JFET (TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE JUNTURA)

Es un dispositivo electrnico, esto es, un circuito que, segn

de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el
al ser transistores de efecto de campo elctrico,
estos valores de entrada son las tensiones
elctricas, en concreto la tensin entre los
terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Segn
valor, la salida del transistor presentar una curva
que se simplifica definiendo en ella tres zonas con
ecuaciones definidas: corte, hmica y saturacin.

unos

valores elctricos
caso de los JFET,

este
caracterstica

Fsicamente, un JFET de los denominados "canal P" est

formado por una
pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitan
dos patillas de salida
(drenador
y
fuente) flanqueada por
dos regiones con dopaje de tipo N en las que
se conectan dos terminales conectados entre s
(puerta). Al aplicar una tensin positiva
VGS entre puerta y fuente, las zonas N crean a
su alrededor sendas zonas en las que el paso
de electrones (corriente ID) queda cortado,
llamadas zonas de exclusin. Cuando esta
VGS sobrepasa un valor determinado, las zonas
de exclusin se extienden hasta tal punto que
el paso de electrones ID entre fuente y
drenador queda completamente cortado. A ese
valor de VGS se le denomina Vp. Para un JFET
"canal N" las zonas p y n se invierten, y las
VGS y Vp son negativas, cortndose la corriente
para tensiones menores que Vp.
As, segn el valor de V GS se definen dos
primeras zonas; una activa para tensiones
negativas mayores que Vp (puesto que Vp es
tambin negativa) y una zona de corte para
tensiones menores que Vp. Los distintos valores
de la ID en funcin de la VGS vienen dados por
una grfica o ecuacin denominada ecuacin
de entrada.
En la zona activa, al permitirse el paso de corriente, el transistor dar una salida en el circuito
que viene definida por la propia ID y la tensin entre el drenador y la fuente V DS. A la grfica o
ecuacin que relaciona ests dos variables se le denomina ecuacin de salida, y en ella es
donde se distinguen las dos zonas de funcionamiento de activa: hmica y saturacin.

Funcionamiento:

Ecuaciones:
Mediante la grfica de entrada del transistor se pueden deducir las expresiones analticas
que permiten analizar matemticamente el funcionamiento de este. As, existen diferentes
expresiones para las distintas zonas de funcionamiento.
Para |VGS| < |Vp| (zona activa), la curva de valores lmite de ID viene dada por la expresin:

Siendo la IDSS la ID de saturacin que atraviesa el transistor para VGS = 0, la cual viene dada
por la expresin:

Los puntos incluidos en esta curva representan las I D y VGS (punto de trabajo, Q) en zona de
saturacin, mientras que los puntos del rea inferior a sta representan la zona hmica.
Para |VGS| > |Vp| (zona de corte):

Ecuacin de salida
En la grfica de salida se pueden observar con ms detalle los dos estados en los que el JFET
permite el paso de corriente. En un primer momento, la ID va aumentando progresivamente
segn lo hace la tensin de salida VDS. Esta curva viene dada por la
expresin:

que suele expresarse como

, siendo:

Por tanto, en esta zona y a efectos de anlisis, el transistor puede ser sustituido
por una resistencia de valor Ron, con lo que se observa una relacin entre la ID y la
VDS definida por la Ley de Ohm. Esto hace que a esta zona de funcionamiento se le denomina
zona hmica.
A partir de una determinada VDS la corriente ID deja de aumentar, quedndose fija en un valor
al que se denomina ID de saturacin o IDSAT. El valor de VDS a partir del cual se entra en esta
nueva zona de funcionamiento viene dado por la expresin:
. Esta IDSAT,
caracterstica de cada circuito, puede calcularse mediante la expresin:

Polarizacin:

MOSFET (TRANSISTOR
DE CAMPO METALSEMICONDUCTOR)

DE EFECTO
OXIDO

Transistor utilizado
para
amplificar
o
conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms
utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en
circuitos analgicos o digitales, aunque el transistor de
unin bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo.
Prcticamente
la
totalidad
de
losmicroprocesadores comerciales estn basados en
transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales
llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato
generalmente est conectado internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se
pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
El trmino 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el material de la
compuerta, que antes era metlico, ahora se construye con una capa de silicio policristalino.
El aluminio fue el material por excelencia de la compuerta hasta mediados de 1970, cuando
el silicio policristalino comenz a dominar el mercado gracias a su capacidad de formar
compuertas auto-alineadas. Las compuertas metlicas estn volviendo a ganar popularidad,
dada la dificultad de incrementar la velocidad de operacin de los transistores sin utilizar
componentes metlicos en la compuerta. De manera similar, el 'xido' utilizado como
aislante en la compuerta tambin se ha reemplazado por otros materiales con el propsito de
obtener canales fuertes con la aplicacin de tensiones ms pequeas.

Modos de operacin
El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones de
operacin, dependiendo de las tensiones en sus terminales. En la presente discusin se
utiliza un modelo algebraico que es vlido para las tecnologas bsicas antiguas, y se incluye
aqu con fines didcticos. En los MOSFET modernos se requieren modelos computacionales
que exhiben un comportamiento mucho ms complejo.
Para un transistor NMOS de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones:
Cuando VGS < Vth
NMOS en modo de corte. La regin blanca indica que no existen portadores libres en esta
zona, debido a que los electrones son repelidos del canal.

Donde Vth es la tensin de umbral del transistor

De acuerdo con el modelo bsico del transistor, en esta regin el
dispositivo se encuentra apagado. No hay conduccin entre el
surtidor y el drenador, de modo que el MOSFET se comporta como
un interruptor abierto.
Un modelo ms exacto considera el efecto de la energa
trmica descrita por la distribucin de Boltzmann para las
energas de los electrones, en donde se permite que los electrones con alta energa
presentes en el surtidor ingresen al canal y fluyan hacia el drenador. Esto ocasiona una
corriente subumbral, que es una funcin exponencial de la tensin entre compuerta-surtidor.
La corriente subumbral sigue aproximadamente la siguiente ecuacin:

Donde ID0 es la corriente que existe cuando VGS = Vth,

VT = kT/q es el voltaje trmico,
n = 1 + CD/COX

Donde CD es la capacidad de la regin de agotamiento, y COX es la

capacidad de la capa de xido.

REGION LINEAL O OHMNICA:

NMOS en la regin lineal. Se forma un canal de tipo

al lograr la inversin del sustrato, y la corriente

fluye de drenador a surtidor.
Cuando VGS > Vth y VDS < ( VGS Vth )
Al polarizarse la puerta con una tensin mayor que
tensin

de

umbral,

se

crea

una

regin

la

de

agotamiento en la regin que separa el surtidor y

el

drenador. Si esta tensin crece lo suficiente,

aparecern portadores minoritarios (huecos en PMOS, electrones en NMOS) en la regin de
agotamiento, que darn lugar a un canal de conduccin. El transistor pasa entonces a estado
de conduccin, de modo que una diferencia de potencial entre drenador y surtidor dar lugar
a una corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensin de
compuerta.
La corriente que entra por el drenador y sale por el surtidor es modelada por medio de la
ecuacin:

Donde

es la movilidad efectiva de los portadores de carga,

es la capacidad del xido por unidad de rea,

es el ancho de la compuerta,
es la longitud de la compuerta.

Saturacin o activa

NMOS en la regin de saturacin.Al aplicar una tensin de

drenador ms alta, los electrones son atrados con ms fuerza
hacia el drenador y el canal se deforma.
Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS Vth )
Cuando la tensin entre drenador y surtidor supera cierto
lmite, el canal de conduccin bajo la puerta sufre un
estrangulamiento en las cercanas del drenador y desaparece. La corriente que entra por el
drenador y sale por el surtidor no se interrumpe, ya que es debida al campo elctrico entre
ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.
En esta regin la corriente de drenador se modela con la siguiente ecuacin: