Estructura De los Semiconductores electricos

Los semiconductores constituyen una amplia clase de materiales cuya

conductividad elctrica aumenta con la temperatura y es significativamente menor
que la de los metales;

para la fotocatlisis, tal como la generacin de pares

electrn-hueco por absorcin de fotones y la distribucin de estados electrnicos

en la superficie.
Estructura de bandas
Los semiconductores de inters en fotocatlisis son slidos (generalmente xidos
o halogenuros) donde los tomos constituyen una red tridimensional infinita. El
solapamiento de los orbitales atmicos va ms all de los primeros vecinos,
extendindose por toda la red; resulta entonces una configuracin de estados des
localizados muy prximos entre s, que forman bandas de estados electrnicos
permitidos.
Entre las bandas, hay intervalos de energa en los cuales no hay estados
electrnicos permitidos; cada uno de estos intervalos es una banda de energa
prohibida o gap.
Para los fines de la fotocatlisis y de la mayora de las propiedades Qumicas y
fsicas de los slidos, las bandas que limitan el Gap de inters son la banda de
valencia (BV), de menor energa, y la banda de conduccin (BC), de mayor
energa. Ambas bandas surgen del solapamiento de los niveles atmicos de los
electrones de valencia y, segn su grado de ocupacin, contienen los niveles
ocupados ms altos y los niveles desocupados ms bajos.
Hay tantos niveles electrnicos como tomos en la red. Para una red infinita, la
diferencia entre dos estados electrnicos es prcticamente nula y la configuracin
electrnica se expresa como bandas a partir de la funcin de densidad de estados.
La funcin DEE representa un conteo de los niveles electrnicos comprendidos en
un intervalo infinitesimal de
energa.

Niveles electrnicos resultante del enlace entre tomos idnticos. (a) orbitales
moleculares resultantes
del solapamineto de dos tomos, cada uno con un nico orbital atmico; (b)
cadenas de 4, 6 y N tomos. (c) es
la densidad de estados de energa (DEE) para una cadena infinita de tomos.
(Pedro Coca Rebollero, 2000)

Resea histrica
En 1879, E. H. Hall descubri un efecto esencial para el desarrollo de mtodos
que permitieron la caracterizacin de semiconductores. Este efecto permite la
determinacin de la densidad de cargas adems del tipo de carga transportada.
En 1897, el descubridor del electrn, J. J. Thomson, estimul el desarrollo de
descripciones tericas de la conduccin en metales. Tres aos despus, P. Drude
desarroll un modelo, el cual describe la conduccin trmica y elctrica de slidos.
Sin embargo, una descripcin cuantitativa del transporte de carga en
semiconductores fue slo posible despus de que la mecnica cuntica estuvo
disponible y fue aplicada a los slidos. En 1926, F. Bloch formul un teorema de
mecnica cuntica, conocido como el teorema de Bloch, el cual describe la funcin
de onda del electrn tomando en cuenta la estructura cristalina del slido. Otro
importante descubrimiento fue hecho por A. H. Wilson en 1931, quien demostr
que los semiconductores son aislantes con estrechos gaps de energa. l tambin
introdujo el concepto de huecos.

Cincuenta aos atrs, Bardeen, Brattain y Shockley desarrollaron el primer

transistor abriendo el camino a los dispositivos semiconductores. El primer lser
semiconductor fue fabricado a principios de la dcada de los sesenta. Una nueva
ola en investigaciones de heteroestructuras semiconductoras de bajas
dimensiones fue desencadenada por el descubrimiento del efecto Hall cuntico en
1980 por K. von Klitzing en la capa de inversin de un field effect transistor, el cual
forma una capa cuasi bidimensional. Esta investigacin est enfocada
actualmente a travs de la realizacin de alambres cunticos y lseseres dot
adems de un transistor de electrn simple. Un eslabn que faltaba para
aplicaciones optoelectrnicas fue descubierto en 1992, el lser azul basado en
semiconductores II-VI. No obstante, actualmente su tiempo de vida es an algo
corto. En 1993, el diodo de emisin de luz azul (LED) basado en GaN fue
demostrado y ahora se produce en masa. En 1997 el primer lser de diodo azul
basado en GaN con un estimado de tiempo de vida de ms de 10000 horas se
report.

Bibliografa
Pedro Coca Rebollero, J. R. (2000). Ciencia de materiales Teora-ensayostratamientos (14 ed.). espaa: Ediciones Piramide.

]. A.B. Ellis, M.J. Geselbracht, B.J. Johnson, G.C. Lisensky y W.R. Robinson,
General Chemistry, A
Materials Science Companion; American Chemical Society, Washington
DC, 1993.
[2]. R. Hoffmann, Solids and Surfaces, VCH Publishers, 1988.