2012

Trabajo Prctico de
Arquitectura de
Sistemas Operativos
Tema: Memorias
Alumnos: Solis Esteban, Piant Martin, Castellari Emma, Higa Sebastian

UTN-FRBA
Tecnicatura Superior En Programacin
24/10/2012

Memoria (informtica):
En informtica, la memoria (tambin llamada almacenamiento) se refiere a parte de los
componentes que integran una computadora. Son dispositivos que retienen datos
informticos durante algn intervalo de tiempo. Las memorias de computadora
proporcionan una de las principales funciones de la computacin moderna, la retencin o
almacenamiento de informacin. Es uno de los componentes fundamentales de todas las
computadoras modernas que, acoplados a una unidad central de procesamiento CPU,
implementa lo fundamental del modelo de computadora de Arquitectura de Von
Neumann, usado desde los aos 1940.
En la actualidad, memoria suele referirse a una forma de almacenamiento de estado slido
conocido como memoria RAM (memoria de acceso aleatorio, RAM por sus siglas en ingls
random access memory) y otras veces se refiere a otras formas de almacenamiento
rpido pero temporal. De forma similar, se refiere a formas de almacenamiento masivo
como discos pticos y tipos de almacenamiento magntico como discos duros y otros tipos
de almacenamiento ms lentos que las memorias RAM, pero de naturaleza ms
permanente. Estas distinciones contemporneas son de ayuda porque son fundamentales
para la arquitectura de computadores en general.
Adems, se refleja una diferencia tcnica importante y significativa entre memoria y
dispositivos de almacenamiento masivo, que se ha ido diluyendo por el uso histrico de los
trminos "almacenamiento primario" (a veces "almacenamiento principal"), para
memorias de acceso aleatorio, y "almacenamiento secundario" para dispositivos de
almacenamiento masivo. Esto se explica en las siguientes secciones, en las que el trmino
tradicional "almacenamiento" se usa como subttulo por conveniencia.

Jerarqua de almacenamiento
Los componentes fundamentales de las computadoras de propsito general son la CPU, el
espacio de almacenamiento y los dispositivos de entrada/salida. La habilidad para
almacenar las instrucciones que forman un programa de computadora y la informacin
que manipulan las instrucciones es lo que hace verstiles a las computadoras diseadas
segn la arquitectura de programas almacenados
Una computadora digital representa toda la informacin usando el sistema binario. Texto,
nmeros, imgenes, sonido y casi cualquier otra forma de informacin puede ser
transformada en una sucesin de bits, o dgitos binarios, cada uno de los cuales tiene un
valor de 1 0. La unidad de almacenamiento ms comn es el byte, igual a 8 bits. Una
determinada informacin puede ser manipulada por cualquier computadora cuyo espacio
de almacenamiento sea suficientemente grande como para que quepa el dato
correspondiente o la representacin binaria de la informacin. Por ejemplo, una
computadora con un espacio de almacenamiento de ocho millones de bits, o un megabyte,
puede ser usada para editar una novela pequea.
Se han inventado varias formas de almacenamiento basadas en diversos fenmenos
naturales. No existen ningn medio de almacenamiento de uso prctico universal y todas

las formas de almacenamiento tienen sus desventajas. Por tanto, un sistema informtico
contiene varios tipos de almacenamiento, cada uno con su propsito individual.
Almacenamiento primario
La memoria primaria est directamente conectada a la CPU de la computadora. Debe estar
presente para que la CPU funcione correctamente. El almacenamiento primario consiste
en tres tipos de almacenamiento:
Los registros del procesador son internos de la CPU. Tcnicamente, es el sistema
ms rpido de los distintos tipos de almacenamientos de la computadora, siendo
transistores de conmutacin integrados en el chip de silicio del microprocesador
(CPU) que funcionan como "flip-flop" electrnicos.
La memoria cach es un tipo especial de memoria interna usada en muchas CPU
para mejorar su eficiencia o rendimiento. Parte de la informacin de la memoria
principal se duplica en la memoria cach. Comparada con los registros, la cach es
ligeramente ms lenta pero de mayor capacidad. Sin embargo, es ms rpida,
aunque de mucha menor capacidad que la memoria principal. Tambin es de uso
comn la memoria cach multi-nivel - la "cach primaria" que es ms pequea,
rpida y cercana al dispositivo de procesamiento; la "cach secundaria" que es ms
grande y lenta, pero ms rpida y mucho ms pequea que la memoria principal.

La memoria principal contiene los programas en ejecucin y los datos con que
operan. Se puede transferir informacin muy rpidamente entre un registro del
microprocesador y localizaciones del almacenamiento principal. En las
computadoras modernas se usan memorias de acceso aleatorio basadas en
electrnica del estado slido, que est directamente conectada a la CPU a travs de
buses de direcciones, datos y control.

Almacenamiento secundario
La memoria secundaria requiere que la computadora use sus canales de entrada/salida
para acceder a la informacin y se utiliza para almacenamiento a largo plazo de
informacin persistente. Sin embargo, la mayora de los sistemas operativos usan los
dispositivos de almacenamiento secundario como rea de intercambio para incrementar
artificialmente la cantidad aparente de memoria principal en la computadora. (A esta
utilizacin del almacenamiento secundario se le denomina memoria virtual). La memoria
secundaria tambin se llama "de almacenamiento masivo". Un disco duro es un ejemplo de
almacenamiento secundario.
Habitualmente, la memoria secundaria o de almacenamiento masivo tiene mayor
capacidad que la memoria primaria, pero es mucho ms lenta. En las computadoras
modernas, los discos duros suelen usarse como dispositivos de almacenamiento masivo. El
tiempo necesario para acceder a un byte de informacin dado almacenado en un disco
duro de platos magnticos es de unas milsimas de segundo (milisegundos). En cambio, el

tiempo para acceder al mismo tipo de informacin en una memoria de acceso aleatorio
(RAM) se mide en mil-millonsimas de segundo (nanosegundos).
Esto ilustra cuan significativa es la diferencia entre la velocidad de las memorias de estado
slido y la velocidad de los dispositivos rotantes de almacenamiento magntico u ptico:
los discos duros son del orden de un milln de veces ms lentos que la memoria
(primaria). Los dispositivos rotantes de almacenamiento ptico (unidades de CD y DVD)
son incluso ms lentos que los discos duros, aunque es probable que su velocidad de
acceso mejore con los avances tecnolgicos.
Por lo tanto, el uso de la memoria virtual, que es cerca de un milln de veces ms lenta que
memoria verdadera, ralentiza apreciablemente el funcionamiento de cualquier
computadora. Muchos sistemas operativos implementan la memoria virtual usando
trminos como memoria virtual o "fichero de cach". La principal ventaja histrica de la
memoria virtual es el precio; la memoria virtual resultaba mucho ms barata que la
memoria real. Esa ventaja es menos relevante hoy en da. An as, muchos sistemas
operativos siguen implementndola, a pesar de provocar un funcionamiento
significativamente ms lento.

Almacenamiento terciario
La memoria terciaria es un sistema en el que un brazo robtico montar (conectar) o
desmontar (desconectar) un medio de almacenamiento masivo fuera de lnea (vase el
siguiente punto) segn lo solicite el sistema operativo de la computadora. La memoria
terciaria se usa en el rea del almacenamiento industrial, la computacin cientfica en
grandes sistemas informticos y en redes empresariales. Este tipo de memoria es algo que
los usuarios de computadoras personales normales nunca ven de primera mano.
Almacenamiento fuera de lnea
El almacenamiento fuera de lnea es un sistema donde el medio de almacenamiento puede
ser extrado fcilmente del dispositivo de almacenamiento. Estos medios de
almacenamiento suelen usarse para transporte y archivo de datos. En computadoras
modernas son de uso habitual para este propsito los disquetes, discos pticos y las
memorias flash, incluyendo las unidades USB. Tambin hay discos duros USB que se
pueden conectar en caliente. Los dispositivos de almacenamiento fuera de lnea usados en
el pasado son cintas magnticas en muchos tamaos y formatos diferentes, y las bateras
extrables de discos Winchester.

Almacenamiento de red
El almacenamiento de red es cualquier tipo de almacenamiento de computadora que
incluye el hecho de acceder a la informacin a travs de una red informtica.
Discutiblemente, el almacenamiento de red permite centralizar el control de informacin

en una organizacin y reducir la duplicidad de la informacin. El almacenamiento en red

incluye:
El almacenamiento asociado a red es una memoria secundaria o terciaria que
reside en una computadora a la que otra de stas puede acceder a travs de una
red de rea local, una red de rea extensa, una red privada virtual o, en el caso de
almacenamientos de archivos en lnea, internet.
Las redes de computadoras son computadoras que no contienen dispositivos de
almacenamiento secundario. En su lugar, los documentos y otros datos son
almacenados en un dispositivo de la red.
Caractersticas de las memorias
La divisin entre primario, secundario, terciario, fuera de lnea se basa en la jerarqua de
memoria o distancia desde la unidad central de proceso. Hay otras formas de caracterizar
a los distintos tipos de memoria.

Volatilidad de la informacin

Foto de memorias RAM tipo DDR instaladas en su socket

La memoria voltil requiere energa constante para mantener la informacin
almacenada. La memoria voltil se suele usar slo en memorias primarias. La
memoria RAM es una memoria voltil, ya que pierde informacin en la falta de
energa elctrica.
La memoria no voltil retendr la informacin almacenada incluso si no recibe
corriente elctrica constantemente, como es el caso de la memoria ROM. Se usa
para almacenamientos a largo plazo y, por tanto, se usa en memorias secundarias,
terciarias y fuera de lnea.

La memoria dinmica es una memoria voltil que adems requiere que

peridicamente se refresque la informacin almacenada, o leda y reescrita sin
modificaciones.

Habilidad para acceder a informacin no contigua

Acceso aleatorio significa que se puede acceder a cualquier localizacin de la
memoria en cualquier momento en el mismo intervalo de tiempo, normalmente
pequeo.
Acceso secuencial significa que acceder a una unidad de informacin tomar un
intervalo de tiempo variable, dependiendo de la unidad de informacin que fue
leda anteriormente. El dispositivo puede necesitar buscar (posicionar
correctamente el cabezal de lectura/escritura de un disco), o dar vueltas
(esperando a que la posicin adecuada aparezca debajo del cabezal de
lectura/escritura en un medio que gira continuamente).
Habilidad para cambiar la informacin
Las memorias de lectura/escritura o memorias cambiables permiten que la
informacin se reescriba en cualquier momento. Una computadora sin algo de
memoria de lectura/escritura como memoria principal sera intil para muchas
tareas. Las computadoras modernas tambin usan habitualmente memorias de
lectura/escritura como memoria secundaria.

Las memorias de slo lectura retienen la informacin almacenada en el momento

de fabricarse y la memoria de escritura nica (WORM) permite que la informacin
se escriba una sola vez en algn momento tras la fabricacin. Tambin estn las
memorias inmutables, que se utilizan en memorias terciarias y fuera de lnea. Un
ejemplo son los CD-ROMs.
Las memorias de escritura lenta y lectura rpida son memorias de
lectura/escritura que permite que la informacin se reescriba mltiples veces pero
con una velocidad de escritura mucho menor que la de lectura. Un ejemplo son los
CD-RW.

Direccionamiento de la informacin
En la memoria de localizacin direccionable, cada unidad de informacin accesible
individualmente en la memoria se selecciona con su direccin de memoria
numrica. En las computadoras modernas, la memoria de localizacin
direccionable se suele limitar a memorias primarias, que se leen internamente por
programas de computadora ya que la localizacin direccionable es muy eficiente,
pero difcil de usar para los humanos.

En las memorias de sistema de archivos, la informacin se divide en Archivos

informticos de longitud variable y un fichero concreto se localiza en directorios y
nombres de archivos "legible por humanos". El dispositivo subyacente sigue
siendo de localizacin direccionable, pero el sistema operativo de la computadora
proporciona la abstraccin del sistema de archivos para que la operacin sea ms
entendible. En las computadoras modernas, las memorias secundarias, terciarias y
fuera de lnea usan sistemas de archivos.
En las memorias de contenido direccionable (content-addressable memory), cada
unidad de informacin legible individualmente se selecciona con un valor hash o
un identificador corto sin relacin con la direccin de memoria en la que se
almacena la informacin. La memoria de contenido direccionable pueden
construirse usando software o hardware; la opcin hardware es la opcin ms
rpida y cara.
Capacidad de memoria
Memorias de mayor capacidad son el resultado de la rpida evolucin en tecnologa de
materiales semiconductores. Los primeros programas de ajedrez funcionaban en
mquinas que utilizaban memorias de base magntica. A inicios de 1970 aparecen las
memorias realizadas por semiconductores, como las utilizadas en la serie de
computadoras IBM 370.
La velocidad de los computadores se increment, multiplicada por 100.000
aproximadamente y la capacidad de memoria creci en una proporcin similar. Este hecho
es particularmente importante para los programas que utilizan tablas de transposicin: a
medida que aumenta la velocidad de la computadora se necesitan memorias de capacidad
proporcionalmente mayor para mantener la cantidad extra de posiciones que el programa
est buscando.
Se espera que la capacidad de procesadores siga aumentando en los prximos aos; no es
un abuso pensar que la capacidad de memoria continuar creciendo de manera
impresionante. Memorias de mayor capacidad podrn ser utilizadas por programas con
tablas de Hash de mayor envergadura, las cuales mantendrn la informacin en forma
permanente.
Minicomputadoras: se caracterizan por tener una configuracin bsica regular que
puede estar compuesta por un monitor, unidades de disquete, disco, impresora,
etc. Su capacidad de memoria vara de 16 a 256 kbytes.
Macro computadoras: son aquellas que dentro de su configuracin bsica
contienen unidades que proveen de capacidad masiva de informacin, terminales
(monitores), etc. Su capacidad de memoria vara desde 256 a 512 kbytes, tambin
puede tener varios megabytes o hasta gigabytes segn las necesidades de la
empresa.

Microcomputadores y computadoras personales: con el avance de la

microelectrnica en la dcada de los 70 resultaba posible incluir todos los
componentes del procesador central de una computadora en un solo circuito
integrado llamado microprocesador. sta fue la base de creacin de unas
computadoras a las que se les llam microcomputadoras. El origen de las
microcomputadoras tuvo lugar en los Estados Unidos a partir de la
comercializacin de los primeros microprocesadores (INTEL 8008, 8080). En la
dcada de los 80 comenz la verdadera explosin masiva, de los ordenadores
personales (Personal Computer PC) de IBM. Esta mquina, basada en el
microprocesador INTEL 8008, tena caractersticas interesantes que hacan ms
amplio su campo de operaciones, sobre todo porque su nuevo sistema operativo
estandarizado (MS-DOS, Microsoft Disk Operating Sistem) y una mejor resolucin
ptica, la hacan ms atractiva y fcil de usar. El ordenador personal ha pasado por
varias transformaciones y mejoras que se conocen como XT (Tecnologa
Extendida), AT (Tecnologa Avanzada) y PS/2...
Tecnologas, dispositivos y medios
Memorias magnticas
Las memorias magnticas usan diferentes patrones de magnetizacin sobre una superficie
cubierta con una capa magnetizada para almacenar informacin. Las memorias
magnticas son no voltiles. Se llega a la informacin usando uno o ms cabezales de
lectura/escritura. Como el cabezal de lectura/escritura solo cubre una parte de la
superficie, el almacenamiento magntico es de acceso secuencial y debe buscar, dar
vueltas o las dos cosas. En computadoras modernas, la superficie magntica ser de alguno
de estos tipos:
Disco magntico.
Disquete, usado para memoria fuera de lnea.
Disco duro, usado para memoria secundario.
Cinta magntica, usada para memoria terciaria y fuera de lnea.
En las primeras computadoras, el almacenamiento magntico se usaba tambin como
memoria principal en forma de memoria de tambor, memoria de ncleo, memoria en
hilera de ncleo, memoria pelcula delgada, memoria de Twistor o memoria burbuja.
Adems, a diferencia de hoy, las cintas magnticas se solan usar como memoria
secundaria.
Memoria de semiconductor
La memoria de semiconductor usa circuitos integrados basados en semiconductores para
almacenar informacin. Un chip de memoria de semiconductor puede contener millones
de minsculos transistores o condensadores. Existen memorias de semiconductor de
ambos tipos: voltiles y no voltiles. En las computadoras modernas, la memoria principal
consiste casi exclusivamente en memoria de semiconductor voltil y dinmica, tambin
conocida como memoria dinmica de acceso aleatorio o ms comnmente RAM, su
acrnimo ingls. Con el cambio de siglo, ha habido un crecimiento constante en el uso de
un nuevo tipo de memoria de semiconductor no voltil llamado memoria flash. Dicho
crecimiento se ha dado, principalmente en el campo de las memorias fuera de lnea en

computadoras domsticas. Las memorias de semiconductor no voltiles se estn usando

tambin como memorias secundarias en varios dispositivos de electrnica avanzada y
computadoras especializadas y no especializadas.

Memorias de disco ptico

Las memorias en disco ptico almacenan informacin usando agujeros minsculos
grabados con un lser en la superficie de un disco circular. La informacin se lee
iluminando la superficie con un diodo lser y observando la reflexin. Los discos pticos
son no voltiles y de acceso secuencial. Los siguientes formatos son de uso comn:
CD, CD-ROM, DVD: Memorias de simplemente solo lectura, usada para distribucin
masiva de informacin digital (msica, vdeo, programas informticos).
CD-R, DVD-R, DVD+R: Memorias de escritura nica usada como memoria terciaria
y fuera de lnea.
CD-RW, DVD-RW, DVD+RW, DVD-RAM: Memoria de escritura lenta y lectura
rpida usada como memoria terciaria y fuera de lnea.
Blu-ray: Formato de disco ptico pensado para almacenar vdeo de alta calidad y
datos. Para su desarrollo se cre la BDA, en la que se encuentran, entre otros, Sony
o Phillips.
HD DVD.
Se han propuesto los siguientes formatos:
HVD.
Discos cambio de fase Dual.
Memorias de discos magneto-pticos
Las Memorias de disco magneto ptico son un disco de memoria ptica donde la
informacin se almacena en el estado magntico de una superficie ferro magntica. La
informacin se lee pticamente y se escribe combinando mtodos magnticos y pticos.
Las memorias de discos magneto pticos son de tipo no voltiles, de acceso secuencial, de
escritura lenta y lectura rpida. Se usa como memoria terciaria y fuera de lnea.

Otros mtodos iniciales

Tarjetas perforadas en un telar de Jacquard

Las tarjetas perforadas fueron utilizados por primera vez por Basile Bouchon para el
control de telares textiles en Francia.1 En 1801 el sistema de Bouchon fue perfeccionado
por Joseph Marie Jacquard, quien desarroll un telar automtico, conocido como telar de
Jacquard.2 Herman Hollerith desarroll la tecnologa de procesamiento de datos de
tarjetas perforadas para el censo de Estados Unidos de 1890 y posteriormente fund la
Tabulating Machine Company, una de las precursoras de IBM. IBM desarroll la tecnologa
de la tarjeta perforada como una potente herramienta para el procesamiento de datos
empresariales y produjo una lnea extensiva de mquinas de registro que utilizaban papel
perforado para el almacenamiento de datos y su procesado automtico. En el ao 1950, las
tarjetas IBM y las unidades mquinas de registro IBM se haban vuelto indispensables en
la industria y el gobierno estadounidense. Durante los aos 1960, las tarjetas perforadas
fueron gradualmente reemplazadas por las cintas magnticas, aunque su uso fue muy
comn hasta mediados de los aos 1970 con la aparicin de los discos magnticos. La
informacin se grababa en las tarjetas perforando agujeros en el papel o la tarjeta. La
lectura se realizaba por sensores elctricos (ms tarde pticos) donde una localizacin
particular poda estar agujereada o no.
Para almacenar informacin, los tubos Williams usaban un tubo de rayos catdicos y los
tubos Selectrn usaban un gran tubo de vaco. Estos dispositivos de memoria primaria
tuvieron una corta vida en el mercado ya que el tubo de Williams no era fiable y el tubo de
Selectrn era caro.
La memoria de lnea de retardo usaba ondas sonoras en una sustancia como poda ser el
Mercurio para guardar informacin. La memoria de lnea de retardo era una memoria
dinmica voltil, ciclo secuencial de lectura/escritura. Se usaba como memoria principal.

Otros mtodos propuestos

La memoria de cambio de fase usa las fases de un material de cambio de fase para
almacenar informacin. Dicha informacin se lee observando la resistencia elctrica
variable del material. La memoria de cambio de fase sera una memoria de
lectura/escritura no voltil, de acceso aleatorio podra ser usada como memoria primaria,
secundaria y fuera de lnea. La memoria hologrfica almacena pticamente la informacin
dentro de cristales o fotopolmeros. Las memorias hologrficas pueden utilizar todo el
volumen del medio de almacenamiento, a diferencia de las memorias de discos pticos,
que estn limitadas a un pequeo nmero de superficies en capas. La memoria hologrfica
podra ser no voltil, de acceso secuencial y tanto de escritura nica como de
lectura/escritura. Puede ser usada tanto como memoria secundaria como fuera de lnea.
La memoria molecular almacena la informacin en polmeros que pueden almacenar
puntas de carga elctrica. La memoria molecular puede ser especialmente interesante
como memoria principal.
Recientemente se ha propuesto utilizar el spin de un electrn como memoria. Se ha
demostrado que es posible desarrollar un circuito electrnico que lea el spin del electrn y
lo convierta en una seal elctrica.

Un chip de memoria

Dos problemas de hardware

Cmo conseguir un banco de memoria de k bits cada dato, si cada chip que
usamos es de datos de una fraccin de k?

Ejemplo: Cmo construir una memoria de 16 Kdwords (32 bits) si slo tenemos

chips de 16 Kbytes (8 bits) ?

Problema trivial, crecimiento a lo ancho o crecimiento del tamao del dato.

La solucin del caso:

El otro problema de hardware:

Cmo lograr que un chip de memoria tome un conjunto de direcciones dentro
de un banco, que no sean slo a partir de la direccin 0?
Es decir, si tengo un chip de 16 Kbytes (16384 bytes), cmo hacer que sus
direcciones sean, por ejemplo, a partir de 49152 y hasta 65535?
Problema no trivial. Realiza el mapa de memoria. Crecimiento vertical; debe
desarrollarse una lgica.
Un mapeo de memoria
mapear= disponer dentro de un espacio de localizaciones o direcciones.

Un sistema de memoria

Tipos de memorias

Modelo simplificado

Modelo ms real

Un parmetro importante
El tiempo de acceso:

ROM hecha en fbrica

PROMs (poco uso)

EPROMs industriales

Para programar EPROMs

Programar otra EPROM

NOVRAMs

EEPROMs

Un problema de las EEPROMs

El tiempo de acceso para lectura es similar al de una ROM (Ej.: 1 microseg)
En cambio, el tiempo de escritura puede ser muy alto (Ej.: 1 milisegundo)

Mientras la memoria registra o escribe un

dato, su sistema de barras no est
disponible para el Procesador.

SRAMs Celda es FlipFlop

Un chip SRAM

SRAM con pila NiCd o similar

DRAMs

Inconvenientes de las DRAMs

Toda accin de lectura debe implicar una reescritura inmediata.
Peridicamente (cada 10 milisegundos aproximadamente) deben ser
refrescadas todas las celdas (leer y reescribir).

PROCESOS AUTOMATICOS
Comparacin SRAM / DRAM

RAS, CAS en DRAMs

Las seales CAS y RAS

Las memorias FLASH

Memorias para lectura y escritura, no voltil.
Puede ser fcilmente borrada y reprogramada, mediante escritura
simultnea en bloques de localizaciones.
(Las EPROMs y EEPROMs se escriben byte a byte).
El chip est organizado de manera que una seccin completa de celdas de
memoria es borrada mediante una accin simple (un flash).
El borrado es realizado por medio del tuneo Fowler-Nordheim. Los
electrones son impulsados a travs de un material dielctrico muy delgado,
con el propsito de remover carga de una compuerta (gate) flotante
asociada con cada celda de memoria.
Es posible disponer en cada celda de memoria de dos (y cuatro) bits,
doblando la capacidad y sin afectar significativamente el costo.
La memoria posee internamente una electrnica de control, la que se
instruye por medio de cdigos (bytes) especiales sobre las funciones a
realizar: Borrar, Verificar el borrado, Leer, Escribir o
Programar,Verificacin de la Programacin, Identificacin, otros.
FLASH, escritura lenta
De manera similar a una EEPROM, las memorias Flash tienen un tiempo de
escritura mucho mayor que el tiempo de lectura. Sin embargo, comparativamente,
ese tiempo es menor que el de una EEPROM, dado el manejo en bloque de datos
que realiza por medio de la accin de su controlador interno.

Memorias FLASH

MEMORIAS DE SEMICONDUCTORES
Este tipo de memoria se emplea actualmente, con carcter universal, como memoria
principal de los computadores.
Todas las memorias que se van a tratar en este apartado son de direccionamiento
cableado, o sea, de acceso aleatorio o RAM. Sin embargo, dentro de estas memorias se ha
desarrollado otra terminologa que resulta un poco confusa, pues repite trminos
empleados con otro sentido. Se puede establecer la siguiente clasificacin:
lctura y escritura(RAM)
Estticas.
Dinmicos o con refresco.
Slo lectura
ROM (Read Only Memory)
PROM (Programmable Read Only Memory)
EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory)
EEPROM (Electricaly Erasable Read Only Memory )
Las memorias de semiconductores se presentan en pastillas integradas que contienen una
matriz de memoria, un decodificador de direcciones, los transductores correspondientes y
el tratamiento lgico de algunas seales de control.

Existen muchas configuraciones, pero la mayora de estas memorias manejan los

siguientes elementos y seales.
Bus de Datos: es un colector o conjunto de lneas triestado que transportan la
informacin almacenada en memoria. El bus de datos se puede conectar a las
lneas correspondientes de varias pastillas.
Bus de Direcciones: cuando se esta completo, es un conjunto de m lneas que
transportan la direccin y que permite codificar 2 posiciones de memoria. Pude
estar multiplexado, de forma que primero se transmiten m/2 bits y luego, el resto.
Seales de control tpicas:
OE: activa la salida triestado de la memoria.
CS CE: activa la pastilla o chip.
WE: seal de escritura. Para realizar una escritura, adems de activarse esta seal,
tambin lo estarn CS CE.
RAS CAS: las lneas RAS (Row Address Strobe) y CAS(Column Address Strobe) sirven
para decodificar las filas y columnas de la RAM dinmicas.
d) Ancho de palabra tpico: 1,4 u 8 bits.
MEMORIA RAM
Es la memoria de acceso aleatorio (Random Access Memory). Se llama de acceso aleatorio
porque el procesador accede a la informacin que est en la memoria en cualquier punto
sin tener que acceder a la informacin anterior y posterior.
Es la memoria que se actualiza constantemente mientras el ordenador est en uso y que
pierde sus datos cuando el ordenador se apaga.
Hay dos tipos bsicos de RAM:
DRAM (Dynamic RAM), RAM dinmica,
SRAM (Static RAM), RAM esttica
Los dos tipos difieren en la tecnologa que usan para almacenar los datos. La RAM
dinmica necesita ser refrescada cientos de veces por segundo, mientras que la RAM
esttica no necesita ser refrescada tan frecuentemente, lo que la hace ms rpida, pero
tambin ms cara que la RAM dinmica. Ambos tipos son voltiles, lo que significa que
pueden perder su contenido cuando se desconecta la alimentacin.
En el lenguaje comn, el termino RAM es sinnimo de memoria principal, la memoria
disponible para programas. Se refiere a la memoria RAM tanto como memoria de lectura y
escritura como as a un tipo de memoria voltil.
Tpos de Memoria RAM:
DRAM (Dynamic Random Access Memory)

Es la memoria de acceso aleatorio dinmica. Est organizada en direcciones de memoria

(Addresses) que son reemplazadas muchas veces por segundo.
Es la memoria de trabajo, por lo que a mayor cantidad de memoria, ms datos se pueden
tener en ella y ms aplicaciones pueden estar funcionando simultneamente, y por
supuesto a mayor cantidad mayor velocidad de proceso, pues los programas no necesitan
buscar los datos continuamente en el disco duro, el cual es muchsimo ms lento.
SRAM (Static Random Access Memory)
Memoria esttica de acceso aleatorio es la alternativa a la DRAM. No necesita tanta
electricidad para su refresco y reemplazo de las direcciones y funciona ms rpido porque
no est reemplazando constantemente las instrucciones y los valores almacenados en ella.
La desventaja es su altsimo coste comparado con la DRAM. Puede almacenar y recuperar
los datos rpidamente y se conoce normalmente como MEMORIA CACHE.
VRAM (video RAM)
Memoria de propsito especial usada por los adaptadores de vdeo. A diferencia de la
convencional memoria RAM, laVRAM puede ser accedida por dos diferentes dispositivos
de forma simultnea. Esto permite que un monitor pueda acceder a la VRAM para las
actualizaciones de la pantalla al mismo tiempo que un procesador grfico suministra
nuevos datos. VRAM permite mejores rendimientos grficos aunque es ms cara que la
una RAM normal.
SIMM (Single In Line Memory Module)
Un tipo de encapsulado consistente en una pequea placa de circuito impreso que
almacena chips de memoria, y que se inserta en un zcalo SIMM en la placa madre o en la
placa de memoria. Los SIMMs son ms fciles de instalar que los antiguos chips de
memoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugar de bits.

DIMM (Dual In Line Memory)

Un tipo de encapsulado, consistente en una pequea placa de circuito impreso que
almacena chips de memoria, que se inserta en un zcalo DIMM en la placa madre y usa
generalmente un conector de 168 contactos.
DIP (Dual In Line Package)
Un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de memoria en una caja
rectangular con dos filas de pines de conexin en cada lado.
RAM Disk
Se refiere a la RAM que ha sido configurada para simular un disco duro. Se puede acceder
a los ficheros de un RAM disk de la misma forma en la que se acceden a los de un disco
duro. Sin embargo, los RAM disk son aproximadamente miles de veces ms rpidos que los
discos duros, y son particularmente tiles para aplicaciones que precisan de frecuentes
accesos a disco.

Dado que estn constituidos por RAM normal. los RAM disk pierden su contenido una vez
que la computadora es apagada.
MEMORIA CACHE O RAM CACHE
Un cach es un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad. Puede ser tanto un
rea reservada de la memoria principal como un dispositivo de almacenamiento de alta
velocidad independiente. Hay dos tipos de cach frecuentemente usados en las
computadoras personales: memoria cach y cach de disco. Una memoria cach, llamada
tambin a veces almacenamiento cach RAM cach, es una parte de memoria RAM
esttica de alta velocidad (SRAM) ms que la lenta y barata RAM dinmica (DRAM) usada
como memoria principal.
La memoria cach es efectiva dado que los programas acceden una y otra vez a los mismos
datos o instrucciones. Guardando esta informacin en SRAM, la computadora evita acceder
a la lenta DRAM.
Cuando un dato es encontrado en el cach, se dice que se ha producido un impacto (hit),
siendo un cach juzgado por su tasa de impactos (hit rate). Los sistemas de memoria cach
usan una tecnologa conocida por cach inteligente en el cual el sistema puede reconocer
cierto tipo de datos usados frecuentemente.
El cach de disco trabaja sobre los mismos principios que la memoria cach, pero en lugar
de usar SRAM de alta velocidad, usa la convencional memoria principal. Los datos ms
recientes del disco duro a los que se ha accedido se almacenan en un buffer de memoria.
Cuando el programa necesita acceder a datos del disco, lo primero que comprueba es la
cach del disco para ver si los
datos ya estn ah. La cach de disco puede mejorar drsticamente el rendimiento de las
aplicaciones, dado que acceder a un byte de datos en RAM puede ser miles de veces ms
rpido que acceder a un byte del disco duro.
Tipos de Memoria CACHE
De acuerdo con el modo de traduccin de las direcciones de memoria principal a
direcciones de memoria cache, estas se clasifican en los siguientes tipos:
De correspondencia directa.
De asociacin completa.
De asociacin de conjuntos.
De correspondencia vectorizada.
Memoria cache de correspondencia directa.
Se establece una correspondencia entre el bloque K de la memoria principal y el bloque k,
modulo n, de la cache, siendo n el numero de bloques de la memoria cache.
Este tipo simple y econmico, por no requerir comparaciones asociativas en las
bsquedas. De todas formas, en sistemas multiprocesador pueden registrarse graves

contenciones en el caso de que varios bloques de memoria correspondan

concurrentemente en un mismo bloque de la cache.
Una direccin de memoria consta de 3 campos:
Campo de etiqueta.
Campo de bloque.
Campo de palabra.
Memoria asociativa completa
En este modelo se establece una correspondencia entre el bloque k de la memoria y el
bloque j de la cache, en la que jpuede tomar cualquier valor.
No se produce contencin de bloques y es muy flexible, pero su implementacin es cara y
muy compleja, ya que el modelo se basa completamente en la comparacin asociativa de
etiquetas.
Memoria cache de asociacin de conjuntos
Se divide la memoria en c conjuntos de n bloques, de forma que al bloque k de memoria
corresponde uno cualquiera de los bloques de la memoria del conjunto k, modulo c. La
bsqueda se realiza asociativamente por el campo de etiqueta y directamente por el
numero del sector. De este modo se reduce el costo frente al modelo anterior,
manteniendo gran parte de su flexibilidad y velocidad. Es la
Estructura ms utilizada.
Memoria cache de correspondencia vectorizada
El modelo divide a la memoria principal y a le cache en n bloques. La relacin se establece
de cualquier sector a cualquier sector, siendo marcados los bloques no referenciados del
sector como no validos. Esta estructura tambin reduce costos, minimizando el ncleo de
etiquetas para la comparacin asociativa.
1. SDRAM (Synchronous DRAM)
DRAM sncrona, un tipo de memoria RAM dinmica que es casi un 20% ms rpida que la
RAM EDO. SDRAM entrelaza dos o ms matrices de memoria interna de tal forma que
mientras que se est accediendo a una matriz, la siguiente se est preparando para el
acceso. SDRAM-II es tecnologa SDRAM ms rpida esperada para 1998. Tambin conocido
como DDR DRAM o DDR SDRAM (Double Data Rate DRAM o SDRAM), permite leer y
escribir datos a dos veces la velocidad bs.
2. FPM (Fats Page Mode)
Memoria en modo paginado, el diseo ms comn de chips de RAM dinmica. El acceso a
los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo
paginado, era ledo pulsando la fila y la columna de las lneas seleccionadas. Con el modo
pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila,
dando como resultado un rpido acceso. La memoria en modo paginado tambin es
llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El trmino

"fast" fu aadido cuando los ms nuevos chips empezaron a correr a 100 nanoseconds e
incluso ms.
3. EDO (Extended Data Outpout)
Un tipo de chip de RAM dinmica que mejora el rendimiento del modo de memoria Fast
Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto de Fast Page, puede ser substituida por
chips de modo Fast Page.
Sin embargo, si el controlador de memoria no est diseado para los ms rpidos chips
EDO, el rendimiento ser el mismo que en el modo Fast Page.
EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que
comienza el prximo ciclo.
4. BEDO (Burst EDO)
Es un tipo ms rpido de EDO que mejora la velocidad usando un contador de direccin
para las siguientes direcciones y un estado 'pipeline' que solapa las operaciones.
5. PB SRAM (Pipeline Burst SRAM)
Se llama 'pipeline' a una categora de tcnicas que proporcionan un proceso simultneo, o
en paralelo dentro de la computadora, y se refiere a las operaciones de solapamiento
moviendo datos o instrucciones en una 'tubera' conceptual con todas las fases del 'pipe'
procesando simultneamente. Por ejemplo, mientras una instruccin se est ejecutando, la
computadora est decodificando la siguiente instruccin. En procesadores vectoriales,
pueden procesarse simultneamente varios pasos de operaciones de coma flotante
La PB SRAM trabaja de esta forma y se mueve en velocidades de entre 4 y 8 nanosegundos.
TAG RAM
Este tipo de memoria almacena las direcciones de cualquier dato de memoria DRAM que
hay en la memoria cach. Si el procesador encuentra una direccin en la TAG RAM, va a
buscar los datos directamente a la cach, si no, va a buscarlos directamente a la memoria
principal.
Cuando se habla de la CACHEABLE MEMORY en las placas para Pentium con los chipsets
430FX, 430VX, 430HX y 430TX de Intel, nos referimos a la cantidad de TAG RAM, es decir,
la cantidad de datos de memoria que se pueden almacenar en la cach. Una de las
desventajas del chipset 430TX frente al chipset 430HX es que solo se pueden almacenar
los datos de 64 MB de memoria RAM, con lo cual, en ciertos casos, en las placas con este
chipset se produce un descenso del rendimiento de memoria al tener instalados ms de 64
MB de memoria RAM en el equipo. Por ello, a pesar de la modernidad del diseo, en los
servidores o las estaciones grficas quizs sera ms conveniente utilizar una placa base
con el chipset 430HX de Intel.
MEMORIA ROM
Estas letras son las siglas de Read Only Memory (memoria de solo lectura) y eso es
exactamente lo que es, una memoria que se graba en el proceso de fabricacin con una
informacin que est ah para siempre, para lo bueno y lo malo. No podemos escribir en

ella pero podemos leer cada posicin la veces que queramos. Se trata de la memoria
interna de la mquina, que el procesador lee para averiguar el qu, el cundo y el cmo de
una multitud de tareas diferentes; por ejemplo: lee las diversas instrucciones binarias que
se necesitan cada vez que se teclea un carcter por el teclado, o cada vez que se tiene que
presentar algo en pantalla.
En la ROM est almacenado tambin el programa interno que nos ofrece la posibilidad de
hablar con el ordenador en un lenguaje muy similar al ingls sin tener que rompernos la
cabeza con el lenguaje de mquina (binario). Todas estas cosas suman tanta informacin
que es muy probable que la memoria ROM de un ordenador tenga una capacidad de 8K a
16K, un nmero suficientemente grande para que este justificado asombrarse ante la
cantidad de informacin necesaria para llenar tal cantidad de posiciones, especialmente
cuando sabemos que los programas ROM estn escritos por expertos en ahorrar memoria.
Ello sirve para poner de manifiesto la gran cantidad de cosas que pasan en el interior de
un ordenador cuando ste est activo.
La memoria ROM presenta algunas variaciones: las memorias PROM, EPROM y EEPROM.
MEMORIA PROM
Para este tipo de memoria basta decir que es un tipo de memoria ROM que se puede
programar mediante un proceso especial, posteriormente a la fabricacin.
PROM viene de PROGRAMABLE READ ONLY MEMORY (memoria programable de solo
lectura ).Es un dispositivo de almacenamiento solo de lectura que se puede reprogramar
despus de su manufactura por medio de equipo externo . Los PROM son generalmente
pastillas de circuitos integrados.
Caractersticas principales de rom y prom:
Solo permiten la lectura.
Son de acceso aleatorio
Son permanentes o no voltiles: la informacin no puede borrarse
Tienen un ancho de palabra de 8 bits, con salida triestado.
MEMORIA EPROM
La memoria EPROM ( la E viene de ERASABLE -borrable-) es una ROM que se puede
borrar totalmente y luego reprogramarse, aunque en condiciones limitadas. Las EPROM
son mucho ms econmicas que las PROM porque pueden reutilizarse.
MEMORIA EEPROM
An mejores que las EPROM son las EEPROM ( EPROM elctricamente borrables) tambin
llamadas EAROM (ROM elctricamente alterables), que pueden borrarse mediante
impulsos elctricos, sin necesidad de que las introduzcan en un receptculo especial para
exponerlos a luz ultravioleta.
Las ROM difieren de las memorias RAM en que el tiempo necesario para grabar o borrar
un byte es cientos de veces mayor, a pesar de que los tiempos de lectura son muy
similares.

Caractersticas principales de este tipo de memorias:

Solo permiten la lectura.
Son de tipo no voltil, aunque pueden borrarse.
Son de acceso aleatorio.
Tienen un ancho de palabra de 8 bits, con salida triestado.
MEMORIA VIRTUAL
Es una manera de reducir el acceso constante a memoria por parte del procesador.
Cuando se est ejecutando un programa, y especialmente si se tienen varias aplicaciones
abiertas, el ordenador tiene que cargar en memoria RAM los valores e instrucciones de
dicho/s programa/s. Pero, qu ocurre cuando el programa o programas que se estn
ejecutando requieren ms memoria de la que tiene el equipo?
En este caso, el procesador toma una parte del disco duro y la convierte en memoria RAM.
Es decir, se utiliza el disco duro para almacenar direcciones de memoria, y aunque el disco
duro es mucho ms lento que la memoria RAM (10-15 milisegundos para un disco duro
moderno frente a 70-10 nanosegundos para la memoria actual), es mucho ms rpido
tomar los datos en formato de memoria virtual desde el disco duro que desde las pistas y
sectores donde se almacenan los archivos de cada programa.
Los distintos modelos de memoria virtual se diferencian por sus polticas de solapamiento
y por los mtodos que emplean en la organizacin de la memoria. Los ms importantes
son:
Memoria Paginada
Memoria Segmentada
Memoria de segmentos paginados
Todos estos sistemas encuentran como problema critico que los requerimientos de la
memoria de algunos programas especficos son difciles de predecir, y por ello, la fraccin
de memoria que debe asignarse a un programa es variable en cada caso.
Adems, la poltica de solapamiento y comparticin debe tener en cuenta ciertas
caractersticas internas de los programas que, invariablemente, determinan la
construccin modular y estructurada de los mismos. Dichas caractersticas son:
1. Localizacin Temporal: Es la tendencia de un proceso a referirse, en un futuro
prximo, a elementos utilizados recientemente. Las variables y los stacks del
proceso son ejemplos de elementos que ejercitan esta caracterstica.

2. Localizacin espacial: es la tendencia que tiene los procesos a referirse a elementos

prximos la espacio virtual antes recorrido.
3. Localizacin Secuencial: tendencia de los procesos a referenciar elementos de la
secuencia inmediata.
Para decidir que fraccin de memoria principal ha de ser destruida o cargada en disco si
ha sido modificada cuando se necesita leer otra, las reglas o criterios mas empleados son:
Regla FIFO. Se destruye la fraccin que mas tiempo lleva en la memoria principal
para dejar un hueco en esta.
Regla LRU. La porcin que lleva mas tiempo sin haber sido usada o actualizada.
Regla LIFO. El hueco aparece en la memoria principal destruyendo o devolviendo a
disco(si se ha modificado) la parte que lleva en memoria el menor tiempo.
Regla LFO. Deja hueco la porcin que se ha pedido menos veces desde que
comenz el proceso.
Regla RAND. Se elige una porcin al azar.
Regla CLOCK. Cuando se coloca un bit de uso en cada entrada de una cola FIFO y se
establece un puntero que la convierte en circular. Es una aproximacin al
algoritmo LRU con una cola FIFO simple.
MEMORIA PAGINADA
Este mtodo organiza el espacio virtual y el fsico en bloques de tamao fijo, llamados
paginas. En un momento determinado la memoria principal contendr algunos de los
bloques lgicos. Como las distintas posiciones de un bloque lgico y uno fsico estn
ordenadas de forma idntica, simplemente hay que traducir el numero del bloque lgico al
correspondiente del bloque fsico.
Los mtodos de traduccin son diversos, desde el mas bsico de correspondencia directa
al mas complejo de correspondencia asociativa, donde la bsqueda se realiza mediante el
contenido de una memoria asociativa que mantiene las correspondencias virtual - fsica
mas recientemente utilizadas. En la practica se utiliza una tcnica mixta en la que las
paginas mas recientemente empleadas se encuentran en una memoria asociativa y todas
ellas en una tabla de correspondencia directa.

Concepto de memoria
La memoria es el componente del ordenador que almacena la informacin que ste posee,
es decir, sus datos y programas. Es como un bloc de notas que mantiene la informacin
mientras estamos trabajando con ella.
La memoria del ordenador est organizada en unidades de bytes, cada uno compuesto por
8 bits.
No importa el tipo de informacin estemos almacenando; estar codificada en una
estructura particular de bits, que ser interpretada de la forma adecuada al tipo de datos

en cuestin. Los mismos bytes de memoria se emplean para almacenar cdigos de

instrucciones, datos numricos, datos alfabticos, sonidos, vdeo, etc.
Para ser capaces de trabajar con la memoria, cada unidad de bytes tiene una direccin, un
nmero que slo identifica a esa unidad. Las direcciones de memoria estn numeradas una
a una, empezando por cero.
Las operaciones bsicas que permite una memoria son dos: escritura o almacenamiento y
lectura.
En la escritura, o almacenamiento, la memoria necesita que le suministren una
informacin y una direccin. La operacin consiste en grabar la informacin en la
direccin especificada.
En la lectura, la memoria debe recibir una direccin. La operacin consiste en recuperar
informacin previamente escrita en esa direccin.
Por tanto, podemos ver las memorias como cajas negras, a las que hay que suministrar una
direccin y unas seales de control, que especifican la operacin que se desea realizar,
adems de enviar o recibir el dato, o bloque de datos, correspondiente.
Los disquetes, discos duros, etc. tambin son dispositivos que permiten almacenar
informacin, pero no estn conectados directamente al procesador, cada byte no tiene una
direccin para poderlo leer como en el caso comentado anteriormente. Por ello estos
dispositivos de memoria, llamados memoria masiva o auxiliar, sern estudiados en el tema
correspondiente a los perifricos.
Caractersticas de las memorias
En el ordenador hay dos tipos bsicos de memorias, las memorias de slo lectura, o ROM
(Read Only Memory), y las memorias de lectura/escritura, o RAM (Random Access
Memory).
Para poder estudiarlas vamos a introducir en este apartado una serie de conceptos que
permiten caracterizar los diversos tipos de memoria. Duracin de la informacin.
En relacin a la permanencia de la informacin grabada en las memorias, hay 4
posibilidades:
a) Memorias permanentes: Son memorias que contienen siempre la misma informacin y
no pueden borrarse. Como ejemplo de este tipo de memorias se pueden citar las memorias
de semiconductores tipo ROM, de las que hablaremos posteriormente.
b) Memorias Voltiles: Precisan estar continuamente alimentadas de energa. Si se corta
dicho suministro se borra la informacin que poseen. En contraposicin estn las no
voltiles, en las que la informacin permanece aunque se elimine la alimentacin.
c) Memorias de lectura destructiva: Su lectura implica el borrado de la informacin, por lo
que despus de leer en ellas, hay que volver a grabarlas. Un ejemplo de este tipo son las
memorias de ferrita. Memorias de lectura no destructiva son, por ejemplo, los discos y
banda magntica.
d) Memorias con refresco: La informacin slo dura un cierto tiempo. Para que no
desaparezca, hay que regrabar la informacin de forma peridica (seal de refresco).

Modo de acceso
Segn el mtodo utilizado para localizar la informacin tenemos:
a) Acceso aleatorio: En las memorias de acceso aleatorio se accede directamente al byte o
posicin deseada, en un tiempo independiente de la direccin a la que se quiere acceder,
por ejemplo las memorias RAM son de acceso aleatorio.
b) Acceso secuencial: En las memorias de acceso secuencial se llega a la posicin deseada a
travs de una secuencia de posiciones, que depende de donde est la informacin en el
momento en el que se quiere acceder a ella, por ejemplo para acceder a una informacin
en una cinta magntica es necesario recorrer la cinta hasta encontrar la informacin
deseada.
Tiempo de acceso
Se denomina tiempo de acceso al que transcurre entre el instante en que se enva una
operacin de acceso a memoria y el instante en que se dispone de la primera informacin
buscada.
Segn el tiempo de acceso se puede hablar de memorias rpidas o lentas, pero como eso
no es demasiado preciso, es mejor citar el tiempo de acceso, que se mide normalmente en
nanosegundos.
Capacidad
Es la cantidad de informacin que puede almacenar una memoria.
Dado que la informacin se almacena en el sistema binario, la capacidad se mide en bytes.
Se utiliza el byte porque es el menor tamao de informacin, a la que se puede acceder en
una operacin de acceso a memoria, ya que cada posicin de memoria almacena un byte.
Aunque a la hora de hablar de la capacidad de memoria, se utilizan mltiplos de l (KByte,
MByte, GByte, TByte).
Tipos de memorias: RAM y ROM
Actualmente el tipo de memorias que se emplean con carcter universal, son las memorias
de semiconductores. La primera memoria comercial de semiconductor tena una
capacidad de 64 bits y fue fabricada por IBM en 1968. Poco ms tarde, en 1972,
aparecieron los primeros ordenadores de IBM con memoria principal de semiconductores.
Los elementos semiconductores utilizados hasta ahora para realizar estas memorias son el
Silicio (Si) y el Germanio (Ge), pero en la actualidad se est tambin utilizando el
Arseniuro de Galio (AsGa).
En el caso de las memorias de semiconductores, cada punto de memoria est formado por
un dispositivo electrnico denominado transistor, en el que hay dos estados de
funcionamiento bien diferenciados: el estado de corte y el de saturacin. Cuando el
transistor est en estado de corte no deja pasar prcticamente nada a su travs, y a la
salida del transistor apenas se obtiene corriente, es lo que llamamos "0 lgico". Cuando
est en estado de saturacin, deja que la corriente circule por l libremente y lo que
obtenemos a la salida es un mximo de corriente que denominamos "1 lgico".

Dependiendo de las seales que proporcionemos al transistor obtendremos una u otra

salida, es decir, almacenaremos un 0 un 1.
Podemos establecer otra clasificacin de las memorias dependiendo de que la informacin
que contienen, pueda o no, modificarse despus de haberla introducido.

Memorias de slo lectura:

ROM
Como indica su propio nombre son memorias que slo permiten la lectura, tambin son de
acceso aleatorio y no voltiles. Este tipo de memorias se utilizan para guardar una serie de
programas que vienen con el ordenador desde fbrica, como son los contenidos en la
ROM-BIOS (Basic Input-Output System). En ella bsicamente estn unos programas de
diagnstico, encargados de chequear el hardware para comprobar que todo es correcto
antes de arrancar. Adems, tiene el programa de arranque, encargado de cargar el sistema
operativo en memoria y, los programas para controlar los perifricos ms comunes:
unidades de disco, teclado, puertos serie y paralelo, tarjeta grfica, etc. Algunos perifricos
requieren tener una memoria ROM para contener el programa encargado de gestionarlos,
por ejemplo las tarjetas VGA cuentan con una memoria ROM de esas caractersticas ya que
el BIOS slo controla tarjetas CGA o MDA.
Atendiendo a la manera en que son grabadas se pueden distinguir varios tipos:
a) ROM: La palabra ROM puede ser aplicada a cualquiera de estos tipos de memoria, pero
en este caso vamos a reservarla para memorias grabadas de fbrica en las que los
transistores estn dispuestos de la manera necesaria para que se lean los valores que debe
contener.
b) PROM (Programable Read Only Memory): Este tipo de memorias son similares a las
anteriores.
Son memorias de slo lectura pero en vez de grabarse en fbrica, pueden grabarse, aunque
una sola vez. Una vez grabada la informacin no podemos cambiarla, tan slo leerla.
Cada punto de memoria va a estar formado por un transistor y un fusible. Dejando pasar
una corriente suficiente a travs del fusible, este se funde logrando su destruccin. As
pues, el usuario de tal PROM puede destruir los fusibles cuando sea necesario, dejando
slo transistores en las posiciones necesarias para establecer el almacenamiento de
memoria deseado.
c) EPROM (Erasable Programable Read Only Memory): En este caso, la informacin puede
ser modificada por el usuario un nmero limitado de veces. Para grabar la informacin se
necesita un aparato especial, llamado grabador de EPROM. Antes de regrabar una EPROM
hay que borrar el contenido anterior, para ello se emplea luz ultravioleta y posee una
ventana que permite el paso de la misma, normalmente esta tapada para evitar un borrado
accidental.
El tiempo empleado para escribir, en este tipo de memorias, es mucho mayor que para
leer, y como acabamos de ver, el borrado y el grabado se tienen que hacer fuera del
sistema informtico, siendo esta operacin tan slo posible un nmero limitado de veces.

d) EEPROM (Electricaly Erasable Programable Read Only Memory): Se diferencian de las

anteriores en que pueden borrarse y grabarse en el mismo sistema informtico y, en este
caso, tanto la operacin de borrado como de escritura se hace mediante el paso de
corriente elctrica. La informacin es borrada simultneamente en todas las clulas de
memoria.
Actualmente la ROM-BIOS de muchos ordenadores viene en formato Flash, esta es una
memoria EEPROM, que permite por tanto que el usuario actualice el contenido de la
misma sin necesidad de disponer de aparatos especiales, y sin abrir siquiera el ordenador,
no obstante, son memorias de slo lectura, para operaciones normales no se puede
escribir en la memoria, se necesita un programa especial para poder hacerlo.
Memorias de lectura/escritura:
RAM
Son memorias de lectura/escritura, acceso aleatorio y voltiles. La memoria principal de
un ordenador es RAM, ya que la ROM al no permitir la escritura tiene un uso limitado. El
sistema operativo y los programas y datos del usuario se almacenan en memoria RAM
para poder ser usados por el procesador.
Podemos distinguir dos tipos de memorias RAM:
a) DRAM (Dinamic Random Access Memory): Son memorias en las cuales el estado (0
1) se almacena en un dispositivo electrnico cuya forma de funcionamiento podemos
compararla con un condensador que tiende a descargarse. Por ello, cada cierto tiempo,
entre 1 y 18 millones de veces cada segundo, hay que enviar una seal, que se denomina
seal de refresco, que recuerde a la memoria la informacin que posee, ya que sta, se
pierde poco despus de haberse introducido.
El microprocesador es el que da las rdenes oportunas para que la seal de refresco llegue
a la memoria. La frecuencia de esta seal de refresco tiene que ser suficientemente alta
para que no de tiempo a que se pierda la informacin contenida en la memoria.
La capacidad de las memorias DRAM va de 64Kbit a 32Mbit (la capacidad de los chips de
memoria se suele medir en bits y no en bytes). El tiempo medio de acceso de esta memoria
oscila entre 80ns y 50ns. Actualmente no se emplean directamente los chips de memoria,
sino que se agrupan varios en una placa, con un conector estndar para poder colocarse
mejor; son los llamados SIMM (Single Inline Memory Module) que han existido de dos
tipos: de 30 contactos (casi en desuso) y de 72 contactos.
Posteriormente aparecieron los llamados DIMM (Dual Inline Memory Module), que tienen
168 contactos y su capacidad vara desde 8Mb hasta 128 MB.
Las figuras siguientes representan los distintos tipos de mdulos de memoria que se han
existido y existen, as como los tamaos del bus de datos y direcciones de cada uno, en el
caso de las memorias dinmicas la memoria direccionable es el doble del tamao del bus
de direcciones, ya que las direcciones se dividen en filas y columnas y se envan
consecutivamente ambas por el mismo bus. El tamao del bus de direcciones indica el
mximo tamao que puede tener una de dichas memorias, tambin las hay de menor
capacidad, en ese caso no se utilizan las lneas de direcciones altas del bus.

Tipos de memorias DRAM

SIMM (30 contactos)
Bus de datos: 8 bits
Bus de direcciones: 11 bits
Memoria direccionable: 4MB

SIMM (72 contactos)

Bus de datos: 32 bits
Bus de direcciones: 12 bits
Memoria direccionable: 16MB

DIMM (168 contactos)

Bus de datos: 64 bits
Bus de direcciones: 14 bits
Memoria direccionable: 128MB

DDR (184 contactos)

Memoria direccionable: 256MB

RIMM (168 contactos)

Memoria direccionable: 512 MB
Mdulo de continuidad
b) SRAM (Static Random Access Memory): La diferencia fundamental con las memorias
anteriores es que no necesitan refresco, para ello emplean varios transistores por bit, lo
cual reduce la capacidad de la memoria y hace que sean ms caras que las DRAM (a
igualdad de capacidad), a cambio son ms rpidas que las DRAM, van de 50ns a 15ns.
Por ello se emplean en la memoria cach del ordenador que explicaremos en el apartado
siguiente.
En la evolucin de la memoria DRAM nos encontramos con la SDRAM (Synchronous
DRAM). Utiliza como modo de encapsulado el mdulo DIMM, consiguiendo con ella que la
memoria est sincronizada con el bus de datos y con el reloj del procesador,

incrementndose as, la tasa de trasferencia de datos, ya que el procesador sabe

perfectamente en que ciclos puede realizar lecturas y escrituras. Adems admite que se
enven comandos en los que se especifica que bancos refrescar o actualizar. La diferencia
bsica con el anterior de modelo es que la memoria es ahora la que espera para establecer
sincrona con el resto del sistema
Basada en la tecnologa SDRAM, nos encontramos con la memoria DDR (Double Data
Rate). Este tipo utiliza mdulos DIMM, aunque con alguna diferencia, como es la variacin
del nmero de ranuras existentes en el mdulo: se dispone de hasta 184 contactos frente a
los 168 presentes en un DIMM convencional. La novedad ms importante que presenta es
la de utilizar un mismo ciclo de reloj para realizar dos trasferencias al bus de datos en
lugar de una, pudiendo alcanzar velocidades de trasferencia de datos de hasta 2.1 GB/s. La
plataforma
Atlon de AMD se ha decantando por ella.
Intel, sin embargo, se ha decantado por la utilizacin de la tecnologa Direct Rambus. Los
mdulos que utiliza esta tecnologa se denominan RIMM, existiendo de hasta 512 MB. Son
mdulos de 168 pines. Utiliza una tecnologa de bus y, por ello, no podemos dejar ningn
slot vaco, ya que si lo hacemos el canal queda abierto y no funciona. Para que funcione
correctamente existen unos mdulos sin memoria, llamados mdulos de continuidad, que
lo nico que hacen es cerrar el canal.
Pueden ser de doble cara o de una sola cara, y admiten cualquier nmero de chips, hasta
un mximo de 32 soportados por canal. En este caso las velocidades de trasferencia de
datos pueden llegar hasta 1.6 GB/s.
Finalmente conviene citar una pequea memoria (64 o 128 bytes) que tiene el ordenador
de tipo CMOS (bajo consumo), que aunque es memoria RAM, no pierde su contenido,
gracias a que es alimentada por una pila. Se emplea para mantener un reloj en tiempo real
(que sigue funcionando gracias a la pila incluso con el ordenador apagado) y para
almacenar la configuracin del ordenador: cantidad de memoria, tipo de discos que tiene,
etc. Para almacenar dicha informacin hace falta memoria que permita escribir, ya que el
usuario puede hacer cambios en la configuracin, y por otra parte hace falta que no se
pierda el contenido al apagar el equipo, la solucin es emplear memoria RAM conectada a
una pila. Esta memoria est contenida dentro de un chip y no forma parte del mapa de
memoria del ordenador, ya que para acceder a ella se emplean operaciones de
Entrada/Salida.
Controlador
Canal
Conectores
Canal
Terminador de Canal

Jerarqua de la memoria
Actualmente la velocidad de los procesadores no ha parado de aumentar, mientras que la
velocidad de la memoria lo ha hecho en una cuanta mucho menor. La solucin al
problema que plantea esto, es hacer que el procesador espere por la memoria, aunque as
se desaprovecha la velocidad del mismo. Para resolverlo se ha buscado otra solucin, que
consiste en poner una pequea cantidad de memoria rpida y cara (SRAM), llamada
memoria cach, y una cantidad mayor de memoria lenta y barata (DRAM), llamada
memoria principal, y que el procesador mantenga una copia de los datos que ms utiliza
en la memoria cach.
Para que el esquema anterior funcione, es preciso que exista un controlador de cach,
encargado de vigilar las peticiones de datos del procesador a la memoria. Parte de la
memoria cach se emplear para guardar las direcciones de los datos y el resto para los
datos. El controlador compara la direccin de memoria pedida por la CPU con las que
contiene la cach, y si el dato est en la misma, da la orden para leer de la cache , en caso
contrario, el dato se lee de la memoria principal, empleando los estados de espera que
sean necesarios, y se copia en la memoria cach, para que cuando lo necesite la CPU se
encuentre con ms rapidez. Para poder hacer esto, el controlador de cach lleva la cuenta
de qu datos de la cach se han utilizado ltimamente, e introduce el nuevo dato en lugar
del menos utilizado recientemente.
Con este sistema y tamaos adecuados de memoria principal y memoria cach (por
ejemplo
16Mb de memoria principal y 256Kb de memoria cach) se puede conseguir que el 90%
de las veces, el dato solicitado por el procesador est en la memoria cach y lograr con un
coste reducido, un sistema que tiene el 90% de velocidad que el equivalente con memoria
rpida completo.
Los procesadores modernos funcionan interiormente a mayor velocidad que la que
emplean en su comunicacin con la memoria, por ejemplo un Pentium a 200Mz, funciona a
200MHz internamente, pero se comunica con la memoria externa (sea principal o cach) a
slo 66MHz. En estas condiciones el rendimiento del procesador se ve mermado por el de
la memoria, aunque sea rpida. Por ello, se incluye una pequea cantidad de memoria
cach interna en el procesador (en el caso del Pentium 16Kb, 8Kb para datos y otros 8Kb
para cdigo) que funciona a la misma velocidad que l mismo. En ese caso la cach interna
al procesador se llama cach de nivel 1 (abreviadamente L1) y la externa de nivel 2 (o L2).
La siguiente generacin, por ejemplo el Pentium II, avanza incluso un poco ms incluyendo
la memoria cach L2 dentro del procesador, lo que permite que la velocidad de
comunicacin de la misma con el procesador, sea ms elevada que la del bus del sistema
(por ejemplo 200MHz en lugar de 100MHz).
En el extremo opuesto tambin se pueden conseguir mejoras. Supongamos que tenemos
un ordenador con 16Mb de memoria principal y queremos usar un programa que requiere
16Mb de memoria (entre datos y cdigo), pero el sistema operativo emplea 4Mb de
memoria.
Aparentemente no se puede, pero hay una tcnica para conseguirlo. Se trata de emplear
parte de la memoria auxiliar como si fuera memoria RAM, la parte de los datos o el

programa que menos se use se escribe en disco, y cuando se necesite, se lleva otra vez a
memoria, escribiendo en su lugar en el disco los datos menos usados que estaban en la
memoria. Con este sistema el rendimiento se degrada, ya que el tiempo medio de acceso
de un disco es de milisegundos, frente a los nanosegundos del tiempo de acceso a la
memoria, pero al menos, se puede utilizar el programa, cosa de otro modo imposible,
Adems, salvo que se requiera mucha ms memoria de la disponible fsicamente, el
rendimiento no disminuye tanto, por ejemplo, si tenemos un procesador de textos que
tiene un mdulo que permite corregir la ortografa, mientras no lo utilicemos no hace falta
que est fsicamente en memoria, de modo que si el programa necesita 16Mb de RAM, es
posible que las opciones que estemos usando usen slo 8Mb, el resto se puede dejar en
disco hasta que sea necesario.
Resumiendo, para conseguir un elevado rendimiento de un procesador hace falta
jerarquizar la memoria: tener una pequea cantidad de memoria muy rpida (aunque sea
muy cara), una cantidad pequea de memoria rpida y cara, una cantidad relativamente
grande de memoria lenta y barata y, adems, un espacio de disco mayor que la memoria,
que ser mucho ms lento que la misma, pero de coste tambin mucho ms reducido por
bit. Con este sistema se obtiene un rendimiento menor que si toda la memoria necesaria
fuera muy rpida, pero a un coste mucho menor.

Funcionamiento de la memoria
La forma en que est organizada una memoria principal es la siguiente: est dividida en N
palabras, donde N es generalmente una potencia de 2, y a cada palabra se le asigna una
direccin, o posicin en la memoria. Cada palabra tiene el mismo nmero de bits, llamados
longitud de palabra. Dicha longitud es tambin una potencia de 2, puede ser 8, 16, 32, etc.
Por compatibilidad con los procesadores anteriores las posiciones de memoria se suelen
numerar siempre de 8 en 8 bits, con independencia de que el procesador pueda acceder
directamente a 16 bits, o ms.
Las direcciones, o nmeros de direccin en la memoria, van consecutivamente. Se suelen
expresar en hexadecimal partiendo de 00....000 y llegando hasta la direccin ms grande
posible que ser la FF....FFF. El procesador puede leer o escribir una palabra en cada
posicin de memoria.
Es muy importante entender la diferencia entre el contenido de una direccin de memoria
y la direccin en s misma. La memoria es como un gran gabinete con muchos cajones, los
cuales corresponden a las direcciones de memoria. En cada cajn hay una palabra y la
direccin de cada palabra se escribe en la parte externa del cajn. Para obtener el
contenido de un cajn debemos saber cual es, es decir debemos tener la direccin, pero el
contenido es lo que hay dentro del cajn que no tiene nada que ver con su direccin.
Los chips de memoria tienen exteriormente un conjunto de patas con los que pueden ser
conectados al resto de componentes del ordenador. Se pueden dividir en tres grupos
fundamentales:
a) Bus de direcciones: Este conjunto de patas contiene la direccin en forma de nmero
binario del dato que se busca, se conectan a otro conjunto de patas similares que tiene el
procesador, cuando ste quiere leer un dato coloca en el bus de direcciones la direccin

del dato y espera a que la memoria se lo enve por el bus de datos que se explica a
continuacin.
b) Bus de datos: Estas patas se conectan al bus de datos del procesador y por ellas circulan
los datos entre ambos. Por ejemplo, si un chip de memoria contiene un bus de datos de 1
bit (es decir una sola pata) en cada celda de memoria de ese chip se puede almacenar slo
un bit; si el procesador accede a la memoria de 8 en 8 bits, ser preciso poner 8 chips
similares y conectar el bus de datos de cada uno a cada una de las 8 patas del bus de datos
del procesador, as cada dato de 8 bits que maneje el procesador tendr cada uno de sus
bits en un chip distinto.
c) Seales de control: Sirven para controlar el proceso, por ejemplo una de ellas llamada
W / R sirve para que la memoria sepa si el procesador quiere leer o escribir.
Para permitir ampliar posteriormente la memoria, normalmente el ancho del bus de
direcciones del procesador es mayor que el ancho del bus de direcciones de los chips de
memoria, en ese caso las lneas superiores del bus de direcciones del procesador tienen
que pasar por un decodificador, que se encarga de seleccionar el chip correcto que
contiene el dato. Por ejemplo supongamos que el procesador tiene un bus de direcciones
de 16 bits y que empleamos para la memoria chips con un bus de direcciones de 14 bits y
1 bit para el bus de datos. El procesador puede acceder a 64Kb, mientras que los chips de
memoria tienen capacidad de slo 16Kbits, juntando 8 chips obtenemos 16Kb y con 4
grupos de 8 chips llenamos los 64Kb, en ese caso los 14 bits bajos del bus de direcciones se
conectan a los 14 bits del bus de direcciones de todos los chips. Los 2 bits altos del bus de
direcciones se conectan al decodificador que saca 4 seales, una cuando dichos bits son 00,
otra cuando son 01, otra para 10 y finalmente otra para 11. Cada una de las seales del
decodificador va a parar a una pata, llamada chip select, de los 8 chips de cada grupo, cada
chip est seleccionado slo cuando recibe la seal chip select.

Leyendo de la memoria
Cuando el procesador quiere acceder a un dato, es decir, para leer un dato de la memoria,
realiza la siguiente secuencia:
1. Coloca la direccin del dato en el bus de direcciones.
2. Coloca en la pata W / R un 0 para indicar que desea leer.
3. Espera un tiempo prefijado a que la memoria coloque en el bus de datos el dato en
cuestin.
4. Lee el dato del bus de datos y da por concluida la secuencia.
Como se ha dicho arriba las posiciones de memoria se numeran en bytes, sin embargo el
procesador puede acceder a datos de tamao mayor, por ejemplo de 16 bits, hay dos
posibles alternativas para esta situacin, una es colocar en la parte baja del nmero ledo
el contenido de la posicin baja de memoria y en la parte alta el de la posicin alta, por
ejemplo si la posicin de memoria 1234 contiene el nmero 56 y la posicin 1235 contiene
el 78, al leer un dato de 16 bits de 1234 se obtiene 7856 (todos los nmeros estn en
hexadecimal). ste es el comportamiento de los procesadores de Intel, pero existen otros,

por ejemplo la familia 68000 de Motorola, que emplean el inverso, es decir en el caso
anterior un procesador 68000 leera de memoria el dato 5678.

Escribiendo en memoria
Cuando el procesador transfiere un dato hacia la memoria, es decir, cuando se escribe en
la memoria, se produce la siguiente secuencia:
1. Coloca la direccin del dato en el bus de direcciones.
2. Coloca en la pata W / R un 1 para indicar que desea escribir.
3. Coloca el dato en el bus de datos.
4. Espera un tiempo prefijado a que la memoria lea el dato del bus de datos y almacene
dicho valor en la direccin pedida, pasado ese tiempo da por concluida la operacin.
El esquema para escribir datos multibyte es el mismo que emplea a la hora de leer, por
tanto al escribir un dato de 16 bits y posteriormente volverlo a leer se obtiene el mismo
valor, con independencia del orden en que se guarde en memoria (bajo-alto o alto-bajo),
ya que se emplea el mismo orden a la hora de leerlo.