P-N SIN POLARIZACION

6.1 UNION
semiconductor para poder aumentar el n
umero
de portadores de carga libres.
Se denomina union PN a la estructura funCuando el material dopante es a
nadido,
damental de los componentes electronicos este libera los electrones mas debilmente vincom
unmente denominados semiconductores.
culados de los atomos del semiconductor. Este
agente dopante es tambien conocido como impurezas aceptoras.
El proposito del dopaje tipo P es el de crear
abundancia de huecos. En el caso del silicio,
una impureza trivalente deja un enlace covalente incompleto, haciendo que, por difusion,
uno de los atomos vecinos le ceda un electron
completando as sus cuatro enlaces. As los dopantes crean los huecos. Cada hueco esta asociado con un ion cercano cargado negativamenIMAGEN 1: Estructura de la uni
on p-n
te, por lo que el semiconductor se mantiene
electricamente neutro en general. No obstanEsta formada por la union metal
urgica de dos
te, cuando cada hueco se ha desplazado por la
cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque
red, un proton del atomo situado en la positambien se fabrican de Germanio (Ge), de nacion del hueco se ve expuesto y en breve se ve
turalezas P y N seg
un su composicion a niequilibrado por un electron. Por esta razon un
vel atomico. Estos tipos de cristal se obtienen
hueco se comporta como una cierta carga posial dopar cristales de metal puro intencionadativa. Cuando un n
umero suficiente de aceptores
mente con impurezas, normalmente con alg
un
son a
nadidos, los huecos superan ampliamente
otro metal o compuesto qumico.
la excitacion termica de los electrones. As, los
Los cristales de Silicio estan formados a ni- huecos son los portadores mayoritarios, mienvel atomico por una malla cristalina basada en tras que los electrones son los portadores mienlaces covalentes que se producen gracias a noritarios en los materiales tipo P.
los 4 electrones de valencia del atomo de Silicio. Junto con esto existe otro concepto que
SEMICONDUCTOR TIPO N
cabe mencionar: el de hueco. Los huecos, como su nombre indica, son el lugar que deja
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevanun electron cuando deja la capa de valencia do a cabo un proceso de dopado a
nadiendo un
y se convierte en un electron libre. Esto es lo cierto tipo de elemento, normalmente pentavaque se conoce como pares electron - hueco y lente, es decir con 5 electrones en la capa de
su generacion se debe a la temperatura (como valencia, al semiconductor para poder aumenuna aplicacion, al caso, de las leyes de la ter- tar el n
umero de portadores de carga libres (en
modinamica) o a la luz (efecto fotoelectrico). este caso, negativos, electrones libres).
En un semiconductor puro (intrnseco) se cumCuando el material dopante es a
nadido,
ple que, a temperatura constante, el n
umero de este aporta sus electrones mas debilmente vinhuecos es igual al de electrones libres.
culados a los atomos del semiconductor. Este
tipo de agente dopante es tambien conocido como impurezas donantes ya que cede uno de sus
SEMICONDUCTOR TIPO P
electrones al semiconductor.
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando
El proposito del dopaje tipo N es el de proa cabo un proceso de dopado, sustituyendo- ducir abundancia de electrones libres en el male algunos de los atomos de un semiconductor terial. Para ayudar a entender como se produce
intrnseco por atomos con menos electrones de el dopaje tipo N considerese el caso del silicio
valencia que el semiconductor anfitrion, nor- (Si). Los atomos del silicio tienen una valenmalmente trivalente, es decir con 3 electrones cia atomica de cuatro, por lo que se forma un
en la capa de valencia (normalmente boro), al enlace covalente con cada uno de los atomos

de silicio adyacentes. Si un atomo con cinco

ZONA P: semiconductor tipo P (impuelectrones de valencia, tales como los del grurezas aceptoras, Na)
po VA de la tabla periodica (ej. fosforo (P),
ZONA N: semiconductor tipo N (impuarsenico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora
rezas dadoras, Nd)
a la red cristalina en el lugar de un atomo de
silicio, entonces ese atomo tendra cuatro enlazona de transicion ( 1m)
ces covalentes y un electron no enlazado. Este
electron extra da como resultado la formacion
de electrones libres, el n
umero de electrones en
el material supera ampliamente el n
umero de
huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los atomos con cinco electrones de valencia tienen un
electron extra que dar, son llamados atomos
IMAGEN 2: zona de huecos (P)
donantes. Notese que cada electron libre en el
y zona de electrones (N)
semiconductor nunca esta lejos de un ion dopante positivo inmovil, y el material dopado Zona p
tipo N generalmente tiene una carga electrica
Portadores mayoritarios huecos (pP)
neta final de cero.
Concentracion pP Na
Portadores minoritarios electrones (nP)
BARRERA INTERNA DE
Concentracion nP 0
POTENCIAL
Zona N:
Portadores mayoritarios electrones (nN)
Al unir ambos cristales, se manifiesta una Concentracion nN Nd Portadores minoridifusion de electrones del cristal n al p (Je). Al tarios huecos (pN) Concentracion pN
establecerse estas corrientes aparecen cargas fi- 0 Aparece un campo electrico E dirigido desde
jas en una zona a ambos lados de la union, zo- la zona N hacia a la zona P
na que recibe diferentes denominaciones como
1. Diferencia de potencial (V0 )
barrera interna de potencial, zona de carga espacial, de agotamiento o empobrecimiento, de
2. Corriente de arrastre
deplexion, de vaciado, etc.
de huecos (Iap )
A medida que progresa el proceso de difusion, la zona de carga espacial va incrementande electrones (Ian )
do su anchura profundizando en los cristales a
ambos lados de la union. Sin embargo, la acumulacion de iones positivos en la zona n y de
iones negativos en la zona p, crea un campo
electrico (E) como se muestra en imagen 3, que
actuara sobre los electrones libres de la zona n
con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondra a la corriente de electrones
y terminara deteniendolos.
Este campo electrico es equivalente a decir
IMAGEN 3: Campo electrico
que aparece una diferencia de tension entre las
zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0 ) La presencia del campo electrico en la zona de
es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los la union debido a la presencia de cargas fijas,
cristales son de germanio.
orientado en sentido contrario al movimiento
Union P-N: Mono cristal semiconductor do- de cada uno de los portadores por difusion, crea
a su vez una corriente de arrastre.
pado con impurezas donadoras y aceptoras


EQUILIBRIO DINAMICO:
ID + IA = 0

positivo de la batera y se desplaza de

atomo en atomo hasta llegar al final del
cristal p, desde el cual se introduce en el
hilo conductor y llega hasta la batera.

IMAGEN 4: Equilibrio din

amico
IMAGEN 5: Union P-N en polarizacion directa

6.2 Uni
on P-N Bajo polarizaci
on
polarizaci
on directa: En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la
zona de carga espacial, permitiendo el paso de
la corriente de electrones a traves de la union;
es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Se produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a la parte P de
la union P - N y la negativa a la N. En estas
condiciones podemos observar que

CONSECUENCIAS:

IMAGEN 6: Zona de transicion

en polarizacion directa

El polo negativo de la batera repele los

electrones libres del cristal n, con lo que La barrera de potencial V disminuye
0
estos electrones se dirigen hacia la union
La reduccion de la barrera de potencial
p-n.
cuando la polarizacion es directa hace que la
El polo positivo de la batera atrae a los corriente de difusion predomine sobre la de
electrones de valencia del cristal p, es- arrastre. Esto permite que los portadores mato es equivalente a decir que empuja los yoritarios atraviesen la union, convirtiendose
entonces en minoritarios y dando lugar a una
huecos hacia la union p-n.
corriente mensurable. Se tiene, por tanto, una
Cuando la diferencia de potencial entre inyeccion de portadores minoritarios, es decir,
los bornes de la batera es mayor que la de electrones en la zona P y de huecos en la N.
diferencia de potencial en la zona de carE y W disminuyen
ga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para
La corriente de arrastre disminuye poco
saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia
INVERSA
POLARIZACION
la union p-n.
Una vez que un electron libre de la zona
n salta a la zona p atravesando la zona de
carga espacial, cae en uno de los m
ultiples huecos de la zona p convirtiendose
en electron de valencia. Una vez ocurrido esto el electron es atrado por el polo

En este caso, el polo negativo de la batera se

conecta a la zona p y el polo positivo a la zona
n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tension en dicha zona hasta que se
alcanza el valor de la tension de la batera, tal
y como se explica a continuacion:

El polo positivo de la batera atrae a los

electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en
el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida
que los electrones libres abandonan la zona n, los atomos pentavalentes que antes
eran neutros, al verse desprendidos de su
electron en el orbital de conduccion, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y atomo) y una carga electrica neta de +1, con
lo que se convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los atomos trivalentes de
la zona p. Recordemos que estos atomos
solo tienen 3 electrones de valencia, con
lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los atomos de silicio,
tienen solamente 7 electrones de valencia,
siendo el electron que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran
en la zona p, caen dentro de estos huecos
con lo que los atomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital
de valencia) y una carga electrica neta de
-1, convirtiendose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere
el mismo potencial electrico que la batera.

En esta situacion, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto
de la temperatura se formaran pares electronhueco (ver semiconductor) a ambos lados de la
union produciendo una peque
na corriente (del
orden de 1 A) denominada corriente inversa
de saturacion. Ademas, existe tambien una denominada corriente superficial de fugas la cual,
como su propio nombre indica, conduce una
peque
na corriente por la superficie del diodo;
ya que en la superficie, los atomos de silicio
no estan rodeados de suficientes atomos para
realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios
para obtener estabilidad. Esto hace que los atomos de la superficie del diodo, tanto de la zona
n como de la p, tengan huecos en su orbital
de valencia con lo que los electrones circulan
sin dificultad a traves de ellos. No obstante, al
igual que la corriente inversa de saturacion, la
corriente superficial de fugas es despreciable.
CONSECUENCIAS
0

V0 = V0 V = V0 + |V |
La barrera de potencial V0 aumenta
Corriente de difusion disminuye MUCHO (pocos portadores saltan la barrera).
E y W aumentan corriente de arrastre
aumenta POCO
Problema: Consideremos una union p-n
de silicio inicialmente polarizada en directa con
0.6 V a la temperatura de 300 K.
Supongamos que se produce un incremento
de temperatura de 10 o C. Calcule que variacion se requiere en la tension de polarizacion
directa para mantener constante la corriente a
traves de la union.
REFERENCIAS
http://books.google.com.mx//- Fsica
para la ciencia y la tecnologa, Volumen
2- Paul Allen Tipler, Gene Mosca

IMAGEN 7:Uni
on P-N en polarizaci
on inversa

http://books.google.com.mx/ -Introduccion
a la electronica cuantica - Paul Hlawiczka