de salida es
directamente proporcional a la Tensin de entrada, y la grfica
tiene la tendencia a ser una curva a medida que existe mayor
tensin existe mayor corriente.

Diodo:
BLOQUEO
Tensin
entrada: Ue
Tensin
salida: Us

Zener
de V

-1

-2

-3

-4

-5

de V

0,66
1

1,2
4

1,87
5

2,
5

-3

12
10
8
6
4
2
0
-10 -9

-8

-7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

La Tensin de salida es directamente proporcional a la Tensin de

entrada, y la grfica tiene la tendencia a ser una curva a medida que
existe menor tensin existe menor corriente

C.- Grafique corriente de diodo- Corriente de entrada,

considerando el sentido de conduccin como de bloqueo, para
cada diodo
Diodo:
CONDUCCIN
Corriente
de mA
entrada: Ie
Corriente
del mA
diodo: Id

Silicio
19

47

73

3,8

26

50
Us(V)

La Corriente de salida
es
directamente proporcional a la
Corriente de entrada, y la grfica
tiene la tendencia a ser una curva
a medida que existe mayor
corriente de de salida existe mayor
corriente de entrada.

115

165

85

140

Diodo:
BLOQUEO
Corriente
de m -14
entrada: Ie
A
Corriente
del m 0
diodo: Id
A
La Corriente del diodo es constante
y toma valores negativos mientras
la Corriente de entrada es cero, no
existe corriente de entrada solo de
salida es por lo que se caracteriza el
bloqueo del diodo semiconductor.

Diodo:
CONDUCCIN
Corriente
de m
entrada: Ie
A
Corriente
del m
diodo: Id
A

Silicio
-30

-44

-58

-70

Zener
18

46

74

115

165

2,8

26

50

84

135

La Corriente de salida es
directamente proporcional
a la Corriente de entrada,
y la grfica tiene la
tendencia a ser una curva
a medida que existe mayor
corriente de de salida
existe mayor corriente de
entrada.

Diodo:
BLOQUEO
Corriente
entrada: Ie
Corriente
diodo: Id

Zener
de m
A
del m
A

-16

-30

-44

58
0

-70
0

La Corriente del diodo es

constante y toma valores
negativos
mientras
la
Corriente de entrada es
cero, no existe corriente
de entrada solo de salida
es
por
lo
que
se
caracteriza el bloqueo del
diodo semiconductor.

D.-Relacione la
ecuacin.
e
( eUd /kt1)
Id =Io

curva

de

conduccin

bloqueo

con

la

Id=Corriente del diodo

Io=Corriente de saturacin equivalente a la corriente inversa
e=Carga de electrn
Ud=Tensin del diodo
K=Constante de Boltzman
T=Temperatura absoluta
E.- Explique como el aumento de temperatura de la unin P-N
modificara los grficos anteriores.
Diodo rectificador: Su construccin est basada en la unin PN siendo
su principal aplicacin como rectificadores. Este tipo de diodos
soportan elevadas temperaturas (hasta 200C en la unin), siendo su
resistencia muy baja y la corriente en tensin inversa muy pequea.

Las resistencias de coeficiente trmico positivo, las PTC, que

aumentan su resistencia a medida que aumentan la
temperatura. Son semiconductores extrnsecos, en los que la
movilidad de los portadores disminuye a medida que aumenta
la temperatura.

Las resistencias de coeficiente trmico negativo, las NTC, que

reducen su resistencia a medida que aumenta la temperatura.
Son semiconductores intrsecos, que aumentan enormemente el
nmero de portadores con la temperatura.

F.- Cuales son los parmetros ms comunes que identifican a

los diodos que usted ha utilizado, explique en qu consisten.
Cree que se ha rebasado los lmites tcnicos.

Uno de los parmetros importantes para el diodo es la resistencia en

el punto o regin de operacin. Si consideramos la regin definida por
la direccin de ID y la polaridad de VD en la figura 1.1.a (cuadrante
superior derecho de la figura 1.1.b), encontraremos que el valor de la
resistencia directa RF, de acuerdo a como se define con la ley de Ohm
esv

(Corto circuito)
Donde VF es el voltaje de polarizacin directo a travs del diodo
e IF es la corriente en sentido directo a travs del diodo.
El diodo ideal, por consiguiente, es un corto circuito para la regin de
conduccin.

G.- Analice la resistencia

conduccin y en el bloqueo

del

diodo

en

el

sentido

de

Tanto la resistencia en directa como en inversa dependen en los

diodos de la corriente que se encuentra circulando por los mismos ya
que su caracterstica no es lineal, sino que son funcin de su curva
caracterstica.
H.- En que se diferencia los electrones libres de los de
valencia. Cmo participan ellos en los semiconductores para
efecto de conductividad
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad
elctrica inferior a la de un conductor metlico pero superior a la de
un buen aislante. El semiconductor ms utilizado es el silicio, que es
el elemento ms abundante en la naturaleza, despus del oxgeno.
Otros semiconductores son el germanio y el selenio. Los tomos de
silicio tienen su orbital externo incompleto con slo cuatro electrones,
denominados electrones de valencia.

I.- En los semiconductores se utiliz el trmino hueco como si

fuese una partcula autnoma y se mueven en la direccin de
la intensidad del campo elctrico Realmente existen? Cmo
se explican?
Un hueco de electrn, o simplemente hueco, es la ausencia de
un electrn en la banda de valencia . Tal banda de valencia estara
normalmente
completa
sin
el
"hueco".
Una
banda
de
valencia completa es
caracterstica
de
los aislantes y
de
los semiconductores. El hueco de electrn es, junto al electrn,
entendido como uno de los portadores de carga que contribuyen al
paso de corriente elctrica en los semiconductores.
J.-La recombinacin es un proceso opuesto a la formacin de
pares, como tal no contribuye a la conductividad, sin embargo
es un proceso importante en los semiconductores Por qu?
Los semiconductores en s no presentan propiedades prcticas, por
esto se los contamina para darles alguna propiedad especial, como
alterar la probabilidad de ocupacin de las bandas de energa, crear
centros de recombinacin, y otros.
Por ejemplo, en un cristal de silicio o de germanio, dopado con
elementos pentavalentes (As, P o Sb); al tener stos elementos 5
electrones en la ltima capa, resultar que al formarse la estructura
cristalina, el quinto electrn no estar ligado en ningn enlace
covalente, encontrndose, an sin estar libre, en un nivel energtico
superior a los cuatro restantes.

As, en el semiconductor aparecer una mayor cantidad de electrones

que de huecos; por ello se dice que los electrones son
los portadores mayoritarios de la energa elctrica y puesto que este
excedente de electrones procede de las impurezas pentavalentes, a
stas se las llama donadoras.

K.-Cmo interviene los niveles de Fermi para explicar la

conductividad de los semiconductores?
En los semiconductores, el nivel de Fermi estar forzosamente la
banda prohibida entre la de conduccin y la de valencia. La Energa
de Fermi es la energa del nivel ms alto ocupado por un sistema
cuntico a temperatura cero.
Un conductor debe tener cargas libres, para que estas al moverse,
generen una corriente elctrica, estas cargas libres son los
conductores, y en que en un material sea mejor o peor conductor,
tambin influye la temperatura, pues a una alta temperatura se le da
ms energa al material, y esto energa permite que ya haya ms
cargas libres ocupando ms estados.
L.-Usted habr observado que el diodo zener, tiene
caractersticas particulares que la diferencian de los diodos
comunes. Cules son? Podrn ser estas propiedades tiles
para estabilizar una fuente de Tensin. Cmo?
El tipo de diodo, llamado Zener, cuyas caractersticas en polarizacin
directa son similares a las de otros diodos, pero que en polarizacin
inversa se comporta de manera distinta, lo que le permite tener una
serie de aplicaciones

Cuando el diodo esta polarizado inversamente, una pequea corriente

circula por l, llamada corriente de saturacin Is, esta corriente
permanece relativamente constante mientras aumentamos la tensin
inversa hasta que el valor de sta alcanza Vz, llamada tensin Zener,
para la cual el diodo entra en la regin de colapso. La corriente
empieza a incrementarse rpidamente por el efecto avalancha.
CONCLUSIONES:
Todos los diodos conducen cuando se encuentran en
polarizacin directa; es debido al tipo de material con que estn
construidos
La funcin principal de un diodo es dejar pasar la corriente en
una sola direccin.

 El diodo solamente conduce cuando est correctamente

polarizado y a partir de una tensin determinada.
Un diodo lo reconoceremos como un componente normalmente
pequeo, tambin los hay para altas potencias y de diferentes
tamaos
BIBLIOGRAFIA:
http://www.uv.es/candid/docencia/ed_prac04.pdf
http://es.answers.yahoo.com/question/index?
qid=20100714145728AAteg5v
https://www.google.com.ec/search?q=diodosDiodo_pnPolarizaci
%2525C3%2525B3n_directa.PNG
http://www.ehowenespanol.com/caracteristicas-del-diodogermanio-del-diodo-silicio-lista_153695/
http://roble.pntic.mec.es/jlop0164/archivos/diodo.pdf
www.asifunciona.com/fisica/af_diodos/af_diodos_6.htm