ELECTRONICA GENERAL

Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar BJT

Cuestiones tericas tipo test.

Tema4.ElTransistordeUninBipolar(BJT).
1.a)
b)
c)

En un circuito en emisor comn la distorsin por saturacin recorta

la tensin colector-emisor por la parte inferior
la corriente de colector por la parte inferior
la tensin colector-emisor por la parte superior

2.a)
b)
c)

La recta de carga dinmica usualmente

es ms inclinada que la recta de carga esttica
tiene una pendiente menor que la recta de carga esttica
es igual a la recta de carga esttica

3.a)

En la polarizacin por divisor de tensin,

para la misma corriente de base, al aumentar la resistencia de emisor disminuye la
corriente de colector
si Re > 10 RTH / estamos ante un circuito estable
para la misma corriente de base, al aumentar la tensin de alimentacin disminuye
la corriente de colector

b)
c)
4.a)
b)
c)
5.a)
b)
c)
6.-

Si el punto Q se halla en el centro de la recta de carga esttica, lo ms probable es

que el recorte de la seal de salida sea en el pico
positivo de la tensin de entrada
negativo de la tensin de salida
positivo de la tensin de salida
Si la temperatura ambiente aumenta, la especificacin de potencia mxima del
transistor
disminuye
no cambia
aumenta

a)
b)
c)

Cuando hacemos trabajar al BJT como interruptor (polarizacin de base, con Vcc
= 5V) y no hay corriente de base, la tensin de salida del transistor es
desconocida
baja (0 V)
alta (5 V)

7.a)
b)
c)

En el dibujo de la figura 4.1 el transistor T1 est en

colector comn
base comn
emisor comn

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Figura 4.1
8.a)
b)
c)

La adicin de una resistencia en el emisor en la configuracin de emisor comn

aumenta la estabilidad de la etapa
mantiene la amplificacin de tensin
disminuye la amplificacin de corriente

9.a)
b)
c)

La polarizacin de base est asociada a

los circuitos digitales
los amplificadores
un punto Q estable

10.- En la regin activa, la corriente de colector no est afectada significativamente

por:
a)
la ganancia de corriente
b)
la resistencia del colector
c)
la corriente de base
11.- La disipacin de potencia en el BJT
a)
es mayor en alterna que en continua
b)
es la producida por la tensin de alimentacin de continua menos la que se pierde
en continua en las resistencias del circuito
c)
es igual al producto de la corriente de colector y la tensin colector-base
12.a)
b)
c)

En un circuito electrnico la alimentacin de continua

se emplea siempre para polarizar el transistor en la zona activa
se obtiene siempre mediante bateras
limita los valores de la tensin alterna en la salida

13.- En el circuito de la figura 4.2, suponiendo diodos ideales, VCESAT de 0V y VBEON

de 0,6V. Cul de las tres relaciones entre las tensiones de entrada (A y B) y la
tensin de salida (output), expresadas en forma de tabla, es correcta
a)
Tabla 1
b)
Tabla 2
c)
Tabla 3

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Figura 4.2

A
0
0
5
5
14.a)
b)
c)
d)

Tabla 1
B
Output
5
0
0
0
5
5
0
0

A
0
0
5
5

Tabla 2
B
Output
5
5
0
0
5
5
0
5

A
0
0
5
5

Tabla 3
B
Output
5
0
0
5
5
0
0
0

Si el factor de un transistor aumenta, el punto de trabajo Q:

Se mueve hacia la zona de corte.
Se mueve hacia la zona de saturacin.
Los aumentos en no tienen influencia sobre el punto de trabajo Q.
Disminuye la corriente de colector

15.- En qu configuracin la temperatura influye ms sobre la polarizacin de un

transistor?
a)
En la polarizacin fija o de base.
b)
En un circuito con resistencia en el emisor.
c)
En la polarizacin por divisor de tensin.
d)
en todas ellas afecta de la misma forma.
16.a)
b)
c)
d)

La tensin VCE de saturacin

depende del transistor empleado
siempre vale 0.2 V
para los transistores de silicio es 0.2 V
ninguna de las otras respuestas

17.a)
b)
c)
d)

Las corrientes en un transistor pnp son

por lo general menores que las corrientes de los npn
opuestas a las corrientes npn
usualmente mayores que las corrientes npn
negativas

18.- Si la corriente de emisor se duplica en un circuito con polarizacin por divisor de

tensin, entonces la corriente de colector
a)
se duplica
b)
se reduce a la mitad
c)
no cambia
d)
aumenta
3

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19.- El transistor puede usarse como amplificador o como conmutador. Para ello debe
trabajar en:
a)
La zona activa y de saturacin, respectivamente, en un MOSFET.
b)
La zona de saturacin y resistiva, respectivamente, en un BJT.
c)
La zona activa y de corte-saturacin, respectivamente, en un BJT.
d)
La zona resistiva y de corte-saturacin, respectivamente, en un BJT.
20.- Curva caracterstica de entrada en base comn. En un transistor, al aumentar la
tensin colector-base manteniendo la tensin emisor-base constante, aumentar...
a)
la corriente de base
b)
la corriente de colector
c)
la corriente de emisor
d)
ninguna de los anteriores
21.- En la distorsin por saturacin en un circuito amplificador en emisor comn, la
salida del transistor (vCE) queda recortada por
a)
la parte superior
b)
la inferior
c)
por ambas
d)
ninguna de los anteriores
22.- BJT. Cuando est polarizado en la zona activa, la corriente de base es muy
inferior a las de emisor y colector:
a)
Porque a los portadores les cuesta superar la barrera de potencial de la unin
emisor-base, y prefieren continuar hacia el colector
b)
Porque el terminal de la base slo colecta los portadores minoritarios
c)
Porque la base tiene una seccin de rea pequea vista desde el terminal que
contacta con la base
d)
Solamente en saturacin y corte la corriente de base es inferior a las de emisor y
colector
En la figura 4.3 aparece un transistor as como sus curvas caractersticas de salida en
emisor comn. Los sentidos positivos de corrientes y tensiones son los que aparecen
representados sobre el propio transistor.

Figura 4.3
4

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23.a)
b)
c)
d)

El eje Y corresponde a la variable:

IC
-IC
IE
-IE

24.a)
b)
c)
d)

El eje X corresponde a la variable:

VCB
VCE
-VCB
-VCE

25.- La variable Z cuyo sentido de crecimiento en valor absoluto se ha marcado en la

figura, corresponde a:
a)
IB
b)
IE
c)
-IB
d)
-IE
26.a)
b)
c)
d)

Sea el circuito de la figura 4.4. Cul de las siguientes afirmaciones es cierta?:

Si RC aumenta, IC disminuye.
Nunca se satura
Se puede considerar independiente de cuando (RE+RC)>10RB
Todas son correctas

Figura 4.4
27.- Para que un transistor BJT trabaje en la zona de saturacin, la polarizacin de las
uniones deber ser:
a)
Unin de emisor en directa y unin de colector en inversa.
b)
Depender de si es npn o pnp.
c)
Unin de emisor en directa y unin de colector en directa.

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28.- Cmo se distingue el efecto Early de un transistor npn en las curvas caractersticas
en emisor comn?:
a)
En las curvas de entrada se ve que cuando VCE aumenta, con VBE constante, IB
disminuye. En las curvas de salida se distingue porque no son horizontales.
b)
En las curvas de entrada se ve que cuando VCE aumenta, con VBE constante, IB
aumenta. En las curvas de salida se distingue porque son horizontales.
c)
En las curvas de entrada se ve que cuando VCE aumenta, con VBE constante ,IB
aumenta. En las curvas de salida se distingue porque es constante.
29.- Sea el circuito de la figura 4.5. Se desea que funcione como interruptor. Tiene =
100, RC = 1 k, VCC= 15 V. Cunto deber valer RB para que cuando la seal de
entrada valga 15 V, el transistor se comporte como un interruptor cerrado?
a)
100 k
b)
0 k
c)
100

Figura 4.5
30.- En las curvas caractersticas de salida en base comn de un transistor npn, en el
eje horizontal, se representa la variable:
a)
VCB
b)
-VCB
c)
VCE
31.- En las curvas caractersticas de entrada en emisor comn de un transistor pnp, en
el eje vertical se representa la variable:
a)
IB (entrante)
b)
-IB (saliente)
c)
IE (entrante)
32.a)
b)
c)

En la polarizacin por divisor de tensin de un pnp, se tienen que emplear

Tensiones negativas
Tensiones positivas
Tierras (comunes)

33.- En un circuito amplificador con transistores, el punto de operacin instantneo

excursiona a lo largo de
a)
La lnea de carga de alterna
b)
La lnea de carga de continua
c)
Ambas lneas de carga

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34.- Sea un circuito amplificador por divisor de tensin. Ante una entrada senoidal
tenemos una onda cuadrada, eso implica
a)
hay distorsin por corte
b)
la tensin de alimentacin continua debe ser reducida
c)
la seal de entrada debe ser reducida
35.a)
b)
c)

La mayor parte de los electrones en la base de un transistor npn fluyen

Saliendo de la conexin de base
Entrando al colector
Entrando al emisor

36.- La potencia disipada por un transistor es aproximadamente igual a la corriente de

colector multiplicada por
a)
La tensin base-emisor
b)
La tensin colector-emisor
c)
La tensin de la fuente de continua del circuito de salida (VCC).
37.a)
b)
c)

En la regin activa, la corriente de colector no es afectada significativamente por

La ganancia de corriente
La corriente de base
La resistencia del colector.

38.a)
b)
c)

En corte el punto Q se halla en

El extremo superior de la lnea de carga
La parte central de la lnea de carga
El extremo inferior de la lnea de carga

39.- Si en un circuito con polarizacin de base el valor de la resistencia de colector

tiende a cero, la lnea de carga
a)
Tender a la horizontal
b)
Tender a la vertical
c)
No influye en la recta de carga
40.- Si en un circuito con polarizacin por divisor de tensin, la resistencia del emisor
est abierto, la tensin del colector
a)
Se necesitan ms datos para poder responder
b)
Es VCC
c)
Es cero
41.- Una pequea corriente del colector que est presente cuando la corriente de base
es cero proviene de la corriente de fuga de:
a)
El diodo emisor-base
b)
El diodo de colector-base
c)
El diodo de emisor-colector

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42.- En la polarizacin por divisor de tensin de un BJT tipo npn, la tensin en el

emisor es 0,7 V menor que
a)
La tensin de la base
b)
La tensin del colector
c)
La tensin de tierra
43.- Sealar la afirmacin ms correcta en relacin al efecto Early:
a)
La corriente de colector aumenta al polarizar ms en inversa el diodo basecolector, por el estrechamiento de la regin de base y el aumento de la corriente
de emisor.
b)
La corriente de emisor aumenta al polarizar ms en inversa el diodo base-colector,
por el ensanchamiento de la base y la mejor movilidad de los portadores
c)
La corriente de base disminuye al polarizar ms en inversa el diodo base-colector,
por el ensanchamiento de la base y el aumento de recombinacin en la base.
44.- La corriente de fuga en las curvas caractersticas de salida de un transistor BJT en
emisor comn (corriente de colector cuando la corriente de base es cero):
a)
Es la corriente de saturacin del diodo base-colector
b)
Es la corriente de saturacin del diodo base-colector ms la del diodo base-emisor
c)
Es la corriente de saturacin del diodo base-colector multiplicada por .
45.- En un circuito amplificador con BJT tipo n alimentado con tensin positiva, el
aumento de la tensin de alimentacin supone
a)
Un aumento de la zona activa efectiva
b)
Dependiendo del circuito puede aumentar o disminuir la zona activa efectiva
c)
Una disminucin de la zona activa efectiva
46.a)
b)
c)

En el circuito de la figura 4.6, la relacin IC/IB vale

hFE1 hFE2
hFE1/ hFE2
hFE2/ hFE1

Figura 4.6

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47.- En un circuito amplificador con BJT tipo pnp, de acuerdo al efecto Early cuando
la tensin VCB se hace ms negativa:
a) Aumenta la corriente de base
b) Disminuye la anchura de base efectiva
c) Disminuye el parmetro .
48.- En un transistor trabajando en la zona activa, a efectos prcticos, podemos decir
que la corriente de colector
a) aumenta al aumentar la tensin aplicada a la unin colector-base
b) disminuye al aumentar la tensin aplicada a la unin colector-base
c) Es constante con independencia de la tensin aplicada
49.- En un transistor trabajando en la zona de saturacin
a) IC I B 1 ICO
b)
c)

I C I E I CO
IC I B

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