1.- Verificar los terminales del transistor utilizado en la experiencia y comprobar su estado.

2.- Armar el circuito de la fig.1.1. Observar y medir los siguientes valores:

versidad Nacional Federico

VE = 0V VC = 5.29V R3.9K = 3.85K W

VBE = 0.65V VCE = 5.29V R1.5M = 1.5M W

IE = 0.98mA IC = 0.97mA

Facultad de Ingeniera Electrnica e Inform

Igualmente debe medir los valores exactos de las resistencias usadas en cada experiencia.

Colocar el foco cerca del transistor y transcurridos 30 seg. Volver a observar y anotar:
VCE = 5.18V VE = 0V
IC = 0.98mA VC = 5.18V
Tocar el transistor para apreciar su temperatura.
- el transistor se encuentra a mayor temperatura de lo normal, debido a que el foco le
transmite temperatura, elevando as la temperatura del transistor.
3.- Armar el circuito de la fig. 1.2 y repetir las medidas del paso 2.
R1K=1000 W .

VE = 0.859V VC = 5.67V

Tema: polarizacin y estabilizacion

I = 0.86mA I = 0.86mA
Docente: Ing. Ivn Cisneros
Colocando el foco: V = 4.6V
Integrantes:
I = 0.88mA
VBE = 0.644V VCE = 4.81V
E

CE

oDiego Alejandro Meiggs Cortez

oEnrique Rojas Campos
V = 0.00V V = 1.729V
V = 0.666V V = 1.729V
oJose Neira del castillo
I = 1.89mA I = 1.89mA
o
Juan Carlos Rojas Arce
Colocando el foco: V = 1.68V
4.- Armar el circuito de la fig.1.3 y repetir las medidas del paso 2. R 100K=99.7K W .

BE

CE

CE

IC = 1.87mA
- las variaciones observadas al medir con el foco son debido a que el transistor varia su
funcionamiento a cambios de temperatur.
1.- Verificar los terminales del transistor utilizado en la experiencia y comprobar su estado.
2.- Armar el circuito de la fig.1.1. Observar y medir los siguientes valores:

VE = 0V VC = 5.29V R3.9K = 3.85K W

VBE = 0.65V VCE = 5.29V R1.5M = 1.5M W

IE = 0.98mA IC = 0.97mA
Igualmente debe medir los valores exactos de las resistencias usadas en cada experiencia.

Colocar el foco cerca del transistor y transcurridos 30 seg. Volver a observar y anotar:
VCE = 5.18V VE = 0V
IC = 0.98mA VC = 5.18V
Tocar el transistor para apreciar su temperatura.
- el transistor se encuentra a mayor temperatura de lo normal, debido a que el foco le
transmite temperatura, elevando as la temperatura del transistor.
3.- Armar el circuito de la fig. 1.2 y repetir las medidas del paso 2.
R1K=1000 W .

VE = 0.859V VC = 5.67V
VBE = 0.644V VCE = 4.81V
IE = 0.86mA IC = 0.86mA
Colocando el foco: VCE = 4.6V
IC = 0.88mA
4.- Armar el circuito de la fig.1.3 y repetir las medidas del paso 2. R 100K=99.7K W .

VE = 0.00V VC = 1.729V
VBE = 0.666V VCE = 1.729V
IE = 1.89mA IC = 1.89mA
Colocando el foco: VCE = 1.68V
IC = 1.87mA
- las variaciones observadas al medir con el foco son debido a que el transistor varia su
funcionamiento a cambios de temperatura.
5.- Armar el circuito de la figura 1.4 y repetir el paso 2.

VE = 1.45V VC = 2.9V
VBE = 0.66V VCE = 1.49V
IE = 1.46mA IC = 1.46mA
Colocando el foco: VCE = 1.4V
IC = 1.35mA
6.- Armar el circuito de la fig. 1.5 y repetir el paso 2.

VE = 1.172V VC = 4.43V
VBE = 0.653V VCE = 3.26V
IE = 1.19mA IC = 1.18mA
Colocando el foco: VCE = 3.22V
IC = 1.2mA
- se observa tambin que el Vce disminuye a mayor temperat. e Ic aumenta.
7.- Armar el circuito de la figura 1.6 y repetir el paso 2.
VE = 0.724V VC = 4.23V Colocando el foco: VCE = 5.02V
VBE = 0.655V VCE = 4.95V IC = 1.22mA
IE = 1.23mA IC = 1.23mA
CUESTIONARIO
Haga el anlisis terico y compare con los valores experimentales y grafique la recta de
carga y los puntos Q
TABLAS DE COMPARACION
Datos experimentales:
Circuito 1 2 3 4 5 6 7
Ve (V) 0.0000 0.8590 0.0000 1.8750 1.1360 0.7240 0.6950
Vbe (V) 0.6400 0.6440 0.6660 0.6560 1.1200 0.6550 0.6390
Vc (V) 4.4100 5.6700 0.0560 1.9440 4.5800 4.2300 4.2500
Vce (V) 4.4000 4.8100 0.0560 0.0560 3.4400 4.9500 4.9400
Ie (mA) 1.1900 0.8600 2.3700 1.8900 1.1200 1.2300 1.2000
Ic (mA) 1.1800 0.8600 2.2900 1.8100 1.1200 1.2300 1.2000
DATOS TEORICOS
Asumiendo un promedio igual a 175 se encontraron los siguientes resultados:
Circuito 1 2 3 4 5 6 7
Ve (V) 0.0000 0.8716 0.0000 1.5324 1.1058 -0.7702 0.6950
Vbe (V) 0.7000 0.7000 0.7000 0.7000 0.7000 0.7000 0.6390
Vc (V) 5.2719 5.6634 1.7646 3.1004 4.7668 4.2266 4.2500
Vce (V) 5.2719 4.7918 1.7646 1.5680 3.6610 4.9968 4.9400
Ie (mA) 0.9739 0.8716 1.8793 1.5324 1.1058 1.2469 1.2000
Ic (mA) 0.9683 0.8666 1.8686 1.5237 1.0995 1.2399 1.2000
Haciendo la comparacin mediante errores absolutos:
(datos tericos - datos experimentales)
Circuito 1 2 3 4 5 6 7
Ve (V) 0.0000 0.0126 0.0000 0.0824 0.0662 1.4942 0.0662
Vbe (V) 0.0500 0.0560 0.0340 0.0400 0.0470 0.0450 0.0470
Vc (V) 0.0181 0.0066 0.0356 0.2004 0.3368 0.0034 0.3368
Vce (V) 0.0181 0.0182 0.0356 0.0780 0.4010 0.0468 0.4010
Ie (mA) 0.0061 0.0116 0.0107 0.0724 0.0842 0.0169 0.0842
Ic (mA) 0.0017 0.0066 0.0214 0.0637 0.0805 0.0099 0.0805

7.- Justificar porque un cambio de b provoca un desplazamiento del punto de

trabajo.
El desplazamiento que produce un cambio b en el punto de trabajo se debe a que en la
polarizacin de cualquier transistor se cumple que Ic= b I B e IB es constante y depende de la
polarizacin. Al hacer un cambio de b , la corriente del colector I CQ va a variar y
consecuentemente variara VCEQ. Por tanto, esta variacin de b provoca un desplazamiento
del punto Q sobre la recta de carga del transistor.
8.- Razonar porque las condiciones de corte y saturacin determinan la recta de
carga para un circuito concreto.
La razn se puede observar debido a que las condiciones de corte y saturacin determinan la
recta de carga es que estas regiones de corte y saturacin son las ms allegadas a los ejes
coordenados de las x y de los y, respectivamente y es en estas condiciones donde un par de
puntos para definir la recta son mas fciles de calcular.
Para el caso de las condiciones de corte se toma el valor de Ic=0 y se obtiene coordenadas
en x, mientras que para las condiciones de saturacin, se toma el valor de V CE=0 y se
obtiene la coordenada en y. De esta recta trazada se obtiene el punto de trabajo Q del
transistor y dicho punto pertenece adems a la curva caracterstica del transistor utilizado en
el circuito.

9.- Indicar el tipo de polarizacin que ofrece la mejor y peor estabilidad del punto
de reposo a variaciones de b y temperatura.
La polarizacin ms estable de las configuraciones es la red de polarizacin con divisor de
voltaje de la figura 1.5. Si se satisface la condicin b RE>>10R1, el voltaje Vb permanecer
suficientemente constante para los niveles cambiantes de Ic. El voltaje de base a emisor de
la configuracin se determina por Vbe=Vb-Ve. Si Ic aumentara, Ve se incrementara de la
manera descrita y para Vb constante, decaera Vbe. Una cada de Vbe establecer un nivel
bajo de Ib, el cual intentara compensar el nivel incrementado de Ic.
La configuracin que ofrece la peor estabilidad es la polarizacin fija de la figura 1.1 y esto se
debe a que la configuracin es muy sensible a las variaciones de Ico y adems es sensible a
los cambios de b con la temperatura.
10.-Cual es la ventaja de usar una resistencia en el emisor de un circuito
transistorizado?
La ventaja de usar una resistencia en el emisor de un transistor es la de permitir una mayor
estabilidad. Es decir que las corrientes y voltajes de polarizacin cd se mantienen mas cerca
de los puntos fijados por el circuito, aun cuando cambien las condiciones extremas como
tensin de alimentacin, la temperatura incluso en b del BJT.
11.- Es la polarizacin por realimentacion de corriente por colector tan eficaz como
la polarizacin tipo H.
Los dos tipos de polarizacin de transistor son estables pero el mas eficaz es la polarizacin
tipo H, el cual es mas estable frente a variaciones de b con la temperatura y a variaciones de
VBE con la temperatura.
12.- Explicar en forma resumida el comportamiento del circuito de polarizacin
universal ante un posible incremento de b .
El comportamiento del circuito de polarizacin universal conocido tambin como

configuracin de polarizacin con divisor de voltaje ante un incremento de b , la corriente de

base Ib disminuye en gran cantidad pues:

El voltaje base a emisor es determinado por VBE=VB-VE. El voltaje de base VB=VTH, indica que
el voltaje de base es constante y no depende del b del transistor. VE=REIE, indica que al
aumentar b IE, se incrementa y por lo tanto VE aumenta lo que causa un decaimiento del
voltaje base a emisor. El incremento en IE no es considerable y mas bien su valor se acerca
mas aun a IE= b IB de donde IC=(VTH-VBE)/RE relacin que indica que el circuito de polarizacin
universal es bastante estable frente a variaciones de b y casi no siente las variaciones de
VBE. El aumento de b hace que el circuito se vuelva mas estable aun y por lo tanto su punto
de trabajo poseer mayor exactitud a los valores por los cuales ha sido diseado.
13.- Disee el circuito de la figura 1.5 polarizndolo correctamente, asuma:
ICQ=1mA si Vcc=12V, 50< b <150 y ICBO=0.

sea :
ICQ=1mA IEQ=ICQ=1mA 50< b <150(a) b RE>=10R2..(b)
De (a) se tiene: 50RE< b RE<150RE.(c)
en (b) 50RE>=10R2 entonces RE>=R2/5.
VCEQ=Vcc/2=12/2=6V (Para una condicin de mxima excursin simtrica)
Entonces: -Vcc+VCE+IcRc+IERE=0 pero IE=IC
-Vcc+VCE+Ic(Rc+RE)=0 por lo cual Rc+RE=(Vcc-VCE)/Ic
En Q : VCE=VCEQ=6V Vcc=12V Ic=ICQ=1mA
Rc+RE=(12-6)/1mA=6K W .
Sea RE=1K W (RE<<Rc) entonces Rc=6K-RE=5K W VBE=0.7V
VB=(R2Vcc)/(R1+R2); VE=VB-VBE pero IE=VE/RE entonces VE=IERE=1V entonces VB=1.7V
Como RE>=R2/5 entonces R2<=5K W se elige R2=4K W
Entonces VB= (R2Vcc)/(R1+R2) R1=17.176k W
Por lo cual se elige 20k W (valor comercial)

Entonces VB= (R2Vcc)/(R1+R2)

Despejamos R2 y se concluye que R2=3.3K W (valor comercial)
Ahora: 1/150<1/ b <1/50
por Ic tenemos: Ic/150<Ic/ b <Ic/50

Reemplazando el valor de Ic: 6.67uA<IB<20uA

Entonces el transistor:
VB=(3)(3K)(12)/(20K+3.3K)=VTH=1.699V VBE-VTH+RTHIB+1KIE=0
IE/( b +1)=IB Para b grande IB se puede despreciar
IE= (VTH-VBE)/1K=1mA (0.999mA)
VCEQ=12-(0.999mA)(6K)=6.006V
PQ=VCEQICQ=5.99mW=6mW
Icsat=2ICQ=2mA
VCEmax=15V (sobredimencionado).
Luego tendremos el circuito:
Caract. del Q: Pmax=10mW, VCEmax=15V, Ic sat=4mA, hfe= 50<hfe<150.

14.- Encontrar en un manual las caractersticas del transistor usado.

El transistor usado es el BC548.

CBE
VCE=30V VCEOmax=20V Icmax=200mA Ptotmax=300mW
Tjmax=150 C VCBO=30V VBEO=5V
a : Ic=2mA VCE=5V y f=1KHz
entonces : hfe= 125< b <500
15.- Anote observaciones y conclusiones del experimento.
Se observo que el utilizando una resistencia en el emisor de un circuito transistorizado le da a
este mayor estabilidad.
Se logro determinar y reconocer ciertas formas que sirvieron para estabilizar una etapa del
BJT frente a variaciones de b y cambios de temperatura.
Se comprob en forma experimental el funcionamiento de la polarizacin de una etapa de un
transistor bipolar BC548 para un punto de operacin Q para los diferentes circuitos. es mas
estable de todos.