Beruflich Dokumente
Kultur Dokumente
TRANSMISORES PTICOS
El papel del transmisor ptico es convertir una seal de entrada elctrica en la seal
ptica correspondiente y luego enviarlo hacia la fibra ptica que sirve como un canal de
comunicacin.
El componente principal de los transmisores pticos es bsicamente una fuente ptica.
Los sistemas de comunicacin de fibra ptica a menudo utilizan fuentes de
semiconductores pticos como diodos emisores de luz (LEDs) y los lseres de
semiconductores debido a varias ventajas inherentes ofrecidos por ellos. Algunas de
estas ventajas son su tamao compacto, de alta eficiencia, buena fiabilidad, rango de
longitud de onda, y la posibilidad de modulacin directa en frecuencias relativamente
altas. Pese a que la operacin de los lseres semiconductores se demostr tan pronto
en 1962, su uso se convirti en prctica slo despus de 1970, cuando los lseres
semiconductores que operan continuamente a temperatura ambiente llegaron a estar
disponibles [1]. Desde entonces, los lseres semiconductores se han desarrollado
ampliamente debido a su importancia para las comunicaciones pticas.
Tambin se les conoce como los diodos lser o lser de inyeccin, y sus propiedades
son discutidas en varios libros recientes. Este captulo est dedicado a los LEDs y
lseres semiconductores y sus aplicaciones en los sistemas de ondas de luz. Despus
de la introduccin de los conceptos bsicos en la Seccin 3.1, los LEDs estn
cubiertos en la Seccin 3.2, mientras que la Seccin 3.3 se centra en lseres
semiconductores. Describimos lseres semiconductores monomodo en la Seccin 3.4,
sus caractersticas de funcionamiento en la Seccin 3.5. Los problemas de diseo
relacionados con transmisores pticos en la Seccin 3.6.
3.1 CONCEPTOS BSICOS
En condiciones normales, todos los materiales absorben la luz en lugar de que la
emitan. La absorcin es un proceso que puede ser entendido por referencia en la Fig.
3.1, donde los niveles de energa E1 y E2 se corresponden con el estado fundamental
y el estado excitado de los tomos del medio absorbente. Si la energa del fotn
de la luz incidente de frecuencia
de energa
hv
estado excitado. La luz incidente es atenuada como resultado de la absorcin tales que
se producen en el interior del medio.
Fig. 3.1 Tres procesos fundamentales que ocurren entre los dos estados de energa de
un tomo
(a) Absorcin; (b) emisin espontanea; (c) emisin estimulada.
Los tomos excitados con el tiempo vuelven a su estado normal "terreno" y emiten luz
en el proceso. La emisin de luz puede ocurrir a travs de dos procesos fundamentales
conocidas como la emisin espontnea y emisin estimulada. Ambos se muestran
esquemticamente en la Fig. 3.1. En el caso de emisin espontnea, los fotones son
emitidos en direcciones aleatorias sin relacin de fase entre ellos. La emisin
estimulada, por el contrario, se inicia por un fotn existente. La caracterstica notable
de la emisin estimulada es que el fotn emitido coincide con el fotn original no slo
en energa (o en frecuencia), sino tambin en sus otras caractersticas, tales como la
direccin de propagacin. Todos los lseres, incluyendo lseres semiconductores,
emiten luz a travs del proceso de emisin estimulada y se dice que emiten luz
coherente. En contraste, los LED emiten luz a travs del proceso incoherente de
emisin espontnea.
3.1.1 TASAS DE EMISIN Y ABSORCIN
Antes de tocar el tema de las tasas de emisin y absorcin en los semiconductores, es
inecesario considerar un sistema atmico de dos niveles que interactan con un campo
electromagntico a travs de transiciones que se muestran en la Fig. 3.1. Si N1 y N2
son las densidades atmicas en el suelo y los estados excitados, respectivamente, y
P ph( )
N2
Ek
h
=exp
exp
(3.1 .2)
N1
BT
kBT
( )
( )
em
se
convierte en:
em=
A
B
B
hv
exp
1
B
kbT
( ) ( )
(3.1.4 )
em
em=
8 h /c
(3.1 .5)
exp(h /kBT )1
A=
8 h 3
B; B=B . ( 3.1.6 )
c3
Estas relaciones se obtuvieron por primera vez por Einstein. Por esta razn, A y B se
denominan coeficientes de Einstein.
Dos importantes conclusiones pueden extraerse de las ecuaciones. (3.1.1) - (3.1.6). En
primer lugar,
kBT > hv .
Rspon
Rstim y Rabs
considerablemente si
(hv 1 eV ) ,
emisin
1
Rstim
h
=[exp(
)1] 1.(3.1 .7)
Rspon
kBT
Por lo tanto, todos los lseres deben operar fuera de equilibrio trmico. Esto se logra
mediante el bombeo de lseres con una fuente de energa externa. Incluso para un
sistema atmico bombeado externamente, emisin estimulada puede no ser el proceso
dominante, ya que tiene que competir con el proceso de absorcin. Rstim puede
exceder Rabs slo cuando N2 > N1. Esta condicin se conoce como inversin de
poblacin y nunca se realiza para los sistemas en equilibrio trmico .En sistemas
atmicos, se consigue mediante el uso de esquemas de bombeo de tal manera que
una fuente de energa externa plantea la poblacin atmica desde el estado
fundamental a un estado excitado est por encima del estado de energa E2 en la Fig.
3.1.
Las tasas de emisin y absorcin de semiconductores deben tener en cuenta las
bandas de energa asociadas con un semiconductor. La figura 3.2 muestra el proceso
de emisin de forma esquemtica mediante la estructura de bandas ms simple, que
consiste en la conduccin y de valencia bandas parablicas en el espacio de la energa
de onda-vector (diagrama E-k). La emisin espontnea puede ocurrir slo si el estado
de energa E2 est ocupado por un electrn y el estado de energa E1 est vaca (es
decir, ocupada por un agujero). La probabilidad de ocupacin de los electrones en las
bandas de conduccin y de valencia est dada por la distribucin de Fermi-Dirac.
E 2Efc
fc ( E 2 )= 1+exp
kBT
fc ( E 1 )= 1+exp
Donde
Efc
E 1Efv
kBT
]}
1(3.1.8)
]}
1(3.1.9)
en un frecuencia se obtiene sumando sobre todas las transiciones posibles entre las
dos bandas que
E 2E 1=Eem=h ,
donde =
1fv ( E 1) cv dE 2
A ( E 1,E2) fc( E 2)
R spon ( )=
Ec
2 , H =h/2
Eem
es
cv
de estados por unidad de volumen por unidad de intervalo de energa, y est dada por:
( 2 mr )3
1
2
2
cv=
(
hwEg
)
(3.1 .11)
2 3
2 h
mr
mc y mv
cv
Donde
em
fc ( E 2)>fv( E 1).
cumple cuando:
E 2E 1
es igual a
Eg ,
niveles de Fermi debe superar la banda prohibida para inversin de poblacin que se
produzca. En equilibrio trmico, los dos niveles de Fermi coinciden
(Efc=Efv ).
Efc
conduccin; tales semiconductores se dice que son degenerados. Del mismo modo, el
nivel
Efv
pn
banda de energa de
Cuando la unin
pn
aumenta
conocida.
[ ( ) ]
I =Is exp
qV
1 (3.1 .15)
kBT
pn
Fig. 3.3. Diagrama de energa de banda de (a) homo estructura y (b) de doble hetero
estructura de uniones p-n uniones en equilibrio trmico (arriba) y bajo polarizacin
directa (abajo).
Al no ser dopado dependiendo del diseo del dispositivo; su funcin es la de limitar los
portadores inyectados en su interior bajo polarizacin directa. El confinamiento
portadora se produce como consecuencia de la discontinuidad de banda prohibida en
la unin entre dos semiconductores que tienen la misma estructura cristalina (la misma
constante de red) pero diferentes bandas prohibidas. Tales uniones se denominan
hetero uniones, y tales dispositivos se llaman dobles hetero estructuras. Dado que el
espesor de la capa intercalada puede ser controlado externamente (tpicamente,
0,1 micras), portadora de alta densidad pueden ser realizados en una corriente de
inyeccin dada. La figura 3.3 (b) muestra el diagrama de banda de energa de una
hetero estructura doble con y sin sesgo hacia adelante.
El uso de una geometra de hetero estructura de fuentes pticas de semiconductores
es doblemente beneficioso. Como ya se ha mencionado, la diferencia de intervalo de
banda entre los dos semiconductores ayuda a confinar los electrones y los agujeros a
la capa intermedia, tambin llamada la capa activa ya que la luz se genera en su
interior como resultado de la recombinacin electrn-hueco. Sin embargo, la capa
activa tambin tiene un ndice de refraccin ligeramente ms grande que la de tipo p y
de tipo n capas de revestimiento que rodean simplemente porque su banda prohibida
es menor. Como resultado de la diferencia del ndice de refraccin, la capa activa acta
como una gua de onda dielctrica y soporta modos pticos cuyo nmero puede ser
controlado cambiando el espesor de la capa activa (similar a los modos soportados por
un ncleo de la fibra). El punto principal es que una hetero estructura confina la luz
generada a la capa activa debido a su alto ndice de refraccin. Figura 3.4 ilustra
esquemticamente el confinamiento simultneo de portadores de carga y el campo
ptico a la regin activa a travs de un diseo de hetero estructura. Es esta
caracterstica que ha hecho de lseres semiconductores prcticos para una amplia
variedad de aplicaciones.
Cuando est sesgado hacia adelante la unin p-n, los electrones y huecos son
inyectados en la regin activa, donde se recombinan para producir luz. En cualquier
semiconductor, los electrones y los huecos tambin pueden recombinarse no
radiactivamente. Mecanismos de recombinacin no radiactiva incluyen la
recombinacin en trampas o defectos, la recombinacin de superficie, y la
recombinacin Auger. El ltimo mecanismo es especialmente importante para los
lseres semiconductores que emiten luz en el rango de 1.3 a 1.6 micras de longitud de
onda debido a un relativamente pequeo hueco de banda de la capa activa. En el
proceso de recombinacin Auger, la energa liberada durante la recombinacin
electrn-hueco se da a otro electrn o un hueco en forma de energa cintica en vez de
la luz produciendo.
Desde el punto de vista del funcionamiento del dispositivo, todos los procesos no
radiantes son perjudiciales, ya que reducen el nmero de pares electrn-hueco que
emiten luz. Su efecto se cuantifica a travs de la eficiencia cuntica interna, definida
como:
int=
Rrr
Rrr
=
(3.1 .16)
Rtot Rrr + Rnr
tiempos de recombinacin
rr
y nr usando
Rrr=N / rr
Rnr=N /nr ,
int=
nr
(3.1 .17)
rr + nr
rr y nr
rr
( 105)
de
dice que tiene una banda prohibida directa si se producen el mnimo y el mximo de
valencia de banda para el mismo valor del vector de onda de electrones. La
probabilidad de recombinacin radiactiva es grande en tales semiconductores, ya que
es fcil de conservar la energa y el momento tanto durante la recombinacin electrnhueco. Por el contrario, los semiconductores de banda prohibida indirecta requieren la
asistencia de un fonn para la conservacin de impulso durante la recombinacin
electrn-hueco. Esta caracterstica reduce la probabilidad de recombinacin radiactiva
rr
aumenta
considerablemente
en
comparacin
con
nr
int 1
en
tales
en tales
condiciones. Tpicamente,
uso comn para los dispositivos electrnicos. Ambos no son adecuados para fuentes
pticas debido a su banda prohibida indirecta. Para los semiconductores de banda
prohibida directa-como
domina emisiones.
La tasa de recombinacin radiactiva se puede escribir como
Rrr=Rspon+ Rstim
Rspon+ Rnr=
N
(3.1.18)
c
Anr
es el coeficiente de
Figura 3.5:
constantes de
red de banda prohibida y energas de compuestos ternarios y cuaternarios formados
mediante el uso de nueve grupos de semiconductores. La zona sombreada
corresponde a las posibles estructuras InGaAsP y AlGaAs. Las lneas horizontales que
pasan por InP y GaAs muestran los diseos de celosa emparejados.
Depende de la calidad de la interfaz de hetero unin entre dos semiconductores de
diferentes bandas prohibidas. Para reducir la formacin de defectos en la red, la
constante de red de los dos materiales debe coincidir para mejor que 0.1%. La
naturaleza no proporciona semiconductores cuyas constantes de red coincida con tal
precisin. Sin embargo, pueden ser fabricados artificialmente mediante la formacin de
compuestos ternarios y cuaternarios en el que una fraccin de los sitios de celosa en
un semiconductor binario de origen natural (por ejemplo, de GaAs) se sustituye por
otros elementos. En el caso de GaAs, un compuesto ternario Al XGA1-xAs puede
hacerse mediante la sustitucin de una fraccin x de tomos de Ga por tomos de Al.
El semiconductor resultante tiene casi la misma constante de red, pero aumenta su
banda prohibida. El intervalo de banda depende de la fraccin x, y se puede aproximar
por una relacin lineal simple.
y una constante de
red para varios compuestos ternarios y cuaternarios. Los puntos slidos representan
los semiconductores binarios, y las lneas de conexin de ellos corresponden a
compuestos ternarios. La porcin de la lnea de trazos indica que el compuesto ternario
resultante tiene una banda prohibida indirecta. El rea de un polgono cerrado
corresponde a compuestos cuaternarios. La banda prohibida no es necesariamente
particular para tales semiconductores. El rea sombreada en la Fig. 3.5 representa a
los compuestos ternarios y cuaternarios con una banda prohibida directa formado
mediante el uso de los elementos de indio (In), galio (Ga), arsnico (As), y fsforo (P).
La lnea horizontal que conecta GaAs y ALAS corresponde al compuesto ternario
AlxGa1-xAs, cuya banda prohibida es directa para valores de x hasta
aproximadamente 0,45 y viene dada por la ecuacion. (3.1.19). Las capas activas y
revestimientos se forman de tal manera que x es mayor para las capas de
revestimiento en comparacin con el valor de x para la capa activa. La longitud de
onda de la luz emitida se determina por el intervalo de banda ya que la energa
fotnica es aproximadamente igual a la banda prohibida. Mediante el uso de
Eg hv=hc /
se encuentra que
0,87
GaAs (Eg = 1,424 eV). La longitud de onda puede ser reducida a aproximadamente
0,81 micras mediante el uso de una capa activa con x = 0.1. Fuentes pticos basados
en GaAs funcionan tpicamente en el rango de 0,81 a 0,87 micras y se utilizaron en la
primera generacin de sistemas de comunicacin de fibra ptica.
Es beneficioso para operar sistemas de ondas de luz en el rango de longitud de onda
de 1.3 a 1.6 micras, donde tanto la dispersin y prdida de fibras pticas se reducen
considerablemente en comparacin con la regin de 0,85 micras. InP es el material de
base para fuentes pticas de semiconductores que emiten luz en esta regin de
longitud de onda. Como se ve en la Fig. 3.5 por la lnea horizontal que pasa a travs de
InP, la banda prohibida de InP puede reducirse considerablemente haciendo que el
compuesto cuaternario En 1-xGaxAsyP1- y mientras los restos constantes reticulares
coincidir con InP. Las fracciones x e y no pueden ser elegidos arbitrariamente, pero
estn relacionadas por
0.55 Ga 0.45 As
(Eg=0,75 eV ).
fuentes
correspondientes
emite
luz
cerca
de
1,65
1xGaxAsyP 1Y
longitud de onda amplia 1.0-1.65 m que incluye la regin de 1.3 a 1.6 micras
importante para los sistemas de comunicacin ptica.
La fabricacin de fuentes pticas de semiconductores requiere un crecimiento epitaxial
de capas mltiples sobre un substrato de base (GaAs o InP). Necesitan ser
controlados con precisin el espesor y la composicin de cada capa. Varias tcnicas de
crecimiento epitaxial se pueden utilizar para este propsito. Las tres tcnicas primarias
se conocen como epitaxia en fase lquida (LPE), epitaxia en fase vapor (VPE), y
epitaxia de haz molecular (MBE) dependiendo de si los constituyentes de diversas
capas estn en la forma lquida, forma de vapor, o en la forma de un haz molecular. La
tcnica VPE es tambin llamado deposicin de vapor qumico. Una variante de esta
es pequeo en que los electrones y los huecos actan como si se limitan a un pozo
cuntico. Tal rgimen conduce a la cuantificacin de las bandas de energa en sub
bandas. La principal consecuencia es que la densidad conjunta de los estados
cv
10 nm
dispositivo. Estos lseres son llamados multiquantum pocillos (MQW) lseres. Otra
caracterstica que ha mejorado el rendimiento de los lseres MQW es la introduccin
de intencional, pero deformacin controlada dentro de las capas activas. El uso de
capas activas delgadas permite un ligero desajuste entre constantes de red sin
introducir defectos. La cepa resultante cambia la estructura de la banda y mejora el
rendimiento del lser. Tales lseres semiconductores se llaman lseres MQW. El
concepto de lseres de pozo cuntico tambin se ha ampliado para hacer cuntica
hilos y lseres de puntos cunticos en el que los electrones estn confinados en ms
de una dimensin. Sin embargo, dichos dispositivos se encontraban en la etapa de
investigacin en 2001. La mayora de los lseres semiconductores desplegados en los
sistemas de ondas de luz utilizan el diseo MQW.
3.1 LA LUZ EMITE DIODOS
Una Unin PN polarizado emite luz a travs de la emisin espontnea, un fenmeno
conocido como electroluminiscencia. En su forma ms simple, un LED es una
polarizacin p-n homo unin. Recombinacin radiactiva de pares electrn-hueco en el
agotamiento de la regin genera la luz; algunos de los que escapa del dispositivo y
puede ser acoplado en una fibra ptica. La luz emitida es incoherente con una anchura
relativamente amplia espectral
(3060 nm)
angular. En esta seccin se discuten las caractersticas y el diseo de los LED del
punto de vista de su aplicacin en los sistemas de comunicacin ptica.
3.2.1 POTENCIA CARACTERSTICA ACTUAL
Es fcil de estimar la potencia interna generada por la emisin espontnea. En una
corriente dada que la tasa de portadores de inyeccin es de
E/q
En el estado
I /q . Dado que
intI /q .
fotones es simplemente
por:
Pint=int
Donde
( hwq ) I (3.2.1)
hw es la energa del fotn, se supone que es casi el mismo para todos los
ext es la fraccin de fotones que escapan del dispositivo, la potencia
fotones. Si
Pe=extPint=extint
ext
( hwq ) I (3.2.2)
c=sen1(1/n)
1
ext=
Tf ( ) ( 2 sin ) d( 3.2.3)
4 0
Donde hemos asumido que la radiacin se emite de manera uniforme en todas las
direcciones sobre un ngulo slido de 4. La transitividad Tf Fresnel depende del
Tf (0)=4 n/(n+1)2.
ext
est
tot=ext int
Tpicamente,
tot
El
tot
total de la eficiencia
Fig. 3.7: (a) las curvas de potencia de corriente en varias temperaturas; (b) Espectro de
la luz emitida por un LED tpico de 1,3 micras.
Otra cantidad a veces utilizado para caracterizar el rendimiento del LED es la
RLED=ext int
( hwq )(3.2.6)
RLED=totV 0.
Rspon ( )= A 0 ( hwEg ) xp
hwEg
(3.2 .7)
kBT
h=Eg+kBT /2
=( c / 2)
( =5060 nm) ,
dN
I
N
=
(3.2.8)
d t qV c
Donde el ltimo trmino incluye tanto los procesos de recombinacin radiativa y no
radiantes a travs del curso de la vida
Ib
es la corriente de polarizacin,
es la corriente de modulacin, y
cIm
qV
Nm ( m )=
(3.2 .11)
1+ imc
La potencia
Pm
Nm
H ( m )=
Nm ( m )
1
=
(3.2 .12)
1+imc
Nm ( 0 )
Fig. 3.8: Esquema de una superficie que emite LED con una geometra de doble hetero
estructura.
En analoga con el caso de fibras pticas, el 3-dB de ancho de banda de modulacin
f3dB se define como la frecuencia de modulacin en el que
H (m)
se reduce
|H ( m )|
se reduce
( 2 c )1 .
exp(gz ),
donde g es el
gp
es la
1.01.5 10 18
NT y g
cm3 y
23 x 1016cm2 ,
respectivamente. Como se ve en la
Fig. 3.9 (b), la aproximacin (3.3.1) es razonable en la regin de alta ganancia donde
gp supera los
g y NT
Fig. 3.9: (a) Obtener el espectro de un lser InGaAsP de 1.3 micras, con varias
densidades portadora N. (b) Variacin del pico gp ganancia con N. La lnea discontinua
muestra la calidad de un ajuste lineal en la regin de alta ganancia.
n1
n+1
( 2)(3.3.2)
Rm=
Donde n es el ndice de refraccin del medio de ganancia. Tpicamente, n = 3,5, lo que
resulta en 30% de reflectividad de la faceta. A pesar de que la cavidad FP formado por
dos facetas escindidos es relativamente con prdida, la ganancia es lo suficientemente
grande que las altas prdidas pueden ser tolerados. Figura 3.10 muestra la estructura
bsica de un lser de semiconductor y la cavidad FP asociado con l.
El concepto de umbral de lser puede ser comprendido observando que una cierta
fraccin de los fotones generados por emisin estimulada se pierde debido a las
prdidas de la cavidad. Si la ganancia ptica no es lo suficientemente grande para
compensar las prdidas de la cavidad, la poblacin fotn no se puede acumular. Por lo
tanto, una cantidad mnima de ganancia es necesaria para el funcionamiento de un
lser.
potencia) y sus cambios de fase por 2KL, donde L es la longitud de la cavidad lser. Al
mismo tiempo, sus cambios de amplitud por
R 1 R 2exp (intL)
causa de la
reflexin en las facetas de lser y a causa de una prdida int interna que incluye la
absorcin libre de soporte, la dispersin, y otros mecanismos posibles. Aqu R1 y R2
son las reflectividades de las facetas lser. A pesar de que R1 = R2 en la mayora de
los casos, los dos reflectividades pueden ser diferentes si facetas lser se recubren
para cambiar su reflectividad natural. En el estado estacionario, la onda plana debe
permanecer sin cambios despus de una ida y vuelta, es decir:
g=int +
1
1
ln (
)=int +mir=cav(3.3 .4)
2L
R1R2
2 kL=2 m o =m=
donde
k =2 n /c
ganancia
mc
(3.3 .5)
2 nL
y m es un nmero entero. La ecuacin (3.3.4) muestra que la
g es igual a
cav
g
gm
se
ndice de grupo se define como ng = n + (dn / d). Tpicamente, L = 100- 200 GHz
para L = 200 a 400 micras.
Un lser semiconductor FP generalmente emite luz en varios modos longitudinales de
la cavidad. Como se ve en la Fig. 3.11, el espectro de ganancia g () de lseres
semiconductores es lo suficientemente ancho (ancho de banda de ~ 10 THz) que
muchos modos longitudinales de la cavidad experiencia ganancia FP simultneamente.
El modo ms cercano a la pico de ganancia se convierte en el modo dominante. En
condiciones ideales, los otros modos no deben alcanzar el umbral, ya que su ganancia
se mantiene siempre menor que la del modo principal. En la prctica, la diferencia es
extremadamente pequeo (~ 0,1 cm-1) y uno o dos modos de vecinos a cada lado del
modo principal llevan una porcin significativa de la potencia del lser junto con el
modo principal. Tales lseres son llamados lseres semiconductores multimodo. Desde
cada modo se propaga dentro de la fibra a una velocidad ligeramente diferente debido
a la dispersin velocidad de grupo, el carcter multimodal de lseres semiconductores
limita el producto BL tasa de bits distancia a los valores por debajo de 10 (Gb / s) -km
para los sistemas operativos cerca de 1,55 m (vase la Fig. 2.13). El producto BL se
puede aumentar mediante el diseo de los lseres de oscilacin en un modo
longitudinal nico. Estos lseres se discuten en la Seccin 3.4.
3.3.3 ESTRUCTURAS LSER
La estructura ms simple de un lser semiconductor consiste en una delgada capa
activa (espesor de ~ 0,1 micras) intercalada entre los de tipo p y de tipo n capas de
revestimiento de otro semiconductor.
3.3. LSERES SEMICONDUCTORES
Figura 3.12: una amplia rea de lser semiconductor. La capa activa (regin
sombreada) est metido entre tipo p y tipo n de recubrimientos de alto banda material.
Con una banda prohibida superior. El p-n hetera-unin resultante es sesgado hacia
adelante a travs de los contactos metlicos. Tales lseres son llamados lseres
semiconductores de amplio zona ya que la corriente se inyecta sobre un rea
relativamente amplio que abarca toda la anchura del chip lser (~ 100 micras). La
figura 3.12 muestra una estructura tal. La luz lser se emite desde las dos facetas
escindidos en la forma de un punto elptico de las dimensiones de ~ 1 100 m2. En la
direccin perpendicular al plano de unin, el tamao del punto es de ~ 1 m debido al
Difusin
Sustrato
Figura 3.13: Seccin transversal de las estructuras lser geometra de dos franjas
utilizados para disear lseres semiconductores de ganancia guiada y se refiri a como
(a) la raya de xido y (b) de la raya de conexiones.
En la direccin lateral. La ganancia ptica tambin picos en el centro de la franja.
Puesto que la capa activa exhibe grandes prdidas por absorcin en la regin ms all
de la franja central, la luz se limita a la regin de la raya. A medida que el
Figura 3.14: seccin transversal de dos guiada por el ndice lseres semiconductores:
(a) canto de ondas estructura dbil ndice de orientacin; (b) grabado-mesa enterrado
heteroestructura para el ndice fuerte de gua.
Permitir fuerte confinamiento de modo. Debido a un gran incorporado en el paso de
ndice, la distribucin espacial de la luz emitida es inherentemente estable, siempre
que el lser est diseado para soportar un modo espacial nico.
A medida que la regin activa de un lser BH es en la forma de una gua de ondas
rectangular, modos espaciales pueden ser obtenidos siguiendo un mtodo similar al
que se utiliza en la Seccin 2.2 para fibras pticas [2]. En la prctica, un lser BH
opera en un solo modo si la anchura-regin activa se reduce hasta por debajo de 2
micras. El tamao de punto es elptica con dimensiones tpicas 2 1 m2. Debido a las
pequeas dimensiones de punto de tamao, el rayo difracta ampliamente tanto en las
direcciones laterales y transversales. El tamao del punto elptico y un ngulo de
divergencia gran hacen que sea difcil para acoplar luz en la fibra de manera eficiente.
Eficacias de acoplamiento tpicos estn en el rango de 30-50% para la mayora de los
transmisores pticos. Un convertidor de punto de tamao a veces se utiliza para
mejorar la eficiencia de acoplamiento (ver seccin 3.6).
MSR=Pmm / Psm ,
(3.4.1)
Donde
Psn
ms dominante. El MSR debe exceder de 1.000 (o 30 dB) para una buena lser SLM.
3.4.1 LOS LSERES DE REALIMENTACIN DISTRIBUIDA
Retroalimentacin distribuida (DFB) lseres semiconductores se desarrollaron durante
la dcada de 1980 y se utilizan rutinariamente para WDM sistemas de ondas de luz
[10] - [12]. La retroalimentacin en DFB lseres, como su nombre lo indica, no se
localiza en las facetas, pero se distribuye en toda la longitud de la cavidad [41]. Esto se
logra a travs de una rejilla incorporada interna que conduce a una variacin peridica
del ndice de modo. Realimentacin se produce por medio de difraccin de Bragg, un
fenmeno que acopla las ondas que se propagan en las direcciones hacia adelante y
hacia atrs. Modo de selectividad de los mecanismos de DFB resultados de la
condicin de Bragg: el acoplamiento se produce slo para longitudes de onda B
satisfacer
=m( B /2 ),
(3.4.2)
n-Tipo
Figura 3.16: DFB y estructuras lser DBR. El rea sombreada muestra la regin activa
y la lnea ondulada indica la presencia de un gratinado Bragg.
Bragg reflector (DBR) lseres. Figura 3.16 muestra dos tipos de estructuras de lser.
Aunque las votaciones se producen en toda la longitud de la cavidad en los lseres
DFB, que no tiene lugar dentro de la regin activa de un lser DBR. En efecto, las
zonas extremas de un acto lser DBR como espejos cuya reflectividad es mxima para
una longitud de onda B satisface la ecuacin. (3.4.2).
Las prdidas de la cavidad son por lo tanto mnimo para el modo longitudinal ms
cercana a B y aumentar sustancialmente para otros modos longitudinales (ver Fig.
3.15). El MSR se determina por el margen de ganancia definida como el exceso de
ganancia requerida por el modo secundario ms dominante para alcanzar el umbral.
Un margen de ganancia de 3-5 cm-1 es generalmente suficiente para realizar un MSR>
30 dB para lseres DFB de funcionamiento continuo [39]. Sin embargo, un mayor
ganar se necesita margen (> 10 cm-1) cuando los lseres DFB se modulan
directamente. Cambio de fase Lseres DFB [38], en el que la rejilla se desplaza B / 4
en el medio de la lser para producir un desplazamiento de fase de / 2, se utilizan a
menudo, ya que son capaces de proporcionar margen de ganancia mucho mayor que
la de los lseres DFB convencionales. Otro diseo que ha dado lugar a mejoras en el
rendimiento del dispositivo se conoce como el acoplado de ganancia DFB lser [42] [44]. En estos lseres, tanto la ganancia ptica y el ndice de modo varan
peridicamente a lo largo de la longitud de la cavidad.
Gananc
Longitud de
onda
Figura 3.17:-modo longitudinal selectividad en un lser de cavidad acoplada. Cambio
de fase en el exterior cavidad hace que la longitud de onda efectiva espejo reflectividad
dependiente y resultados en una prdida peridica perfil de la cavidad lser.
Una tcnica hologrfica se utiliza a menudo para formar una rejilla con una
periodicidad ~ 0,2 micras. Funciona mediante la formacin de un patrn de franjas en
una resina fotosensible (depositado en la superficie de la oblea) a travs de la
interferencia entre dos haces pticos. En el haz de electrones alternativo tcnica
litogrfica, un haz de electrones escribe el patrn deseado en el haz de electrones
resistir. Ambos mtodos utilizan ataque qumico para formar corrugaciones de rejilla,
con el modelada se resisten a actuar como una mscara. Una vez que la rejilla se ha
grabado sobre el sustrato, mltiples capas se cultivan mediante el uso de una tcnica
de crecimiento epitaxial. Un segundo epitaxial Se necesita rebrote hacer un dispositivo
BH tal como la mostrada en la Fig. 3.14 (b). A pesar de las complejidades tecnolgicas,
los lseres DFB se producen rutinariamente comercialmente. Ellos se utilizan en
sistemas de comunicaciones pticas casi todos 1,55 micras operando a velocidades de
bits de 2.5 Gb / s o ms. Lseres DFB son lo suficientemente fiables que se han
utilizado desde 1992 en todos los sistemas de ondas de luz transocenicos.
3.4.2 ACOPLADOS CAVIDADES SEMICONDUCTOR LASERS
En un lser de semiconductor de cavidad junto [2], la operacin de SLM se realiza por
acoplamiento la luz de una cavidad externa (ver Fig. 3.17). Una porcin de la luz
reflejada se alimenta de nuevo en la cavidad del lser. La respuesta de la cavidad
externa no es necesariamente en fase con el campo de la ptica dentro de la cavidad
lser debido al cambio de fase que ocurre en la cavidad externa. La retroalimentacin
en fase se produce slo para esos modos lser cuya longitud de onda casi coincide
con uno de los modos longitudinales de la cavidad externa. En efecto, la reflectividad
efectiva de la faceta lser frente a la cavidad externa se convierte longitud de onda
dependiente y conduce a la prdida de perfil se muestra en la Fig. 3.17. El longitudinal
modo que es ms cercano al pico de ganancia y tiene la menor prdida se convierte en
la cavidad modo dominante.
Varios tipos de esquemas de cavidades acopladas se han desarrollado para la
fabricacin de SLM lser; Fig. 3.18 muestra tres entre ellos. Parejas un esquema
simple de la luz de un lser de semiconductor a una rejilla externa [Fig. 3.18 (a)]. Es
necesario reducir el reflectividad natural de la faceta escindido hacia la rejilla a travs
de un revestimiento anti reflectante para proporcionar un acoplamiento fuerte. Tales
lseres son llamados semiconductor de cavidad externa lseres y han atrado
considerable atencin debido a su capacidad de ajuste [36]. La longitud de onda de la
SLM seleccionado por el mecanismo de cavidad acoplada se puede sintonizar a travs
de una amplia gama (tpicamente 50 nm) simplemente girando la rejilla. Durabilidad
longitud de onda es una caracterstica deseable para los lseres utilizados en los
sistemas de ondas de luz WDM. Un inconveniente del lser se muestra en la Fig. 3.18
(a) desde el punto de vista del sistema es su naturaleza no monoltica, que hace que
sea difcil para darse cuenta de la estabilidad mecnica necesaria de transmisores
pticos.
Un diseo monoltico para lseres de cavidad acoplada es ofrecido por la cavidad
troceados acoplados lser [37] se muestra en la Fig. 3.18 (b). Tales lseres son hechos
por escisin de un convencional lser de semiconductor multimodal en el medio de
modo que el lser se divide en dos secciones de aproximadamente la misma longitud
pero separados por un espacio de aire estrecho (anchura ~ 1 m). La reflectividad de
facetas escindidos (~ 30%) permite suficiente acoplamiento entre los dos secciones,
siempre y cuando la diferencia no es demasiado ancho. Es incluso posible para
sintonizar la longitud de onda de un lser tal en un rango de sintonizacin ~ 20 nm
variando la corriente inyectada en uno de las secciones de la cavidad que actan como
un controlador de modo. Sin embargo, el ajuste no es continua, ya que corresponde a
lpulo modo sucesivas de alrededor de 2 nm.
3.4.3 SINTONIZABLES SEMICONDUCTOR LASERS
Sistemas de ondas de luz WDM modernos requieren mono modo, lser estrecho
ancho de lnea cuyos restos longitud de onda fija en el tiempo. Lseres DFB satisfacen
este requisito pero su estabilidad de longitud de onda se produce a expensas de
durabilidad [9]. El gran nmero de DFB lseres utilizados en el interior de un transmisor
WDM hacen que el diseo y mantenimiento de tal sistema de onda de luz caro y poco
Figura 3.18: estructuras lser de cavidad Acoplado: (a) con lser de cavidad externa;
(b) acoplado-escinde lser de cavidad; (c) de mltiples seccin lser DBR.
El control de las corrientes en las secciones de fase y de Bragg. En 1997, este tipo de
lseres mostraron un rango de ajuste de 17 nm y salida potencias de hasta 100 mW
con una alta fiabilidad [51].
Varios otros diseos de lseres DFB sintonizables se han desarrollado en los ltimos
aos. En un esquema, el incorporado en la rejilla dentro de un lser DBR se piense
variando el periodo de red o el ndice de modo n lo largo de la longitud de la
cavidad. Como se ve a partir de la Ec. (3.4.2), la propia longitud de onda de Bragg
luego cambia a lo largo de la longitud de la cavidad. Dado que la longitud de onda de
lser est determinada por la condicin de Bragg, tal lser se puede ajustar en un
rango de longitud de onda determinada por el pitido rejilla. En una implementacin
sencilla de la idea bsica, el periodo de red sigue siendo uniforme, pero la gua de
onda se curva para cambiar el modo de ndice efectiva n. Tales lseres DFB mltiples
seccin se pueden sintonizar a travs de 5-6 nm, mientras que el mantenimiento de un
nico modo longitudinal con supresin de modo lado de alta [47]. En otro esquema,
una rejilla de superestructura se utiliza para la seccin de DBR de una seccin de lser
de mltiples [48] - [50]. Una rejilla de superestructura consta de un conjunto de redes
(uniforme o modulada pulsada) separados por una distancia constante. Como
resultado, sus picos reflectividad a varias longitudes de onda cuyo intervalo se
determina por la separacin entre las rejillas individuales que forman la matriz. Estos
lseres DBR mltiples seccin se pueden sintonizar de forma discreta
En un rango de longitud de onda superior a 100 nm. Mediante el control de la corriente
en la seccin de control de fase, un cuasi rango de sintonizacin continua de 40 nm se
realiz en 1995 con una superestructura rejilla [48]. El rango de ajuste se puede
ampliar considerablemente mediante el uso de un dispositivo de cuatro secciones en
las que se aade otra seccin DBR en el lado izquierdo del dispositivo mostrado en la
Fig. 3.18 (c). Cada seccin DBR soporta su propio peine de longitudes de onda, pero la
separacin en cada peine no es el mismo. La longitud de onda coincidiendo en los dos
peines se convierte en la longitud de onda de salida que puede ser sintonizada sobre
un amplio rango (anlogo al efecto Vernier).
En un enfoque relacionado, la cuarta seccin de la Fig. 3.18 (c) se aade entre las
secciones de ganancia y fase: Consta de un acoplador de rejilla codireccional -asistida
con una rejilla superestructura. El acoplador tiene dos guas de ondas separadas
verticalmente y selecciona una sola longitud de onda de la longitud de onda peine
apoyado por la seccin de DBR con una rejilla superestructura. El rango de
sintonizacin ms grande de 114 nm fue producido en 1995 por este tipo de dispositivo
[49]. Estos lseres DBR ampliamente sintonizables es probable que encontrar
aplicaciones en muchos sistemas de ondas de luz WDM.
3.4.4 VERTICAL-CAVIDAD LSERES DE EMISIN SUPERFICIAL
Una nueva clase de lseres semiconductores, conocidos como con cavidad vertical de
emisin de los lseres de superficie (VCSEL), ha surgido durante la dcada de 1990
con muchas aplicaciones potenciales [53] - [60]. VCSEL operan en un modo
longitudinal nico en virtud de una longitud muy pequea cavidad (~ 1 m), para los que
el espaciado modo supera el ancho de banda de ganancia (vase la Fig. 3.11). Emiten
luz en una direccin normal al plano de la capa activa de una manera anloga a la de
un LED emisor de superficie (ver Fig. 3.8). Por otra parte, la luz emitida est en la
forma de un haz circular que se puede acoplar en una fibra de un solo nodo con alta
eficiencia. Estas propiedades dan lugar a una serie de ventajas que estn conduciendo
a una rpida adopcin de VCSEL para las comunicaciones de ondas de luz.
Sin
Sustrat
o
Figura 3.19: Esquema de un VCSEL 1,55 micras hecho mediante el uso de la tcnica
de unin de la oblea. (Despus Ref [58]? c 2000 IEEE;.. Reimpreso con permiso)
En los ltimos aos, la tecnologa ha avanzado lo suficiente VCSEL que VCSEL
pueden ser diseados para funcionar en una amplia gama de longitud de onda que se
extiende 650-1600 nm [55]. Sus aplicaciones en las ventanas de longitud de onda 1.3y 1,55-micras requieren que VCSEL operan en un solo modo transversal. Por 2001,
varias tcnicas haban surgido para controlar los modos transversales de un VCSEL,
siendo la ms comn la tcnica confinamiento de xido en el que una capa de
aluminio-xido aislante, que acta como una abertura de dielctrico, confines tanto la
corriente y el modo ptico a un <3 -m regin de dimetro. Tales VCSEL operan en un
solo modo con anchura de lnea estrecha y pueden reemplazar un lser DFB en
muchas aplicaciones de ondas de luz siempre que su potencia de salida baja es
aceptable. Son especialmente tiles para la transferencia de datos y de bucle local de
aplicaciones debido a su envasado bajo costo. VCSEL tambin son muy adecuadas
para aplicaciones de WDM por dos razones. En primer lugar, sus longitudes de onda
se pueden sintonizar en un amplio rango (> 50 nm) utilizando la tecnologa del sistema
micro-electro-mecnicos (MEMS) [56]. En segundo lugar, se puede hacer matrices de
VCSEL de dos dimensiones tales que cada lser funciona a una longitud de onda
diferente [60]. Fuentes WDM, que contienen mltiples lseres integrados
monolticamente, son necesarios para los sistemas de ondas luminosas modernas.
3.5 CARACTERSTICAS LSER
Las caractersticas de funcionamiento de lseres semiconductores estn bien descritos
por un conjunto de ecuaciones de velocidad que rigen la interaccin de fotones y
electrones dentro de la regin activa. En esta seccin utilizamos las ecuaciones de
velocidad para discutir tanto el primero de onda continua (CW) propiedades. Despus
consideramos caractersticas de modulacin de pequea y gran seal de lseres
semiconductores mono modo. Los ltimos dos subsecciones se centran en el ruido de
intensidad y anchura de banda espectral de los lseres de semiconductores.
3.5.1 CARACTERSTICAS CW
Una derivacin rigurosa de las ecuaciones de velocidad por lo general comienza en las
ecuaciones de Maxwell, junto con un enfoque de la mecnica cuntica para la
polarizacin inducida (ver seccin 2.2). Las ecuaciones de velocidad tambin se
pueden escribir heursticamente considerando diversos fenmenos fsicos a travs de
la cual el nmero de fotones, P, y el nmero de electrones, N, cambian con el tiempo
dentro de la regin activa. Para un lser de modo nico, estas ecuaciones toman la
forma [2]
dP
P
=GP+ R sp ,
dt
p
(3.5.1)
dN I N
= GP ,
dt q c
(3.5.2)
Donde
G= v g g m=G N ( N N ) .
0
(3.5.3)
G es la tasa neta de emisin estimulada y Rsp es la tasa de emisin espontnea en el
modo de accin lser. Tenga en cuenta que Rsp es mucho menor que la tasa total de
emisin espontnea-en la ecuacin. (3.1.10). La razn es que la emisin espontnea
se produce en todas las direcciones en un amplio rango espectral (~30-40 nm), pero
slo una pequea fraccin de ella, propagando a lo largo del eje de la cavidad y
a mir + a
1
P =v g a cav =v g
(3.5.4)
Los tres trminos de la ecuacin. (3.5.2) indican las tasas a las que los electrones se
crea ni se destruye dentro de la regin activa. Esta ecuacin es similar a la ecuacin.
(3.2.8) a excepcin de la adicin de la ltima legislatura, que regula la tasa de
recombinacin electrn-hueco a travs de la emisin estimulada. El curso de la vida c
portador incluye la prdida de electrones debido tanto a la emisin espontnea y la
recombinacin no radiactiva, como se indica en la ecuacin. (3.1.18). La curva P-I
caracteriza las propiedades de emisin de un lser de semiconductor, ya que indica no
slo el nivel de umbral, sino tambin la corriente que necesita ser aplicado para
obtener una cierta cantidad de energa. Figura 3.20 muestra las curvas P-I de un lser
InGaAsP 1,3 micras a temperaturas en el rango 10-130C. A temperatura ambiente, el
umbral se alcanza cerca de 20 mA, y el lser puede emitir 10 mW de potencia de
salida de cada faceta a 100 mA de corriente aplicada. El rendimiento del lser se
degrada a altas temperaturas. La corriente umbral se encontr a aumentar
exponencialmente con la temperatura, es decir
I th ( T )=I 0 exp ( T /T 0) ,
(3.5.5)
Luz /
faceta
Corrient
e
Figura 3.20: Curvas P-I en varias temperaturas para un 1,3 micras lser he tero
estructura enterrada. (Despus Ref. [2]; ? c 1993 Van Nostrand Reinhold; reimpreso
con permiso.)
Donde I0 es una constante y T0 es una temperatura caracterstica a menudo utilizado
para expresar la sensibilidad a la temperatura del corriente umbral. Para los lseres
InGaAsP T0 est tpicamente en el rango de 50-70 K. Por el contrario, T0 es superior a
120 K para los lseres de GaAs. Debido a la sensibilidad a la temperatura de los
lseres de InGaAsP, a menudo es necesario para controlar su temperatura a travs de
un enfriador termoelctrico incorporado.
Las ecuaciones de velocidad se pueden usar para entender la mayora de las
caractersticas que se observan en la Fig. 3.20. En el caso de la operacin de CW a
una corriente constante I, los derivados de horario en las Ecs. (3.5.1) y (3.5.2) se
puede ajustar a cero. La solucin toma una forma especialmente sencilla si la emisin
espontnea se descuida configurando Rsp = 0. Para corrientes tales que G p <1, P =
0 y N = cI / q. El umbral se alcanza a una corriente para la que G p = 1. La poblacin
de soporte se fija a continuacin, el valor de umbral
Rth = N0 + ( GN p )
I th =
q N th q
1
= = N 0+
.
c
c
GN p
(3.5.6)
Porque I> Ith, el nmero de fotones P aumenta linealmente con I como
P=( P /q ) ( I I th ) .
(3.5.7)
El Pe potencia emitida est relacionada con P por la relacin
1
Pe = ( v g amir ) P .
2
(3.5.8)
v g mir
amir +a ( I I th )
a
,
Pe =
2q
(3.5.9)
mir
Donde la
d Pe
=
dI
2 q d
amir +a
a
con
mir
d =
(3.5.10)
El d cantidad se llama la eficiencia cuntica diferencial, ya que es una medida de la
eficiencia con la que aumenta la produccin de luz con un aumento de la corriente
inyectada. Se puede definir la eficiencia cuntica externa
ext como
ext =
2P
Tasade emisin de fotones
2 q Pe
= e/ =
Caudal de inyeccin de electrones
I /q
I
(3.5.11)
Mediante el uso de las ecuaciones. (3.5.9) - (3.5.11),
relacionados por
ext =d (1I th / I ).
(3.5.12)
Generalmente,
ext < d
I th .
tot =
ext
V 0 I), donde
V 0 es el voltaje aplicado. Se
como
h
Eg
,
qV 0 ext qV 0 ext
(3.5.13)
Donde
tot <ext
como el voltaje aplicado excede EG / q. Para los lseres de GaAs, d puede superar el
80% y tot puede acercarse al 50%. Los lseres de InGaAsP son menos eficientes con
I (t)=I b + I m f p (t),
(3.5.14)
Donde
I b es la corriente de polarizacin,
I m es la corriente, y
f p (t) representa
la forma de la impulso de corriente. Dos cambios son necesarios para obtener una
descripcin realista. En primer lugar, la ecuacin. (3.5.3) para la ganancia G debe ser
modificado para convertirse en [2]
G=N N ( N N 0 )(1 NL P) ,
(3.5.15)
d 1
1
= c Gn GN ( NN 0 )
,
dt 2
p
(3.5.16)
P(t)=P b+ p msin( m t+ m ),
(3.5.17)
(3.5.18)
N (t)=N b + nm sin( m t + m ),
Respuesta
Frecuencia
Figura 3.21: Medido (curvas continuas) y equipado (curvas de trazos) respuesta de
modulacin de un 1.55- lser DFB micras como funcin de la frecuencia de modulacin
en varios niveles de polarizacin. (Despus Ref [70];. C 1997 IEEE;. Reimpreso con
permiso)
Donde Pb y Nb son los valores de estado estacionario de la corriente de polarizacin
Ib, | pm | y | nm | son pequeos cambios que se producen a causa de la modulacin
actual y m andm rigen el retraso de fase asociada con la modulacin de pequea
seal. En particular, la tarde | pm | exp (im) viene dada por [2]
pm ( m )=
Pb G N I m / q
( R + mi R )( Rm +i R)
(3.5.19)
Donde
(3.5.20)
(3.5.21)
2R + 2R
pm (m)
H ( m)=
=
.
pm(0) ( R + m i R )( R m +i R )
(3.5.22)
La respuesta de modulacin es plana [H (m) 1] para frecuencias tales thatm? R,
picos en m = R y luego cae abruptamente para m? R. Estas caractersticas se
observan experimentalmente para todos los lseres semiconductores [67] - [70]. Figura
3.21 muestra la modulacin respuesta de un lser DFB-1,55 micras, con varios niveles
de polarizacin [70]. La modulacin de 3-Db ancho de banda, f3dB, se define como la
frecuencia a la que | H (m) | se reduce en 3 dB (por un factor de 2) en comparacin
con su corriente directa (DC) de valor. La ecuacin (3.5.22) ofrece la siguiente
expresin analtica para f3dB:
f 3 dB=
1
2R + 2R +2( 4R + 2R 2R + 4R)1 /2 ]
[
2
1 /2
(3.5.23)
3 R 3 GN Pb
f 3 dB
2
4 2 p
(3.5.24)
Donde
1/ 2
) [
=
3 GN
4 2 q
se aproxima por
1 /2
(I bI th )
sustituido por
1/
I b=1.1 I th
y modulada a 2
m=
( t )=
1d
1
= c G N ( N N 0)
2 dt 4
P
(3.5.25)
La curva de trazos en la Fig. 3.21 muestra el barrido de frecuencias a travs del
impulso ptico. Los cambios de frecuencia modo hacia el lado azul cerca del borde de
ataque y hacia el lado rojo cerca del borde de salida del pulso ptico [71]. Tal
desplazamiento de frecuencia implica que el espectro de pulso es considerablemente
ms amplio que el esperado en ausencia de barrido de frecuencias.
Energa
Frecuencia pitido
Tiempo
Figura 3.22: Simulacin de la respuesta de modulacin de un lser semiconductor de
500 ps pulsos de corriente rectangular. Curva continua muestra la forma del pulso y la
curva de trazos muestra el barrido de frecuencias impuesta en el pulso (c = 5).
Se vio en la Seccin 2.4 que el barrido de frecuencias puede limitar el rendimiento de
los sistemas de comunicacin ptica, especialmente cuando 2C> 0, donde 2 es el
parmetro de dispersin ANDC es el parmetro pitido. A pesar de que los pulsos
pticos emitidos desde los semiconductores generalmente no son gaussiana, el
anlisis de la Seccin 2.4 se puede utilizar para estudiar inducida chirrido
-ensanchamiento de impulsos [72] si identificamos C con - c en la ecuacin.
(04/02/23). Resulta que los sistemas de ondas de luz 1,55 micras se limitan a
distancias inferiores a 100 kilmetros incluso a una velocidad de bits de 2,5 Gb / s
debido a la barrido de frecuencias [71] cuando se utilizan fibras convencionales (2 -
20 PS2 / km). Tasas de bits ms altas y largas distancias slo pueden realizarse
mediante el uso de un esquema de gestin de dispersin de manera que la dispersin
promedio es cercano a cero (vase el captulo 7).
Desde frecuencia claxon es a menudo un factor limitante para ondas de luz sistemas
operativos cerca 1,55 m, varios mtodos se han utilizado para reducir su magnitud
[ 73] - [ 77]. Estos incluyen la adaptacin de pulso-forma, bloqueo de la inyeccin, y los
esquemas de cavidades acopladas. Una forma directa para reducir el barrido de
frecuencias es disear lseres semiconductores con valores pequeos de la mejora de
anchura de lnea del factor c. El uso del diseo de pozo cuntico reduce c en un
factor de aproximadamente 2. Una reduccin adicional se produce para pozos
cunticos tensas [76]. De hecho, c 1 se ha medido en la modulacin dopado tensas
lseres MQW [77]. Estos lseres presentan baja chirrido bajo modulacin directa. El
barrido de frecuencias resultantes de la modulacin de corriente puede evitarse por
completo si el lser se hace funcionar de forma continua, y un modulador externo se
utiliza para modular la salida de lser [78]. En la prctica, los sistemas de ondas de luz
que funciona a 10 Gb / s o ms utilizar un monolticamente modulador electro
absorcin integrada o una externa LiNbO3 modulador (ver seccin 3.6). Uno puede
incluso disear un modulador para revertir el signo de chirrido tal que 2C <0, lo que
resulta en un rendimiento mejorado del sistema. Ondas de luz de sistema diseado
utilizando el formato RZ, ptica de multiplexacin por divisin de tiempo, o solitones a
menudo requieren lseres de modo bloqueado que generan pulsos pticos corto
(ancho ~ 10 ps) a una tasa de repeticin de alto igual a la tasa de bits. Lseres
semiconductores de cavidad externa se pueden utilizar para este propsito, y son
especialmente prctico si una rejilla de fibra se utiliza para un espejo externo. Un
modulador externo sigue siendo necesaria para imponer los datos en el tren de
impulsos de modo bloqueado; bloquea los impulsos en cada ranura bit correspondiente
a 0 bits. La conmutacin ganancia tambin se ha utilizado para generar pulsos cortos
de un lser de semiconductor. Un lser de fibra de modo bloqueado tambin se puede
utilizar para el mismo propsito [79].
3.5.4 RUIDO RELATIVO DE INTENSIDAD
La salida de un lser de semiconductor exhibe fluctuaciones en su intensidad, fase y
frecuencia, incluso cuando el lser est sesgado a una corriente constante con
fluctuaciones de corriente insignificantes. Los dos mecanismos fundamentales de ruido
son la emisin espontnea y recombinacin electrn-hueco (ruido de disparo). El ruido
en lseres semiconductores est dominada por la emisin espontnea. Cada fotn
espontneamente emitido aade al campo coherente (establecido por emisin
estimulada) un pequeo componente de campo cuya fase es aleatorio, y por lo tanto
perturba tanto en amplitud y fase de una manera aleatoria. Por otra parte, este tipo de
eventos de emisin espontnea-se producen al azar a un ritmo elevado (~ 10 12 s-1) a
causa de un valor relativamente grande de Rsp en lseres semiconductores. El
resultado neto es que la intensidad y la fase de las fluctuaciones de exhibicin luz
emitidos a travs de una escala de tiempo tan corto como 100 ps. Fluctuaciones de
intensidad conducen a una limitada seal-ruido (SNR), mientras que las fluctuaciones
de fase conducen a una anchura de lnea espectral finito cuando lseres
semiconductores se hacen funcionar a una corriente constante. Puesto que tales
fluctuaciones pueden afectar al rendimiento de los sistemas de ondas de luz, es
importante para estimar su magnitud [80]. Las ecuaciones de velocidad se pueden
utilizar para estudiar el ruido del lser mediante la adicin de un trmino de ruido,
conocida como la fuerza de Langevin, a cada uno de ellos [81]. Las ecuaciones (3.5.1),
(3.5.2), y (3.5.16), entonces convertido
dP
1
= G
P+ Rsp +F p (t) ,
dt
p
(3.5.26)
dN I N
= GP+F N (t) ,
dt q c
(3.5.27)
d 1
1
= G ( N N 0) + F (t),
dt 2 c N
p
(3.5.28)
Donde
aleatorios Gaussianos con media cero y a tener una funcin de correlacin de la forma
(la Markoffian aproximacin).
Fi (t ) F j (t I )=2 Di j (tt I ) ,
(3.5.29)
CARACTERISTICAS LASER
Figura 3.23: espectros RIN en varios niveles de potencia para una onda tpica de 1.55
(m) de lser semiconductor.
Donde i, j = P, N, o , denotan el conjunto promedio de ngulos de soporte, y
D ij se
DPP =
Rsp P
C PP ( )=
( P (t ) P ( t + ) )
~
p2
(3.5 .30)
Rsp /4 P ; otros
Donde
~
p
P=P~
p
C PP ( )
RIN ( )=
Donde
2 Rsp ( N + ) + GN ~
p [ GN ~
p ( 1+ N / c Rsp ~p )2 N ]
P [ ( R )2+ R2 ][ ( R + ) 2+ R 2 ]
} (3.5 .32)
Pb reemplazado por ~
p .
R ,
el ancho de banda
>
C PP ( )
C PP ( )
en potencias bajas,
~
p/ p , donde
SNR=[ C pp ( 0 ) ]
(3.5.30),
1 /2
NL
Rsp p
1 /2
( )
SNR=
La presencia de
~
p (3.5 .33)
(3.5.15) desempea un papel crucial. Este formulario debe ser modificado a altas
potencias. De hecho, un tratamiento ms preciso muestra que la SNR eventualmente
satura a un valor de aproximadamente 30 dB y se convierte en energa independiente
[83]. Hasta ahora, el lser se ha asumido a oscilar en un modo longitudinal nico. En la
prctica, incluso los lseres DFB son acompaados por uno o ms modos
secundarios. A pesar de que los modos secundarios permanecen suprimidas por ms
de 20 dB sobre la base de la potencia media, su presencia puede afectar a la RIN
significativamente. En particular, los modos principales y secundarios puede fluctuar de
manera tal que los modos individuales exhiben gran intensidad de fluctuaciones, pero
la intensidad total permanece relativamente constante. Este fenmeno se denomina
ruido de particin modal (MPN) y se produce debido a una anticorrelacin entre los
principales y secundarios modos [2]. Se manifiesta a travs de la mejora de las RIN
para el modo principal en 20 dB o ms en el rango de bajas frecuencias 0-1GHz; el
valor exacto del factor de mejora depende del MSR [84]. En el caso de un VCSEL, el
MPN implica dos modos transversales. [85]. En ausencia de dispersin de fibras, MPN
sera inofensiva para los sistemas de comunicacin ptica, como todos los modos
permaneceran sincronizada durante la transmisin y deteccin. Sin embargo, en la
prctica todos los modos no llegan simultneamente en el receptor, ya que viajan a
velocidades ligeramente diferentes. Una desincronizacin tal no slo degrada el SNR
de la recepcin de seal sino que tambin conduce a la interferencia entre smbolos. El
efecto de la MPN en el rendimiento del sistema se discute en la Seccin 7.4.3.
EE ( )
Donde
EE ( t )=( E ( t ) E ( t+ ) ) y E ( t )= P exp (i )
(i ( t ) )
()=exp [ ( 2 ( ) ) /2 ] (3.5 .35)
exp
EE ( t )=
Donde la fase de fluctuacin
( )
( t + ) (t )
2
( ) ), se puede calcular por linealizar
R sp
2c b
2
( ( ) ) = ( 1+ c b ) +
cos ( 3 )e cos ( R 3 ) ] (3.5 .36)
[
2 R cos
2P
2
Donde:
b=
R
+ R2
2
R
1/ 2
y =tan 1
R
(3.5 .37)
R
( )
y mltiples picos
de los picos de satlite es tpicamente menor que 1% de la del pico central. El origen
fsico de los picos satlite est relacionado con las oscilaciones de relajacin, que son
responsables por el trmino proporcional a b en la ecuacin. (3.5.36). Si se descuida
este plazo, el
EE
se define
como el ancho completo a la mxima media (FWHM) de esta lnea de Lorentz y est
dada por [82].
R sp ( 1+ 2c )
v=
(3.5 .38)
4 P
Donde b=1 se asumi como
1+ 2c
en la ecuacin. (3.5.28);
se
llama el factor de mejora de anchura de lnea por esta razn. La ecuacin (3.5.38)
muestra que
1
P
con un aumento en la
Rsp , disminuye y P
Rsp
L2
y P. Como se ve en la Fig.
Los 800 m de largo del lser DFB MQW se encuentran a exhibir una anchura de lnea
tan pequeo como 270 kHz a una potencia de salida de 13,5 mW [86]. Se reduce an
ms tensas en los lseres MQW debido a valores relativamente bajos de c, y un
valor de alrededor de 100 kHz se ha medido en lseres con
1 [77]. Cabe
destacar, sin embargo, que la anchura de lnea de la mayora de los lseres DFB es
tpicamente 5-10 MHz cuando se opera a un nivel de potencia de 10 mW.
La Figura 3.24 muestra que a medida que aumenta la potencia de lser, la anchura de
lnea no slo satura sino que comienza a cubrir el borde. Varios mecanismos se han
invocado para explicar tales comportamientos; algunos de ellos son ruido de la
corriente, el ruido 1/f, la ganancia no lineal, la interaccin modo lateral, y el ndice de
no linealidad [87] - [94]. La anchura de lnea de la mayora de los lseres DFB es lo
suficientemente pequeo que no es un factor limitante para los sistemas de ondas de
luz.
Figura 3.24: Medido ancho de lnea como una funcin de la potencia emitida para
varios 1.55- m lseres DFB. Capa activa es de 100 nm de espesor para el lser a
granel y 10 nm de espesor para los lseres MQW. (Ref. [86]. 1991 IEEE. Reimpreso
con permiso).
3.6 DISEO DE TRANSMISOR
Hasta ahora este captulo se ha centrado en las propiedades de fuentes pticas.
Aunque una fuente ptica es un componente importante de transmisores pticos, no es
el nico componente. Otros componentes incluyen un modulador para la conversin de
datos elctricos en forma ptica (si no se utiliza la modulacin directa) y un circuito de
conduccin elctrica para suministrar corriente a la fuente ptica. Un modulador
externo se utiliza a menudo en la prctica a velocidades de bits de 10 Gb/s o ms para
evitar el pitido que se impone invariablemente en la seal modulada directamente. Esta
seccin cubre el diseo de transmisores pticos con nfasis en los temas de
empaquetado [95] - [105].
3.6.1 FUENTE DE FIBRA DE ACOPLAMIENTO
El objetivo de diseo para cualquier transmisor es acoplar tanta luz como sea posible
en la fibra ptica. En la prctica, la deficiencia de acoplamiento depende del tipo de
fuente ptica (LED frente al lser), as como del tipo de fibra (multimodo modo versus
individual). El acoplamiento puede ser muy eficiente cuando la luz de un LED se acopla
en una fibra de modo nico. Como se discuti y brevemente en la Seccin 3.2.1, la
eficiencia de acoplamiento para un LED cambia con la apertura numrica, y puede
convertirse en <1% en el caso de fibras monomodo. Por el contrario, la eficiencia de
acoplamiento para lseres borde emisores es tpicamente 40-50% y puede superar el
80% para VCSEL debido a su tamao de punto circular. Un pequeo trozo de fibra
(conocido como una coleta) se incluye con el transmisor de modo que la eficiencia de
acoplamiento es posible.
Figura 3.25: Transmisores empleando (a) un tope de acoplamiento y (b) los diseos de
lentes de acoplamiento. (Ref. [97]. C 1989 de AT & T. Reimpreso con permiso).
Maximizarse durante el envasado; un empalme o conector se utiliza para unirse al
cable flexible con el cable de fibra. Dos enfoques se han utilizado para el acoplamiento
de fibras fuente. En un enfoque, conocido como acoplamiento directo o trasero, la fibra
se pone cerca de la fuente y se mantiene en su lugar por conector. En la otra, conocida
como acoplamiento de la lente, una lente se utiliza para maximizar la deficiencia de
acoplamiento. Cada mtodo tiene sus propios mritos, y la eleccin depende en
general de los objetivos de diseo. Un criterio importante es que la deficiencia de
acoplamiento no debe cambiar con el tiempo; Por lo tanto, la estabilidad mecnica del
esquema de acoplamiento es un requisito necesario. Un ejemplo de acoplamiento
trasero se muestra en la Fig. 3.25 (a), cuando la fibra se pone en contacto con un LED
emisor de superficie. La eficiencia de acoplamiento para una fibra de apertura
numrica NA est dada por [96].
4% si existe un espacio de aire entre la fuente y la fibra, pero se puede reducir a casi
cero mediante la colocacin de un lquido a juego de indexacin. La deficiencia de
acoplamiento es de aproximadamente 1% para un LED emisor de superficie y
aproximadamente el 10% para un LED borde emisores. Algunos mejorados es posible
en ambos casos mediante el uso de fibras que estn cubiertos o tiene una punta con
lentes. Una lente externa tambin mejora la eficiencia de acoplamiento, pero slo a
expensas de la reduccin de la tolerancia mecnica. El acoplamiento de un lser de
semiconductor a un solo modo de fibra ptica es ms eficiente que la de un LED. El
acoplamiento trasero proporciona slo el 10% eficiencia, ya que no hace ningn intento
para que coincida con los tamaos modo del lser y la fibra. Tpicamente, los lseres
de InGaAsP indexacin guiadas tienen un tamao medio de alrededor de 1m,
mientras que el tamao de un modo de fibra de modo nico est en el intervalo de 6-9
m. La deficiencia de acoplamiento se puede mejorar disminuyendo la fibra extremo y
la formacin de una lente en la punta de la fibra. La figura 3.25 (a) muestra tal un
esquema de extremo-acoplamiento para un transmisor comercial. La fibra est unida a
una joya, y la joya est unido a la parte superior del lser mediante el uso de una
resina epoxi [97]. La punta fibra se alinea con la regin que emite el lser para
maximizar la eficiencia de acoplamiento (tpicamente 40%). El uso de una fibra lensed
puede mejorar la deficiencia de acoplamiento EF, y valores cercanos a 100% se han
realizado con un diseo ptimo [98] - [100].
La figura 3.25 (b) muestra un enfoque de la lente de acoplamiento para el diseo del
transmisor. La deficiencia de acoplamiento puede superar el 70% para un diseo tan
confocal en el que una esfera se utiliza para colimar la luz lser y enfocarla en el
ncleo fibra. La alineacin del ncleo de fibra es menos crtica para el diseo confocal
ya que el tamao de punto es magnificados para que coincida con el tamao del modo
de la fibra. La estabilidad mecnica del paquete est asegurada por la soldadura de la
fibra en un casquillo que est fijado al cuerpo por dos juegos de soldaduras de
alineacin lser. Un conjunto de soldaduras establece la alineacin properaxial,
mientras que el otro conjunto ofrece alineacin transversal.
El tema del acoplamiento de la fibra lser sigue siendo importante, y varios esquemas
nuevos se han desarrollado durante la dcada de 1990 [101] - [105]. En un enfoque, un
banco ptico de silicio se utiliza para alinear el lser y la fibra [101]. En otro, un
microespejo de silicio, Fabricado mediante el uso de la tecnologa de micro
mecanismo, se utiliza para la alineacin ptica [102]. En un enfoque diferente, un
acoplador direccional se utiliza como convertidor de punto-tamao para maximizar la
eficiencia de acoplamiento [103]. Acoplamiento de eficiencias > 80% se han realizado
mediante la integracin de un convertidor de punto-talla con lseres semiconductores
[105].
Un problema importante que debe ser abordado en el diseo de un transmisor ptico
que est relacionado con la extrema sensibilidad de los lseres semiconductores de
realimentacin ptica [2]. Incluso una parte relativamente pequea de una cumbre de
retroalimentacin (<0.1%) puede desestabilizar el lser y afectar el rendimiento del
sistema a travs de fenmenos como la ampliacin anchura de lnea, modo de tolva de
ping, y la mejora RIN [106] - [110]. Se han hecho intentos para reducir las perdidas en
la cavidad lser utilizando antirreflexion de revestimientos. La retroalimentacin
tambin puede reducirse mediante la reduccin de la punta de fibra en un ligero ngulo
para que la luz reflejada no golpea la regin activa del lser. Tales precauciones son
generalmente suficientes para reducir la retroalimentacin a un nivel tolerable. Sin
embargo, se hace necesario utilizar un aislador ptico entre el lser y la fibra en
transmisores diseados para aplicaciones ms exigentes. Una de estas aplicaciones
se corresponde con los sistemas de ondas de luz que funcionan a altas velocidades de
bits y que requieren un lser DFB estrecho ancho de lnea.
La mayora de los aisladores pticos hacen uso del efecto Faraday, que regula la
rotacin del plano de polarizacin de un haz ptico en presencia de un campo
magntico: La rotacin es en la misma direccin para la luz de propagacin paralela o
antiparalela a la direccin de campo magntico. Aisladores pticos consisten en una
varilla de material de Faraday, tales como granate de itrio hierro (YIG), cuya longitud se
elige para proporcionar 45 rotacin. La varilla de YIG se intercala entre dos
polarizadores cuyos ejes estn inclinados por 450 con respecto a la otra.
Figura 3.27: Dos clases de moduladores externos: (a) modulador LiNbO3 en el MachZehnder configuracin; (b) un modulador del semiconductor basado en electro
absorcin.
Figura 3.28: cambio en la corriente como una funcin del tiempo para un 1.3- m lser
InGaAsP envejecido en 60C con 5 mW de potencia de salida. (Despus Ref [148].C
1985 de AT & T.)
El lser InGaAsP deteriorado a 60C bajo una potencia de salida constante de 5 mW
de cada faceta. La corriente de funcionamiento para este lser se incrementa en un
40% en las primeras 400 horas, pero luego se estabiliza y aumenta a un ritmo mucho
ms reducido indicativos de degradacin gradual. La velocidad de degradacin se
puede utilizar para estimar la vida til del lser y el MTTF a la temperatura elevada. El
MTTF a la temperatura de funcionamiento normal se extrapola a continuacin
mediante el uso de una relacin de tipo Arrhenius tF = t0 exp (-Ea / kBT), donde t0 es
una constante y Ea es la energa de activacin con un valor tpico de aproximadamente
1 eV [147] . Fsicamente, la degradacin gradual es debido a la generacin de diversos
tipos de defectos (defectos de lnea oscura, defectos oscuro-punto) dentro de la regin
activa del lser o LED [2].
Extensas pruebas han demostrado que los LEDs son normalmente ms fiables que los
lseres semiconductores bajo las mismas condiciones de operacin. El MTTF para
GaAs LEDs fcilmente supera 106 horas y puede ser> 107 horas a 25C [147]. El
MTTF para InGaAsP LEDs es an mayor, acercndose a un valor de ~ 109 horas. Por
el contrario, el MTTF para lseres de InGaAsP se limita generalmente a 106 horas a
25C [148] - [150]. No obstante, este valor es lo suficientemente grande que los lseres
semiconductores se pueden utilizar en transmisores pticos submarinos diseados
para funcionar de forma fiable durante un perodo de 25 aos. Debido a los efectos
adversos de las altas temperaturas en la fiabilidad del dispositivo, la mayora de los
transmisores utilizan un refrigerador termoelctrico para mantener la temperatura de la
fuente cerca de 20C incluso cuando la temperatura exterior puede ser tan alta como
80C.
Incluso con una fuente ptica fiable, un transmisor puede fallar en un sistema real, si el
acoplamiento entre la fuente y la fibra se degrada con el envejecimiento. El
acoplamiento de la estabilidad es una cuestin importante en el diseo de transmisores
pticos fiables. Depende en ltima instancia, en los envases de los transmisores.
Aunque LEDs se empaquetan a menudo non hermetically, un entorno hermtico es
esencial para lseres semiconductores. Es comn para empaquetar el lser por
separado de modo que est aislado de otros componentes del transmisor. La figura
3.25 muestra dos ejemplos de paquetes de lser. En el esquema de extremoacoplamiento, un epoxi se utiliza para mantener el lser y la fibra en su lugar. El
acoplamiento de la estabilidad en este caso depende de los cambios de cmo epoxi
con el envejecimiento de la emisora. En el esquema de la lente de acoplamiento,
soldadura lser se utiliza para mantener varias partes de la congregacin. El paquete
de lser se convierte en una parte del paquete de transmisor, que incluye otros
componentes elctricos asociados con el circuito de conduccin. La eleccin de
paquete transmisor depende del tipo de aplicacin; un paquete en lnea dual o una caja
mariposa con mltiples clavijas se utiliza normalmente.
Pruebas y envasado de transmisores pticos son dos partes importantes del proceso
de fabricacin [149], y ambos de ellos considerablemente el costo de una transmisin.
El desarrollo de los transmisores envasados bajo costo es necesario, especialmente
para aplicaciones locales y de bucle local.
PROBLEMAS
3.1.-Demostrar que la eficiencia cuntica externa de un LED planar est dada
aproximadamente por ext = n-1 (n + 1) -2, donde n es el ndice de refraccin del aire
semiconductor-interfaz. Considere Fresnel reflexin y la reflexin total interna en la
faceta de salida. Supongamos que la radiacin interna es uniforme en todas las
direcciones.
3.2.-Demostrar que el ancho de banda ptico de 3-dB de un LED est relacionada con
el ancho de banda elctrica 3-dB por la relacin f3dB (ptico) = 3 f3dB (elctrica).
3.3.-Encuentra la composicin de la aleacin cuaternaria InGaAsP para la fabricacin
de lseres de semiconductores que operan en longitudes de onda 1.3- y 1,55 micras.
3.4.-La regin activa de un lser InGaAsP 1,3 micras es de 250 m de largo. Encuentra
la ganancia de la regin activa requerida para el lser para alcanzar el umbral.
Suponga que la prdida interna es de 30 cm-1, el ndice modo es 3,3, y el factor de
confinamiento es 0,4.
3.5.-Deducir la ecuacin de valor propio de los (TE) modos transversales elctrica de
una gua de onda plana de espesor dy ndice de refraccin n 1 intercalada entre dos
capas de revestimiento de ndice de refraccin n2. (Sugerencia: Siga el mtodo de la
seccin 2.2.2 mediante coordenadas cartesianas.)
3.6.-Use el resultado del problema 3.5 para encontrar la condicin de modo nico.
Utilice esta condicin para encontrar el espesor mximo permitido de la capa activa
para un lser semiconductor 1,3 micras. Cmo cambia este valor si el lser funciona
a 1,55 m? Asumir n1 = n2 = 3.5 y 3.2.
3.7.-Resolver las ecuaciones de velocidad en el estado estacionario y obtener las
expresiones analticas para P y N como una funcin de la inyeccin de corriente I. La
negligencia emisin espontnea por simplicidad.
3.8.- Un lser semiconductor est funcionando continuamente a una determinada
corriente. Su potencia de salida cambia ligeramente debido a una transitoria fluctuacin
actual. Demostrar que la potencia del lser alcanzar su valor original a travs de un
cm1 . Opera
en un nico modo con el ndice modal 3,3 y el ndice de grupo 3.4. Calcule cual es el
curso de la vida de fotones. Cul es el valor umbral de la poblacin de electrones?
GN
(N-
N 0 ) con
GN
103
= 6
N 0 = 1 108 .
3.10 Determinar la corriente de umbral para el lser semiconductor del Problema 3,9
por 2 ns como el portador. Cunta energa se emite desde una faceta cuando el lser
es usado dos veces por encima del umbral?
3.11 Considere el lser del Problema 3.9 operar dos veces por encima del umbral.
Calcular la eficiencia cuntica diferencial y la eficiencia cuntica externa para el lser.
Cul es el dispositivo (enchufado a la pared) eficiencia si la tensin externa es de 1,5
V? Asumir que la eficiencia cuntica interna es del 90%
3.12 Calcular la frecuencia (en unidades GHz) y el tiempo de amortiguacin de las
oscilaciones de relajacin para el lser del Problema 3.9 operar dos veces por encima
104
G ( N , P )=G ( N ) ( N N 0 )( 1+ P/ Ps )1 /2
Mostrar que el ancho de banda satura a altas potencias de funcionamiento
3.16 Resolver ecuaciones del tipo (3.5.1 ) y (3.5.2 ) numricamente usando
104
Rsp
= 2/
S1 ,
f p (t)
I b / I th
= 0.8 ,
I m / I th
= 3,
= 3 ps,
108 , y
NL
c
GN
=2
=
3.17 Completar la derivacin de la ecuacin. (5.3.32) para el RIN. Cmo cambia esta
expresin si la ganancia G se asume de la forma del problema 3.15?
3.18 Calcular la autocorrelacin Cpp () mediante el uso de las ecuaciones. (3.5.31) y
(3.5.32). Utilcela para derivar una expresin de SNR de la salida del lser.
CAPITULO 4
RECEPTORES OPTICOS
El papel de un receptor ptico es la de convertir la seal ptica de nuevo en forma
elctrica y recuperar los datos transmitidos a travs del sistema de ondas de luz. Su
componente principal es un fotodetector que convierte la luz en electricidad mediante
el efecto fotoelctrico. Este debera tener una alta sensibilidad, respuesta rpida, de
poco ruido, de bajo coste y alta fiabilidad. Su tamao debe ser compatible con el
tamao de la fibra de ncleo. Estos requisitos se satisfacen mejor por fotodetectores
hechas de materiales semiconductores. Este captulo se centra en fotodetectores y
receptores pticos [1] - [9]. Introducimos en la Seccin 4.1 los conceptos bsicos
detrs del proceso de fotodeteccin y discutimos en la Seccin 4.2 varios tipos de
fotodetectores de uso comn para los receptores pticos. Los componentes de un
receptor ptico estn descritos en la seccin 4.3 con nfasis en el papel desempeado
por cada componente. Seccin 4.4 se ocupa de distintas fuentes de ruido que limitan la
relacin de seal a ruido en los receptores pticos. Secciones 4.5 y 4.6 se dedican a la
sensibilidad del receptor y su degradacin en condiciones no ideales. El rendimiento de
los receptores pticos en experimentos reales de transmisin se discute en la Seccin
4.7.
4.1 CONCEPTOS BSICOS
El mecanismo fundamental detrs del proceso fotodeteccin es de absorcin ptica.
Esta seccin presenta los conceptos bsicos como la capacidad de respuesta,
eficiencia cuntica, y ancho de banda que son comunes a todos los fotodetectores y
son necesarios ms adelante en este captulo.
4.1.1 DETECTOR DE RESPONSIVIDAD
Considere la losa semiconductor mostrado esquemticamente en la Fig. 4.1. Si el hv
energa de los fotones incidentes excede la energa de banda prohibida, un par
electrn-agujero se genera cada vez que un fotn es absorbida por el semiconductor.
Bajo la influencia de un campo elctrico creado por una tensin aplicada, electrones y
huecos son barridos a travs del semiconductor, lo que resulta en un flujo de corriente
elctrica. La fotocorriente I p es directamente proporcional a la potencia ptica
incidente.
P , i, e.
I p =R P (4.1.1)
Donde R es la responsividad del fotodetector (en unidades de A / W). La responsividad
R puede expresarse en trminos de una cantidad fundamental, llamada la eficiencia
cuntica y se define como;
R=
( 4.1.3)
hv 1,24
hv
<
Eg ,
tr
= [ 1exp ( W ) ] P ( 4.1.4)
P
Dado que cada fotn absorbido crea un par electrn-hueco, el eficiencia cuntica
est dada por
P||
=1exp (W ) ( 4.1.5)
P
=
Figura 4.2: dependencia de la longitud de onda del coeficiente de absorcin para varios
materiales semiconductores. (Ref. [2]. C 1979 Academic Press)
Como se esperaba, se convierte en cero cuando =0. Por otra parte, se aproxima a
1 si W
1.
104
T r =( ln 9 ) RC 2,2 RC (4.1.7)
Donde
RC =RC
T r =( ln 9 ) ( tr + RC ) (4.1 .8)
Donde
tr
es el tiempo de trnsito y
RC
RC
limita el
T r =[ ( ln 9 ) ( tr + RC ) ] (4.1 .9)
Como un ejemplo, cuando
tr
RC
RC
Figura 4.3: (a) A p-n fotodiodo bajo polarizacin inversa; (b) la variacin de la potencia
ptica en el interior del fotodiodo; (c) diagrama de banda de energa que muestra el
movimiento portador a travs de la deriva y difusin.
tr =
W
( 4.2.1)
vd
Tpicamente, W~10m,
vd
105
m/s, y
tr
vd
puede
105
RC
Figura 4.4: Respuesta de la unin p-n fotodiodo a un pulso ptico rectangular cuando
tanto la deriva y difusin contribuyen a la corriente del detector.
RC =( R L + R S ) C p ( 4.2.2)
Donde RL es la resistencia de carga externa, Rs es la resistencia en serie interna, y Cp
es la capacitancia parsita. Tpicamente,
RC
bajos son posibles con un diseo adecuado. De hecho, modernas p-n fotodiodos son
capaces de operar a velocidades de bits de hasta 40 Gb/s.
El factor limitante para el ancho de banda de p-n fotodiodos es la presencia de un
componente difusivo en la fotocorriente. El origen fsico del componente difusivo se
relaciona con la absorcin de la luz incidente fuera de la regin de agotamiento. Los
electrones generados en el p-regin tienen para difundir al agotamiento-regin
fronteriza antes de que puedan derivar hacia el lado n; Del mismo modo, los agujeros
generados en el n-regin deben difundirse a la deplecin de lmite de regin. La
difusin es un proceso inherentemente lento; portadores toman un nanosegundo o ms
para difundir sobre una distancia de aproximadamente 1 m. La Figura 4.4 muestra
cmo la presencia de un componente difusivo puede distorsionar la respuesta temporal
de un fotodiodo. La contribucin de difusin puede reducirse disminuyendo las
anchuras de la p-n regiones y el aumento de la anchura regin de agotamiento de
modo que la mayor parte de la potencia ptica incidente es absorbida en su interior.
Este es el enfoque adoptado para p-i-n fotodiodos, se discute a continuacin.
4.2.2 FOTODIODOS p-i-n
Una forma sencilla de aumentar la anchura de regin de agotamiento es insertar una
capa de material semiconductor dopado (o ligeramente dopado) entre la juntura p-i-n.
Figura 4.5: (a) Un p-i-n fotodiodo junto con la distribucin de campo electricidad bajo
polarizacin inversa; (b) el diseo de un InGaAs p-i-n fotodiodo.
Dado que la capa intermedia consiste en un material casi intrnseco, una estructura de
este tipo se conoce como el p-i-n fotodiodo. Figura 4.5 (a) muestra la estructura del
dispositivo junto con la distribucin de campo elctrico dentro de l bajo la operacin
de polarizacin inversa. Debido a su naturaleza intrnseca, el medio i capa ofrece una
alta resistencia, y la mayora de la cada de tensin se produce a travs de esta. Como
resultado, existe un gran campo elctrico en la capa i. En esencia, la regin de
agotamiento se extiende a lo largo del i-regin, y su anchura W puede ser controlado
cambiando el espesor medio de la capa. La principal diferencia de la p-n fotodiodo es
que la deriva el componente de la fotocorriente domina sobre el componente de
difusin, simplemente porque la mayor parte de la potencia incidente es absorbida
dentro de la regin i y de un p-i-n fotodiodo.
Dado que la anchura W agotamiento se puede adaptar en p-i-n fotodiodos, una
pregunta natural es como debe ser grande W. Como se discuti en la Seccin 4.1, el
valor ptimo de W depende de un compromiso entre velocidad y sensibilidad. La
responsividad se puede aumentar mediante el aumento de W de modo que el
eficiencia cuntica se aproxima a 100% [ver Ec. (4.1.5)]. Sin embargo, el tiempo de
respuesta tambin aumenta, ya que toma ms tiempo para que los transportistas a la
tr >
200 ps). Por el contrario, W puede ser tan pequeo como 3-5 micras para fotodiodos
que usan semiconductores de banda prohibida directa, tales como InGaAs. El tiempo
de trnsito para tales fotodiodos se
tr
tr
Muestra como un
InGaAs
p-i-n
fotodiodo. Dado
que la
banda prohibida
de InP
es 1,35 eV, InP
es
transparente para luz cuya longitud de onda es superior a 0,92 m. Por el contrario, la
brecha marcada de material In1-xGaxAs con x = 0.47 es aproximadamente 0,75 eV
(vase la Seccin 3.1.4), un valor que corresponde a una longitud de onda de corte de
1,65 micras. As pues, la capa de InGaAs media absorbe fuertemente en la regin de
longitud de onda de 1.3 a 1.6 micras. El componente difusivo de la corriente detector
se elimina completamente de tal
fotodiodo con hetero estructura simplemente porque los fotones son absorbidos slo
dentro de la regin de agotamiento. La faceta frontal es a menudo recubierto usando
capas dielctricas adecuadas para minimizar los reflejos. La eficiencia cuntica se
puede hacer casi el 100% mediante el uso de una capa de InGaAs de 4-5 m de
espesor. Los fotodiodos InGaAs son muy tiles para los sistemas de ondas de luz y se
utilizan a menudo en la prctica. Tabla 4.1 lista las caractersticas de funcionamiento
de tres comunes fotodiodos p-i-n.
Un esfuerzo considerable era dirigido durante la dcada de 1990 hacia el desarrollo de
fotodiodos p-i-n de alta velocidad capaces de operar a velocidades de bits superiores
a 10 Gb / s [10] - [20]. Anchos de banda de hasta 70 GHz se realizaron ya en 1986
mediante el uso de una capa de absorcin delgada (<1 m) y por la reduccin de la
capacitancia parsita Cp con una tamao pequeo, pero slo a expensas de una
menor eficiencia cuntica y responsividad [10]. Para 1995,los fotodiodos p-i-n exhiben
un ancho de banda de 110 GHz para dispositivos diseados para reducir RC a cerca
de 1 ps [15].
Varias tcnicas han sido desarrolladas para mejorar la eficiencia de alta velocidad de
fotodiodos. En un enfoque, se forma un (FP) de la cavidad Fabry-Perot alrededor de la
estructura p-i-n para mejorar la eficiencia cuntica [11] - [14], lo que resulta en una
estructura de rayo lser. Como se discuti en la Seccin 3.3.2, una cavidad FP tiene un
conjunto de modos longitudinales en la que el campo ptico interno resonante es
mejorado a travs de la interferencia constructiva. Como resultado, cuando la longitud
de onda incidente est cerca de un modo longitudinal, un fotodiodo tale exhibe alta
sensibilidad. La selectividad de longitud de onda puede incluso ser utilizado con
ventaja en aplicaciones (WDM). A casi una eficiencia cuntica del 100% se realiz en
un fotodiodo en el que se form un espejo de la cavidad FP mediante el uso de la
reflectividad Bragg de una pila de capas AlGaAs / AlAs [12]. Este enfoque se extendi
a Fotodiodos de InGaAs mediante la insercin de un InGaAs de 90 nm de espesor que
absorben capa en una microcavidad compuesto de un espejo GaAs / AlAs Bragg y un
espejo dielctrico. El dispositivo mostraba una 9eficiencia cuntica de 94% en la
resonancia de la cavidad con un ancho de banda de 14 nm [13]. Mediante el uso de un
metal de puentes areos la gua de onda junto con una estructura de mesa recortada,
una ancho de banda de 120 GHz se ha realizado [14].
Figura
4.6
(a)seccin transversal esquemtica de una gua de onda fotodiodo de mesa hongo y
(b) su respuesta de frecuencia medida. (AfterRef [17];1994 IEEE; reimpreso con
permiso).
El uso de tal estructura dentro de una cavidad FP debe proporcionar un fotodiodo p-i-n
con un gran ancho de banda y alta eficiencia. Otro enfoque para darse cuenta de
fotodiodos de alta velocidad eficientes hace uso de una gua de ondas ptica en la que
la seal ptica es acoplada al borde [16] - [20]. Tal estructura se asemeja a un lser de
semiconductor no bombeado excepto que diversas capas epitaxiales se optimizan de
manera diferente. En contraste con un semiconductor lser, la gua de ondas puede
hacerse amplia para soportar mltiples modos transversales con el fin de mejorarla
eficiencia de acoplamiento [16]. Dado que la absorcin tiene lugar a lo largo de la
longitud de la gua de ondas ptica (~ 10 m), la eficiencia cuntica puede ser casi
100% incluso para una capa de absorcin ultrafina.
El ancho de banda de dichos fotodiodos de gua de ondas est limitada por RC en la
ecuacin. (4.1.9), que se puede disminuido en el control de la rea de seccin cruz de
gua de ondas. De hecho, un ancho de banda de 50 GHz era realizado en 1992 por un
fotodiodo de gua de ondas [16].
El ancho de banda de fotodiodos de gua de ondas puedeser aumentado a 110 GHz
mediante la adopcin de una estructura de gua de ondas de mesa de hongo mesa
[17]. Tal dispositivo se muestra esquemticamente en la Fig. 4.6. En esta estructura, la
anchura de la capa absorbente de tipo i erareducido a 1,5 micras, mientras que las
capas de revestimiento p y tipo n se realizaron con 6 m de ancho. De esta manera,
tanto la capacitancia parsita y la resistencia en serie interna fueron minimizados,
reduciendo RC a alrededor de1 ps. La respuesta de frecuencia de un dispositivo de
este tipo en la longitud de onda de 1,55 micras tambin se muestra en la Fig. 4.6. Se
midi mediante el uso de un analizador de espectro (crculos), as como tomando la
transformada de Fourier de la respuesta a corto pulso (curva continua). Claramente, la
gua de onda de fotodiodos p-i-n pueden proporcionar tanto alta capacidad de
respuesta y un gran ancho de banda. Fotodiodos de gua de ondas se han utilizado
para receptores pticos de 40 Gb / s [19] y tienen la posibilidad de operar a
velocidades de hasta 100 Gb / s [20] bits.
El rendimiento de gua de onda de fotodiodos puede mejorarse an ms mediante la
adopcin de una estructura de electrodo diseada para soportar el viaje de ondas
elctricas que se combinan con la impedancia para evitar reflexiones. Tales fotodiodos
se llaman fotodetectores de onda progresiva. En una GaAs basado en una aplicacin
de esta idea, un ancho de banda de 172 GHz con eficiencia cuntica 45% se realiz en
un fotodetector de onda progresiva diseado con un ancho de gua de onda de 1m
[21]. Para el ao 2000, un fotodetector InP / InGaAs exhibi un ancho de banda de
310 GHz en la regin espectral de 1,55 m [22].
Figura
4.7:
Coeficientes
de
ionizacin
de impacto para
varios
semiconductores como una funcin del campo elctrico de electrones (lnea continua)
y huecos (lnea discontinua) (Despus Ref [24]; 1977 Elsevier; reimpreso con permiso.)
4.2.3 Fotodiodos de avalancha
Todos los detectores requieren una corriente mnima determinada para funcionar de
forma fiable. El requisito actual se traduce en un requisito mnimo de potencia a travs
del Pin = Ip / R. Detectores con una gran responsividad R se prefieren ya que
requieren menos potencia ptica. La capacidad de respuesta de fotodiodos p-i-n se
limita por la ecuacin. (4.1.3) y toma su valor mximo R = q / hv para = 1. El
fotodiodo de avalancha
(APD) puede tener valores mucho ms grandes de R, ya que estn diseados para
proporcionar una ganancia interna de corriente de una manera similar a tubos
fotomultiplicadores. Se utilizan cuando la cantidad de poder ptico que puede ser
ahorrado para el receptor es limitada.
El fenmeno fsico detrs de la interna ganancia de corriente se conoce como la
ionizacin por impacto [23]. Bajo ciertas condiciones, una aceleracin del electrn
puede adquirir la energa suficiente para generar un nuevo par electrn-hueco. En la
foto de la banda (Ver Fig. 3.2) el electrn energtico da una parte de su energa
cintica a otro electrn en la
banda de valencia que termina en la banda de conduccin, dejando tras de s un
agujero. El resultado neto de impacto de ionizacin es que un solo electrn primario,
generado a travs de la absorcin de un fotn, crea muchos electrones y los huecos
secundarios, todos los cuales contribuyen a la corriente de fotodiodo. Por supuesto, el
orificio primario tambin puede generar pares electrn-hueco secundarios que
contribuyen a la corriente.
La tasa de generacin se rige por dos parmetros, e y h, los coeficientes de
ionizacin de impacto de electrones y
huecos, respectivamente. Sus valores
numricos dependen del material semiconductor y en el campo elctrico
Figura 4.8: (a) Un APD junto con la distribucin de campo elctrico en el interior de
varias capas bajo polarizacin inversa; (B) el diseo de un silicio para llegar a travs de
l ADP
que acelera los electrones y agujeros. Figura 4.7 muestra e y h para varios
semiconductores [24]. Se obtienen valores ~ 1 104 cm-1 para los campos elctricos
en el rango de 2 a 4 105 V / cm. Tales campos grandes se pueden realizar mediante
la aplicacin de un voltaje alto (~ 100 V) al APD.
Los APD difieren en su diseo de los fotodiodos p-i-n principalmente en un aspecto: se
aade una capa adicional en el que pares electrn-hueco secundarios se generan a
travs de ionizacin por impacto. Figura 4.8 (a) muestra la estructura APD junto con la
variacin del campo elctrico en diversas capas. Bajo polarizacin inversa, existe un
campo elctrico de alta en la capa de tipo p intercalada entre capas de los de tipo i y
de tipo n +.Esta capa se conoce como la capa de multiplicacin, ya que los pares
electrn-hueco secundaria son
generados aqu a travs de ionizacin por impacto. El capa an acta como la regin
de agotamiento en el cual la mayora de los fotones incidentes son absorbidos y pares
electrn-hueco primarias se generan. Los electrones generados en la regin i cruzan la
regin de ganancia y generan pares electrn-hueco secundarios responsables de la
ganancia de corriente.
La ganancia de corriente para APDs se puede calcular mediante el uso de los dos
ecuaciones de velocidad que regulan el flujo de corriente dentro de la capa de
multiplicacin [23]:
die/dx = e ie + h ih,
(4.2.3)
-dih dx = e ie + h ih,
(4.2.4)
donde ie es decir, es la corriente de electrones y i h es la corriente de huecos. El menos
en la ecuacin. (4.2.4) es debido a la direccin opuesta de la corriente de huecos. La
corriente total,
I = = ie (x)+ ih(x),
(4.2.5)
permanece constante en todos los puntos dentro de la regin de multiplicacin. Si
reemplazamos ih en la ecuacin. (4.2.3) por I - ie , obtenemos
die / dx = (e h) ie + hI,
(4.2.6)
(4.2.7)
(4.2.8),
f = (2 e M0)-1 . Esta
la
ganancia
y el ancho de banda
APD M0
Figura 4.9: Diseo de (a) y SAM (b) APDs SAGM contienen regiones separadas, de
absorcin , multiplicacin y clasificacin
El problema puede ser resuelto mediante el uso de otra capa entre la absorcin y las
regiones de multiplicacin cuya banda prohibida es intermedia a las capas de InP y
InGaAs. El material cuaternario InGaAsP, el mismo material usado para los lseres de
semiconductores, se puede adaptar a tener una banda prohibida en cualquier lugar en
el rango de 0,75 a 1,35 eV y es ideal para este propsito. Es incluso posible la
composicin de InGaAsP sobre una regin de 10-100 nm de espesor. Tales APDs se
llaman SAGM APD, donde SAGM indica separada las regiones de absorcin, la
clasificacin, y multiplicacin [25]. Figura 4.9 (b) muestra el diseo de un APD InGaAs
con la estructura SAGM. El uso de una capa de clasificacin InGaAsP mejora el ancho
de banda considerablemente. Ya en 1987, un SAGM APD exhibi un producto con
ganancia de ancho de banda Mf = 70 GHz para M> 12 [26]. Este valor se aument a
100
GHz en 1991 mediante el uso de una regin de carga entre los de calificacin y
multiplicacin regiones [27]. En tal SAGCM APDs, la capa de InP multiplicacin es sin
dopar, mientras que la capa de carga InP es fuertemente n- dopado. Los agujeros se
aceleran en la capa de carga debido a un fuerte campo elctrico, pero la generacin de
pares electrn-hueco secundaria tiene lugar en la capa de InP dopado. SAGCM APDs
mejor considerablemente durante la dcada de 1990 [28] - [32]. Un producto con
ganancia-ancho de banda de 140 GHz se realiz en 2000 usando una capa de 0,1
micras de espesor de multiplicacin que requiere <20 V, a travs de este.[32]. Tales
APD son muy adecuados para la fabricacin de un receptor t10-Gb / SAPD compacto.
Un enfoque diferente para el diseo de APDs de alto rendimiento hace uso de una
estructura de enrejado superior [33] - [38]. La principal limitacin ADP de InGaAs
resulta de los valores comparables de e y h. Un diseo superred ofrece la posibilidad
de reducir la proporcin kA = h / e de su valor estndar casi de la unidad. En un
esquema, las regiones de absorcin y multiplicacin alternativo consisten en capas
delgadas (~ 10 nm) de materiales semiconductores con diferentes bandas
prohibidas. Este enfoque se demostr primero para APDs
GaAs / AlGaAs
multiquantum (MQW) y result en una mejora considerable del coeficiente de impacto
de ionizacin por electrones [33].Su uso es menos exitoso para el sistema material
InGaAs / InP. No obstante, se ha avanzado considerablemente a travs de los
llamados APDs escalera, en el que la capa de InGaAsP se marcan compositivamentes
para formar una especie de diente de sierra de la estructura en el diagrama de bandas
de energa que se parece a una escalera bajo polarizacin inversa.
Otro esquema para la fabricacin de APDs de alta velocidad
Figura
4.10: (a) la estructura del dispositivo y (b) medir el ancho de banda de 3 dB en funcin
de M para una APD superred. (Despus de Ref [38]; C IEEE 2000;. Reimpreso con
permiso)
utiliza capas alternas de InP y InGaAs para la regin de clasificacin [33]. Sin embargo,
la relacin de las anchuras de las capas de InP a InGaAs vara desde cero cerca de la
regin de absorcin a casi infinito cerca de la regin de multiplicacin. Dado que el
intervalo de banda efectiva de un pozo cuntico depende de la anchura de pozo
cuntico (espesor de la capa InGaAs), un compuesto clasificado "pseudo-cuaternario"
se forma como resultado de la variacin en el espesor de la capa.
El diseo ms exitoso para InGaAs APD utiliza una estructura de superred para la
regin de multiplicacin de un APD SAM. La superred consta de una estructura
peridica de tal manera que cada perodo se hace usando dos capas ultrafinas (~ 10
nm) con diferentes bandas prohibidas. En el caso de APDs de 1,55m, se utilizan
capas alternas de InAlGaAs y InAlAs, actuando este ltimo como una capa de barrera.
Una capa campo-buffer InP a menudo separa la regin de absorcin InGaAs de la
regin de multiplicacin de la superred. El espesor de esta capa tampn es bastante
crtico para el rendimiento de APD. Para una capa campo-buffer-52 nm de espesor, el
producto ganancia-ancho de banda se limita a Mf = 120 GHz [34], pero aument a
150 GHz cuando el espesor se redujo a 33,4 nm [37]. Estos dispositivos utilizan
principios de una estructura de mesa. Durante la dcada de 1990, una estructura plana
fue desarrollado para mejorar la fiabilidad del dispositivo [38]. Figura 4.10 muestra un
dispositivo tal esquemticamente junto con su ancho de banda de 3-dB medido como
una funcin de la ganancia de APD.
El producto ganancia-ancho de banda de 110 GHz es lo suficientemente grande como
para hacer que el APD opere a 10 Gb / s. De hecho, un receptor tal APD se us para
un sistema de ondas de luz 10-Gb / s con un excelente rendimiento.
La limitacin de ganancia de ancho de banda de APDs InGaAs result principalmente
de usar el sistema de material de InP para la generacin de pares electrn-hueco
secundarios. Un enfoque hbrido en el que se incorpora una capa de multiplicacin de
Si al lado de una capa de absorcin de InGaAs puede ser til siempre que los
problemas heterointerface pueden ser superados. En un experimento de 1997, un
producto de la ganancia de ancho de banda de ms de 300 GHz se realiz mediante el
uso de un enfoque hbrido [39]. La APD exhibi un ancho de banda de 3 dB de ms de
9 GHz para valores de M tan alto como 35, manteniendo una eficiencia cuntica de
60%.
La mayora de APDs utilizan una capa absorbente lo suficientemente gruesa
(aproximadamente 1 m) para que la eficiencia cuntica supere el 50%. El espesor de
la capa absorbente afecta al tr, tiempo de trnsito y la tensin de polarizacin Vb. De
hecho, dos de ellos se puede reducir significativamente mediante el uso de una capa
absorbente fina (~ 0,1 micras), resultando en la mejora de APDs siempre que una alta
eficiencia cuntica pueda ser mantenida.
Dos enfoques se han utilizado para cumplir con estos requisitos de diseo algo
contradictorios. En un diseo, se forma una cavidad FP para mejorar la absorcin
dentro de una capa delgada a travs de mltiples idas y vueltas. Una eficiencia
cuntica externa de ~ 70% y un producto de la ganancia de ancho de banda de 270
GHz se realizaron en un APD de 1,55m, utilizando una capa absorbente 60 nm de
espesor con una capa de multiplicacin de espesor 200-nm [40]. En otro enfoque, una
gua de ondas ptica se utiliza en el que la luz incidente es emparejada en etapa
[41]. Ambos enfoques reducen la tensin de polarizacin a cerca de 10 V, para
mantener una alta eficiencia, y reducir el tiempo de trnsito a ~ 1 ps. Tales APD son
adecuados para la fabricacin de receptores pticos de 10 Gb / s.
4.2.4 Fotodetectores HSH
En fotodetectores metal-semiconductor-metal (MSM), una capa de absorcin de
semiconductor se intercala entre dos metales, formando una barrera Schottky en cada
interfase metal-semiconductor que evita el flujo de electrones desde el metal al
semiconductor. Similar al fotodiodo p-i-n, pares electrn-hueco son generados a travs
de flujo de fotoabsorcin hacia los contactos de metal, resultando en una fotocorriente
que es una medida de la potencia ptica incidente, como se indica en la
ecuacin. (4.1.1). Por razones prcticas, los dos contactos de metal se realizan en el
mismo lado (superior) de la capa de absorcin de crecimiento epitaxial mediante el uso
de una estructura de electrodos interdigitada con una separacin de aproximadamente
1 m [42]. Este esquema resulta en una estructura plana con una capacitancia parsita
inherentemente baja que permite la operacin de alta velocidad (hasta 300 GHz) de
fotodetectores MSM. Si la luz incide desde el lado del electrodo, la capacidad de
respuesta de un fotodetector MSM se reduce debido a su bloqueo por los electrodos
opacos. Este problema puede ser resuelto por la iluminacin de nuevo si el sustrato es
transparente para la luz incidente.
Excelentes caractersticas de funcionamiento de fotodetectores HSH basados en GaAs
se desarrollaron a lo largo de la dcada de 1980 [42]. El desarrollo de fotodetectores
HSH con basados en InGaAs, adecuado para sistemas de ondas de luz que operan en
el rango de 1.3 a 1.6 micras, comenz a finales de 1980, con la mayora de los
progresos realizados durante la dcada de 1990 [43] - [52]. El principal problema de
InGaAs es su relativamente baja altura Schottky con una barrera (aproximadamente
0,2 eV). Este problema fue resuelto mediante la introduccin de una fina capa de InP o
InAlAs entre la capa de InGaAs y el contacto de metal. Tal capa, llamada la capa de
barrera de mejora, alcanza el rendimiento de fotodetectores InGaAs HSH
drsticamente. El uso de una capa de barrera InAlAs mejorada de 20 nm de espesor
se tradujo en 1992 en fotodetectores HSH de 1,3m que mostraban una eficiencia
cuntica de 92% (a travs de retorno de iluminacin) con una baja corriente oscura
[44]. Un dispositivo de envasado tena un ancho de banda de 4 GHz a pesar de un
gran de dimetro de 150 m. Si la iluminacin superior es deseable por razones de
procesamiento o de envasado, la responsividad se puede mejorar mediante el uso de
contactos de metal semitransparente. En un experimento, la responsividad a 1,55
micras aument desde 0,4 hasta 0,7 A / W cuando el espesor de contactos de oro se
reduca desde 100 hasta 10 nm [45]. En otro enfoque, la estructura se separa del
sustrato husped y es unido a un sustrato de silicio con el contacto interdigitado en la
parte inferior. Tal fotodetector HSH "invertido" entonces presenta una alta capacidad de
respuesta cuando se ilumina desde la parte superior [46].
La respuesta temporal de fotodetectores HSH es generalmente diferente bajo la
iluminacion de la parte posterior y la parte superior [47]. En particular, el ancho de
banda f es mayor en un factor de 2 para la iluminacin de la parte superior, aunque la
capacidad de respuesta se reduce a causa de sombras de metal
4.3. DISEO DE RECEPTOR
Figura
4.11: Diagrama de un receptor ptico digital que muestra diversos
componentes. Lneas verticales discontinuas de grupo en tres secciones.
El rendimiento de un fotodetector MSM puede mejorarse an ms mediante el uso de
una estructura de superred graduada. Estos dispositivos presentan una baja densidad
oscura de corriente, una respuesta de alrededor de 0.6 A / W a 1,3 m, y un tiempo de
subida de unos 16 ps [50]. En 1998, un fotodetector MSM de 1,55 m exhibi un ancho
de banda de 78 GHz [51]. Por 2001, el uso de una configuracin de onda progresiva
aument el ancho de banda ms all de 500 GHz para un dispositivo basado en GaAs
[52]. La estructura plana de fotodetectores MSM tambin es adecuado para la
integracin monoltica, un tema cubierto en la siguiente seccin.
4.3 Receptor Diseo
El diseo de un receptor ptico depende del formato de modulacin utilizado por el
transmisor. Como la mayora de los sistemas de ondas de luz emplean la modulacin
de intensidad binario, nos centramos en este captulo sobre receptores pticos
digitales. Figura 4.11 muestra un diagrama de bloques de un receptor tal. Sus
componentes pueden estar dispuestos en tres grupos-el extremo frontal, el canal lineal,
y el circuito de decisin.
4.3.1 El Extremo Frontal
El extremo delantero de un receptor consiste en un fotodiodo seguido de un
preamplificador. La seal ptica se acopla sobre el fotodiodo mediante el uso de un
esquema de acoplamiento similar a la utilizada para los transmisores pticos (vase la
Seccin 3.4.1); en el acoplamiento trasero que se utiliza a menudo en la prctica. El
fotodiodo convierte el flujo de bits pticos en una seal elctrica variable en el
tiempo. El papel del preamplificador es amplificar la seal elctrica para su posterior
procesamiento. El diseo de la parte delantera requiere un equilibrio entre la velocidad
y la sensibilidad. Dado que el voltaje de entrada al preamplificador se puede aumentar
mediante el uso de una gran resistencia de carga RL, un extremo frontal de alta
impedancia se utiliza a menudo [ver Fig. 4.12 (a)]. Por otra parte, como se discuti en
la Seccin 4.4, una gran RL reduce el ruido trmico y mejora la sensibilidad del
receptor. El principal inconveniente de extremo frontal de alta impedancia es su bajo
ancho de banda dado por f = (2R L CT) -1, donde se supone que RS<< RL en la
ecuacin. (4.2.2) y CT = Cp + CA es la capacitancia total, que incluye las contribuciones
de los fotodiodos (C p) y el transistor utilizado para la amplificacin (CA).
Figura
4.12:
Circuito
equivalente para (a) de alta impedancia y (b) frente transimpedancia termina
enreceptores pticos. El fotodiodo se modela como una fuente de corriente en ambos
casos.
El ancho de banda del receptor est limitada por su ms lento componente. Un
extremo delantero de alta impedancia no se puede utilizar si f es considerablemente
menor que la tasa de bits. Un ecualizador se utiliza a veces para aumentar el ancho de
banda. El ecualizador acta como un filtro que atena los componentes de baja
frecuencia de la seal ms que los componentes de alta frecuencia, lo que aumenta de
manera efectiva el ancho de banda para el usuario. Si la sensibilidad del receptor no
afecta, uno puede simplemente disminuir RL para aumentar el ancho de banda, lo que
resulta en un extremo delantero de baja impedancia.
El frente de transimpedancia termina proporcionando una configuracin que tiene una
alta sensibilidad junto con un gran ancho de banda. Su gama dinmica tambin se ha
mejorado en comparacin con el frente de alta impedancia con el que termina. Como
se ve en la Fig. 4.12 (b), la resistencia de carga est conectado como una resistencia
de realimentacin alrededor de un amplificador inversor. A pesar de que R L es grande,
el negativo de la retroalimentacin reduce la impedancia de entrada efectiva por un
factor de G, donde G es la ganancia del amplificador. El ancho de banda est por lo
tanto mejorado por un factor de G en comparacin la impedancia de extremo frontal.
Los extremos delanteros de alta impedancia se utilizan a menudo en receptores
pticos debido a sus caractersticas mejoradas. Una cuestin importante de diseo
est relacionada con la estabilidad del bucle de realimentacin. Ms detalles se
pueden encontrar en las Refs. [5] - [9].
4.3.2 Canal Lineal
El canal lineal en receptores pticos consta de un amplificador de alta ganancia (el
amplificador principal) y un filtro de paso bajo. Un ecualizador se incluye a veces justo
antes del amplificador para corregir el ancho de banda limitado de la parte delantera.
La ganancia del amplificador es controlada automticamente para limitar la tensin
media de salida a un nivel fijo independientemente de la potencia ptica promedio
incidente en el receptor. El filtro de paso bajo oculta al pulso de voltaje. Su propsito es
reducir el ruido sin introducir mucho entre smbolos
V out ( t ) zT ( tt ) I p ( t ) d t ,
(4.3.1)
(4.3.3)
(4.3.4)
(
)
[
{ ]
1
f
H out 2 1+cos B , f <B ,
0, f B ,
(4.3.5)
hout ( t )=
sin ( 2 Bt )
1
,
2 Bt 1( 2 Bt )2 (4.3.6)
La forma funcional de Hout (t) corresponde a la forma del pulso de tensin Vout (t)
recibida por el circuito de decisin. En el instante t = 0 decisin, Hout (t) = 1, y el
(4.3.7)
(4.3.8)
La ecuacin (4.3.8) determina la respuesta de frecuencia del canal lineal que hara
producir una salida con forma del impulso dado por la Ec. (4.3.6) en condiciones
ideales. En la prctica, la forma del pulso de entrada est lejos de ser rectangular. La
forma del pulso de salida tambin se desva de la ecuacin. (4.3.6), y algunos ISI se
producen invariablemente.
4.3.3 Circuito de Decisin
La seccin de recuperacin de datos de receptores pticos consta de un circuito de
decisin y un circuito de recuperacin de reloj. El propsito de este ltimo es aislar un
Para los sistemas de ondas de luz que operan en el rango de longitud de onda de 1.3 a
1.6 m, los InP-basados en receptores OEIC son necesitados ya que la tecnologa IC
para GaAs es mucho ms desarrollada que para InP, un enfoque hbrido se utiliza a
veces para los receptores de InGaAs. En este enfoque, llamado flip-chip tecnologa
OEIC [57], los componentes electrnicos estn integrados en un chip de GaAs,
mientras que el fotodiodo se hace en la parte superior de un chip de InP.
Los dos chips se conectan entonces por voltear el chip InP en el chip de GaAs, como
se muestra en la Fig. 4.14. La ventaja de la tcnica de flip-chip es que el fotodiodo y los
componentes elctricos del receptor se pueden optimizar de forma independiente,
manteniendo los parsitos (por ejemplo, la capacitancia de entrada efectiva) a un
mnimo.
Una gua de onda de fotodiodo p-i-n tambin se ha integrado con HEMTs para
desarrollar un receptor OEIC de dos canales.
En otro enfoque [64] - [69], la tecnologa de transistores (HBT)-heterounin bipolar se
utiliza para fabricar el fotodiodo p-i-n dentro de la estructura HBT a travs de una
configuracin de colector comn. Estos transistores son a menudo llamados
Ruido de Disparo
El ruido de disparo es una manifestacin del hecho de que una corriente elctrica
consiste en una corriente de electrones que se generan en momentos aleatorios. Fue
estudiado por primera vez por Schottky [83] En 1918 y haya sido investigado a fondo
desde entonces [80] - [82]. el fotodiodo corriente generada en respuesta a una seal
ptica constante se puede escribir como
I (t)=Ip+ is(t) ,
(4.4.1)
donde Ip = rpin es la corriente media y es (t) es una fluctuacin actual relacionada con
disparo ruido. Matemticamente, es (t) es un proceso aleatorio estacionario con las
estadsticas de Poisson (aproximado a menudo por las estadsticas de Gauss). La
funcin de autocorrelacin de i s (t) est relacionada a la densidad espectral Ss (f) por
el teorema de Wiener-Khinchin [82]
( i s ( t ) i s (t + ) )= S s ( f ) ex p ( 2 if ) df ,(4.4 .2)
Donde parntesis angulares indican una media de conjunto sobre las fluctuaciones. La
densidad espectral del ruido de disparo es constante y est dada por Ss (f) = QIP (un
ejemplo de ruido blanco). Tenga en cuenta que Ss (f) es la densidad espectral de dos
caras, como se incluyen frecuencias negativas en la ecuacin. (4.4.2). Si slo las
frecuencias positivas se consideran cambiando el lmite inferior de la integracin a
cero, la densidad espectral de un solo lado se convierte en p 2qI. La varianza del ruido
se obtiene mediante el establecimiento de = 0 en la ecuacin. (4.4.2), es decir
4.4 .3
2
2
s=( i s ( t ) )= S s ( f ) df =2 q I p f , )
|H T (f )| df = 2 q I p f ,
=2q I p
2
s
(4.4.4)
donde
|H T (f )| df
s=2q ( I p + I d ) f , (4.4.5)
I ( t )=I p+ i s ( t ) +i T (t) ,
(4.4.6)
i ( t )=
2 kB T
RL
(4.4.7)
2s=( i 2T ( t ) ) = ST ( f ) df =(4 k B / R L ) f ,
(4.4.8)
2T =( 4 k B T / R L ) F n f .
(4.4.9)
4kB
F n f .( 4.4 .10)
RL
( )
=( ( I ) )= S + T =2 q ( I p + I d ) f +
Donde hemos utilizado el hecho de que la energa elctrica vara con el cuadrado de la
corriente. Por usando la Ec. (4.4.10) en la ecuacin. (4.4.11) junto con I p = rpin, el
SNR est relacionado con el potencia ptica incidente como
R 2 P2
SNR=
2 q ( RP + I d ) f + ( 4 k B T /R L ) F n f ,
(4.4.12)
Donde
R=q/hv
Lmite Trmico-Ruido
En la mayora de los casos de inters prctico, ruido trmico domina el funcionamiento
2
R L R2 P2
SNR=
,(4.4 .13)
4 k B T Fn f
Por lo tanto, la SNR vara como en
NEP=P / f =((4 k B TF n)/ (R L R 2))(1/ 2)=h V /q ((4 k B TF n)/ R L )exp1 /2(4.4 .14)
Otra cantidad, llamado detectividad y se define como (NEP) -1, tambin se utiliza para
este propsito. La ventaja de especificar NEP o la detectividad para ap-i-n receptor es
que se puede ser utilizado para estimar la potencia ptica necesaria para obtener un
valor especfico de SNR si el ancho de banda f es conocido. Los valores tpicos de
NEP estn en el rango
110 pW / Hz 1/ 2
RPin
Pin .
=
2q f
2h
f
(4.4.15)
Los aumentos de SNR linealmente con Pin en el lmite de disparo silencioso y slo
depende de la cuntica eficiencia, el ancho de banda f, y la energa del fotn hv.
Puede ser escrito entrminos del nmero de fotones Np contenida en el bit "1". Si
utilizamos Ep=Pin hp(t) dt=Pin/ B para la energa de impulso de un bit de
duracin 1/B, donde B es la tasa de bits, y tenga en cuenta que Ep = Nphv, podemos
escribir como Pin como Pin = NphvB. Al elegir f = B / 2 (un valor tpico para el ancho
de banda), la SNR est simplemente dado por Np. En el lmite de disparo de ruido, un
SNR de 20 dB se puede realizar si Np 100. Por el contrario, se necesitan varios miles
de fotones para obtener SNR = 20 dB cuando el ruido trmico domina al receptor.
Como referencia, para un receptor 1,55-m operando a 10 Gb / s, N p = 100 cuando
Pin 130 nW.
(4.4.16)
Donde RAPD es la APD responsividad, mejorado por un factor M comparado con los
fotodiodos pin (R APD = MR). El SNR debe mejorar por un factor de M 2 si
el ruido del receptor no se ve afectado por la ganancia interna de los APDs.
Desafortunadamente, este no es el caso, y la mejora de SNR se reduce
considerablemente.
Mejora del ruido de disparo
El ruido trmico se mantiene el mismo para los receptores de APD,El ruido trmico
se mantine para los receptores APD, ya que se origina en los componentes
elctricos que son parte del APD.Este no es el caso para el ruido de disparo.
La ganancia del APD resulta de la generacin de los pares secundarios de
electrn-hueco a travs de un proceso de ionizacin de impacto. Puesto que
tales pares se generan en momentos aleatorios, se aade una
contribucin adicional al ruido de disparo asociado con la generacin
de pares de electrones huecos primarios. En efecto, el factor de
multiplicacin en si es una variable aleatoria , y M apareciendo en la Eq.
(4.4.16) Representa la ganancia promedio del APD. El ruido total de disparo puede ser
calculado usando las ecuaciones Eqs. (4.2.3) and (4.2.4) y tratando a i e y ih como
variables aleatorias [86]. E l r e s u l t a d o e s
2=2 qM FA (RPin + Id ) f .
(4.4.17)
Donde FA es el factor de ruido de exceso del APD y est dado por [86]
FA (M) = kA M + (1 kA)(2 1/M).
(4.4.18)
Figura 4.16: Factor de exceso de ruido como funcin de la ganancia promedio del
APD M para varios valores de radio k A del coeficiente de ionizacin.
(4.4.20)
RPin
=
2qFA f
Pin
2h FA
f
(4.4.21)
Figura 4.17: Ganancia ptima Mopt de un APD como funcin de poder ptico incidente Pin
para varios valores de kA . L o s v a l o r e s d e p a r m e t r o s c o r r e s p o n d e n a u n t p i c o
1.55- m InGaAs APD receptor fue usado.
4.5
Bit-Error Rate
(4.5.1)
(4.5.2)
Luego
de
de
p(I)
ruido
depende
valor
de
las
responsables
muestreado
de
I.
La forma
estadsticas
la
fluctuacin
de
de
las
la
95
Figure 4.18: (a) Seal fluctuante generada en el receptor. (b) La probabilidad Gaussiana de 1
y 0 bits.
96
(4.5.8)
La forma aproximada
de BER es obtenida usando la expansin asinttica [89]
La ecuacin (4.5.10) puede ser usada para calcular el poder ptico mnimo que el
receptor necesita para operar confiablemente con el BER como un valor especfico.
P a r a e s t e p r o p s i t o e l p a r m e t r o Q debe estar relacionado al poder ptico
incidente. Para simplemente, considerar el caso en el cual el bit 0 no
lleva poder ptico por eso P0 = 0, y adems I0 = 0. El poder P1 en 1 bit
est relacionado a to I1 de la siguiente manera
I1 = MRP1 = 2MRPrec ,
(4.5.12)
97
La ecuacin ( 4.5.17 ) muestra cmo PREC depende de varios parmetros del receptor
y cmo puede ser optimizado . Consideremos primero el caso de ap- i- n receptor
mediante el establecimiento de M = 1. Puesto que el ruido trmico T generalmente
domina para un receptor tal, PREC est dada por la simple expresin
(Prec )pin QT /R.
(4.5.18)
Para BER < 10-9 , Np debe exceder 20. Desde este requisito es un resultado directo
de fluctuaciones cunticas asociadas a la luz entrante, que se conoce como el lmite
cuntico. Cada 1 bit debe contener al menos 20 fotones para ser detectado con una
BER < 10 -9 . Este requisito se puede convertir en energa usando P1 = Np hv B,
donde B es la velocidad de bits y la energa del fotn hv . La sensibilidad del receptor ,
definida como PREC = (P1 + P0) / 2 = P1 / 2 , est dada por
Prec = N p h B/2 = N p h B.
(4.5.25)
169
Intensidad de ruido
I = R (Pin2 )
1/2
= RPin rI .
(4.6.6)
Donde
El parmetro rI , definida como rI = ( P2 )1/2/ Pin , es una medida del nivel de ruido de
la seal ptica incidente. Est relacionado con el ruido de intensidad relativa (RIN ) del
transmisor como
Donde RIN ( ) viene dada por la ec. ( 3.5.32 ) . Como se discute en la Seccin 3.5.4,
r I es simplemente el inverso de la SNR de la luz emitida por el transmisor.
Tpicamente, la SNR transmisor es mejor que 20 dB , y Ri < 0,01 .Como resultado de la
dependencia de 0 y 1 en el parmetro rI , el parmetro Q en Eq . (4.5.11) se reduce
en presencia de ruido de intensidad, Desde Q debe mantenerse con el mismo valor
para mantener el BER, es necesario aumentar la potencia recibida. Este es el origen
de la pena de energa inducida por el ruido de intensidad. Para simplificar el siguiente
anlisis, la relacin de extincin se supone que es cero, de modo que 0 = 0 y 0 = T .
Mediante el uso de I1 = RP1 = 2RPrec y Eq. ( 4.6.5 ) para 1 , Q est dada por
170
donde
s = (4qRPrec f )1/2 ,
(4.6.9)
I = 2rI RPrec,
(4.6.11)
Figura 4.21 muestra la penalizacin de potencia como una funcin de r I para el
mantenimiento de Q = 6 correspondiente a una BER de 10-9. La pena es insignificante
para rI < 0,01 cmo? I est por debajo de 0,02 dB. Dado que este es el caso para la
mayora de transmisores pticos, el efecto de ruido del transmisor es despreciable en
la prctica. La penalizacin de potencia es casi 2 dB para r I = 0,1 y se convierte en
infinito cuando rI = Q - 1 = 0.167. Una pena de poder infinito implica que el receptor no
puede operar en el BER especfica, incluso si la potencia ptica recibida se incrementa
indefinidamente. En el diagrama de BER mostrado en la Fig. 4,19, una penalizacin de
potencia infinita corresponde a una saturacin de la curva de BER por encima del nivel
10 -9, una caracterstica conocida como el suelo BER. En este sentido, el efecto del
ruido de intensidad es cualitativamente diferente
171
Que la relacin de extincin, para el cual la penalizacin de potencia sigue siendo finito
para todos los valores de r ex de tal manera que rex < 1 .
El anlisis anterior supone que el ruido de intensidad en el receptor es el mismo que en
el transmisor. Esto no es normalmente el caso cuando la seal ptica se propaga a
travs de un enlace de fibra. El ruido de intensidad aadida por los amplificadores
pticos en lnea a menudo EST el viene un factor limitante para la mayora de los
sistemas de ondas de luz de larga distancia (vase el Captulo 5 ) . Cuando se utiliza
un lser semiconductor multimodo, dispersin de la fibra puede conducir a la
degradacin de la sensibilidad del receptor a travs del ruido modo de particin. Otro
fenmeno que puede aumentar el ruido de intensidad es realimentacin ptica de las
reflexiones parsitas que se producen a lo largo del enlace de fibra. Tales mecanismos
de potencia de pena inducida transmisin - son considerar en el captulo 7.
4.6.3
Tiempo Jitter
(4.6.13)
i j = (2 2 /3 4)(Bt )2I1
(4.6.14)
Dnde
b = (4 2 /3 8)(B j )2 .
(4.6.17)
La penalizacin de potencia, que se define como el aumento de PREC, est dada por
La Figura 4.22 muestra cmo la penalizacin de potencia vara con el parmetro B j,
que tiene el significado fsico de la fraccin del perodo de bit sobre las que el tiempo
de decisin flucta (una desviacin estndar). La pena de energa es insignificante
para B j <0,1, pero aumenta rpidamente ms all B j = 0,1. Una pena de 2 dB se
produce para B j = 0,16. Al igual que en el caso del ruido de intensidad, la pena
inducida jitter-vuelve infinita all B j = 0,2. El valor exacto de B j en los que la pena se
hace infinito depende del modelo utilizado para el clculo de la penalizacin de
potencia inducida jitter. La ecuacin (4.6.20) se obtiene por utilizando una forma de
impulso especfico y una distribucin especfica de fluctuacin de fase. Tambin se
basa en el uso de las ecuaciones. (4.5.10) y (4.6.12), que asume las estadsticas de
Gauss para el actual receptor. Como es evidente a partir de la Ec. (06/04/16),
fluctuaciones de corriente inducida jitter-no son Gauss en la naturaleza. Un clculo
ms preciso muestra que la ecuacin. (06/04/20) subestima la pena de poder [94]. El
comportamiento cualitativo, sin embargo, sigue siendo el mismo. En general, el valor
RMS de la fluctuacin de fase de temporizacin debe ser inferior a 10% del perodo de
bit para una penalizacin de potencia insignificante. Una conclusin similar se
mantiene para los receptores APD, cuya pena es generalmente ms grandes [95].
4.7
Receiver Performance
175
Figura 4.24: Curvas BER medidos por tres longitudes de fibra de enlace en iment un
176
177
Problemas
4.1 Calcular la capacidad de respuesta de un fotodiodo p- i- n en el 1,3 y 1,55 m si la
eficiencia cuntica es del 80 %. Por qu el fotodiodo ms sensible a 1,55 m?
4.2 Los fotones a una velocidad de 1010 / s inciden en una APD con la capacidad de
respuesta de 6 A / W .Calcular la eficiencia cuntica y la fotocorriente en la longitud de
onda de funcionamiento de 1,5 m para una ganancia de 10 APD.
4.3 Mostrar resolviendo las ecuaciones. (4.2.3) y (4.2.4) que el factor de multiplicacin
M se da por la ecuacin. (4.2.7) para una APD en el que los electrones inician el
proceso de avalancha. Tratar e y h como constantes.
4.4 Dibuje un diagrama de bloques de un receptor ptico digital que muestra sus
diferentes componentes. Explicar la funcin de cada componente. Cmo se utiliza la
seal por el circuito de decisin relacionada con la potencia ptica incidente?
4.5 La forma de impulso - coseno elevado de la ecuacin. (4.3.6) puede generalizarse
para generar una familia de tales impulsos definiendo
178
4.11 Demostrar que la tasa de error de bit (BER) dada por la ecuacin. (4.5.6) es
mnimo cuando el umbral de decisin se encuentra cerca de un valor dado por la
ecuacin. (4.5.9).
4.12 Un 1,3 m receptor digital est funcionando a 100 Mb / s, y tiene un ancho de
banda de ruido efectiva de 60 MHz. El p-i-n fotodiodo tiene insignificante corriente
oscura y
90% de eficiencia cuntica. La resistencia de carga es de 100 y el factor de ruido del
amplificador es de 3 dB. Calcular la sensibilidad del receptor correspondiente a una
BER de 10 -9. Cunto cambia si el receptor est diseado para funcionar de forma
fiable hasta una BER de 10-12?
4.13 Calcular la sensibilidad del receptor (a una BER de 10 -9) para el receptor en el
problema
4,12 en los lmites de tiro de ruido y trmico-ruido. Cuntos fotones son poco
incidente durante 1 en los dos lmites si el impulso ptico se puede aproximar por un
pulso cuadrado?
4,14 derivar una expresin para la ganancia M ptima de un receptor de APD que
maximizara la sensibilidad del receptor tomando el factor de exceso de ruido como M
x. Terreno Mopt como funcin de x para T = 0,2 mA y f = 1 GHz y estimar su valor
de InGaAs APD (vase el problema 4.8).
4,15 derivar una expresin para la sensibilidad de un receptor de APD por teniendo en
cuenta una relacin de extincin finita para el caso general en el que tanto el ruido de
disparo y de ruido trmico contribuyen a la sensibilidad del receptor. Usted puede
descuidar la corriente oscura.
4,16 derivar una expresin para la penalizacin de potencia inducida por ruido de
intensidad de AP- i- n receptor teniendo en cuenta una relacin de extincin finita. Tiroruido y ruido intensidad- contribuciones pueden ambos ser descuidado en comparacin
con el ruido trmico en el estado de apagado, pero no en el de Estado.
4.17 Use el resultado del problema 4.16 para trazar la pena de potencia en funcin del
parmetro de intensidad de ruido rI [ver la Ec . (4.6.6) Para su definicin ] para varios
valores de la relacin de extincin . Cuando la fuga de poder se convierte en infinito?
Explicar el significado de una pena de poder infinito.
4,18 Derivar una expresin para la penalizacin de potencia inducida timing- jitter asumiendo una forma de impulso parablico I ( t) = I p ( 1 - B2t 2 ) y una distribucin
gaussiana con una fluctuacin de fase desviacin estndar (valor RMS). Se puede
suponer que el rendimiento del receptor est dominado por el ruido trmico. Calcular el
valor tolerable de B que mantendra la potencia inferior a 1 dB.