Practica No 9: Transistor BJT, caracterizacin y

circuitos de polarizacin
Barragn N. Juan Antonio, Bohrquez T. Diana Camila, Ruiz S. Nathaly Elizabeth.
Abstract- Since its invention, the BJT transistor have
revolutionized electronics thanks to the wide range of applications
that can be done with them, applications that range from amplifiers
design to the design of digital logic and memory circuits. Although
now a day it is being replaced by the MOSFET transistor, who is
now considered the most widely use electronic device, BJT
technology remains significant in certain applications, like in high
frequency circuits or automotive technology. The main objective of
the following paper is to be introduced to the basic current-voltage
characteristics of BJT transistor, as well as, to its basic parameters
and operation regions. Also it will be analysed some basic biasing
configurations, that will later lead to design of amplifications
circuits with BJTs. Finally it will be analysed which of the biasing
configurations it is more stable to temperature changes.

el pnp, para este laboratorio solo se utilizar transistores tipo

npn por lo que no se explicaran los transistores pnp. La
representacin tpica de un transistor BJT npn se observa en la
ilustracin 1.

Keywords: BJT operation regions, BJT voltage-current

characteristics, 3 terminal devices, BJT biasing configurations.

I.

INTRODUCCIN

Los dispositivos de tres terminales, como el transistor

MOSFET o BJT han demostrado ser de mucha mayor utilidad
que los dispositivos de dos terminales esto se puede concluir a
partir de la amplia gama de aplicaciones que se han podido
desarrollar desde su aparicin. Actualmente los transistores
BJT son muy utilizados en circuitos analgicos que estn
expuestos a condiciones climticas difciles, circuitos de alta
frecuencia o combinados con transistores MOSFET para
aplicaciones innovadores, adems de ser un dispositivo muy
til para el diseo de reguladores serie y amplificadores de
seal. El objetivo de este laboratorio ser familiarizarse con
las caractersticas bsicas de corriente y voltaje y las zonas de
operacin de un transistor BJT mediante mediciones en el
laboratorio y analizar una primera aplicacin de este transistor
en circuitos de polarizacin, una buena comprensin de las
caractersticas de este dispositivo facilitar despus el diseo y
anlisis de aplicaciones ms complejas como los circuitos
amplificadores de seal.
II.

MARCO TERICO

Los transistores BJT son dispositivos electrnicos de tres

terminales, las cuales se nombraran siempre emisor, base y
colector. Se pueden hallar dos tipos de este transistor, el npn y

Ilustracin 1: representacin tpica de un transistor BJT,

npn
Los transistores BJT tienen tres zonas de operacin, la zona
activa, zona utilizada para el desarrollo de amplificadores, la
zona de saturacin y la zona de corte, cada uno de estas zonas
tiene caractersticas completamente diferentes. Se empezar
analizando la ms sencilla de todas, la zona de corte. En esta
zona el transistor se comporta como un circuito abierto es
decir no conduce corriente a travs de las terminales colector
emisor, se accede a esta zona cuando el voltaje en la juntura
base emisor es menor a 0.7 volts, se puede considerar que
entre la base y el emisor se encuentra un diodo, y que este solo
conducir cuando esta polarizado en directo a ms de 0.7 volts
aproximadamente.
La siguiente zona de operacin a analizar es la zona activa en
esta zona el transistor se puede modelar como una fuente de
corriente controlada por corriente, la corriente reguladora ser
la corriente que entra por la terminal de la base y la corriente

regulada ser la que entra a travs de la terminal del colector.

La relacin entre estas dos corrientes es la siguiente:
=

(1)

Donde Ib es la corriente de la base, Ic la corriente del colector

y un parmetro de construccin del transistor, se puede
observar que entre mayor sea el parmetro mayor es el
aumento de la corriente del colector debido a una corriente de
base fija. Tambin se puede escribir la corriente del colector
en funcin del voltaje entre la base y el emisor, en esta caso el
transistor se puede modelar como una fuente de corriente
controlada por voltaje, esta relacin es la siguiente:
=

Otra caracterstica importante de esta zona de operacin es que

la corriente en el colector es independiente del voltaje que
haya entre las terminales del colector y el emisor, esta
caracterstica hace esta zona muy deseada para el diseo de
amplificadores de seal. Se estar en esta zona siempre y
cuando la juntura base emisor este polarizada a ms de 0.7
volts y que el voltaje colector emisor sea mayor a 0.3V si este
voltaje es menor a 0.3V se entrar en la ltima zona de
operacin, la zona de saturacin.
La saturacin no es una zona muy deseada debido a que la
corriente del colector se vuelve dependiente del voltaje
colector emisor y disminuye a medida que este lo hace, al
realizar el clculo del factor en esta zona se obtendr un
valor ms pequeo al calculado en la zona activa debida a la
dependencia de la corriente de base con el voltaje colector
emisor. En la ilustracin 2 se observa la grfica de corriente de
colector vs el voltaje colector emisor, se observa que a partir
de
0.3 volts la corriente toma un valor constante
independiente de voltaje colector emisor. Otra caracterstica
importante que se observa es que la pendiente en la zona de
saturacin y la corriente constante que se obtiene en el
colector es mayor si se aplica una mayor corriente de base.

Ilustracin 2: grafica Ic vs Vce

III.

SIMULACIONES, GRFICOS, TABLAS Y

FRMULAS.

Procedimiento 1:

Circuito 1:
Circuito utilizado para el primer procedimiento, la
probeta verde corresponde al voltaje colector emisor
mientras que la probeta roja corresponde al voltaje base
emisor.

Imagen 1: fotografa de la seal obtenida al observar con el

osciloscopio, el voltaje colector emisor del circuito 1
(Probeta Verde)

VBE VS IC

10
8
IC (mA)

6
4
2
0

-2 0

0,5
Vbe (V)

Grfica 1: curva exponencial de los datos de la tabla 1,

estos datos se tomaron fijando puntos arbitrarios del
voltaje Vbe y luego midiendo la corriente del colecctor.
Imagen 2: fotografa de la seal obtenida al observar con el
osciloscopio, el voltaje base emisor del circuito 1 (Probeta
roja)

IC(mA)
4,08
4,46
4,8
5,16
5,02

IB(mA)
0,04
0,05
0,06
0,08
0,07
B promedio

B
102
89,2
80
64,5
71,7142857
81,4828571

Tabla 2: tabla de diferentes valores para la corriente de la

base y la corriente del colector.
Imagen 3: Funcin de transferencia del circuito 1, esta se
logr observando el voltaje Vbe y Vce en el modo XY del
osciloscopio

VBE (V)
0
0,56
0,77
0,785
0,791
0,795
0,8
0,822
0,843

IC (mA)
0
0
3,12
4,92
5,54
5,9
6,46
8,09
8,94

Tabla 1: Datos de corriente colector vs voltaje base emisor

para el procedimiento 1.

Procedimiento 2:

Circuito2:

Imagen 4: Voltaje colector-emisor y el voltaje en la

resistencia de 1k del circuito 2.

Circuito 4:

Imagen 5: Voltaje colector-emisor y el voltaje en la

resistencia de 1k en el modo xy del osciloscopio
Procedimiento 3:
Diseo de circuitos de polarizacin:

Circuito 5:

Vb
Circuito
Vc
3
Ve
Vb
Circuito
Vc
4
Ve
Circuito 3:

temp ambiente
3,05
8,92
2,26
0,802
6,76
0

Calentado
3,08
8,9
2,3
0,643
6,65
0

Tabla 3: mediciones de las variaciones de cada

configuracin a cambios de temperatura.
IV.

ANALISIS

Procedimiento 1:
Al conectar la seal sinusoidal al circuito del procedimiento 1,
se observaron variaciones del voltaje base-emisor entre 0.5 V

y 0.8V, lo que generaba que el transistor estuviera alternando

entre la zona de corte y la zona Activa de operacin. Cuando
el voltaje Base Emisor se encuentra su valor ms bajo (0.5V)
se observa que el transistor se encuentra en la zona de corte y
por lo tanto no hay conduccin a travs de las terminales de
colector emisor. Al no haber corriente en esa malla del circuito
tambin se observa que los 10 voltios de la fuente dc aparecen
en las terminales del colector y el emisor. A medida que el
voltaje base emisor aumenta, el diodo cambia de zona de
operacin a zona activa, en esta zona el transistor empieza
conducir corriente lo que genera una cada de voltaje en la
resistencia de 1 y en consecuencia el voltaje colector emisor se
reduce. Al visualizar Vbe y Vce en el modo xy del
osciloscopio, imagen 3, se observa el comportamiento
anteriormente descrito, una zona en la que el voltaje colector
emisor es constante y durante la cual el transistor se encuentra
en la zona de corte y una segunda seccin en la que el voltaje
colector emisor se reduce drsticamente debido a la corriente
fluyendo a travs de la resistencia de 1k. Si se hubiera permito
que el voltaje base emisor hubiera aumentado ms, se hubiera
observado como el transistor entra en la zona de saturacin,
esto se hubiera logrado cuando el voltaje colector emisor
hubiera llegado al valor de 0.3 voltios, completando la funcin
de transferencia del transistor.
Para la segunda parte del procedimiento 1, se remplaz la
fuente sinusoidal por una fuente DC y se tomaron datos de la
corriente de colector y del voltaje base emisor para diferentes
valores de esta fuente, estos se ven consignados en la tabla 1.
Al realizar la grfica de estos se observa la relacin
exponencial que hay entre el voltaje base-emisor y la corriente
de colector. Esta relacin proviene del diodo que hay en la
juntura base-emisor que hay en el transistor.
Para la medicin del parmetro Beta del transistor en zona
activa se realiz la medida de diferentes valores de la corriente
de base Ib y la corriente del colector Ic para diferentes valores
de la fuente DC, estos datos se encuentran consignados en la
tabla 2, adicionalmente se encuentra en la tabla la razn de
Ic/Ib que es igual al parmetro Beta del transistor, al realizar el
promedio de todos los puntos medidos se obtienen un valor de
Beta de 81, este valor se utiliz para el procedimiento tres para
el diseo de los circuitos de polarizacin.
Del procedimiento anterior se concluyen que existe una
relacin exponencial entre la corriente del colector y el voltaje
base-emisor, la segunda conclusin que se obtiene es que si la
juntura base emisor no est polarizada a ms 0.5 voltios le
transistor se encontrar en la zona de corte y no conducir
corriente, finalmente se concluye al trabajar el transistor BJT
entre la zona activa y la zona de corte funciona como una
switch controlado por voltaje (VBE ).
Procedimiento 2:

En el circuito dos se procedi primero a observar la corriente

del colector mediante la cada de voltaje de la corriente de 1 k
y el voltaje colector emisor mediante los dos canales del
osciloscopio de donde se obtuvo la imagen 4 y se consign en
la bitcora que el voltaje mximo alcanzado entre el colector y
el emisor fue de 40mV, por lo que se concluye que el
transistor esta trabajando en la regin de saturacin, al
observar estas dos seales en el modo XY del osciloscopio se
obtiene una lnea recta que corresponde a la zona de saturacin
de la grfica de Ic vs Vce. Al aumentar el potencimetro, se
observ que la pendiente de la recta aument, lo que implica
que hay una relacin entre la corriente de la base y la curva de
Ic vs Vce, finalmente se reemplaz la seal triangular por una
fuente dc de 10 V y se calcul la razn entre Ic y Ib para
obtener un valor de B del transistor en la zona de saturacin,
para el caso en el que el potencimetro tena un valor de 5k se
obtuvo que Ic=19.21mA y Ib=2.37mA, al realizar la razn de
estas dos se obtuvo un valor de B de 8.10 valor
considerablemente significativo al calculado en el
procedimiento anterior.
Se concluye del anterior procedimiento que la existencia de
una zona ms del transistor, la zona de saturacin, cuya
principal caracterstica es que la corriente es dependiente del
voltaje que haya en entre el colector y el emisor, tambin se
concluye que el B del transistor en esta zona es
significativamente menor al que obtuvo al medirlo en el
multmetro.
Procedimiento 3:
Una vez diseados los circuitos con las especificaciones dadas
en la gua, se procedi a realizar mediciones del voltaje de
base, del voltaje de colector y del voltaje de emisor para los
tres circuitos a temperatura ambiente y luego calentando el
transistor mediante un cautn, los datos se encuentran
consignados en la tabla 3.
La primera observacin que resalta es que el voltaje de la base
en la primera configuracin se cae significativamente, de 0.8 a
0.64, esta configuracin no es recomendable para polarizar el
transistor BJT se fija tanto el voltaje Vbe como la corriente de
base, el resultado de esto es que cualquier variacin que haya
por pequea que sea, resultar en grandes cambios tanto en la
corriente del colector como el voltaje VCE .
Al comparar las variaciones de la configuracin 2 se puedo
concluir que a pesar de las variaciones de temperatura los
voltajes en cada nodo del transistor no variaron
significativamente. Esto se puede explicar gracias a que la
resistencia Re que no se tena en la configuracin anterior
cumple la funcin de retroalimentar el sistema negativamente,
si por ejemplo la corriente del colector aumentar por la
variaciones de temperatura, la cada de voltaje en la resistencia
tambin aumentara y por lo tanto el voltaje del emisor,

teniendo en cuenta que el voltaje en la base solo depende del

divisor de voltaje de la resistencias conectadas a la base y
estas no varan el voltaje de la base se mantiene constante,
haciendo que el voltaje VBE disminuya contrarrestando el
aumento de corriente en el colector que se haba asumido
inicialmente. Este configuracin de polarizacin es muy
apropiada para el diseo de amplificadores en la configuracin
de emisor comn, debido a su robustez frente a variaciones de
temperatura.
La tercera configuracin de polarizacin demostr ser igual de
robusta a la anterior, con la nica desventaja que requiere de
dos fuentes de voltaje para montarla, esta configuracin es
muy til para disear amplificadores en configuracin de
emisin comn y de base comn si se retira la resistencia de la
base.

V.
CONCLUSIONES:
El transistor BJT tiene tres zonas de operacin en las que
puede trabajar, la zona de corte en la que transistor no
conduce a travs de las terminales de colector y el
emisor, se accede a esta zona de operacin cuando el
voltaje en la juntura base emisor es menor 0.5 volts, la
zona activa, en la cual la corriente en el colector es
independiente del voltaje colector-emisor, se accede a
esta zona al aumentar el voltaje base emisor a ms de 0.5
v y adicionalmente se debe tener un voltaje Vce mayor a
0.3 voltios para mantener la juntura base colector
polarizada en inversa, finalmente si el voltaje Vce se
reduce a menos 0.3 v el transistor estar trabando en la
zona de saturacin.
En la zona de saturacin el parmetro beta del transistor
es mucho ms pequeo del que se obtiene en la zona
activa, y se puede variar de acuerdo a la corriente de la
base.
En los circuitos de polarizacin con BJT no es
conveniente fijar una corriente de base o un voltaje Vbe
ya que cualquier pequea variacin en los parmetros del
transistor generara grandes cambios en la corriente del
colector y en el voltaje colector emisor.

VI.

BIBLIOGRAFA

[1]Muhammad, R. Circuitos micro electrnicos anlisis y

diseo. Espaa, Madrid. International Thomson Edition.
2000. Pag. 109-123.
[2] A. S. Sedra and K. C. Smith, Microelectronic Circuits
Revised Edition, 5th ed. New York, NY, USA: Oxford
University Press, Inc., 2007. Pag. 207-213.