Universidad Nacional De Ingeniera.

Facultad de Electrotecnia Y Computacin.

Asignatura:
Electrnica Analgica II
Contenido Del trabajo:
Informe de Laboratorio No. 2
Profesor:
Ing. Felipe Paz Campos
Estudiantes:

Grupo:
3T1-Eo
Aula:
B-1-3 (Edificio Rigoberto Lpez Prez)
20 de Mayo
2013

Calculos previos.

R1: Resistencia interna del generador.

Anlisis DC.

Ic

IB
Malla 2

Vth=
IE

1.818
1.8+8.2

Vth= 3.24V.
RTH=

1.88.2
1.8+8.2

Malla 1.

RTH= 1.47 K.

Aplicando L.K.V Malla 1.

Aplicando L.K.V Malla 2.

VTH = RTH * IB + VBE + IE * R5

18V = R6 * IC + VCE + R5 * IE

3.240.7

VCE = 18V 3.69mA * 2.88K

IE = 1.47
201

+0.68

VCE = 7.38V.

IE = 3.69 mA.
El punto de operacin del transistor es:
VCE = 7.38V + IE = 3.69mA.
Anlisis AC.

rb

gmV

V0
-

r = ( + 1) re

re =

r = (201)( 7.04)
r = 1.419 K.

re =

26

26
3.69

re = 7.04.

gm =
gm =

1
7.04

gm = 141.04mS.

V0 = (- gm * V) (2.2K // 2.2K)
V0 = (- gm * V) (1.1K)
1

( .61 +
1

)V

)Va - 0.61

=0

=0

Va = (1 + )V
(2.54ks +

V(2.54k + 2.54k

V =

)( 1 + )V 0.61

)=

=0

0.61

Vi
1.97+1.09 ksrb

= (141.04)(1.1 ) (
= (155.144) (

Si rb= 100.

= .

1
1.97+1.09

1.97+1.09

rb

gmV

R
V

+
V0
-

C = C * RTHC
RTHC = [(610 // RTH) + rb ] // r
RTHC = [

(0.6K)(1.47K)
1.47+0.6

+100] // 1.419K

RTHC = 0.3805K.

FT =

2(+)

c = 2
141.04

C = 2360 2
C = 60.35 PF.
C = (60.35 PF)( 0.3805K)
C = 22.96 nS.

C = C * RTHC

Vp

Io

Ip
gmv

V = (0.3805)IP
IO = IP + gmV

1.1

1.1

1.1

= + (0.3805)
(0.3805)
1.1

= + (49.409)

= 03459 + + (53.66)

= 380.49 + 1.1 + (1.1 53.66)

= . = RTHC

C = (2PF)(60.50K)

WH =

1
121+22.96

WH =6.94M

C = 121nS.

FH =

6.94
2

FH = 1.10M

rb

gmV

F
FL =

WL =

1
1

1
2

1
3

C1 = C1RTHC1
RTHC1 = [( + ) + ]// + 610
RTHC1 = [

(1.51)(1.47)
1.51+1.47

] + 610

RTHC1 = 1.35k
c1 = (470Nf) (1.35k)
c1 = 0.6345mS.

C2 = C2 * RTHC2
C2 = (470nF) (4.4k)
C2 = 2.06
mS.

RTHC2 = 2.2K + 2.2K

RTHC2 = 4.4K

IB

VP

IP

Ri' = [(Ri // RTH) + rb] // r

Ri' = [

(0.61k) (1.47k)
1.47+ 0.61

+0.1k] // 1.419k

Ri' = 0.3858k

RTHC3 =

I = IP + gmV + IB
V = - VP, IB =

,I=

= IP + gm(-VP) +

1
1
Ri

1
1
+

1
1
0.3858K

1
1
+
0.68 7.04

= .

C3 = (220F)(6.84)
C3 = 1.50 mS.

WL = 0.6345 +

+
2.06

WL = 2728.14
FL =
FL =

2728.14
2

FL = 434.19Hz

1
1.50

Desarrollo de la prctica de Laboratorio:

Luego de haber realizado el trabajo previo correspondiente al clculo

de la ganancia en la banda media, frecuencia en bajo y frecuencia alto
se procedi a montar y alambrar el siguiente circuito en la tabla de
nodos:

Teniendo nuestro circuito en el breadbord procedimos a realizar el

tercer paso que est en nuestra gua de trabajo correspondiente a este
laboratorio, pero antes de ello mostramos nuestro circuito a nuestra
profesora, para sus debidas correcciones si hubiese sido necesario,
teniendo el permiso y el visto bueno que el montaje fue exitoso,
procedimos a verificar el punto de operacin del circuito,
asegurndose que se tenga el voltaje indicado en el mismo.
La medicin del Vce, se realiz entre el colector y el emisor de este
transistor BJT 2N3904, utilizando el multmetro ubicado en nuestro
puesto de trabajo.
En la prctica la medicin del Voltaje colector-emisor es:
VCE= 7.25V

Tambin se requera la corriente en el emisor del transistor, para ello

medimos el voltaje en el resistor emisor del transistor, teniendo el
voltaje y el valor del resistor se pudo encontrar la corriente que pasa
por el emisor que es igual a la corriente de colector: El voltaje en el
resistor ubicado en el emisor es: VRE=2.48V
Por ley de Ohm, encontramos el valor de la corriente:
IE= VRE/680=2.48V/680

IE=3.64mA

Encontramos que el punto de operacin prctico es:

VCE= 7.25V,

IE=3.64mA

Verificando la condicin:

0 VCE Vcc,

0 7.25V18V

El transistor est funcionando como amplificador.

Luego de haber verificado el punto de operacin del circuito,
procedimos a ajustar nuestro generador de funciones, auxilindonos
del osciloscopio ubicado en el puesto, ubicamos la frecuencia en el
generador que es de 20kHZ, luego se calibro el voltaje pico a pico
observando en el osciloscopio la amplitud de la seal hasta tener
250mvp.
Teniendo esta seal, la aplicamos a la entrada del circuito, segn
nuestro diagrama dado. Empezamos a medir la seal de salida del
circuito, pero antes de ello verificamos la sonda para determinar si
atena seales y en que factor, comprobando lo anterior y observando
en nuestro osciloscopio que la seal de salida est en inversin de
fase, medimos la seal de salida del circuito, obteniendo una ganancia
en la banda media de 74.2.
Logramos observar que la ganancia de voltaje medida con aquella
esperada tericamente vara en mnimas cantidades, el porcentaje de
error es:
%error= 0.56%

Para lograr determinar la Frecuencia en bajo del circuito tomamos en

cuenta el valor pico del voltaje de salida con la frecuencia de 20KHZ,
el cual llamamos valor inicial del voltaje de salida=190mv, luego
multiplicamos este valor por 0.7071, anotamos el valor que es igual a
134.34mv, empezamos a disminuir lentamente la frecuencia de la
seal de entrada observando la seal de salida en el osciloscopio,
para lograr notar cuando el voltaje de salida alcance los 134.34mv,
cuando tenga este valor habr alcanzado el punto inferior de -3dB, y
esta es nuestra frecuencia en bajo. Realizando esto cuando llegamos
a este valor de voltaje en la salida la frecuencia presentada por el
generador de funciones es de 432.4HZ.
Nuestra frecuencia en bajo medida en la prctica es de:
FL=432.4HZ.
Luego de haber hecho este procedimiento, retornamos la frecuencia a
20KHZ, y empezamos a incrementar la frecuencia en el generador de
funciones, mientras observamos la seal de salida en el osciloscopio,
hasta que el voltaje alcance el valor de 0.7071 del voltaje de salida
inicial. Variando lentamente la frecuencia logramos llegar a la
frecuencia de 1MHZ, que sera la frecuencia mxima entregada por el
generador de funciones, en este punto el voltajes de salida tuvo muy
prximo al valor esperado que se presentara en nuestro osciloscopio,
este punto corresponde a la frecuencia superior de -3 dB, sea es
nuestra frecuencia en alto, La frecuencia en alto es de:
FH=1 MHZ
A continuacin se muestran los datos tericos y prcticos medidos con
su correspondiente porcentaje de error:
Medidas
ABM

Valor
prctico
74.2

Valor
terico
-74.62

% Error
0.56%

FL

432.4HZ

434.19HZ

0.41%

FH

1MHZ

1.10MHZ

9%

Preguntas de repaso.

1) Qu pasara con la FH de su circuito si usted sustituye el transistor por otro con

una FT mayor?

a) Aumenta

b) Disminuye 2

c) No cambia ya que es independiente del transistor.

2) Si la resistencia de carga aumenta que pasa con la FH de su circuito:

a) Aumenta

b) Disminuye

c) No cambia ya que es independiente da la carga.

3) Qu pasa con la FL si sustituimos el capacitor de 220F por uno de 10F?

a) Aumenta
c) No cambia

b) Disminuye