Operacin del transistor:

La operacin bsica del transistor empleando el transistor pnp. La

operacin del transistor npn es exactamente la misma que si se
intercambian los papeles desempeados por el electrn y el hueco.
Observe las similitudes entre esta situacin y aquella del diodo con
polarizacin directa. El espesor de la regin de agotamiento se redujo
debido a la polarizacin aplicada, lo que da como resultado un flujo
muy considerable de portadores mayoritarios desde el material tipo p
hacia el material tipo n.

Eliminaremos la polarizacin base-emisor del transistor pnp Considere

las similitudes entre esta situacin y la del diodo con polarizacin
inversa los portadores mayoritarios es cero, con lo que se ocasiona
solamente un flujo de portadores minoritarios.
Una unin p-n de un transistor se encuentra en polarizacin inversa,
mientras que la otra se encuentra en polarizacin directa.
los espesores de las regiones de agotamiento que indican claramente
cul unin se encuentra en polarizacin directa y cul en polarizacin
inversa, una gran cantidad de portadores mayoritarios se difundirn a

travs de la unin p-n en polarizacin directa hacia el material tipo n.

La cuestin ahora es si estos portadores contribuirn de forma directa
con la corriente de base IB o si pasarn directamente hacia el material
tipo p. Debido a que el material de tipo n del centro es muy delgado y
tiene una baja conductividad, un nmero muy pequeo de estos
portadores tomar esta trayectoria de alta resistencia hacia la terminal
de la base. La magnitud de la corriente de base tpicamente se
encuentra en el orden de los microamperes, comparado con los
miliamperes para las corrientes del emisor y del colector. La mayor
cantidad de estos portadores mayoritarios se difundir a travs de la
unin en polarizacin inversa, hacia el material tipo p conectado a la
terminal del colector.

I E =I C + I B
I C =I C

mayoritarios

+I C O

minoritarios

Base comn
Para la configuracin de base comn con transistores pnp y npn.

Se requiere de dos conjuntos de caractersticas: uno para el punto de

excitacin o parmetros de entrada y el otro para la parte de la salida,
el conjunto de entradas para el amplificador de base comn relaciona

la corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE) para

distintos niveles de voltaje de salida (VCB).
El conjunto de salida relaciona una corriente de salida (IC) con un
voltaje de salida (VCB) para distintos niveles de corriente de entrada
(IE)

Caractersticas de entrada o de excitacin para un amplificador de

silicio de base comn.
En la regin activa la unin base-emisor se encuentra polarizada de
forma directa, mientras que la unin colector-base se encuentra
polarizada de forma inversa.
A medida que la corriente del emisor se incrementa por encima de
cero, la corriente del colector se incrementa hasta una magnitud
esencialmente igual a aquella de la corriente del emisor, como se
determina por las relaciones bsicas de corriente en el transistor.
Las curvas claramente indican que una primera aproximacin para la
relacin entre IE e IC en la regin activa est dada por:
IC IE

El efecto de las variaciones ocasionadas por VCB y por la pendiente de

las caractersticas de entrada se omitir mientras sea posible analizar
las redes de transistores de una forma tal que proporcione una buena
aproximacin a la respuesta real, sin involucrarse demasiado en las
variaciones de los parmetros de menor importancia.

En condiciones :
DC =

Ic
IE

I c = I E + I CBO

Polarizacion:

Emisor comn

Se le denomina configuracin de emisor comn debido a que el emisor

es comn o relaciona las terminales tanto de entrada como de salida

Condiciones
En el modo de dc, los niveles de IC y de IB se relacionan entre s
mediante una cantidad denominada beta que se define por la ecuacin
siguiente:
DC =

IC
IB

Donde IC e IB se determinan para un punto de operacin en particular

sobre las caractersticas. Para los dispositivos reales, el nivel de b suele
tener un rango aproximado entre 50 y 400, con la mayora de ellos
dentro del rango medio.
Polarizacin:
Es muy similar a la de base comn:

 Colector comn
La configuracin de colector comn se utiliza principalmente para
propsitos del acoplamiento de impedancias, ya que cuenta con una
alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, de forma
contraria a las impedancias de las configuraciones de base comn y a
las de emisor comn.

Polarizacin:

Las caractersticas de salida para la configuracin de colector comn,

son las mismas que para la configuracin de emisor comn. Para la
configuracin de colector comn las caractersticas de salida se
grafican como IE en funcin de VCE para una rango de valores de IB.
La corriente de entrada por tanto, ser la misma para ambas
caractersticas, de emisor comn y de colector comn. El eje horizontal

del voltaje para la configuracin de colector comn se obtiene con slo

cambiar el signo del voltaje del colector al emisor de las caractersticas
de emisor comn. Por ltimo, existir un cambio casi imperceptible en
la escala vertical de IC de las caractersticas de emisor comn si IC se
reemplaza por IE para las caractersticas de colector comn. Para el
circuito de entrada de la configuracin de colector comn, las
caractersticas bsicas de emisor comn son suficientes para obtener
la informacin que se requiere.
Bibliografa:
Nashelsky. Teora de circuitos y dispositivos elctricos. Pearson. 8ta
Edicin