1CPI : ELEF1

Transistors bipolaires

2013/2014

Devoir N 01: Etude dun transistor bipolaire

Buts du devoir
bipolaire :

: le but de ce devoir est ltude du composant transistor

Par la mise en vidence de ces caractristiques.
Par la mise en vidence de ses tats de fonctionnement.
Par lexploitation de ces caractristiques permettant la mise en
lumire de plusieurs tats de fonctionnement.

1. caractristiques du transistor bipolaire.

Rb = 10 k
Montage :

Rc = 100

1-1. Caractristique d'entre Ib = f(Vbe) et de transfert Ic = f(Ib).

a) A quel composant lectronique peut-on comparer la jonction base-metteur du

transistor?
..

b) E1 est une alimentation continue variable entre 0 et 12 V; E2 = 10V. En variant

lalimentation E1 (0v, 6v, 12v) dterminer Ib, Ic et Vbe ( Ib en A)

E1

E2

Ib

Ic

Vbe
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c) Calculer la valeur de et la comparer lindication donne par le constructeur :

100 < < 200.

1-2. Caractristique de sortie Ic = f (Vce) Ib constant

a) En vas rgler Ib1 = 250 A puis Ib2 = 400 A et on fait varier Vce, en

mettant des valeurs de E2 gales 15 v, 8v, 1v et 0 V. Donner la valeur de

Vce.

b) Pour E2 = 10V , trouver la relation liant Vce, Rc, Ic et E 2.( Loi des mailles ). Montrer que
cette quation scrit : Ic = a.VCE + b et donner les valeurs numriques de a et b.
Dterminer alors le point de fonctionnement (Ic ; VCE) du transistor pour Ib = 250 A.

1-3. Conclusion

Pour E1 = 0, le transistor est dit "bloqu". Pourquoi?

Pour 0 < Ib < iBsat, le transistor fonctionne en rgime linaire. Par quoi cela se traduit-il?

Pour Ib > iBsat, le transistor est dit satur, donner une explication et donner la valeur
obtenue par VCE au maximum dans cet tat de fonctionnement.

Rsum des tats de fonctionnement :

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Etat bloqu :

Vbe =

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Etat satur :

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Vbe =

Ib =

Ib =

Ic =

Ic =

Vce =

Vce =

2- Polarisation du transistor.
Soit le circuit de la figure ci- contre :

On notera IC0 et VCE0 les coordonnes du point de polarisation.

1. Quel le nom de ce type de polarisation.

2. Redessiner le schma ci- contre en faisant apparatre le modle

de Thvenin du diple BM qui alimente la base du transistor.

R2 Vcc
R
2
R1
On montrera que Eth =
et que Rth = (R1 // R2).

3. A l'aide du schma de la question prcdente, donner l'quation

de la droite d'attaque, en montrant que : VBM = Eth Rth . I

.
..

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4. Donner l'quation de la droite de charge, c'est dire l'quation liant VCC, VCE, RC, RE et IC,
sachant que IE IC. Montrer que cette quation scrit :

Ic VccVce
Rc Re

.
..

5. Avec les valeurs suivantes: VCC = 10V, RC = 50 , RE = 50 , R1 = 10k , R2 = 10k ,

Calculer Ic.

6. Dterminer IB0, VCE0 , IC0 et VBE0. Retrouver la valeur de .

Le point de polarisation est-il plac au milieu de la droite de charge statique?

7. Calcul de puissances : Pour les valeurs mesures prcdemment :

Calculer la puissance utile : P Vce.Ic .
Calculer la puissance de commande : P ' Vbe.Ib .

Comparer les deux valeurs. Commentaires ?

3- Transistor en commutation.
1. Soit le montage ci-contre ; donnez l'expression de IC, IB, Rb pour saturer le transistor

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2. Dans le circuit ci-dessous, les transistors sont parfaits et ils fonctionnent en commutation.
Quelle tension VS obtient-on si Ve = 0V ?
Quelle tension VS obtient-on si Ve = 15V ?

RC1

C2
B2

RB1

T2

C1

B1

E = 15V

E2

T1
E1

Ve

Rch

VS

3.

RC

uS

iC
C
B
RB
e(t)

VCE
E
iE

RC = 50
RB = 100
= 50
VBE = 0,7V si iB 0A
VCESAT = 0V
Vcc=20v
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1. Calculer la valeur iBMIN de iB permettant de saturer le transistor.

2. e(t) = 5V. Calculer iB . En dduire ltat du transistor et la valeur de uS.
3. e(t) = 0V. Calculer iB . En dduire ltat du transistor et la valeur de uS.
4. Dessiner en concordance de temps les formes donde de uS et de VCE lorsque e(t) est un signal carr
alternatif damplitude gale 5V.
5.Quelle est la puissance moyenne dissipe par le transistor ?

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