Diodo de unin PN polarizado

La unin p-n est polarizada directamente cuando a la regin p se le

aplica un potencial mayor que a la regin n. Para ello, tal y como se
ve, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo
(zona p) y el polo negativo al ctodo (zona n).

Aqu tenemos un voltaje de polarizacin Vp= + 0.7V vemos que: la

Barrera de Energa Potencial en la UNION, es nfima o no existe, la
Carga Espacial es MINIMA, el Campo Elctrico es prcticamente
NULO, la conduccin de Portadores es por ARRASTRE y es MAXIMA,
la conduccin de Portadores por Difusin es MINIMA.

En estas condiciones podemos observar los siguientes efectos:

Los huecos de la regin p y los electrones de la regin n son
empujados hacia la unin por el campo elctrico Epol a que da
lugar la polarizacin. Por lo tanto, se reduce la anchura de la
zona de transicin.
El campo elctrico de la polarizacin Epol se opone al de la
unin Eu. As, se reduce el campo elctrico de la unin y,
consecuentemente, la barrera de potencial. Recordar que,
como vimos en el Tema 4, la barrera de potencial sin
polarizacin es VJ=Vo.
Con la polarizacin directa de la unin p-n se reduce en la
forma VJ=Vo-V, siendo V la tensin directa aplicada a dicha
unin.

La ley de Shockley
Aqu tenemos un voltaje de polarizacin Vp= - 0.4V vemos que: la
Barrera de Energa Potencial en la UNION, es MAYOR, hay un FLUJO de
ambos PORTADORES de uno hacia el otro la CONCENTRACION de
PORTADORES MINORITARIOS es MINIMA; AZUL = electrones y ROJO =

huecos, la conduccin de Portadores es mayormente por Difusin, las

CORRIENTES NEGATIVAS exponenciales son por tramos y segn
corresponda, en la UNION misma, las corrientes negativas son
constantes y similares.

Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos

estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia.
No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky. Est formado
por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas
alternadamente. Es un tipo de tiristor.

La caracterstica V-I se muestra en la figura. La regin I es la regin

de alta impedancia (OFF) y la III, la regin de baja impedancia. Para
pasar del estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta
alcanzar Vs, tensin de conmutacin. La impedancia del diodo
desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese
se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo
equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado OFF, se
disminuye la corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el
diodo aumenta su impedancia, reduciendo ,todava ms la corriente,
mientras aumenta la tensin en sus terminales ,cruzando la regin II,
hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I(Punto A).

Conmutacin del diodo

 En este applet se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo

cambiar la tensin aplicada en sus bornas de positiva a
negativa y viceversa. Para ello se dispone del esquema de un
circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y otra
negativa) y un conmutador, un circuito de polarizacin (que
incluye una resistencia) y un diodo de unin.
Este esquema se sita en la parte superior derecha del applet
y se puede conmutar entre tensiones haciendo "click" con el
ratn en la zona entre las dos fuentes de tensin. Al iniciar la
aplicacin aparecer un mensaje y una flecha que seala la
mencionada zona sensible.

El usuario puede modificar todos los parmetros del circuito

presionando el botn del panel superior con el texto "Parmetros
circuito". Al presionarlo aparecer una ventana con tres campos
editables donde se pueden introducir los valores numricos
deseados para la tensin directa (VF), la tensin inversa (VR) y la
resistencia de polarizacin (R). Tras introducir los nuevos valores es
necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de los parmetros
del circuito para que tengan efecto los cambios. Debajo del circuito
aparecen cuatro grficas que varan en el tiempo y donde se
presentan los parmetros ms importantes que controlan el

comportamiento del diodo. La

primera grfica representa la
tensin seleccionada en el circuito;
la segunda la corriente que circula
por el diodo; la tercera la carga
acumulada en las zonas neutras del
diodo (aplicando la aproximacin de
diodo asimtrico) y la ltima grfica
es la tensin que cae en bornas del
diodo.
Esta cuatro grficas se van
actualizando en el tiempo y se irn
desplazando hacia la derecha
conforme avance el tiempo .En la
parte superior de la derecha del
programa aparecen las ecuaciones
que rigen el comportamiento del
diodo en el experimento que se
simula. Se muestran las ecuaciones
literales para la carga del diodo, la
tensin en bornas del diodo y para
los perfiles de los minoritarios en el
nodo y al ctodo. Justo debajo de
cada una de estas ecuaciones se muestran las mismas pero
sustituyendo cada variable por al valor actual que tiene en la
simulacin. Algunos de los parmetros son constantes en el tiempo
(hasta que se modifican por parte del usuario), pero otros se
modifican instantneamente conforme evoluciona el tiempo.
Tambin, a la derecha de las grficas, se muestran los valores
instantneos para estas funciones temporales.