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PRACTICA # 1: CIRCUITO DE ONDA

TRIANGULAR EN BJT PNP-NPN
Byron Carmona - Marco Nieto
bcarmona@est.ups.edu.ec - mnietoa@est.ups.edu.ec
ResumenEn este documento se plasmara la realizacin de
tres circuitos que permitirn la visualizacin de tres formas de
onda diferentes, cada una tendr una forma que se adaptara
a los valores impuestos en su circuito debido a la variacin de
resistencia que se presentara en la base de cada transistor.
In this paper the implementation of three circuits that allow the
visualization of three different waveforms will be captured, each
will have a form that suited the values imposed on its circuit due
to resistance variation to appear at the base of each transistor.
Index TermsTransistor, BJT, FET.

I.

OBJETIVOS

Realizar un circuito que permita la visualizacin de las

diferentes caractersticas de una onda triangular.
Realizar la configuracin del circuito adaptndose a los
requerimientos impuestos.
II.
II-A.

MARCO TERICO

TRANSISTOR FET

El transistor de efecto de campo o FET es un elemento

electrnico constituido por un material semiconductor y al
igual que un transistor BJT puede trabajar en las zonas de
corte y saturacin.
Un transistor FET puede ser de canal N o de canal P, se
le denomina de canal N cuando est constituido en su mayor
parte por materia semiconductor tipo N, en el cual se inscriptaa
cada costado en menor cantidad material semiconductor tipo
P, adems se coloca contactos hmicos en cada material
semiconductor para definir el ingreso, la salida y control.
El contacto colocado en la parte superior del material N
se denomina Drenaje D, el contacto colocado en la parte
inferior del semiconductor se le denomina Fuente S, y
los contactos colocados en el semiconductor tipo P se les
denominan Compuerta G.

Figura 2.

II-A1. Clasificacin: Los transistores FET se clasifican en.

1. Transistor JFET.
a) Transistor de canal N.
b) Transistor de canal P.
2. Transistor MOSFET.
a) Transistor de enriquecimiento.
b) Transistor de empobrecimiento.
II-A2. Caracteristicas: Este dispositivo segn sea la regin de polarizacin que se le asigne, este elemento puede
trabajar como:
Resistencia controlada por voltaje.
Amplificadores de corriente o tensin.
Fuente de corriente.
Presentando grandes caractersticas, superando a un BJT:
Presenta una alta impedancia de ingreso.
Su tamao fsico es menor en comparacin a un BJT.
Su consumo de potencia es mucho menor.
Y especialmente sus caractersticas no se ven muy afectadas en los cambios de temperatura.
Pero sus desventajas son:
Presenta muy poca ganancia de voltaje.
Es muy susceptible en su manejo
Se daa con facilidad. [1]
II-B.

Figura 1.

Transistor FET

Curva del transistor FET

Transistor BJT

Los transistores BJT (Bipolar Junction Transistor) son componentes de 3 terminales, y representan la extensin natural
de los diodos, por el hecho que terminales, y representan la
extensin natural de los diodos, por el hecho de que estn
compuestos por un par de junturas P-N. Bipolar, esto queire
decir que; entran en juego tanto electrones como huecos.

Existen dos variantes posibles de c onfiguracin, llamadas

PNP y NPN, en funcin de la naturaleza del dopado que
tengan. A los terminales se los llama Emisor, Base y
Colector.
Constructivamente, el Emisor tiene un dopaje mucho ms
alto que la Base; y a su vez la Base tambin tiene un dopaje
mayor que el Colector.

Figura 3.

r
I = CV
t
Para calcular la resistencia de base se aplico Ley de Ohm
relacionando la corriente que circulara por dicha resistencia y
el voltaje.
En las siguientes figuras se encuentran dos de los tres
resultados obtenidos para los diferentes valores de resistencia
que se necesitaban para dar la forma requerida a la onda

Figura 5.

Onda triangular con periodos de carga y descarga equivalentes

Figura 6.

Onda triangular con periodos de carga y descarga diferentes

Transistor BJT

II-B1. Curvas del Transistor: Estos dispositivos presentan

curvas parametrizadas, debido al nmero de corrientes y
tensiones presentes. Existe una zona llamada de saturacin,
una de corte y una activa.
Un transistor:
1. Est en corte si la juntura BE no est polarizada.
2. Est en saturacin si la juntura CB queda polarizada en
directa.
3. Caso contrario se encuentra trabajando en la zona activa,
siempre que la juntura BE est en directa y CB en
inversa.

IV.
IV-A.

Figura 4.

Espaol:
Realizamos la elaboracin de un circuito que permita la
visualizacin de las diferentes caractersticas de una onda
triangular y sus diferentes parmetros.
Para poder realizar la configuracin del circuito adaptado
a los requerimientos impuestos, se tuvo que calcular valores de resistencia diferentes para las diferentes formas
de onda.
Para obtener una mayor inclinacin o pendiente en la
forma de onda triangular se tuvo que disminuir el valor de
la resistencia de base de uno de los transistores utilizados.
El sistema funcionara de la mejor manera y brindara el
mejor resultado siempre y cuando las caracteristicas de
los transistores utilizados sean las mismas y compatibles.

Curva del Transistor BJT

III.

C ONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

D ESARROLLO

Para poder obtener las tres diferentes seales en el circuito

se estableci los valores de las resistencias de base con
clculos atribuidos por el profesor, tomando en cuenta el ciclo
de trabajo de la onda.
Se estableci el valor de la corriente por medio de la formula
que relaciona el valor de los capacitores utilizados, el periodo
de la onda y el voltaje en la resistencia de base.

IV-B.

Ingls:
Realize the development of a circuit that allows the visualization of the different characteristics of a triangular
wave and its various parameters.
To perform configuration adapted to the requirements
imposed circuit had to calculate different resistor values
for different waveforms.

To obtain a greater inclination or slope in the triangular

waveform is had to decrease the value of the base
resistance of the transistors used.
The system would work the best and give you the best
result as long as the characteristics of the transistors used
are the same and consistent.
R EFERENCIAS
[1] Universidad de Oviedo, transistores de efecto campo FET, disponible en:
http://www.ate.uniovi.es/ribas/Docencia03_04/Presentaciones/Teoria_JFET.pdf
[2] http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-sistemas-electronicos/materialde-clase-1/tema-3.-transistores-de-union-bipolar-bjt.pdf