Transistor Ess

UNIVERSIDAD
TECNOLGICA NACIONAL
DPTO. ING. ELECTROMECNICA
CTEDRA:
ELECTRNICA INDUSTRIAL
TEMA:
TRANSISTORES
AO
Realiz: Fernando Luciani
2003
Corrigi: Ing. Jorge Amigo
UNIVERSIDAD TECNOLGICA NACIONAL

TRANSISTORES
Introduccin:
Los transistores bipolares, de unin o juntura que sern tema del presente apunte reciben su
nombre, transistor, de la contraccin de las palabras inglesas transfer (transferencia) y resistor
(resistencia). Fueron creados por los cientficos norteamericanos W. Shockley, J. Bardeen y W.H.
Brattain en 1948 y bajo los auspicios de los Laboratorios Bell.
El transistor es un conjunto de tres materiales semiconductores extrnsicos que se ubican en un solo
monocristal constituyendo dos uniones o junturas, este elemento as constituido tiene las
propiedades de amplificar corrientes.
Teniendo en cuenta que existen dos tipos de materiales semiconductores extrnsecos, los materiales
semiconductores tipo P y los tipo N, existirn dos tipos distintos de transistores: los NPN y los PNP,
que son las nicas alternativas posibles para que mediante tres materiales de dos tipos distintos se
puedan obtener dos junturas.
Los transistores NPN y los PNP pueden ser indistintamente de Germanio o de Silicio.
Mecnica de funcionamiento de los transistores NPN
A los fines de fijar la mecnica de funcionamiento de los transistores analizaremos el
comportamiento de un transistor NPN.
En la figura 1 se indica el estado en el cual se hallan las uniones del transistor NPN a una
temperatura superior a los 0K ( cero grado absoluto), en efecton una vez constituido el monocristal,
por efecto trmico se generan corrientes de difusin en las junturas y en el entorno de las mismas se
constituyen dos regiones de agotamiento o rarefaccin, una en el entorno de cada una de las
uniones.
Figura 1
Observemos que los terminales del monocristal se encuentran levantados, es decir, sin ninguna
polarizacin externa.
Si se aplican polarizaciones externas se producirn algunos efectos simultneos pero que podemos
pensarlos como si ocurrieran en momentos distintos.
Estos efectos son: si polarizamos una de las uniones del transistor en sentido directo y a la otra de
las junturas en sentido inverso, la regin de agotamiento de la unin polarizada en sentido directo se
angosta y la regin de agotamiento de la juntura polarizada en sentido inverso se ensancha.
-1-
FACULTAD REGIONAL VENADO TUERTO

La figura 2 muestra este primer efecto, siendo VEE la fuente de corriente continua que polariza a la
unin en sentido directo y la resistencia RE limita la corriente que circula por este diodo, la fuente
VCC polariza en sentido inverso a la otra unin PN, y la resistencia RC limita la corriente que circula
por este diodo polarizado en sentido inverso.
Figura 2 (primer efecto)

El elemento N de la juntura polariza en directa la llamaremos EMISOR, y el cristal semiconductor
tipo N de la juntura polarizada en sentido inverso lo denominaremos COLECTOR y al elemento de
nombre distinto, P, lo llamaremos BASE.
De esta manera podemos decir que en el monocristal semiconductor extrnseco denominado
transistor hemos polarizado en directa la juntura EMISOR-BASE y en sentido inverso a la unin
COLECTOR-BASE.
El segundo efecto que podemos distinguir es la generacin de una corriente, en efecto, los
electrones que se encuentran en exceso en el emisor sern repelidos por el potencial negativo de la
fuente VEE , atravesarn la regin de agotamiento del diodo COLECTOR-BASE polarizado en
sentido inverso.
Esta parte ser la mayoritaria pues constructivamente la base es poca dopada y suficientemente
delgada como para que los electrones de mayor energa se internen rpidamente en la regin de
rarefaccin COLECTOR-BASE.
Apenas los electrones se internan en la regin de agotamiento COLECTOR-BASE se ven
acelerados por los iones (+) de la regin de rarefaccin y a medida que ms se internan, ms se
aceleran pues ms se acercan al potencial positivo de la batera COLECTOR-BASE, VCC .
Para que los efectos descriptos puedan tener lugar, el terminal de la BASE debe ser positivo
respecto del EMISOR, pero debe ser negativo respecto de COLECTOR.
Como no todos los electrones que parten del EMISOR arriban al COLECTOR, podemos escribir la
ecuacin 1, que liga la corriente de electrones de emisor con la corriente de electrones de
COLECTOR, siendo un coeficiente menor que la unidad, cercano a ella pero menor.
I C = I E
(ecuacin 1)
En la figura 3 puede verse la circulacin de los electrones que se denominan portadores

mayoritarios del transistor porque en l, en su conjunto, hay mayor cantidad de electrones que de
lagunas.
-2-

En sentido contrario se producir el movimiento aparente de las lagunas o huecos que se
denominar corriente de portadores minoritarios.
Como puede verse la conduccin se hace con electrones en un sentido y huecos en el otro. De aqu
el transistor tomo su nombre de bipolar porque la conduccin se hace por dos tipos de portadores de
distinto signo que pueden asemejarse a las polaridades de un imn, a los polos de un imn.
Figura 3 (segundo efecto)

La corriente de electrones que hemos observado en la figura 3 ingresa por el emisor y egresa
parte por la base y la mayor parte por el colector, pero como exteriormente siempre hemos
representado las corrientes convencionales o positivas, vemos en la figura 4 que la corriente de
emisor sale del transistor.
De lo dicho en ltimo trmino y teniendo en cuenta que en el transistor no existen puntos
sumideros, la suma de las corrientes que ingresan deben ser iguales a la suma de las corrientes que
egresan y esto se expresa a travs de la ecuacin 2.
I E = IC + I B
(ecuacin 2)
Figura 4 (sentidos exteriores de las corrientes)

La ecuacin 1 es incompleta pues la corriente que parte del emisor y arriba al colector se ve
reforzada por la corriente de saturacin inversa que se genera por portadores minoritarios de cada
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material en la unin polarizada en inversa. Estos portadores son minoritarios pues electrones parten
del material P y para el semiconductor extrnseco tipo P, los electrones son portadores minoritarios.
En la figura 5 se pone de manifiesto esto que hemos expresado y en la ecuacin 3 se tiene en cuenta
la superposicin del efecto de la corriente de emisor y de la corriente de saturacin inversa en la
corriente de colector.
IC = * I E + I B
(ecuacin 3)
Figura 5(esquema del transistor indicndose la corriente de saturacin inversa)

Ganancia de corriente en la configuracin base comn ( )
El del transistor se denomina ganancia de corriente en configuracin base comn. Su valor
normalmente es menor que la unidad pero cercano a la misma, oscilando entre 0,997 a 0,97. Existen
transistores de mayor que la unidad pero son un caso especial.
De la ecuacin 3 es fcil deducir que:
IC I S
IE
Expresin 1
Como la corriente de saturacin I S es normalmente del orden de los microamperios y la corriente

de colector del orden de los miliamperios o mayor, podemos escribir:
IC
IE
Expresin 2
o en trminos incrementales y con temperatura constante
I C
I E
Expresin 3
-4-

El depende de algunos factores que solamente son controlables en el momento en el cual se est
construyendo el transistor como ser: el ancho de la base, si la base es grande se pierden muchos
portadores en ella, luego disminuye y viceversa, el dopado del emisor y el tamao del colector.
El depende tambin del material del transistor. Sobre estas dependencias volveremos ms
adelante.
A su vez la corriente del colector depende de la corriente de emisor controladamente y de la
temperatura descontroladamente, esto se puede ver a travs de la ecuacin 3, debidamente
completada:
I C = I E + I S (TJ )
Donde I E
debida al campo elctrico
I S (TJ ) debida a la ruptura de enlaces covalentes
A medida que la corriente de emisor sea mayor, mayor ser la corriente de colector.
Si observamos a la figura 5 podemos ver que las bateras de polarizacin se encuentran situadas
entre el emisor y la base y entre el colector y la base respectivamente, luego la base est
interviniendo como elemento comn de las dos bateras de polarizacin, en consecuencia, esta
manera de polarizar al trasistor se denomina base comn.
De aqu que el se denomine ganancia de corriente en base comn, y es oportuno aclarar el
trmino ganancia: cuando controlamos a la corriente de emisor hacindola mayor o menor tambin
controlamos o manejamos la corriente de colector hacindola en valor absoluto mayor o menor
respectivamente, es decir, que el trmino ganancia debera ser sustituido por ganancia de control
es menor que la unidad, consecuentemente, diramos vulgarmente que no hay ganancia.
Hemos dicho que el del transistor depende el ancho de la base y este ancho es el fsico, pero si
analizamos que sucede cuando polarizamos, con ayuda de la figura 6, vemoa que debido a la unin
polarizada en sentido inverso, la juntura base-colector, gran parte de la base deja de ser material
semiconductor extrnseco y pasa a ser regin de agotamiento, regin con cargas ionizadas unidas en
forma covalente a la estructura cristalina, es decir, aislante.
La parte de la base que queda fuera de la regin de agotamiento es el lugar fsico donde los
portadores que provienen del emisor se pueden recombinar, es decir, esa parte es el ancho real o
efectivo de la base.
Figura 6 (representacin del ancho fsico y del ancho efectivo de la base de un transistor)
-5-

Luego; el depende del ancho de la base, el ancho efectivo de la base depende de la tensin
aplicada entre colector y base, luego el depende de la tensin aplicada entre colector y base.
Esto nos permite sealar que la expresin 3 est incompleta, la completamos de la siguiente manera:
I C
VCB = cte. Esto indica un ancho de base determinado
I E
Cadas de tensin en el transisitorNPN

Si observamos la figura 7 podemos ver que la corriente de portadores mayoritarios que circula en el
transistor recorre en su trnsito desde el emisor hasta el colector regiones de distintas resistencias.
Primero recorre una regin de semiconductor dopado, luego una regin aislante que es la regin de
agotamiento de la unin emisor-base. Luego recorre el ancho efectivo de la base que es una regin
de semiconductor dopado.
Ms tarde la regin de agotamiento entre colector y base que es aislante y finalmente una regin de
semiconductor dopado.
Si despreciamos las resistencias de las regiones semiconductoras dopadas frente a las resistencias de
las regiones de agotamiento podemos pensar que las tensiones exteriores aplicadas caen en las
resistencias exteriores y en las regiones de agotamiento de las junturas y escribir en consecuencia
las ecuaciones 4 y 5, que son ecuaciones de Kircchoff de las mallas emisor-base y colectro-base
respectivamente.
Figura 7 (cadas de tensin en las junturas del transistor)

VEE = RE * I E + VBC
Ecuacin 4
VCC = RC * I C + VCB
Ecuacin 5
Diremos en consecuencia, que un transistor se halla polarizado cuando se hallan fijadas mediante
resistencias y bateras exteriores las corrientes de colector, emisor y base; y las cadas de tensin en
las uniones emisor-base y colector-base.
Las tensiones exteriores reciben el nombre de bateras de polarizacin y las resistencias exteriores
se llaman resistencias de polarizacin.
-6-

Observemos, finalmente, que la tensin emisor-base depende esencialmente del material del
transistor pues es la cada en un diodo polarizado en sentido directo. La tensin colector-base
depende esencialmente de los elementos de polarizacin externa pues es un diodo polarizado en
sentido inverso.
Fsica del transistor
Tericamente por lo visto hasta ahora las conexiones de emisor y colector podran intercambiarse y
el transistor funcionar exactamente igual, pero fsicamente el tamao del colector y del emisor no es
el mismo.
El colector es de mayor tamao que el emisor para poder recoger o colectar el mayor nmero
posible de portadores que el emisor emite.
Figura 8 (estructura fsica del transistor)

El cono de emisin que el colector generara si se intercambiaran las conexiones no sera colectado
totalmente por el emisor, es decir, el transistor funcionara como un transistor de menor.
Por otra parte la juntura emisor-base no resiste por su propia geometra tensiones elevadas que s
son resistidas por la unin colector-base tambin debido a la configuracin geomtrica.
Tampoco es conveniente intercambiar el colector con el emisor pues el emisor debido a que debe
emitir portadores debe ser ms dopado que el colector.
Smbolo fsico o convencional del transistor y polaridades relativas
Para que un transistor NPN est funcionando como transistor, la unin emisor-base debe estar
polarizada en sentido directo y la unin colector-base en sentido inverso. Para que esto suceda
deber cumplirse la siguiente escala:
Emisor
Base
Colector
Transistor NPN
el ms negativo
intermedia
el menos negativo
-7-

El smbolo convencional de un transistor NPN con indicacin de polaridades relativas y los sentidos
convencionales de corriente puede verse en la figura 9.
Figura 9 (smbolo convencional del transistor NPN con indicacin de los signos de las
polarizaciones relativas y los sentidos convencionales de corriente)
Transistores PNP: anlisis de funcionamiento
El transistor PNP en cuanto a su funcionamiento es similar al transistor NPN con la sola diferencia
que los portadores mayoritarios sern en este caso huecos o lagunas y que los portadores
minoritarios sern electrones.
La polarizacin del emisor deber ser ms positiva que la base para que la unin emisor-base quede
polarizada en directa, y la polarizacin colector deber ser ms negativa que la base para que la
unin colector-base quede polarizada en sentido inverso.
Fuera de estas diferencias todo lo dicho en el caso anterior vale cambiando donde dice lagunas por
electrones y viceversa, donde dice positivo por negativo y viceversa y donde dice P por N y
viceversa. Las ecuaciones deducidas en el caso anterior son vlidas y las consideraciones acerca del
tambin lo son.
Figura 10 (esquema del transistor PNP con indicacin de las corrientes de portadores mayoritarios,
minoritarios y de saturacin inversa, as como de las cadas de tensin en las uniones)
-8-
Figura 12 (esquema circuital equivalente de polarizacin con dos bateras de transistores NPN y
PNP en la configuracin base comn indicndose las cadas de tensin en las uniones y los
smbolos convencionales de circulacin de corrientes en las mallas)
Curvas caractersticas de los transistores
Si analizamos un circuito de polarizacin de un transistor PNP en la configuracin base comn tal
como ilustra la figura 13, podemos observar que en la malla de salida de la corriente, es decir, en la
malla base-colectror (BC), tenemos por definicin, un diodo que se encuentra polarizado en sentido
inverso, consecuentemente la relacin tensin-corriente de la juntura ser la misma que la existente
en un diodo polarizado en sentido inverso, es decir, circulando la corriente de saturacin inversa
Figura 13 (transistor PNP en configuracin base comn)

Pero teniendo en cuenta que si bien la juntura en s aporta tan solo dicha corriente (I S ) , por ese
mismo diodo polarizado en inversa circula parte de la corriente de emisor, en consecuencia la
corriente de colector, ser igual a la corriente de saturacin inversa en el caso particular que la
corriente de emisor sea igual a cero y si no su valor ser notoriamente mayor pues la corriente de
emisor es normalmente del orden de los microamperios. Este efecto en la grfica volt-amper se
traducira en un desplazamiento vertical de la caracterstica inversa del diodo CB y eso es lo que
pone de manifiesto la figura 14.
- 10 -
Figura 14 (curva caracterstica de la malla de salida de un transistor PNP)

La ecuacin 7 pone de manifiesto las relaciones entre I C e I E ' , en las ecuaciones caractersticas del
transistor.
Definiendo a las curvas caractersticas de un transistor como las relaciones que existen entre sus
parmetros caractersticos y entendiendo por estos a las cadas de tensin existentes en sus uniones
y las corrientes que circulan por ellas, debemos tratar de poner de manifiesto las relaciones que
existen entre otros parmetros caractersticos que constituyen el transistor, adems de la juntura BC,
caracterstica que denominaremos caractersticas de salida.
A travs de la figura 15 analizaremos las relaciones que existen entre la corriente de emisor I E y la
cada de tensin en la unin emisor-base (VEB ) .
Como puede verse en esta figura tenemos en la malla por donde entra la corriente al transistor,
llamndose en consecuencia malla de entrada, un diodo polarizado en sentido directo, luego su
caracterstica o su relacin VEB I E es el diodo polarizado en directa, esto es lo que pone de
manifiesto la figura 16.
Figura 15 (malla de entrada de un transistor PNP polarizado en la configuracin base comn)
- 11 -
Figura 16 (caracterstica de un diodo polarizado en sentido directo, que es la curva caracterstica de

entrada de un transistor)
Pero la curva caracterstica del diodo de entrada de la corriente que puede verse en la figura 16,
depende tanto del ancho de la parte P (semicoductor dopado con impureza aceptoras) como del
ancho de la parte N que lo constituyen, y el ancho de la parte N es el ancho efectivo de la base
y este depende de la polarizacin inversa (VCB ) de la unin colector-base tal como se muestra en la
figura 17. Consecuentemente la curva caracterstica del diodo que muestra la figura 16 es vlida
para
un valor particular de tensin colector-base, en la figura 18 se completa a la figura 16 con la
indicacin precisa de para que el valor de VCB dicha curva es vlida.
Figura 17 (modulacin del ancho de la base por la tensin VCB de polarizacin, efecto denominado
EFECTO EARLY)
- 12 -
Figura 18 (caracterstica de entrada de un transistor con indicacin de la tensin para la cual es

vlida)
Hemos tratado hasta ahora las caractersticas de cmo entra la corriente al transistor que podramos
denominarla curva caracterstica de entrada y hemos analizado como sale la corriente del transistor
que la denominaremos curva caracterstica de salida, pero como el transistor es un mono cristal, si
bien la salida es influenciada por la entrada, la entrada ser influenciada por la salida. Veamos esto
a travs de las figuras 19 y 20.
La figura 20a muestra a un cierto diodo con unas ciertas dimensiones fsicas en su parte N y en su
parte P. Para una determinada corriente de emisor de entrada la cada en el diodo ser igual a la
cada existente en la unin polarizada en directa ms la cada existente el lo largo de los materiales
semiconductores dopados.
Obviamente que si la barra semiconductora dopada se achica, para la misma corriente la cada ser
menor. La parte N de la barra en nuestro caso es el ancho efectivo de la base, di VCB crece la parte
N se achica. Lo dicho puede traducirse en la figura 19, indicndose en cada caso para que valor de
la tensin colector-base la caracterstica del diodo de entrada es vlida.
Figura 19 (distintas curvas caractersticas de entrada para los distintos valores de tensin colectorbase)
- 13 -
Figura 20 (tamaos distintos del diodo emisor-base para distintos VCB )

Aprovechando la figura 19 podramos trazar una curva de cmo vara la tensin emisor-base en
funcin de la tensin colector-base para valores de corriente de emisor constante y esto lo hacemos
en la figura 21. Esta curva podramos denominarla CURVA caracterstica de transferencia y como
la transferencia es de la salida sobre la entrada, la llamaremos de TRANSFERENCIA INVERSA.
VEB
VCB 3
VCB 2
VCB1
Figura 21 (Curva caracterstica de transferencia inversa de un transistor)

Finalmente podemos ver como vara la corriente de salida en funcin de la corriente de entrada. Esa
relacin est descripta en la ecuacin I C = I E + I S , en la cual I S depende de la temperatura y el
depende controladamente de la tensin VCB , luego para una determinada temperatura y para un
determinado que es lo mismo que decir para una determinada tensin colector-base, tendremos
que la ecuacin es la ecuacin de una recta cuya variable independiente es I E y cuya variable
dependiente I C , su ordenada de origen I S y su pendiente .Debido a que es la relacin entre la
corriente de entrada y la corriente de salida a esta recta la podramos llamar CURVA
CARACTERSTICA DE TRANSFERENCIA DIRECTA y representarla en la figura 22
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Figura 22 (curva caracterstica de transferencia directa)

En los manuales los fabricantes suelen suministrar las curvas de las figuras 14,18, 21,y 22 pero
sintetizadas en un solo par de ejes coordenados cartesianos ortogonales que es lo que se pone de
manifiesto en la figura 23. Obviamente que estas curvas son vlidas para una sola temperatura la
cual tiene que ser indicada.
Figura 23 (curvas caractersticas de un transistor)
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Como se fijan los signos de los ejes de las curvas caractersticas
Los signos de los ejes de las curvas caractersticas se colocan acorde a la teora de cuadripolos que
establece: en una caja negra las corrientes que ingresan son positivas y las corrientes
que
egresan son negativas . Las tensiones son positivas tanto de entrada como de salida siempre y
cuando el borne positivo sea el no comn o dicho de otra manera, cuando los bornes positivos sean
los superiores.
Figura 24 (cuadripolo y convencin de signos de corrientes y tensiones)

Acorde a la convencin adoptada veamos a travs de la figura 25 como son los ejes en la
configuracin base comn acorde al tipo de transistor:
IE
IC
VEB
VCB
ingresa luego es positiva

egresa luego es negativa
el emisor es ms positivo
que la base luego es positiva
el colector es ms negativo
que la base luego la tensin
es negativa
IE
IC
VBE
VCB
egresa luego es negativa

ingresa luego es positiva
el emisor es ms negativo
que la base luego la tensin es negativa
el colector es ms positivo que la base
luego la tensin es positiva
Figura 25 (el transistor considerado como cuadripolo)

Las conclusiones de la figura 25 nos llevan a replantear las curvas caractersticas que muestra la
figura 23, esta figura est incompleta, la figura 26 muestra caractersticas de coordenadas,
indicndose entre parntesis el nombre en ingls de cada una de las caractersticas.
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Figura 26 (curvas caractersticas de transistores PNP y NPN en configuracin base comn)

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Fijacin del punto de polarizacin
Hemos dicho que fijar las cadas de tensin en las uniones del transistor y las corrientes que por el
circulan significa polarizar el transistor. Esas tensiones y esas corrientes quedan grficamente
representadas por un punto dentro de las curvas caractersticas del transistor, ha dicho punto se lo
denomina PUNTO DE POLARIZACIN.
A los efectos de hallar el punto de polarizacin planteemos mediante el circuito de la figura 27 las
ecuaciones de malla del transistor, y recordemos las ecuaciones fsicas del mismo:
Figura 27(transistor PNP polarizado con dos bateras en la configuracin base comn)
VEE = RE I E + VEB
VCC = RC I C + VCB
Ecuacin malla de entrada

Ecuacin malla de salida
I E = IC + I B
I C = I E + I S
Ecuaciones fsicas del transistor
Si analizamos la malla de entrada a travs de su ecuacin vemos que VEE y RE son valores
conocidos, puestos por nosotros, y que la tensin VEB es esencialmente dependiente del material y
que adoptamos 0,2 Voltios para el germanio y 0,7 voltios para el silicio, luego la nica incgnita es
I E en nuestro punto de trabajo, la podemos determinar:
I EQ =
VEE VEB
RE
donde I EQ indica que es un valor particular de corriente
si analizamos la ecuacin de la malla de salida vemos que la misma es la ecuacin de una recta
cuyas variables son I C y VCB ' luego, tomando dos puntos singulares podemos trazar dicha recta en
las curvas caractersticas de salida, dichos puntos singulares son:
para I C = 0
VCBcorte = VCC
para VCB = 0
I Csat =
VCC
RC
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los valores de VCC y RC son conocidos, los hemos colocado nosotros, trazamos la recta que es el
conjunto de los puntos del plano que definen todos los posibles puntos de funcionamiento de la
malla de salida (no del transistor), las curvas caractersticas de salida son el conjunto de los puntos
del plano que definen todos los posibles puntos de trabajo del transistor. La interseccin de la recta
con las curvas caractersticas nos definen los posibles puntos de funcionamiento simultneo de la
malla y el transistor, en algunas de esas intersecciones se encuentra el PUNTO DE TRABAJO,
decha interseccin ser la correspondiente a la curva caracterstica I EQ que hallamos primeramente.
Fijado grficamente el punto Q, podemos hallar sus coordenadas I CQ y VCBQ . La recta que define
los puntos de trabajo de la malla de salida se denomina recta de polarizacin esttica.
Figura 28 (recta de polarizacin y punto de polarizacin de un transistor PNP)

Polarizacin en configuracin emisor comn
El transistor tambin se puede polarizar en conexin emisor comn o emisor tierra, pero para que
tenga lugar el efecto transistor la juntura emisor-base debe quedar polarizada en sentido directo y la
juntura base-colector en sentido inverso.
El conexionado de las bateras es muy sencillo de realizar: si el transmisor es PNP los dos positivos
debern ser colocados al emisor, si el transistor es NPN todos los negativos debern ir conectados al
emisor.
Pero tanto si el transistor es PNP o NPN debe cuidarse el detalle de que la base debe ser ms
positiva que el colector en el caso del PNP o ms negativa que el colector si es NPN.
En la figura 31 se representa al transistor PNP como una oblea de semiconductor y se indican en
ella las regiones de agotamiento, estas son las mismas que en la configuracin base comn, pero es
as porque el transistor es el mismo, en esta configuracin se toma en cuenta como parmetros
caractersticos a la corriente de base como corriente de entrada, la corriente de colector como
corriente de salida, la tensin a cada de tensin colector-emisor como tensin de la malla de salida
y la cada de tensin base-emisor como tensin de la malla de entrada.
En la figura 31 puede verse claramente que en el transistor solo existen dos uniones: la de emisorbase y la de base-colector, pero en esta configuracin es comn hablar de la juntura colector-emisor
(pues ella es la malla de salida) mas la misma no tiene realidad fsica sino que es la sumatoria de las
dos uniones reales.
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Figura 31 (transistor PNP polarizado en configuracin emisor comn)

En la figura 32 se han representado los circuitos de polarizacin en la configuracin en emisor
comn con dos bateras de los transistores PNP (parte a) y NPN (parte b).
En la figura 34 puede verse que los esquemas convencionales de polarizacin con indicacin de los
signos de las corrientes y de las tensiones acorde a la teora de cuadripolos.
Anlisis de las ecuaciones fsicas del transistor acorde a la configuracin de polarizacin
Las ecuaciones de funcionamiento fsico del transistor en base comn eran:
I E = IC + I B
(1)
I C = I E + I S
(2)
La ecuacin (2) relaciona la corriente de colector que es la corriente de salida con la corriente de
emisor que es la corriente de entrada. Si bien esto es vlido para todas las configuraciones ser
interesante disponer de una ecuacin que relacione la corriente de salida con la corriente de entrada
en las otras configuraciones. Hagamoslo primeramente con la configuracin en emisor comn pero
no olvidemos que las ecuaciones (1) y (2) valen siempre pues son intrnsecas al transistor.
Emisor comn
Sustituyendo (1) en (2) se tiene:
I C = (I C + I B ) + I S
(3)
I C = I C + I B + I S
I C I C = I B + I S
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I C (1 ) = I B _ I S
IC =
1
* IS +
* IS
1
1
(4)
Definiendo como factor de ganancia de corriente en la configuracin emisor base comn a un

acierto que responde a la ecuacin:
(5)
Dicho en los manuales se indica como hEF ganancia de corriente esttica en la configuracin
emisor comn.
Si vara entre 0,995 y 0,97 el variar entre 200 y 20.
Sustituyendo (5) en la ecuacin (4) nos quedara:
1
(6)
IC = * I B +
* IS
1
Esta ecuacin (6) es una ecuacin hbrida pues tenemos que la corriente de colector est afectada por
dos factores diferentes el y el , procuremos buscar que I C quede slo en funcin del .
1
(1 ) =
=
= +
= (1 + )
=
1+
=
Lo que nos interesa en realidad es
1
, busqumoslo matemticamente:
1
1+
1+
1 =
1+
1
1 =
1+
1 = 1
Invirtiendo esta ltima ecuacin tenemos:

1
= 1+
1
(7)
- 21 -

Sustituyendo (7) en (6), tenemos:
I C = * I B + (1 + ) I S
(8)
Recordando que sigue valiendo:

I E = IC + I B
(9)
Las ecuaciones (8) y (9) se denominan ecuaciones fsicas del transistor en la configuracin emisor
comn.
En la ecuacin (8) pueden verse dos cosas: que hay ganancia de corriente y una mayor sensibilidad
respecto de la temperatura. El admite ser definida en trminos incrementales
I C
I B
VCB = cte
T J = cte
Obviamente que las dependencias del se transfieren al .

Colector comn
Trabajando matemticamente como hemos hecho en el caso anterior llegaremos a un par de
ecuaciones (11) y (12) que son las descriptivas del funcionamiento del transistor en la configuracin
colector comn.
En la ecuacin (11) puede verse que en este caso hay ganancia de corriente, (1 + ) y hay mayor
sensibilidad trmica que en el caso de base comn.
Sustituyendo (2) en (1) tenemos:
I E = I E + I S + I B
(10)
I E I E = I S + I B
I E (1 ) = I S + I B
I
I
IE = B + S
1 1
Tomando en cuenta la ecuacin (5) podemos escribir:
I E = (1 + ) I B + (1 + ) I S
I E = IC + I B
(11)
(12)
Curvas caractersticas en la configuracin emisor comn

En la configuracin emisor comn las cuevas caractersticas reciben los mismos nombres que en
la configuracin base comn pero son distintos porque la corriente de entrada es ahora la
corriente de base I B . La corriente de salida contina siendo la corriente de colector I C .
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La unin de entrada sigue siendo la base emisor pero la juntura de salida es la unin ficticia entre
colector y emisor, es decir, que es la sumatoria de la unin base-emisor y de la unin base-colector.
En el primer cuadrante se representan las curvas caractersticas de salida que son caractersticas de
un diodo polarizado en directa (juntura base emisor) ms las caractersticas volt-amper de un diodo
polarizado en inversa (juntura base colector) trazadas para valores constantes de corriente de
entrada (corriente de base).
La curva caracterstica que se representa en el segundo cuadrante es la transferencia directa que est
representada por la ecuacin I C = I B + (1 + ) I S que para una temperatura dada ser I S = cte. y
para un ancho efectivo de base dado, ser constante, luego la ecuacin de una recta, pero para
valores elevados de la corriente de base, la corriente de colector entra en saturacin pues el poder de
emisin del emisor tiene un lmite, cuando a l se arriba y tomando en cuenta la ecuacin
I E = I B + I C , cuando I C se estabilizar primero decaer luego.
Hablar de constante es hablar de ancho efectivo de la base constante, el mismo depende de la
tensin base-colector, en nuestro caso la tensin de salida es la tensin colector-emisor, las misma
es aproximadamente igual a la tensin base-colector pues es la suma de la tensin base-emisor que
es pequea y dependiente principalmente del material y de la tensin base-colector que es la caida
en un diodo polarizado en inversa, luego es grande y dependiente de la polarizacin, luego la curva
caracterstica de transferencia directa se traza para un valor de tensin colector-emisor que es lo
mismo que hablar para un ancho efectivo de la base determinado.
En el tercer cuadrante se representar la curva caracterstica volt-amper de un diodo polarizado en
directa, trazada para una tensin colector-emisor constante.
En el cuarto cuadrante tenemos la curva caracterstica de transferencia inversa similar a la de base
comn pues en un eje tenemos la tensin base-emisor, que es la misma que antes, y en el otro la
tensin colector-emisor, que es aproximadamente igual a la tensin base-colector.
Figura 32 (circuitos de polarizacin con dos batera en configuracin emisor comn EC-)
En la figura 32a puede verse que en el transistor PNP la corriente de entrada (I B ) egresa del
transistor, al igual que la corriente de salida (I C ) , luego ambas son negativas de acuerdo a la
teora de cuadripolos, por otra parte siendo el emisor el ms positivo, la tensin VCE o tensin de
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salida ser negativa y la tensin VBE o tensin de entrada tambin ser negativa de acuerdo a la
teora de cuadripolos, esto nos indica que la letra del medio (la N de PNP) nos da los signos de las
tensiones y las corrientes en la configuracin emisor comn (N=negativas).
En la figura 32b puede verse que en el transistor NPN la corriente de entrada (I B ) ingresa en el
transistor, al igual que la corriente de salida (I C ) , luego ambas son positivas de acuerdo ala teora
de cuadripolos, por otra parte siendo el emisor el ms negativo, la tensin VCE o tensin de salida
ser positiva y la tensin VBE o tensin de entrada tambin ser positiva de acuerdo a la teora de
cuadripolos, esto nos indica que la letra del medio (la P de NPN) nos da los signos de las tensiones
y las corrientes en la configuracin emisor comn (P=positivas).
Polarizacin en configuracin colector comn
El transistor tambin se puede polarizar en configuracin colector comn siempre y cuando que las
bateras externas de polarizacin consigan que la unin emisor-base quede polarizada en sentido
directo y la unin base-colector quede polarizada en sentido inverso.
Esta configuracin que se muestra en la figura 33 tambin se denomina colector a tierra, en esta
figura puede verse que la unin de entrada es la base-colector y la salida emisor-colector.
Figura 33 (transistor PNP polarizado en configuracin colector comn con indicacin de las
polaridades relativas de los terminales)
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Figura 34 circuitos de polarizacin con dos bateras en configuracin colector comn CC- )
En la figura 35 representamos lo expuesto en las curvas caractersticas de un transistor NPN en la
configuracin emisor comn.
Curvas caractersticas en la configuracin colector comn
Los manuales habitualmente no brindan estas caractersticas pues los mismos estn orientados a
aplicaciones en las cuales esta configuracin es de poco uso.
Sucede lo mismo que con el de los transistores que en muchos casos no es dato sino que los
Manuales dan el hFE o .
Pero de lo expuesto anteriormente son fcilmente deducibles estas curvas.
Recta de la carga esttica en la configuracin emisor comn
Si utilizando el circuito de la figura 36 se desea calcular el punto de funcionamiento del transistor se
debe proceder de manera similar a la que se procedi en base comn.
Figura 36 (circuito de polarizacin con dos bateras de un transistor NPN en configuracin emisor
comn)
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Figura 35 (curva caracterstica en emisor comn de un transistor NPN)

Ecuacin de la malla de salida:
VCC = VCE + I C * RC
- 26 -

Ecuacin de la malla de entrada:
VBB = VBE + I B * RB
sabiendo que la tensin VBE depende del material y conocidos RB y VBB , se deduce I BQ (corriente
de base en el punto de trabajo).
Con la ecuacin de la malla de salida y tomando dos puntos singulares tal como se indica a
continuacin se traza la recta y mediante la interseccin de dicha recta con la curva caracterstica de
salida correspondiente a I BQ se tiene el punto de trabajo:
Clculo de los puntos singulares para el trazado de la recta de carga:
Si I C = 0
Si
VCE = 0
VCE = VCC
I C = VCC *
1
RC
EL TRANSISTOR EN SEAL
Hasta el momento hemos tratado al transistor en corriente continua y hemos trazado sus
caractersticas estticas y hemos establecido que es posible controlar una malla de salida
controlando los parmetros de la malla de entrada, pero este control, esta amplificacin puede y
se hace dinmica mediante seales adecuadas. Estudiaremos que sucede para seales alternas sin
tomar en cuenta, por el momento, los efectos de la frecuencia.
Circulacin de corriente y relaciones de fase de tensin para un amplificador base comn
En la figura 37 se representa un transistor NPN en la configuracin base comn, polarizado con dos
bateras y al cual se le agrega una fuente de tensin alterna en el circuito de entrada (malla emisorbase).
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B
C
D
Entrada
Salida
Figura 37 (amplificador base comn BC- con indicacin de circulacin de corrientes y formas de
onda de tensin)
En la figura puede observarse que se toma la seal de salida entre base y colector mediante un
condensador, este es de baja impedancia para la frecuencia de la seal, en corriente continua
funciona como un circuito abierto y en seal como un cortocircuito.
Cuando la tensin del generador de seal se opone a la polarizacin directa producida por la batera
base-emisor. La polarizacin directa resultante en ese momento se reduce y hace que disminuya la
corriente de emisor: I E iE (con minscula la seal de alterna) que entra al transistor, la corriente
de salida o corriente de colector est dada por la ecuacin
I S + (I E iE ) = I C iC
Si solo tomamos en cuenta la parte alterna:
iE = iC
Luego: =
iC
p 1 ; esto nos lleva a decir que en base comn no hay amplificacin de corriente.
iE
Por otra parte, en la malla de salida se tiene:

vsalida = VCC Rl I C
Cuando la tensin de entrada es:
ventrada = VAB
(ver figura 37), hace que la corriente I E decaiga; I C tambin decae acorde a lo ya
visto en iC ; en consecuencia: vsalida = VCC Rl * I C + iC + Rl , esto indica que la tensin de salida
aumenta positivamente cuando la tensin de entrada aumenta positivamente ( en la cuestin de
signos se tiene en cuenta la teora de cudripolos).
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ventrada = vCD , refuerza la tensin de polarizacin de la unin base.emisor, esto hace que I E se
incremente, esto hace que I C crezca y adopte el valor I C + iC , la tensin de salida ser:
vsalida = VCC I c * Rl iC Rl , esto indica que la tensin de salida se hace ms negativa o crece
negativamente cuando la tensin de entrada crece negativamente.
De lo expuesto se desprende que en base comn no hay inversin de fase de tensin entre la seal
de tensin de salida y la seal de tensin de entrada.
Circulacin de corriente y relaciones de fase de tensin para un amplificador emisor comn
En la figura 38 se representa un transistor NPN en la configuracin emisor comn, polarizado con
dos bateras y al cual se le agrega una fuente de tensin alterna en el circuito de entrada (malla baseemisor).
B
C
A
D
Entrada
B
C
Salida
Figura 38 (amplificador emisor comn EC-)

Cuando la tensin del generador (seal AB) refuerza a la polarizacin directa producida por la
batera base-emisor, la polarizacin resultante en ese momento aumenta y hace que aumente la
corriente de base: I B + iB que ingresa al transistor, la corriente de salida o corriente de colector est
dada por la ecuacin:
* I S + * (I B + iB ) = I C + iC
Si solo tomamos en cuenta la parte alterna: iB = iC
I
Luego:
C f 1 ; esto nos lleva a decir que emisor comn existe amplificacin de corriente.
iB
Por otra parte en la malla de salida se tiene:
vsalida = VCC Rl * I C
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Cuando la tensin de entrada es :
ventrada = VAB
(ver figura 38), hace que la corriente I B crezca; I C tambin crece acorde a lo ya
visto en + iC ; en consecuencia la tensin de salida:
vsalida = VCC I C * Rl iC * Rl
, esto indica que la tensin de salida aumenta negativamente
cuando la tensin de entrada aumenta positivamente.
ventrada = VDC , disminuye la tensin de polarizacin de la unin base-emisor, esto hace que I B
disminuya, esto hace que I C decaiga y adopte el valor I C iC , la ecuacin de salida ser:
vsalida = VCC I C * Rl + iC * Rl , esto indica que la tensin de salida crece positivamente cuando la
tensin de entrada crece negativamente.
De lo expuesto se desprende que en emisor comn hay inversin de fase de tensin entre la seal de
tensin de salida y la seal de tensin de entrada.
Circulacin de corriente y relaciones de fase de tensin para un amplificador colector comn
En la figura 39 se representa un transistor NPN en la configuracin colector comn, polarizado con
dos bateras y al cual se le agrega una fuente de tensin alterna en el circuito de entrada (malla basecolector).
A
C
B
Entr
ada
D
Sali
da
Figura 39 (amplificador colector comn CC- con indicacin de circulacin de corrientes y formas
de onda de tensin)
Cuando la tensin del generador de seal (seal AB) se opone a la polarizacin inversa en ese
momento se reduce y esto hace que aumente la corriente de base: I B iB , que ingresa al transistor,
la corriente de salida o corriente de emisor est dada por la expresin:
I S (l + ) + (l + )(I B + iB ) = I E + iE
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Si solo tomamos en cuenta la parte alterna:
(l + )iB = iE
luego:
(l + ) = iE
iB
1;
esto nos lleva a decir que en colector
comn hay amplificacin de corriente.

Por otra parte, en la malla de salida se tiene:
vsalida = VEE + RE * I E
(signos acorde teora de cuadripolos)
Cuando la tensin de entrada es :
ventrada = v AB
(ver figura 39), hace que la corriente I B crezca, luego I E se incrementa en + iE ,
acorde a lo ya visto; en consecuencia:
vsalida = VEE + I E * RE + I E * RE ; esto indica que la tensin de salida aumenta positivamente cuando
la tensin de entrada aumenta positivamente.
ventrada = VEE + I E * RE iE * RE ; esto indica que la tensin de salida aumenta negativamente
cuando la tensin de entrada aumenta negativamente.
De lo expresado se desprende que en colector comn no hay inversin de fase de tensin entre la
seal de tensin de salida y la seal de tensin de entrada.
Generalizaciones sobre el amplificador a transistores
Hasta el momento hemos hecho anlisis del comportamiento cualitativo ( no matemtico) de los
circuitos transistorizado, para poder hacer el anlisis cuantitativo del transistor en seal deberamos
recurrir a modelos matemticos del transistor, cosa que haremos ms adelante.
Las siguientes generalizaciones ayudan a hacer anlisis cualitativos de circuitos transistores tanto en
polarizacin como en seal en clase A.
a.- La primera letra de la sigla del transistor indica la polaridad de la tensin de emisor con respecto
a la base. Un transistor PNP tiene positiva la tensin continua de polarizacin aplicada al emisor y
en uno NPN es negativa.
b.- La segunda letra de la sigla del transistor indica la polaridad del colector con respecto a la base.
Un transistor PNP tiene negativa la tensin continua de polarizacin aplicada al colector; en uno
NPN es positiva.
c.- La primera y segunda letra de la sigla del transistor indican las polaridades relativas entre emisor
y colector respectivamente. En un transistor PNP, el emisor es positivo respecto del colector. En
uno NPN el emisor es negativo respecta al colector.
d.- La direccin de la corriente positiva o convencional es la misma que la de la flechita del emisor.
e.- La unin base-emisor est polarizada en sentido directo.
f.- La unin base-colector est polarizada en sentido inverso.
g.- Una tensin de entrada que aumenta la polarizacin directa aumenta las corrientes de emisor y
colector.
h.- Una tensin de entrada que disminuye la polarizacin directa disminuye las corrientes del
emisor y del colector.
i.- No hay inversin de fase de tensin de una seal amplificada por un amplificador base-comn o
colector comn.
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reas de funcionamiento del transistor
Los transistores pueden trabajar en tres reas distintas acorde se encuentren sus junturas, a saber:
a) Se dice que un transistor est cortado o al corte cuando en su unin de salida prcticamente cae
toda la tensin de la fuente de polarizacin aplicada. Fsicamente este hecho implica que tanto la
unin emisor-base como la unin colector-base se hallan polarizadas en sentido inverso.
b) Se dice que un transistor se encuentra saturado o en saturacin cuando en la unin de salida no
existe prcticamente cada de tensin y la corriente que circula por la malla de salida es la mxima
limitada tan solo por la resistencia de polarizacin. Este hecho implica que fsicamente la unin
emisor-base se halla polarizada en sentido directo y que la unin colector-base tambin se halla
polarizada en sentido directo.
c) Se dice que un transistor se halla en amplificacin cuando la unin emisor-base se halla
polarizada en sentido directo y la unin colector-base se halla polarizada en sentido inverso.
Ib = 60 mA
Ib = 50 mA
Ib = 40 mA
ZONA DE
SATURACIO
N
Ib = 30 mA
Ib = 20 mA
Ib = 10 mA
Ib = 0 mA
CORTE
Vc
e
Figura 40 (reas de funcionamiento del transistor)

Parbola de mxima disipacin
El transistor se halla sometido a una diferencia de tensin entre sus bornes de salida que en el caso
de un transistor en la configuracin emisor comn ser la tensin colector-emisor; adems por la
unin circular una corriente de colector, es decir, que en la unin de salida se estar disipando una
cierta potencia que vendr dada por la ecuacin:
PJ = I C * VCE
Que es la ecuacin de una hiprbola, de la cual solo se utiliza la rama positiva, existir un valor
lmite de potencia que la juntura puede disipar, el fabricante da ese valor o da la parbola ( la
- 32 -

denomina as aunque sea una hiprbola pues solo se da una rama) que define la ecuacin para ese
valor de potencia mxima; esta parbola se llama PARBOLA DE MXIMA DISIPACIN.
El punto de polarizacin y los puntos de funcionamiento en todo momento deben encontrarse por
debajo de esta parbola.
Ic
Pjmax
V
Figura 41 (parbola de mxima disipacin)
rea de operacin segura (SOAR Safe Operation Area-)
El diodo de salida de un transistor, en el caso de un transistor en emisor comn el diodo colectorbase, tiene como todo diodo dos lmites de funcionamiento: la mxima tensin inversa que resiste
que se denomina BVCE (tensin de ruptura B=Breakdown) y la mxima corriente directa que por
l puede circular sin que se queme, I Cmx (corriente de colector mxima en el caso emisor comn)
El rea de las curvas de salida de un transistor que queda encerrada por la parbola de mxima
disipacin, la tensin de ruptura y la corriente mxima se llama AREA DE OPERACIN SEGURA
DEL TRANSISTOR.
Ic
Icma
x
PJma
x
Vcb
BV
Figura 42 (rea de operacin segura de un transistor SOAR)
Factor de estabilidad trmica
La corriente residual en cada configuracin con transistores es funcin de la temperatura pues la
corriente de saturacin inversa lo es, recordemos que esta se duplica cada 10C en el caso del Ge y
cada 6C en el caso del Si.
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Se define en consecuencia un factor de estabilidad trmica (mejor sera llamarlo de inestabilidad
trmica) que indica la relacin entre la corriente de slida y la corriente de saturacin trmica:
I salida
I S
En el caso base comn, tenemos:
S=
S=
En el caso emisor comn, tenemos:
S=
I C
=1
I S
I C
= (1 + )
I S
En el caso colector comn, tenemos:
I E
= (1 + )
I S
Esto nos indica que los lmites de S son:
1 S hFE
Lo ideal es que S sea lo ms pequeo posible, por ejemplo supongamos que en un transistor en
emisor comn la I S vari de 3A a 3,5A (variacin de temperatura del orden de los 2,25C) y
que hEF sea 200, la corriente de colector sufre una variacin de:
S=
I C = 201 * 0,5A = 100,5A ,
con una variacin de 0,5A
Ejemplo numrico
En el circuito de la figura hallar el punto de polarizacin teniendo en cuenta que los datos son los
siguientes: Transistor 2N404, Germanio, se dispone de las curvas caractersticas de salida (figura
49), hEF medido exactamente e igual 166, R1 = 34,2 K , R2 = 14,5 K , RE = 50 , RC = 198 y
Vcc = 10voltios . A los fines del clculo supngase que el transistor se halla en configuracin emisor
comn.
En la malla de salida (malla emisor-colector) se tiene:
VCC = RE I E + VCE + RC I C
Si aceptamos que I E e I C son aproximadamente iguales despreciando I B frente a la magnitud de la
corriente de colector, podemos escribir:
VCC = (RE + RC )I C + VCE
Si I C = 0 tenemos
VCC = VCE = 10voltios
Si VCE = 0 tenemos
IC =
VCC
RE + RC
IC =
10V
= 40mA
250
- 34 -
I1
IC
IB
VCE
VBE
IE
Con los dos valores obtenidos trazamos la recta de polarizacin en las curvas caractersticas de
salida.
En la malla base emisor podemos plantear:
I 2 R2 VBe RE I E = 0
aceptamos que I E = I C y que I C = hFE I B escribimos I 2 R2 VBE RE I B hFE = 0
(1)
VB
IB
IE
En el nudo A se tiene:
I 2 + I B I1 = 0
(2)
I!R! + I 2 R2 = VCC
(3)
En la malla externa se puede plantear:
Las ecuaciones (1), (2) y (3) constituyen un sistema con tres ecuaciones y tres incgnitas, de los
cuales solo nos interesa I B , resolvindolo tenemos:
VCC VBE VBE *
IB =
R1
R2
(R2 + RE * hFE ) * R1 + R
R2
I B 150A
* hEF
- 35 -
Figura 49 (Curvas caractersticas de salida del transistor 2N404)

De las curvas de la figura 49 mediante la recta de polarizacin (1) se halla el punto de polarizacin,
el mismo es:
Q( I B = 150A,VCE = 3,8V , I C = 2mA)
- 36 -
IB
A
I1
IB
I2
Nudo A
Malla externa
El transistor en seal
Hemos dicho en los ejemplos numricos precedentes tomemos a los fines del clculo al transistor
como si estuviera en la configuracin emisor comn pues todos los circuitos que llevan esta frase
polarizan al transistor, es decir, fijan la unin colector-base en sentido inverso y la unin baseemisor en sentido directo pero no optan, en realidad, por ninguna de las configuraciones.
Figura 51 (circuito de polarizacin del transistor antes que acten las fuentes de polarizacin y
seal)
Que el colector adopte el potencial de masa o la base o el emisor se produce en el momento que se
inyecta una seal y mediante la ayuda de algunos condensadores cuyo valor les permite ser
considerados como circuitos abiertos en corriente continua y como cortocircuitos en seal.
- 37 -

Veamos el circuito de la figura 51. Debido a lo convenido acerca de los condensadores, en corriente
continua, el circuito es el de la figura 52
Ic
I1
( )
VCE
Ib
(+)
I2
Ie
Figura 52 (transistor polarizado, estando presente nicamente la excitacin de corriente continua
I1 + i1
i2
I C + iC
i4
I B + iB
IE
I 3 + i3
Figura 53 ( transistor polarizado y

excitado)
El transistor se polariza pero no selecciona ninguna configuracin. En seal, el circuito es el de la

figura 53. Notemos en la figura 53 que el condensador CE denominado condensador de paso se
carga a una tensin continua VE = RE I E , peor la corriente alterna indicada con minscula no pasa
- 38 -

por la RE , pues la impedancia de CE es mucho menor, luego RE no existe para la corriente
alterna. A los fines de analizar que sucede slo en corriente alterna, podemos recordar el teorema de
la superposicin y pasivar las fuentes VCC y VE , en ese momento el circuito adopta el esquema de la
fig. 54
i5
i2
i3
i1
i
I1B
( )
VCE
(+)
IE
I2
i4
IC
iE
Figura 54 (transistor polarizado

en seal considerando slo la
excitacin)
Como es evidente de la figura 54,

el transistor en seal se encuentra
en la configuracin emisor comn.
Aceptando las convenciones
adoptadas para los condensadores
que hemos establecido,
analizaremos el circuito de la figura
55
Figura 55 (circuito de
polarizacin del transistor
considerado antes de que acten
las fuentes)
Debido a lo convenido acerca de los condensadores y aceptando que la fuente de corriente alterna se
halla desconectada, el esquema circuital de la figura 55 para corriente continua es:
- 39 -
IC
I1
( )
VCE
(+)
IE
I2
Figura 56 ( transistor polarizado)

Evidentemente el transistor est polarizado pero el circuito no selecciona ninguna configuracin.
Si ahora superponemos la excitacin y la polarizacin, el circuito ser el de la figura 57:
I C + iC
I1
i4
I2
IE
Figura 57 (transistor polarizado y excitado)
- 40 -

Notemos en la figura 57 que el condensador C2 (denominado condensador de paso) se carga a la
tensin continua VR = R2 I 2 , pero la corriente alterna no pasa por la R2 pues la impedancia es mucho
menor, luego R2 no existe para corriente alterna . A los fines de analizar que sucede solo en
corriente alterna, podemos pasivar las fuentes de corriente continua, que seran VCC VB , en ese
momento el circuito adopta el esquema de la figura 58.
Figura 58 (transistor polarizado trabajando en seal y considerando solo la exitacin)

La resistencia R1 no aparece pues qued en paralelo con un cortocircuito. Como es evidente en la
figura 58, el transistor en seal se encuentra en la configuracin base-comn. Aceptando las
convenciones adoptadas para los condensadores, analicemos el circuito de la figura 59.
Fig. 59 (circuito de polarizacin del

transistor considerado antes que actuen
las fuentes VCC y eS
- 41 -

Debido a lo convenido acerca de los condensadores y aceptando que la fuente de corriente alterna se
halla pasivada o desconectada, el esquema de la figura 59 para la corriente continua es:
IC
I1
( )
VCE
(+)
I2
IE
Figura 60 (transistor polarizado)

Evidentemente el transistor est polarizado pero el circuito no selecciona ninguna configuracin.
Si ahora superponemos la excitacin y la polarizacin, el circuito ser el de la figura 61. Notemos
en la figura 61 que el condensador CC (denominado condensador de paso, los otros dos se llaman
de acoplamiento), se carga a la tensin I C RC = VC , pero la corriente alterna no pasa por RC pues el
condensador le ofrece una menor impedancia, luego la resistencia de colector no existe para la
corriente de seal.
IC
i1
I 3 + i3
iC
I3
I E + iE
I E + iE
Fig. 61 (transistor polarizado y excitado)
- 42 -

A los fines de analizar el circuito solo en seal, pasivamos las fuentes de continua, el circuito 61 se
transforma en el circuito 62 y en l se ve claramente que el transistor adopta la configuracin
colector comn.
i1
i4
i3
iE'
Figura 62 (transistor polarizado trabajando en seal y considerando solo presente la fuente de

excitacin)
Recta de carga dinmica
Si el circuito de la figura 54 lo ordenamos como muestra en la figura 63, vemos que la resistencia
R1 y R2 quedan en paralelo y son la resistencia de polarizacin de base, mientras que las
resistencias RC y RL quedan en paralelo a la salida del circuito; haciendo los paralelos indicados
podemos plantear el circuito que se observa en la figura 64.
iS
i4
iB
i2
i1
i3
Figura 63 (transistor en emisor comn)

- 43 -

iS
iB
iC
i2
Figura 64 (reordenamos la figura 63)

Con referencia al circuito de la figura 64 podemos escribir la ecuacin de malla de salida:
vCE = iC ( RC RL )
(1)
La ecuacin (1) es de una recta, pero una recta que cambia instante a instante pues iC y vCE son
funciones del tiempo o de la frecuencia, luego estn definiendo la ecuacin de una recta dinmica.
Esta recta presenta respecto a la recta de polarizacin esttica un punto en comn, el punto de
polarizacin O, pero en las condiciones de que la seal de salida sea simtrica y de pequea
amplitud, es decir que el transistor no introduzca deformacin en la seal de entrada simtrica.
Considerando superpuestas a las seales y a las tensiones de polarizacin, la ecuacin de malla de
salida es:
VCC = vCE + iC ( RC RL ) + I C RC + VCE + I E RE
(2)
La ecuacin (2) la podemos reescribir:

VCC = (VCEQ + vCE ) + ( I CQ + iC ) RC + iC ( RC RL RC ) + VE
(3)
En la ecuacin (3), la VE es una constante pues por la resistencia no pasa corriente de excitacin.
Si la seal de excitacin es simtrica y el transistor no introduce deformacin, el valor medio de la
seal de salida es nulo y la ecuacin (3) queda para los valores medios:
VCC = I CQ RC + VCEQ + VE
(4)
La ecuacin (4) es la justificacin de que la recta de carga dinmica y la recta esttica tienen un
punto en comn en las circunstancias indicadas: el punto de polarizacin esttico.
Analicemos ahora las distintas relaciones que se pueden plantear entre la resistencia de carga RL y
la resistencia de polarizacin de colector RC .
- 44 -

1.- Caso que la RL = o dicho de otra manera que RL 10 RC
En este caso el paralelo entre RC y RL queda sencillamente reducido al valor RC ' en consecuencia
la ecuacin (3) se puede escribir:
VCC = ( I CQ + iC ) RC + (VCEQ + vCE ) + VE
(5)
Considerando:
I polarizacin + iseal = iC'
V polarizacin + vseal = vCE
podemos reescribir la ecuacin (5):

'
VCC = iC' RC + vCE
+ VE
(6)
A los fines de poder trazar la recta que esta ecuacin define en las caractersticas de un transistor,
consideramos dos puntos singulares:
VCC VE
RC
Si
'
vCE
=0
iC' =
Si
iC' = 0
'
vCE
= VCC VE
Llevando estos dos valores a la caracterstica de salida del transistor trazamos la recta de
polarizacin dinmica que pasa por el punto Q, en razn de que suponemos que la seal es simtrica
y de pequea amplitud (el transistor no introduce distorsin).
Lo expuesto precedentemente se lleva sobre una caracterstica de salida de un transistor 2N404 con
valores totalmente arbitrarios como puede verse en la figura 65.
2.- Caso que la RL o dicho de otra manera RL p 10 RC
Ecuacin de la malla de salida:
VCC = vCE + iC ( RC RL ) + I CQ RC + VCEQ + VE + I CQ ( RC RL ) I CQ ( RC RL )
Luego:
VCC = (VCEQ + vCE ) + ( I CQ + iC )( RC RL ) + VE + I CQ ( RC RC RL )
- 45 -
Figura 65 (rectas de carga esttica o del bias y dinmica vlida para RL mucho mayor que RC ,
siendo el transistor PNP y estando en la configuracin EC)
VCC = v'CE +i 'C ( RC RL ) + VE + I CQ ( RC RC RL )
(3)
donde i'C y v'CE componentes de alterna y continua.

Para llevar la ecuacin (3) a la forma y = mx + h es posible reescribirla:
v'CE = i 'C ( RC RL ) + VCC VCE I CQ ( RC RC RL )
donde
- 46 -

VCC VE I CQ ( RC RC RL ) es =h (ordenada al orgen)
( RC RL ) = tg = m (pendiente de la recta)
quedando de esta forma unvocamente determinada la recta para este caso.
Adems sabemos que para seales de pequea amplitud la recta debe pasar por el punto de
polarizacin VCEQ ; I CQ por lo que fijado este punto de pendiente m, tambin est fijada la recta.
y
Figura 66 ( rectas de carga esttica y dinmica vlida esta ltima para RL de la misma magnitud o
menor a 10 veces el valor de RC , siendo el transistor PNP y estando en emisor comn)
La forma para ubicar la recta seria estableciendo dos puntos que pertenecieran a la misma, una
manera sencilla sera:
- 47 -

VCC VE I CQ ( RC RC RL )
S v'Ce = 0
i 'C =
S i 'C = 0
v'CE = VCC VE I CQ ( RC RC RL ) = v'CE 0
RC RL
= i 'C 0
Obviamente para RL f RC , ( RC RL ) RC y las ecuaciones quedan como las del anterior caso.
Consideraciones acerca de la malla de entrada en seal
Con referencia al circuito en seal para un transistor NPN de la figura 67, vemos que la parte activa
de la seal es iB pero que la seal completa es: iS = iB + id es decir, que la resistencia de
polarizacin de base RB es una resistencia de drenaje o de prdida de seal, luego su valor debe ser
lo ms elevado posible frente a la resistencia de entrada del transistor.
iC
iB
iS
Figura 67 (transistor NPN en la configuracin emisor comn considerando unicamente la seal de

excitacin)
Por otra parte, vemos que la fuente de seal eS presenta una resistencia interna RS . Si esta
resistencia tiende a cero, la fuente es una fuente ideal de tensin, en tal caso diremos que el circuito
tiene control de tensin.
Si RS tiende a infinito la fuente es una fuente ideal de corriente, en este caso diremos que el circuito
tiene control por corriente.
En la prctica se procura que RS sea igual a la resistencia de entrada del transistor para que exista
mxima transferencia de potencia.
Parmetros importantes en un circuito transistorizado
- 48 -

Los circuitos con transistores pueden ser considerados como cuadripolos activos, en tal caso, como
todos los cuadripolos, presentan cinco parmetros caractersticos que definen su calidad, a saber:
Ganancia de corriente (A), Ganancia de tensin ( Ai ) , Resistencia de entrada ( Ri ) , Resistencia de
salida ( R0 ) , y Ganancia de potencia ( AW ) .
A los efectos de poder definirlos pueden utilizarse diversos mtodos pero elegiremos el mtodo
cualitativo que entendemos es el ms sencillo y luego daremos, a travs de los parmetros h y T, el
mtodo cuantitativo.
Ganancia de corriente
Se entiende por ganancia de corriente a la relacin que existe entre la corriente de salida y la
corriente de entrada:
i
Ai = salida
(en seal)
ientrada
1 Configuracin base comn
corriente de entrada : corriente de emisor
corriente de salida : corriente de colector
ecuacin fsica del transistor: I C + iC = ( I E + iE ) + I CEO
considerando solo la seal: iC = iE
i
Ai = C =
iE
normalmente este valor es alrededor de 0,99
2 Configuracin emisor comn
corriente de entrada : corriente de base
corriente de salida : corriente de colector
ecuacin fsica del transistor: I C + iC = hFE ( I B iB ) + I CEO
considerando solo la seal: iC = hFE iB
i
Ai = C = hFE
iB
normalmente este valor es alrededor de 75
3 Configuracin colector comn
corriente de entrada: corriente de base
corriente de salida : corriente de emisor
ecuacin fsica de transistor: I E + iE = (hFE + l )( I B + iB ) + I ECO
considerando solo la seal: iE = (hFE + l )iB
- 49 -

Ai =
iE
= hFE + l
iB
normalmente este valor es alrededor de 76

Clases de amplificadores
Los amplificadores se pueden dividir en dos grandes grupos: amplificadores de acoplamiento
directo o amplificadores de corriente continua y amplificadores de corriente alterna.
Los amplificadores de corriente alterna se subdividen en las siguientes clases acorde al camino que
puede recorrer la seal o dicho de otro modo acorde donde se ubica el punto de polarizacin, esas
clases son:
Clase A: el transistor opera durante los 360 del ciclo de excitacin y la salida es anloga a la
entrada. El punto de reposo o polarizacin debe ubicarse entre los puntos A y B de la figura 79 y
la excitacin debe ser tal que bajo ninguna condicin el transistor sobrepase el punto de corte A o
el de saturacin B. Por ejemplo puede elegirse como punto de polarizacin el punto 0 y la
excitacin lo lleva entre C1 y C2 .
Figura 79 (punto de polarizacin acorde a la clase del amplificador)

Clase B: el punto de reposo o polarizacin se sita en A, luego la conduccin se realiza durante
180 del ciclo de excitacin. Para obtener a la salida una reproduccin de la entrada se requieren dos
transistores colocados de una manera especial que se llama push-pull.
Clase AB: el punto de reposo se fija ligeramente sobre A para evitar la distorsin que tiene lugar
en clase B cuando se trabaja push-pull.
Clase C: el transistor conduce menos de 180 del ciclo de excitacin.
- 50 -

Clase D o conmutacin: el transistor se polariza o en corte o en saturacin y al aplicar seal pasa
a la saturacin o al corte respectivamente. La transicin entre uno y otro estado debe ser sumamente
rpida. Los estados estables son estados de baja disipacin.
Eleccin del punto de polarizacin de un amplificador clase A
Dadas las caractersticas de salida de un transistor y su parbola de disipacin mxima sabemos que
el punto de polarizacin y los puntos de trabajo deben estar por debajo de esta parbola. De todas
las posibles rectas de carga que podemos trazar existe una lmite: la que sea tangente a la parbola.
Planteemos las ecuaciones respectivas a los efectos de encontrar el punto de tangencia:
(1)
VCC = RC I C + VCE + RE I E
(2)
VCC = ( RC + RE ) I C + VCE
(3)
Pjmx = I CQ * VCEQ
De la ecuacin (3) podemos despejar

Pjmx
(4)
VCEQ =
I CQ
Reemplazando (4) en (2) tenemos:
Pjmx
(5)
VCC = ( RC + RE ) I CQ +
(6)
2
VCC I CQ = ( RC + RE ) I CQ
+ Pjmx
(7)
2
I CQ
( RE + RC ) + (VCC I CQ ) + Pjmx = 0
I CQ
Aplicando la resolvente se tiene:

1
(8)
I CQ =
2
VCC ((VCC
4 Pjmx ( RE + RC )) 2
2( RE + RC )
Para que sea tangente la solucin debe ser nica y ello se logra si:
(9)
2
VCC
= 4 Pjmx ( RE + RC )
(10)
2
VCC
= 2 Pjmx ( RE + RC )
2
La corriente I Cq deber responder a la ecuacin:

(11)
I CQ =
VCC
2( RE + RC )
- 51 -

Y la tensin VCQ a la ecuacin:
(12)
VECQ =
Pjmx
VCC
2( RE + RC )
Teniendo en cuente la ecuacin (10):

(13)
VECQ =
VCC
2
Esto se ha representado en la figura 80.
Figura 80 (recta de la polarizacin tangente a la parbola de mxima disipacin)
Figura 81 (Eleccin del punto de polarizacin)
- 52 -

El punto de trabajo se comienza por seleccionar una VCC que sea menor que BVCE . Luego se traza la
recta tangente a la parbola de mxima disipacin y se selecciona el punto 0 en una tensin igual a
la tensin de la batera dividida en dos, pero si uno deseara tomar otro valor debe tener en cuenta
V
que debera ser una tensin colector-emisor menor a CC pues como puede verse en la figura 81,
2
por efecto trmico los valores de polarizacin tales como A1 se corren a una parbola de mayor
disipacin que la que se encontraba, es decir esto puede producir el embalamiento trmico del
transistor y destruirlo, pero si lo elegimos tal como el A2 al calentarse pasa a una parbola de menor
disipacin y se enfra el transistor volviendo al punto de polarizacin anterior.
En el anexo A siguiente se muestran las curvas tpicas de un transistor 2A237
Realiz: Fernando Luciani
Corrigi: Ing. Jorge Amigo

- 53 -

ANEXO CURVAS TRANSISTORES 2A237
- 54 -
- 55 -
- 56 -
- 57 -

Transistor Ess

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Figura 2 (primer efecto)

En la figura 3 puede verse la circulacin de los electrones que se denominan portadores

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Figura 3 (segundo efecto)

Figura 4 (sentidos exteriores de las corrientes)

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Figura 5(esquema del transistor indicndose la corriente de saturacin inversa)

Como la corriente de saturacin I S es normalmente del orden de los microamperios y la corriente

o en trminos incrementales y con temperatura constante

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Cadas de tensin en el transisitorNPN

Figura 7 (cadas de tensin en las junturas del transistor)

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Figura 8 (estructura fsica del transistor)

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Figura 13 (transistor PNP en configuracin base comn)

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Figura 14 (curva caracterstica de la malla de salida de un transistor PNP)

Figura 15 (malla de entrada de un transistor PNP polarizado en la configuracin base comn)

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Figura 16 (caracterstica de un diodo polarizado en sentido directo, que es la curva caracterstica de

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Figura 18 (caracterstica de entrada de un transistor con indicacin de la tensin para la cual es

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Figura 20 (tamaos distintos del diodo emisor-base para distintos VCB )

Figura 21 (Curva caracterstica de transferencia inversa de un transistor)

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Figura 22 (curva caracterstica de transferencia directa)

Figura 23 (curvas caractersticas de un transistor)

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Figura 24 (cuadripolo y convencin de signos de corrientes y tensiones)

ingresa luego es positiva

egresa luego es negativa

Figura 25 (el transistor considerado como cuadripolo)

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Figura 26 (curvas caractersticas de transistores PNP y NPN en configuracin base comn)

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Ecuacin malla de entrada

Ecuaciones fsicas del transistor

donde I EQ indica que es un valor particular de corriente

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Figura 28 (recta de polarizacin y punto de polarizacin de un transistor PNP)