Universidad de Cundinamarca Informe Laboratorio N8 Electronica I

AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR BJT

UNIVERSIDAD DE CUNDINAMARCA
Cristian Arnulfo Arias, cristian1996arias@hotmail.com
Cristian Nicols Hurtado, nicrihumar@hotmail.com
Cristian Camilo Montaa, cami-9407@hotmail.com

Resumen
En el laboratorio se usaran un transistor
con unas resistencias y condensadores
para hacer una polarizacin por divisor
de tencion con el cual se creara un
amplificador de voltaje.
PALABRAS CLAVE: resistencias, fuente,
protoboard, multmetro, transistor y amplificador
de voltaje.
I .INTRODUCCIN
En la prctica montaremos un amplificador
de voltaje y comprobaremos que los clculos
y las simulaciones estn dentro del error
estndar permitido.
OBJETIVO GENERAL:
A. Realizar los clculos tericos, simular y
realizar el montaje del circuito.
B. Determinar y graficar las caractersticas de
ganancia de voltaje de la configuracin dada.
II. MARCO TERICO
Transistor de unin bipolar
El transistor de unin bipolar (del ingls
Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT)
es un dispositivo electrnico de estado slido
consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre s, que permite controlar el paso de la
corriente a travs de sus terminales. La
denominacin de bipolar se debe a que la
conduccin
tiene
lugar
gracias
al
desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran
nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores
ms conocidos y se usan generalmente en

electrnica analgica aunque tambin en

algunas aplicaciones de electrnica digital,
como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado
por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin
muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por
estar fuertemente dopada, comportndose
como un metal. Su nombre se debe a que
esta terminal funciona como emisor de
portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que
separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
La tcnica de fabricacin ms comn es la
deposicin epitaxial. En su funcionamiento
normal, la unin base-emisor est polarizada
en directa, mientras que la base-colector en
inversa. Los portadores de carga emitidos
por el emisor atraviesan la base, porque es
muy angosta, hay poca recombinacin de
portadores, y la mayora pasa al colector. El
transistor posee tres estados de operacin:
estado de corte, estado de saturacin y
estado de actividad.
Tipos de Transistor de Unin Bipolar
NPN

NPN es uno de los dos tipos de transistores

bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se
refieren a los portadores de carga
mayoritarios dentro de las diferentes regiones
del transistor. La mayora de los transistores
bipolares usados hoy en da son NPN,
debido a que la movilidad del electrn es

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mayor que la movilidad de los "huecos" en
los semiconductores, permitiendo mayores
corrientes y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa
de material semiconductor dopado P (la
"base") entre dos capas de material dopado
N. Una pequea corriente ingresando a la
base en configuracin emisor-comn es
amplificada en la salida del colector.

Equipo: multmetro digital.

Osciloscopio. Generador de seal.
IV. DISEO DE LA PRCTICA

La flecha en el smbolo del transistor NPN

est en la terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional
circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.
Transistor NPN
En la imagen, se tiene un transistor de NPN
cuyo punto Q de funcionamiento en continua
es desconocido. Se debe calcular dicho
punto Q y calcularlo en la RCE.
1 Paso:
Ib = (Vbb - 0,7)/Rb
Reemplazando los datos:
Ib = (5V - 0,7)/500 = 0,0086 mA
2 Paso:
Ic = .Ib = 100 * 0,0086 = 0,8 mA
3 Paso:
Vce = Vcc - Rc.Ic = 12 - 0,8 * 2 = 10,4 V
En este grfico se muestra el resultado
obtenido, con Vcc/Rc indicando el 6 mA en la
recta de la Intensidad, y Vce indicando la
Tensin necesaria para polarizar al transistor
III. MATERIALES

COMPONENTES ELECTRICOS:
Resistores: 1.2K,2.2K3.9K(2),10K,47K ;
capacitores 1F(2),10F.
Semiconductores: 2N3904 .
INSTRUMENTACION:
Fuente de alimentacin: fuente de cd,
voltaje bajo, variable y regulada.

V. PROCEDIMIENTOS, RESLUTADOS Y
SIMULACIONES

PLANTEAMIENTO Y PROCEDIMIENTO:
1. Arme el circuito de la figura 1. Mida los
voltajes de polarizacin en DC, sin conectar el
generador de seales. Realice una tabla para tomar
estos datos.
Resistencias
VCE
VBE
VBC

=
=
=
=

3.9k
3.9V
0.64V
3.2V

47k
4.3V
0.63V
4.29V

2. Conecte el generador de seales, y aplique una

seal de 20mvpp
3. Con el osciloscopio tome los las grficas del
voltaje de entrada y salida del circuito.

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Con estos resultados de parte terica como

de parte prctica se puede dar como correcta
la forma terica o mejor se pude comprobar
esta por medio de la prctica. Como se
puede observar en los resultados estn dan
precisos o se encuentran dentro del margen
de error.
VII. CONCLUSIONES
-

Se comprueba que la ayuda del

simulador es efectiva ya que gracias
a este se puede saber de forma
rpido los resultados y as poder
comparar la forma terica con la
practica

Comprensin y mejor manejo de

implementos de laboratorio con los
cuales se comprob y se mir de que
forma fue que estas ecuaciones
resultaron o dieron resultado a
respuestas positivas.
VIII. REFERENCIAS

VI. ANALISIS

es.wikipedia.org/wiki/Transistor

http://www.areatecnologia.com/TUTO
RIALES/EL%20TRANSISTOR.htm
http://iesvillalbahervastecnologia.files
.wordpress.com/2008/04/transistores.
pdf
Electronica teora de los circuitos y
dispositivos electrnicos de Rober L.
Boylestad