Beruflich Dokumente
Kultur Dokumente
ndice
ndice....................................................................................................................................1
Lista de Figuras.....................................................................................................................2
1- Semicondutores................................................................................................................5
1.1 Estrutura Atmica.......................................................................................................5
1.2 Semicondutores Intrnsecos.......................................................................................11
1.3 Semicondutores Extrnsecos......................................................................................13
2-Dodo de Juno..............................................................................................................16
2.1 A Juno pn..............................................................................................................16
2.2 Polarizao do Dodo................................................................................................20
2.3 Curva Caracterstica do Dodo...................................................................................23
2.4 Especificaes de Potncia de um Dodo ..................................................................26
2.5 Anlise de Circuitos com Dodos Mtodo Grfico .................................................27
2.6 Aproximaes do Dodo ...........................................................................................29
2.7 Anlise de Circuitos Usando as Aproximaes de Dodos.........................................34
2.8 Dodo Emissor de Luz e Fotododo..........................................................................37
2.9 Dodo Zener .............................................................................................................41
2.9.1 Curva Caracterstica do Dodo Zener .................................................................42
2.9.2 Aproximaes do Dodo Zener..........................................................................46
2.9.3 Polarizao do Dodo Zener...............................................................................49
3-Circuitos com Dodos......................................................................................................51
3.1 Funo de Transferncia ...........................................................................................51
3.2 Circuitos Limitadores................................................................................................53
3.2.1 Limitador Superior .............................................................................................53
3.2.2 Limitador Inferior...............................................................................................58
3.2.3 Limitador a Dois Nveis......................................................................................61
3.2.4 Limitadores com Dodos Zener..........................................................................64
3.3 Circuitos Rectificadores.............................................................................................68
3.3.1 Rectificador de Meia Onda.................................................................................69
3.3.2 Rectificador de Onda Completa com Ponte de Dodos ......................................74
3.3.3 Rectificador de Onda Completa com Transformador com Ponto Mdio............77
3.4 Circuitos Rectificadores com Filtragem.....................................................................81
3.4.1 Rectificador de Meia Onda com Filtragem..........................................................82
3.4.2 Rectificador de Onda Completa com Filtragem..................................................87
3.5 Reguladores de Tenso com Zener............................................................................89
Anexo A .............................................................................................................................91
Anexo B..............................................................................................................................93
Anexo C..............................................................................................................................95
Exerccios Propostos ..........................................................................................................97
Lista de Figuras
Figura 1: Estrutura de um tomo de silcio.....................................................................................................................6
Figura 2: Movimento dos electres na estrutura atmica. a)Deslocamento para rbitas mais externas; b)
Deslocamento para rbitas mais internas. ......................................................................................................................6
Figura 3: Exemplo de uma estrutura cristalina. ..............................................................................................................7
Figura 4: Distribuio das bandas de energia num material condutor.........................................................................8
Figura 5: Distribuio das bandas de energia num isolador..........................................................................................9
Figura 6: Distribuio das bandas de energia num semicondutor..............................................................................10
Quadro 1: Resistncia elctrica de alguns materiais. ....................................................................................................11
Figura 7: Seco de um semicondutor intrnseco.........................................................................................................11
Figura 8: Movimento de lacunas versos movimento de electres ..............................................................................12
Figura 9: Dopagem com impurezas dadoras. ...............................................................................................................14
Figura 10: Dopagem com impurezas aceitadoras. .......................................................................................................15
Figura 11: Unio de um semicondutor tipo p a um tipo n..........................................................................................17
Figura 12: Processo de recombinao. ..........................................................................................................................17
Figura 13: Criao da zona de depleo. .......................................................................................................................18
Figura 14: Smbolo do dodo..........................................................................................................................................19
Figura 15: Fotografias de dodos....................................................................................................................................19
Quadro 2 : Nomenclatura europeia de atribuio de referncias a dodos. ..............................................................20
Figura 16: Polarizao do dodo: a) directa; b) inversa. ...............................................................................................20
Figura 17: Polarizao inversa do dodo.......................................................................................................................21
Figura 18: Diminuio da regio de depleo devido polarizao directa do dodo.............................................22
Figura 19: Curva Caracterstica associada polarizao inversa do dodo................................................................23
Figura 20: Curva Caracterstica associada polarizao directa do dodo................................................................24
Figura 21: Curva Caracterstica do dodo......................................................................................................................24
Figura 22: Dependncia da curva caracterstica do dodo face a variaes de temperatura. ...................................26
Figura 23: Resistncia Rs como limitador de corrente para o dodo. ........................................................................27
Figura 24: Recta de carga do circuito da Figura 23. .....................................................................................................28
Figura 25: Mtodo grfico para determinao da corrente e tenso no dodo.........................................................28
Figura 26: Exemplo da utilizao do mtodo grfico para determinao da corrente e tenso no dodo............28
Figura 27: Determinao da corrente e tenso no dodo............................................................................................29
Figura 28: Curva caracterstica do dodo ideal..............................................................................................................31
Figura 29: Curva caracterstica do dodo considerando pela 2 aproximao. ..........................................................32
Figura 30: Curva caracterstica do dodo segundo a 3 aproximao. ........................................................................33
Figura 31: Comparao entre a curva caracterstica do dodo real e as suas aproximaes. ...................................34
Quadro 3: Comparao entre os valores obtidos pelas 3 aproximaes. ..................................................................36
Figura 32: Smbolo do dodo emissor de luz. ...............................................................................................................37
Figura 70: Esquema para obteno de uma tenso contnua a partir da tenso alternada de rede elctrica. .......69
Figura 71: Rectificador de meia onda. ...........................................................................................................................70
Figura 72: Anlise de um rectificador de meia onda....................................................................................................70
Figura 73: Funo de transferncia num rectificador de meia onda. .........................................................................71
Figura 74: Formas de onda num rectificador de meia onda. a) entrada, b) sada, c)tenso inversa do dodo,
considerando o dodo como ideal..................................................................................................................................72
Figura 75: Circuito equivalente para um dodo no ideal no estado ON(a)) e funo de transferncia (b)) num
rectificador de meia onda................................................................................................................................................73
Figura 76: Formas de onda num rectificador de meia onda usando um dodo no ideal. .....................................73
Figura 77: Rectificador de onda completa usando uma ponte de dodos. ...............................................................74
Figura 78: Esquemas equivalentes quando conduz: a) D2 e D3; b) D1 e D4. ........................................................75
Figura 79: Funo de transferncia de um rectificador de onda completa. ..............................................................75
Figura 80: Formas de onda num rectificador de onda completa com ponte de dodos. .........................................76
Figura 81: Formas de onda num rectificador de onda completa usando dodos no ideais. ..................................77
Figura 82: Rectificador de onda completa usando transformador com ponto mdio.............................................78
Figura 83: Anlise de um rectificador de onda completa usando transformador com ponto mdio.....................78
Figura 84: a),b) formas de onda no secundrio do transformador. c) Onda de sada. d), e)tenso inversa
suportada pelos dodos num rectificador de onda completa com transformador com ponto mdio. ..................79
Figura 85: Formas de onda num rectificador de onda completa usando dodos no ideais. .................................80
Quadro 4: Comparao entre os trs tipos de rectificadores estudados. ..................................................................80
Figura 86: Filtro usado em circuitos rectificadores.....................................................................................................82
Figura 87: Rectificador de meia onda com filtragem..................................................................................................82
Figura 88: Formas de onda num rectificador de meia onda com filtragem.............................................................83
Figura 89: Aproximao usada no clculo da tenso de ripple, que considera carga do condensador instantnea. 85
Figura 90: rea que corresponde ao clculo do valor mdio da onda de sada num rectificador de meia onda
com filtragem. ..................................................................................................................................................................86
Figura 91: Rectificadores de onda completa com filtragem. a) usando ponte de dodos, b) usando
transformador com ponto mdio. .................................................................................................................................87
Figura 92: Formas de onda num rectificador de onda completa com filtragem. ....................................................87
Figura 93: Aproximao que considera a carga do condensador instantnea..........................................................88
Quadro 5: Comparao entre os dois tipos de rectificadores com filtragem abordados.........................................89
Figura 94: Regulador de tenso com zener..................................................................................................................90
Figura 95: Regulador de tenso com zener..................................................................................................................90
Figura 96: Formas de onda num regulador de tenso. a) tenso na sada do rectificador com filtragem. b)
tenso na carga.................................................................................................................................................................90
Figura 97: Exemplo de onda sinusoidal.......................................................................................................................91
Figura 98: Enrolamentos do transformador................................................................................................................93
Figura 99: Transformadores sem ponto mdio a) e com ponto mdio b)...............................................................94
Figura 100: Smbolo do Condensador..........................................................................................................................95
Figura 101: Exemplo de carga e descarga de um condensador. ................................................................................96
1- Semicondutores
A indstria electrnica cresceu incrivelmente desde a descoberta dos semicondutores. Antes
destes, recorrendo ao uso de vlvulas, os circuitos electrnicos ocupavam muito mais espao
e exigiam uma constante manuteno. O semicondutor actualmente um material chave na
indstria electrnica. Mesmo aps sua descoberta, a sua miniaturizao no parou, pondo
em questo se haver um limite para a micro electrnica.
Os dispositivos que utilizam semicondutores so hoje utilizados em todo tipo de circuitos.
Os exemplos mais claros so o dodo, o transstor e os circuitos integrados (CIs),
dispositivos imprescindveis na fabricao e desenvolvimento de equipamentos e sistemas
electrnicos.
Os semicondutores so um tipo de material adequado conduo. Para melhor se entender
a sua constituio ser feito um estudo sobre a sua estru tura atmica e cristalina.
rbita de
valncia
Electres
4+
Ncleo
Para um electro se deslocar para uma rbita exterior que se encontra, necessrio
fornecer-lhe energia (Figura 2 a)). Pelo contrrio, quando um electro se desloca para uma
rbita mais interna libertada energia (Figura 2 b)). Esta energia (fornecida ou libertada)
pode ser transferida sob a forma de calor, luz ou sob outra forma de radiao.
A rbita exterior designada por rbita de valncia e a que assume maior importncia no
mbito dos fenmenos qumicos e fsicos. Os electres que se encontram nesta rbita so
designados por electres de valncia. No caso do silcio (Figura 1) a sua rbita de valncia
possui 4 electres, o que significa que o silcio tem 4 electres de valncia e o faz pertencer
ao Grupo IV da tabela peridica. Por ter 4 electres de valncia o silcio diz-se tetravalente.
Energia
Luminosa
Energia
Calor ou
Electricidade
a)
b)
Figura 2: Movimento dos electres na estrutura atmica. a)Deslocamento para rbitas mais externas;
b) Deslocamento para rbitas mais internas.
Na Figura 3 mostra -se um extracto de uma estrutura cristalina de silcio. Cada tomo partilha
com os tomos vizinhos os seus 4 electres de valncia de tal forma que a cada ncleo esto
associados 8 electres na rbita mais externa. Forma -se assim uma estrutura cristalina
tridimensional (cada tomo est ligado a outros quatro). Os electres das camadas internas
giram em torno do ncleo.
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
Condutores
Os materiais condutores so materiais que oferecem pouca resistncia passagem de
corrente elctrica. Esta caracterstica advm do facto de a rbita de valncia ter um nvel
muito baixo de energia. O que significa que uma pequena quantidade de energia suficiente
para que um electro de valncia se separe do seu tomo e se torne livre. Estando neste
estado ele movimenta-se livremente no interior do material.
Existe ainda uma terceira banda de energia denominada Banda Proibida. Nesta banda no
existem electres livres.
No caso de um material condutor, no existe banda proibida. A banda de conduo e de
valncia sobrepem-se j que com facilidade um electro passa duma banda para a outra.
Assim que surgir um campo elctrico os electres esto livres para se movimentarem na
estrutura. A Figura 4 mostra a distribuio destas bandas num material condutor.
Banda de
Conduo
Banda de
Valncia
Como exemplo de um material condutor temos o ferro e o cobre. Este ltimo tem um s
electro na banda de valncia, que se solta com facilidade. Sendo livre contribui para a
conduo no material.
Isoladores
Os materiais isoladores praticamente no permitem a passagem de corrente elctrica. A
rbita de valncia tem uma energia muito alta que leva a que os electres de valncia estejam
fortemente ligados aos seus tomos. A energia fornecida quase sempre insuficiente para
que os electres saltem para a Banda de Conduo. Como podemos observar pela Figura 5, a
Banda Proibida muito grande e de elevada energia (6eV1). Isto significa que para que um
electro passe da banda de valncia para a de conduo ter de adquirir esta energia.
Num material isolador so poucos os electres que se conseguem soltar do tomo e
tornarem-se electres livres.
O material isolante mais comum a borracha, embora seja um compsito. Na natureza
encontramos por exemplo o mrmore.
Banda de
Conduo
Eg=6eV
Banda de
Proibida
Banda de
Valncia
Semicondutores
Os materiais semicondutores encontram-se entre os condutores e os isoladores. Estes
materiais tm uma Banda Proibida relativamente pequena e de baixa energia (1eV). Se os
electres adquirirem energia suficiente para passarem banda de conduo o material fica
com as propriedades de um condutor.
A baixas temperaturas, estes materiais comportam-se como isoladores, mas com o aumento
da temperatura quebram-se algumas ligaes covalentes fazendo com que surjam electres
livres.
Banda de
Conduo
Electres
livres
Banda de
Proibida
Eg=1eV
Lacunas
Banda de
Valncia
Silcio (Si)
Germnio (Ge)
Para classificarmos um material numa das trs categorias focadas, necessrio medir a
resistncia elctrica do material em causa. A segunda lei de ohm diz que a resistncia elctrica
de um material, a uma dada temperatura dada por:
R = .
l
S
(1.1)
onde,
R a resistncia elctrica, medida em ohms [],
l o comprimento do material em metros [m],
S a rea do material em metros quadrados [m2] e
a resistividade do material [ . m2] / [m].
10
Material
Cobre
10 -6
Ferro
10 -4
Silcio
entre 1 e 10 7
Germnio
entre 1 e 10 8
Mrmore
maior que 10 12
Quadro 1: Resistncia elctrica de alguns materiais.
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
11
Electro livre
Lacuna
Mas, o inverso tambm pode acontecer, isto um electro preencher o lugar de uma lacuna,
restabelecendo a ligao covalente. A este processo d-se o nome de recombinao.
Atendendo a que as lacunas e os electres aparecem e desaparecem aos pares, o nmero de
electres livres igual ao nmero de lacunas, num semicondutor intrnseco.
Numa estrutura cristalina com electres livres, estes movem-se livremente na estrutura. O
seu movimento perfeitamente aleatrio e a corrente mdia que geram nula.
Pelo contrrio, quando se aplica uma diferena de potencial (ou tenso elctrica ou campo
elctrico) aos extremos de um semicondutor de silcio ou germnio os electres passam a ter
um movimento orientado. Deslocam-se no sentido do potencial elctrico maior (para o lado
positivo da fonte). Este movimento define uma corrente mdia.
Quando um electro se solta do tomo este, como fica instvel, atrai outro electro. O que
faz com que haja tambm um movimento de lacunas no sentido contrrio ao dos electres.
Por observao da Figura 8 vemos que surge uma corrente originada por dois fenmenos: o
movimento de electres livres e o movimento de lacunas, sendo o movimento das lacunas
contrrio ao movimento dos electres.
12
13
Semicondutor tipo n
Um semicondutor tipo n assim denominado devido a ter electres livres em excesso. Tal
conseguido atravs da dopagem do material com tomos pertencentes ao grupo V da tabela
peridica. Como o caso do:
Antimnio (Sb)
Fsforo (P)
Arsnico (As)
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+5
+4
Impureza
+4
+4
+4
+4
Electro livre
14
Semicondutor tipo p
Um semicondutor do tipo p dopado com tomos do Grupo III da tabela peri dica e que
tm 3 electres na rbita de valncia. So exemplo de materiais deste grupo:
Boro (B)
Glio (Ga)
ndio (In)
Quando se ligam a tomos do Grupo IV (Si) a tomos do grupo III "falta" um electro de
valncia. Ento vai sobrar uma lacuna. A Figura 10 exemplifica a situao descrita. Como
provocam um aumento do nmero de lacunas no semicondutor, as impurezas do Grupo III
so denominados impurezas do tipo p ou aceitadoras.
Estas lacunas em excesso constituem os portadores maioritrios no semicondutor tipo p,
enquanto os electres constituem os portadores minoritrios.
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+3
+4
Lacuna
+4
+4
+4
+4
Impureza
15
Ora, num semicondutor extrnseco apenas podemos ter correntes de deriva. Para criarmos
correntes de difuso preciso criar numa mesma estrutura cristalina duas concentraes
opostas. Uma com electres em excesso e outra com lacunas em excesso. A soluo passa
ento pela utilizao conjunta de semicondutores extrnsecos do tipo n e p. A unio de uma
placa do tipo p com outra do tipo n j permite o fluxo de correntes de difuso. A unio
destas duas placas semicondutores origina a chamada juno pn dando origem a um
dispositivo semicondutor de larga utilizao o dodo de juno.
2-Dodo de Juno
O dodo semicondutor de juno um dispositivo usado numa grande variedade de
circuitos. Tal como referido anteriormente, formado pela unio de materiais do tipo n e p
construdos a partir da mesma base de silcio ou germnio. Seguidamente faremos um estudo
do comportamento do dodo de juno.
2.1 A Juno pn
A juno pn formada pela unio de materiais do tipo n e p construdos a partir da mesma
base de silcio ou germnio (Figura 11).
No instante em que os dois materiais so unidos, os electres e lacunas prximos da juno
vo-se atrair. Cada vez que um electro atravessa a juno ele cria io neutro. medida que
este nmero de
i es cresce a regio prxima da juno fica sem electres livres e sem
lacunas, isto , cria-se uma regio sem portadores livres. Ao processo do electro preencher
uma lacuna, d -se o nome de recombinao ( Figura 12).
16
regiotipo p
regiotipo n
-
+
ies aceitadores
(-)
ies dadores
(+)
lacuna
s
electres
regio tipo p
Portadores maioritrios: lacunas
Portadores minoritrios: electres
ies aceitadores
(-)
lacuna
s
regio tipo n
Portadores maioritrios: electres
Portadores minoritrios: lacunas
ies dadores
(+)
electres
17
uma barreira de potencial. O campo elctrico gerado aponta das cargas (ies) positivas para
as negativas. A 25, esta barreira de 0,7V para o silcio e 0,3V para o germnio.
Zona de depleo
regio tipo p
regio tipo n
+
ies aceitadores
(-)
lacuna
s
iesneutros
ies dadores
(+)
electres
Ora se existe uma barreira de potencial favorece-se o processo de deriva que se ir opor ao
processo de difuso.
As correntes de deriva permitem que um portador minoritrio cruze a juno atrado pela
barreira de potencial de carga oposta, isto , um electro livre do lado p (portador minoritrio
do lado p) pode cruzar a juno e chegar ao lado n. Este movimento cria uma corrente de
electres do lado p para o lado n. A corrente de difuso tem o sentido oposto. a corrente
que surge quando os electres atravessam a juno vindo do lado n para o lado p por haver
um gradiente de concentrao de portadores diferentes de ambos os lados da juno.. H um
instante em que as correntes de deriva e difuso se equilibram, terminando com a
movimentao de cargas e formando um dispositivo estvel no estado slido.
Este dispositivo, que no mais que a juno pn descrita, adquire vulgarmente a
denominao de dodo semicondutor de juno ou mais simplesmente dodo de juno.
O smbolo usado para o dodo mostrado na Figura 14. O nodo corresponde parte da
juno do tipo p e o ctodo do tipo n.
Devido barreira de potencial existente este dispositivo tem polaridade. A corrente elctrica
desloca-se do lado p para o lado n. Se for feita uma analogia entre o smbolo do dodo e uma
18
seta ser fcil perceber que a corrente se desloca no sentido em que a seta aponta (da
esquerda para a direita).
nodo
Ctodo
19
1 Letra
2 Letra
N de Srie
3 algarismos:
A : Dispositivo de
Germnio
aplicaes em
aparelhos domsticos
1 letra + 2 algarismos:
N : Opto-acoplador
-
C : Dispositivo de
Arsenieto de Glio
aplicaes em aparelhos
profissionais
Y: Dodo rectificador
Z: Dodo zener
Contactos
hmicos
P
Contactos
hmicos
V
I
V
I
a)
b)
Figura 16: Polarizao do dodo: a) directa; b) inversa.
20
Polarizao Inversa
Tal como referido, um dodo encontra-se inversamente polarizado quando o terminal
positivo da fonte de tenso ligar ao ctodo e o negativo ao nodo (Figura 16 b)). A fonte
montada desta forma favorece o aumento da zona de depleo. As lacunas do lado p atraem
ao terminal negativo da fonte de tenso e os electres do lado n atraem ao terminal positivo
da fonte. Desta forma os portadores maioritrios so afastados da juno, o que diminui o
fluxo de portadores maioritrios atravs da juno e aumenta a regio de depleo. Por outro
lado esta situao favorece a movimentao de portadores minoritrios. Os electres, que
so portadores minoritrios do lado p, tendem agora a atravessar a juno para se afastar do
terminal negativo da fonte de tenso. Esta movimentao dos portadores minoritrios forma
uma pequena corrente denominada por corrente inversa de saturao (ou corrente de fuga).
A Figura 17 mostra um dodo de juno inversamente polarizado.
Zona de depleo
regiotipo p
regio tipo n
+
ies aceitadores
(-)
lacuna
s
ies neutros
ies dadores
(+)
electres
V
Figura 17: Polarizao inversa do dodo.
Surgem choques entre os electres livres e os electres das ligaes covalentes que provocam
a destruio da estrutura cristalina. O valor de tenso a partir do qual se d a destruio do
dispositivo chama-se tenso de ruptura e depende de dodo para dodo.
Polarizao Directa
Um dodo encontra-se directamente polarizado quando o terminal positivo da fonte de
tenso ligar ao nodo e o negativo ao ctodo (Figura 16 a)). A fonte montada desta forma
provoca uma diminuio da zona de depleo, j que os electres do lado n so repelidos
pelo terminal negativo da fonte de tenso e empurrados para a juno e as lacunas do lado p
so encostadas juno e tendem a penetrar nesta. Esta diminuio da zona de depleo
favorece o fluxo de portadores maioritrios. A Figura 18 mostra este fenmeno.
Zona de depleo
regio tipo p
regio tipo n
+
ies aceitadores
(-)
lacuna
s
ies neutros
ies dadores
(+)
electres
V
Figura 18: Diminuio da regio de depleo d evido polarizao directa do dodo.
22
criado pela zona de depleo. Mas quando a tenso externa atinge a tenso da barreira de
potencial, vencida a barreira de potencial e isto possibilita um fluxo intenso de electres do
lado n para o p.
Assim, o fluxo livre de electres de um lado para o outro s ter efeito quando a tenso da
fonte atingir o valor da tenso criada pela zona de depleo. Ou seja quando a tenso da
fonte for 0.7 Volts se se tratar de um dodo de silcio e 0.3 Volts se for de germnio. Assim
que a fonte atingir este valor portadores maioritrios (electres livres e lacunas) comeam a
atravessar a juno em grandes quantidades, dando origem a uma corrente no sentido p - n
(corrente directa). A tenso a partir da qual a corrente aumenta rapidamente denominada
tenso de arranque, de limiar ou tenso de joelho e toma o valor de 0,7 Volts para o silcio e
de 0,3 Volts para o germnio.
Polarizao Inversa
Quando o dodo est inversamente polarizado a corrente praticamente nula. Existe
somente uma corrente de fugas de valor muito baixo, assinalada na Figura 19.
a)
b)
23
Polarizao Directa
Tal como referido, quando o dodo se encontra directamente polarizado, a partir da tenso
de arranque (V) a corrente aumenta rapidamente. Este aumento do fluxo de portadores
maioritrios na juno exponencial, tal como mostra a Figura 20 b).
a)
b)
A curva caracterstica completa do dodo ser ento a dada pela Figura 21.
Ao contrrio de outros dispositivos elctricos, como o caso das resistncias, o dodo no
tem um comportamento linear.
qVd
.
I D = I 0 e.K .T 1
(1.2)
24
em que,
ID a corrente total no dodo,
I0 a corrente inversa de saturao, Ifugas
q a carga do electro,
V D tenso aplicada ao dodo,
uma constante emprica que toma o valor 1 para o Germnio e 2 para o Silcio,
K a constante de Boltzmann e
T - temperatura em Kelvin.
Considerando V T como uma tenso equivalente de temperatura dada por:
VT =
T
11600
(1.3)
onde T temperatura (em Kelvins) a equao (1.2) passa a ser equivalente equao (1.4).
VD
I D = I0 e VT
(1.4)
(1.5)
25
ID
T2
T1
-2mV/C
T 2>T 1
VD
Figura 22: Dependncia da curva caracterstica do dodo face a variaes de temperatura.
Por outro lado, cada vez que a temperatura aumenta 10C a corrente I0 duplica. Conhecida I0
temperatura T1 (I01) pode calcular-se I0 a qualquer temperatura T usando a expresso (1.6).
I 0 (T ) = I 01 2(T T1)/10
(1.6)
(1.7)
onde V a tenso aos terminais do dodo e I a corrente que o percorre. Em situao alguma
a potncia mxima poder ser ultrapassada j que alm de provocar um aquecimento
excessivo do dispositivo, altera a estrutura do material e por conseguinte as suas
propriedades.
As potncias mximas dos dodos no variam muito de dodo para dodo dentro da mesma
categoria. Os dodos esto divididos em duas categorias, os dodos de pequenos sinais, em
que a potncia mxima est abaixo de 0,5W e os dodos rectificadores3, que suportam
potncias bastante acima de 0,5W.
26
RS
ID
Vi
+
VD
-
Vi + RS I D + VD = 0
(1.8)
ID =
+Vi VD
RS
(1.9)
Pela expresso da equao (1.9) verificamos que quanto maior for RS menor ser ID.
As expresses das equaes (1.8) e (1.9) correspondem a uma recta, denominada recta de
carga do circuito e mostrada na Figura 24.
27
ID
Vi/ RS
VD
Vi
Vi/ RS
Q
ID
VD
Vi
VD
Se for dado o valor da tenso Vi e da resistncia Rs ser ento possvel determinar a corrente
e a tenso no dodo. Vejamos o seguinte exemplo, onde fornecido o circuito e a curva
caracterstica do dodo.
Figura 26: Exemplo da utilizao do mtodo grfico para determinao da corrente e tenso no dodo.
28
Para calcular a tenso (VD) e a corrente (ID) que passam pelo dodo, teremos de escrever a
equao da recta de carga. Esta ser:
2 + 0,1k I D +VD = 0
(1.10)
Se V D =0, ID ser 20mA e se ID =0, VD ser 2V. Sobrepondo esta recta curva caracterstica
do dodo verificamos que a interseco se verifica para VD=1,75V e ID= 2,5mA, que so
respectivamente a tenso e corrente no dodo.
29
1 Aproximao
A 1 aproximao define o dodo como ideal. O que significa que quando este se encontra a
conduzir se comporta como um dispositivo ideal. Se est a conduzir (ON) o seu
comportamento o de um curto circuito, o que equivale a uma resistncia directa4 nula. Se
no est a conduzir (OFF) comporta-se como um circuito aberto, ou seja tem uma
resistncia inversa infinita5. As figuras seguintes elucidam o exposto.
Dodo ON
ron =0
roff =
Dodo OFF
Resistncia que surge quando aplicada uma tenso no dodo no sentido de conduo deste. geralmente
um valor muito baixo (da ordem dos poucos s).
5
Resistncia que surge quando aplicada uma tenso no sentido contrrio ao de conduo do dodo. Tem
normalmente um valor muito elevado (da ordem dos Ms) e diminui medida que a tenso aplicada se
aproxima da tenso de ruptura.
30
Ento o dodo estar ON para VD 0 e OFF para VD < 0 . O que corresponde curva
caracterstica mostrada na Figura 28. Comparando esta curva com a curva real, apresentada
na Figura 21, verifica-se que esta somente uma aproximao grosseira. Assim, esta
aproximao deve ser aplicada somente quando se faz uma anlise pouco rigorosa ao
comportamento dos circuitos.
2 Aproximao
A 2 aproximao difere da 1 na medida em que considera o facto de o dodo necessitar no
de zero Volts para iniciar a conduo mas sim de 0,7 Volts. Quando o dodo se encontra a
conduzir (ON) equivalente a uma fonte de tenso de valor igua l ao da tenso de arranque
V (0,6 ou 0,7 Volts no caso do silcio e 0,2 ou 0,3 Volts no caso do germnio), no sentido
nodo-ctodo. Quando no est a conduzir (OFF) comporta-se como um circuito aberto, ou
seja tem uma resistncia inversa infinita.
31
Dodo ON
ron =0
roff =
Dodo OFF
Ento o dodo estar ON para VD V e OFF para VD < V . O que corresponde curva
caracterstica mostrada na Figura 29.
3 Aproximao
Esta a aproximao mais real. a que apresenta um menor desvio face apresentada na
Figura 21. Esta aproximao considera a resistncia interna do dodo no seu modelo. Assim,
quando o dodo se encontra a conduzir (ON) ser equivalente a uma fonte de tenso de
valor igual ao da tenso de arranque V, em srie com uma resistncia di recta (resistncia
interna do dodo). semelhana das aproximaes anteriores, quando no est a conduzir
(OFF) comporta-se como um circuito aberto, ou seja tem uma resistncia inversa infinita.
32
Dodo ON
Dodo OFF
roff =
Ento o dodo estar ON para VD V e OFF para VD < V . O que corresponde curva
caracterstica mostrada na Figura 30. De notar que quanto menor for o valor da resistncia
interna do dodo mais inclinada ser a recta obliqua na figura. Se esta resistncia for prxima
de zero a curva da 3 aproximao assemelha-se da 2 aproximao.
1 Aproximao
2 Aproximao
3 Aproximao
Figura 31: Comparao entre a curva caracterstica do dodo real e as suas aproximaes.
34
No circuito da figura o dodo est directamente polarizado, j que o nodo liga ao terminal
positivo da fonte e o ctodo ao negativo. Mas o facto de estar directamente polarizado no
significa que o dodo esteja ON. Ele pode estar directamente polarizado e no ter aos seus
terminais uma tenso suficiente para vencer a tenso de arranque.
Para verificar o estado do dodo retiramo-lo do circuito e calculamos a tenso aos seus
terminais VD.
Estando o circuito aberto no existe corrente no circuito (repare que no existe nenhuma
malha fechada e por isso a corrente no pode circular do terminal positivo ao negativo), e
no havendo corrente, no existe queda de tenso na resistncia Rs. Assim, VD ter os
mesmos 10V de Vs (VD = VS ).
Se usarmos a 1 aproximao, sabemos que o dodo conduz a partir de zero volts. Como
De acordo com o circuito obtido, e usando lei das malhas para o analisar vem que:
35
VS + RS I D = 0 I D =
VS 10
=
= 2mA
RS 5k
Onde,
VS + RS I D + V = 0 I D =
VS V 10 0,7
=
= 1,86mA .
RS
5k
VS + RS I D + V + ron I D = 0 I D =
VS V 10 0,7
=
= 1,84mA .
RS + ron 5 k + 50
Aproximao
ID
2mA
1,86mA
1,84mA
36
O resultado mais prximo do real ser com certeza o fornecido pela 3 aproximao, mas o
resultado mais fcil de obter, devido a simplificar fortemente a anlise do circuito o da 1
aproximao. No entanto apresenta um desvio significativo em relao 3 aproximao
(2mA-1,84mA=0,16mA).
Repare que o resultado da 2 aproximao est muito prximo do da 3 aproximao
(1,86mA-1,84mA=0,02mA), e a anlise pela 2 aproximao substancialmente mais
simples. Por isso a aproximao mais usada na anlise de circuitos com dodos a 2.
37
Existem LED's de vrias cores tais como amarela, verde, vermelha, al ranja ou azul. Na
Figura 33 apresenta-se uma fotografia com alguns LEDs de cor. Os LEDs tm polaridade.
O encapsulamento do LED circular tendo junto a uma extremidade um corte. A esse corte
corresponde o lado positivo (nodo). Normalmente tambm a extremidade mais comprida
indica o nodo.
Tal como referido um LED s emite luz quando directamente polarizado. O seu
comportamento semelhante ao de um dodo normal, i.e, a curva caracterstica do LED
tambm a mostrada na Figura 21, no entanto existe uma diferena na tenso de arranque.
Dependendo da cor do LED a tenso de arranque (tenso a partir da qual o LED conduz)
est compreendida entre 1,5V e 2,5V. J a corrente que atravessa um LED deve variar entre
10 e 50mA. Como esta corrente depende da tenso de alimentao aplicada, normalmente
necessrio dimensionar uma resistncia que limite a corrente. Assim, a polarizao de um
LED semelhante de um dodo normal e dada pelo esquema da Figura 23.
Para analisar circuitos com LEDs usa-se normalmente a 2 aproximao. O dodo estar ON
para valores de tenso aos seus terminais iguais ou superiores tenso de arranque, e neste
caso ser equivalente a uma fonte de tenso de valor igual a esta. E star OFF para valores de
tenso aos seus terminais inferiores tenso de arranque, sendo equivalente a um circuito
aberto.
Os LEDs tm diversas aplicaes no campo da electrnica, essencialmente devido a
necessitarem de uma tenso de arranque relativamente baixa, a apresentarem grande
durabilidade e a possurem uma resposta rpida em circuitos de comutao (nanosegundos).
38
39
A curva caracterstica de um fotododo mostrada na Figura 35. Quanto mais intensa for a
luz na juno, maior ser a corrente inversa no dodo.
fotododo
um
componente
importante
na
optoelectrnica.
Os
circuitos
40
transmisso de sinais entre dois sistemas. O acoplamento ptico entre o LED e o fotododo
tanto pode ser feito dentro de um circuito integrado como distncia, como o caso de
quando um colocado no incio de uma ligao em fibra ptica e o outro no final da mesma
ligao.
41
tenso, ou noutras aplicaes onde se exige uma tenso de referncia constante. Possuem
tambm capacidades de dissipao de potncia melhoradas em relao aos dodos normais.
A Figura 36 mostra o smbolo utilizado para o dodo Zener.
ON Directamente Polarizado
ON Inversamente Polarizado
OFF
42
O dodo ir conduzir desde que seja superada a sua tenso de arranque V ( VD V ). Nesta
situao ele ir comportar-se como um dodo normal e o seu comportamento o descrito
pelo 1 o quadrante da curva caracterstica da Figura 37.
Estar inversamente polarizado quando a tenso Vi tiver aplicada no sentido de conduo
inversa do dodo (terminal positivo ligado ao ctodo e negativo ao nodo), numa
configurao semelhante apresentada na Figura 39.
O dodo ir conduzir desde que seja superada a sua tenso de zener Vz. A tenso Vz,
tambm denominada tenso de zener uma caracterstica de cada dodo zener e por isso
existe um nmero limitado de tenses Vz. Existem, por exemplo, zeners de 3.3V, 3.9V,
6.2V, 9.1V 16V, 18V, etc.
43
Se por exemplo um dodo zener de 12V (Vz=12V) admite como potncia mxima 400mW,
ele suportar uma corrente mxima, a I Z max =
400mW
= 33,3mA .
12
Se se pretender que o zener funcione com um dado valor de corrente, basta dimensionar a
resistnci a R. da Figura 39. em funo de Vi e Vz.
44
Como qualquer dispositivo electrnico tambm o dodo zener oferece uma pequena
resistncia passagem de corrente. A esta resistncia chamamos resistncia dinmica do
zener (rz) ou simplesmente resistncia de zener.
Foi anteriormente referido que o zener quando se encontra inversamente polarizado
mantm uma diferena de potencial aos seus terminais aproximadamente fixa e igual a Vz,
mas percorrido por uma corrente varivel. Na realidade a tenso no fixa porque existe
uma pequena variao dada por rz I z . Se num dado circuito a corrente variar de um valor
1
devido resistncia dinmica do zener.
rz
Quanto menor o valor de rz, mais constante ser a tenso de zener com as variaes da
corrente.
Se a tenso aos terminais do dodo zener no o polarizar nem directamente nem
inversamente, diz-se que o dodo est OFF, o que acontece para VZ < VD < V .
45
ron =0
ron =0
roff =
46
rz =0
2 Aproximao do Zener
A 2 aproximao do dodo zener considera que caso o dodo esteja inversamente polarizado
ele ser equivalente a uma fonte de tenso de valor igual sua tenso de zener em srie com
a sua resistncia dinmica.
47
Neste caso a tenso aos terminais do zener (Vtotal) ir variar em funo da corrente que o
percorre j que Vtotal = VZ + rZ I Z . A curva caracterstica correspondente 2 aproximao
representada na Figura 43.
Na maioria dos casos utilizada a 1 aproximao, j que como rz toma normalmente valores
muito baixos no muito grave negligenciar-se a queda de tenso que provoca. Vejamos o
seguinte exemplo.
48
Para estar ON inversamente polarizado, o zener precisa que a queda aos terminais seja pelo
menos 10V que o valor da sua tenso de zener. Como 20V conclumos que ele vai estar
ON inversamente polarizado.
a) substituindo o dodo por uma fonte de tenso de valor Vz, verificamos facilmente que
Vo=Vz=10V.
b) substituindo o dodo por uma fonte de tenso de valor Vz em srie com a resistncia rz,
verificamos que VO = VZ + rZ I Z . Fazendo uma malha do circuito calculamos facilmente a
corrente IZ.
VS + RS I Z + VZ + rZ I Z = 0 I Z =
VS VZ
= 12,1 mA
R S + rZ
Se Vs ou Rs variarem, a corrente no zener, Iz, vai variar entre IZmin e IZmax, mantendo a
tenso Vz praticamente constante aos seus terminais.
49
semelhana da anlise feita para dodo semicondutores, tambm nos circuitos elctricos
com zeners podemos traar a recta de carga do circuito. Que no caso do circuito da Figura
44 :
VS = RS I Z + V Z
(1.11)
Nas figuras seguintes mostra-se o efeito que a variao de VS (Figura 45) e RS (Figura 46)
provoca na recta de carga. A tenso aos terminais do zener mantm-se praticamente
constante mas a corrente que o percorre varia.
50
VO =
R2
Vi
R1 + R2
(1.12)
51
Se
R2
= k ficamos com:
R1 + R2
VO = k Vi
(1.13)
Vo
m=1
Vi
Vi
52
VD 0 Diodo ON
Se
VD < 0 Diodo OFF
(1.14)
53
VD = VA VB = VRef Vi
(1.15)
VRef Vi 0 Diodo ON
Vi VRef Diodo ON
Se
Se
Vi > VRef DiodoOFF
VRef Vi < 0 Diodo OFF
(1.16)
Ento o circuito ir comportar-se de forma distinta consoante Vi seja maior ou menor que
V Ref. Caso Vi VRef o dodo estar ON e substituindo-o pelo seu modelo equivalente (1
aproximao) o circuito fica:
54
VO = Vi
(1.17)
Caso Vi > VRef o dodo estar OFF e substituindo-o pelo seu modelo equivalente o circuito
fica:
Figura 51: Circuito equivalente para o dodo OFF num limitador s uperior.
Nesta situao a tenso de sada, Vo no depende da tenso de entrada, Vi uma vez que
existe um circuito aberto a separar as duas tenses. A tenso Vo ser simplesmente a tenso
de referncia, VRef uma vez que no havendo corrente no circuito a queda de tenso na
resistncia R nula. Podemos, ento escrever:
VO = VRef
(1.18)
55
Vo
Vo
Va
VRef
VRef
t0 t 1 t2
Vi
t3
-Va
Va
-Va
t0 t 1 t 2
Vi
t3
t
Figura 52: Funo de transferncia, sinal de entrada e sinal de sada de um limitador superior.
Observando a forma de onda do sinal de sada, Vo, verificamos que o sinal se apresentar
limitado superiormente, tomando o limite o valor de VRef.
O circuito da Figura 53, embora diferente do apresentado na Figura 48, tambm um
limitador superior.
R
D
Vi
VL
Vo
Considerando o dodo como ideal, se a tenso aplicada entrada inferior a VL, o dodo
estar OFF, sendo equivalente a um circuito aberto. Nesta situao a tenso de sada ser
56
igual de entrada. Se a tenso aplicada entrada for superior a VL o dodo ser equivalente a
um curto-circuito e a tenso de sada Vo ser igual a VL. O circuito ter igualmente como
funo de transferncia a apresentada na Figura 52.
Se no considerarmos o dodo ideal e usarmos a 2 aproximao a anlise ser em tudo
semelhante que foi feita para o circuito da Figura 48. Comeamos por retirar o dodo e
marcar a tenso VD.
Se considerarmos a 2 aproximao do dodo ele conduz desde que a tenso aos seus
terminais, VD, atinja a tenso de arranque V. Caso contrrio estar OFF. Ento podemos
escrever que:
VD V Diodo ON
Se
VD < V Diodo OFF
(1.19)
A queda de tenso VD dada pela diferena entre Vo e VL. Como no existe corrente no
circuito, no existe queda de tenso na resistncia R e Vo=Vi. Ento,
VD = Vi VL
(1.20)
Vi VL V Diodo ON
Se
Se
Vi VL < V Diodo OFF
Vi VL + V Diodo O N
Vi < VL + V DiodoOFF
(1.21)
Ento iro surgir dois circuitos equivalentes. Um quando o dodo est ON (Figura 54 a)) e
outro quando est OFF (Figura 54 b)).
a)
b)
Figura 54: Circuito equivalente num limitador superior. a) para o dodo ON ; b) para o dodo OFF
57
(1.22)
Diodo OFF VO = Vi
A equao (1.22) vai permitir a construo da funo de transferncia do circuito que dada
pela Figura 55.
Vo
V L+V
V L+V
Vi
Seguindo uma anlise semelhante efectuada para o limitador superior comeamos por
retirar o dodo do circuito e marcar aos seus terminais uma tenso VD. O circuito resultante
o apresentado na Figura 57.
58
Se considerarmos o dodo como ideal ele conduzir desde que a tenso aos seus terminais,
V D, atinja zero volts. Caso contrrio estar OFF. Ento podemos escrever que:
V 0 Diodo ON
Se D
VD < 0 Diodo OFF
(1.23)
(1.24)
Vi VRef 0 Diodo ON
Vi VRef Diodo ON
Se
Se
Vi < VRef Diodo OFF
Vi VRef < 0 Diodo OFF
(1.25)
(1.26)
Caso Vi < Vref o dodo estar OFF e substituindo-o pelo seu modelo equivalente o circuito
fica igual ao da Figura 51.
59
Nesta situao, uma vez que no h corrente no circuito e a queda de tenso na resistncia R
nula e Vo dado por,
VO = VRef
(1.27)
VRef
Vi
Vi
VRef
t
Vo
VRef
t
Figura 59: Sinais de entrada e sada de um limitador inferior.
60
VR1
D2
Vo
VR2
Vi
V D1
VR 1
V D2
VR 2
Vo
Se considerarmos os dodos como ideais iro conduzir desde de que a tenso aos seus
terminais, VD, atinja zero volts. Caso contrrio estaro OFF. Ento podemos escrever que:
V 0 Diodo1 ON
Se D 1
VD 1 < 0 Diodo1 OFF
VD 2 0 Diodo2 ON
Se
VD 2 < 0 Diodo2 OFF
(1.28)
61
VR 1 Vi 0 Diodo1 ON
Vi VR 1 Diodo1 ON
Se
VR 1 Vi < 0 Diodo1 OFF
Vi > V R1 Diodo1 OFF
Vi VR 2 0 Diodo2 ON
Vi VR 2 Diodo2 ON
Se
Vi VR 2 < 0 Diodo2 OFF
Vi < VR 2 Diodo2 OFF
(1.29)
Diodo1 ON
Situaao 1
Vi VR1
Diodo2 OFF
Diodo1 OFF
Se VR 1 < Vi < VR 2
Situaao 2
Diodo 2 OFF
Diodo1 OFF
Vi VR 2
Situaao 3
Diodo2 ON
(1.30)
Vi
VR1
VR2
Vo
62
Vi
VR1
VR2
Vo
Vi
VR1
VR2
Vo
Atravs nas 3 situaes descritas ser possvel construir a funo de transferncia do circuito
que dada pela Figura 62. Nesta mesma figura apresenta-se o sinal de sada, Vo quando se
introduz na entrada do sistema um sinal sinusoidal.
Vo
Vo
m=1
VR2
Vo
VR1
VR1 VR2
Vi
Vi
63
Fazendo a anlise do circuito, comeamos por retirar o dodo e marcar uma tenso VD aos
seus terminais.
Pela Figura 64, conclumos que VD = Vi (a queda de tenso em R nula, j que no existe
no circuito nenhuma malha fechada), ento se:
64
(1.31)
Situao 2
Situao 3
VO = V
VO = Vi
VO = VZ
Vo
m=1
Vz
-V
-V
Vz
Vi
Vi
Vz
Vo
-V t
Figura 66: Onda de sada do circuito da Figura 63 (a cheio) se na entrada se introduzir um sinal sinusoidal.
65
O circuito que se apresenta de seguida (Figura 67) tambm um limitador a dois nveis, mas
que recorre a dois dodos zener ligados em anti-srie para estabelecer os patamares de corte
inferior e superior.
Figura 67: Limitador de dois nveis usando dois dodos zener ligados em anti-srie.
Seguindo um raciocnio anlogo ao que tem sido feito para os circuitos anteriores, para
analisar este circuito comearamos por retirar cada dodo do circuito e marcar uma tenso
V D aos seus terminais. No entanto no circuito em questo um dodo no pode estar ON sem
que o outro tambm esteja. Analisando a Figura 67 vemos que se a corrente atravessar os
dodos de cima para baixo o dodo 1 vai estar ON inversamente polarizado e o dodo 2 vai
estar ON directamente polarizado. Por outro lado se a corrente atravessar os dodos de
baixo para cima o dodo 1 vai estar ON directamente polarizado e o dodo 2 vai estar ON
inversamente polarizado. Caso no haja corrente no circuito os dodos esto ambos OFF.
Assim, no faz sentido marcar uma tenso aos terminais de cada um dos dodos, mas sim
uma tenso no conjunto dos dois dodos como mostra a Figura 68.
Figura 68: Anlise de um limitador de dois nveis usando dois dodos zener ligados em anti-srie.
66
D1 ON DP
Situaao 1
Vi V Z 2 V
D
ON
IP
2
V V + V D1 ON IP
Situaao 3
Z1
i
D 2 ON DP
(1.32)
Situao 1
Situao 2
Situao 3
VO = VZ1 + V
VO = Vi
VO = V VZ 2
67
VZ 2 V
VO = Vi
VZ1 + V
,Vi V Z 2 V
, VZ 2 V < Vi < VZ1 + V
(1.33)
,Vi VZ 1 + V
Vo
m=1
V z1 +V
-(V z2+V )
V z1+V
-(V z2+V )
Vi
Conclumos, ento, que usando dois dodos zener iguais (com a mesma tenso de zener, VZ),
os limites inferiores e superiores da tenso de sada so simtricos. Para valores da tenso de
entrada entre estes dois limites, os dodos no conduzem e o sinal de sada segue a entrada.
Trata-se portanto de um limitador a dois nveis.
RMS significa tenso mdia quadrtica ou tenso eficaz. A relao entre amplitude RMS e a amplitude da
onda :
7
VRMS =
Vmax
2
68
contnua, para que seja possvel alimentar uma carga8. Esta converso, ilustrada pela Figura
70 comea por passar a tenso alternada atravs de um transformador 9, cuja funo
fornecer no secundrio uma tenso alternada com uma amplitude menor que a tenso da
rede e simultaneamente isolar os circuitos da rede. No entanto a tenso sada do
transformador tem ainda um valor mdio nulo. O estgio que se segue, denominado por
rectificao, tem como objectivo obter uma tenso com um s sinal e de valor mdio no
nulo. Para tal elimina um semi ciclo da onda. Caso se pretenda uma tenso contnua positiva
eliminada a parte negativa da onda sinusoidal e caso se pretenda uma negativa eliminada a
parte positiva da onda. A onda resultante embora j com um valor mdio no nulo, oscila
ainda entre zero e um valor mximo (ver onda de sada do bloco rectificador na Figura 70).
Para diminuir esta oscilao introduz-se um filtro, cujo objectivo suavizar a onda, para que
esta oscile s ligeiramente em torno do valor de tenso contnua desejado. O ltimo bloco,
denominado regulador de tenso, diminui a pequena oscilao ainda existente e fornece sua
sada uma tenso contnua capaz de alimentar qualquer circuito.
Nesta seco iremos estudar com detalhe o bloco de rectificao e o de filtragem.
220Volts
50Hz
Figura 70: Esquema para obteno de uma tenso contnua a partir da tenso alternada de rede elctrica.
69
RL
Vo
Fazendo a anlise ao circuito, comeando por retirar o dodo e marcando uma tenso VD aos
seus terminais (Figura 72a)), conclumos que:
V 0 Diodo ON
Se D
VD < 0 Diodo OFF
(1.34)
Vi
RL
Vo
a)
Vo=Vi
b)
V
Circuito Equivalente
dodo ON
Vi
RL
Vi
RL
Circuito Equivalente
dodo OFF
Vo=0
c)
70
Vi ,
VO =
0,
Vi 0
Vi < 0
(1.35)
vo
m=1
vi
Pela funo de transferncia verificamos que o dodo conduz sempre que o sinal de entrada
seja positivo, ou seja vai conduzir nas alternncias positivas de V i.
Durante o semi ciclo positivo o dodo est a funcionar e actua como um curto-circuito e
aplicando a lei das malhas, ser facilmente verificado que toda a tenso Vi cai na resistncia
RL. Durante o semi ciclo negativo o dodo est polarizado inversamente e no h corrente no
circuito. Sem corrente elctrica a circular no circuito, no h tenso na resistncia, Vo=0 e
por isso toda a tenso cai em VD. O dodo deve ento ser escolhido de forma a suportar esta
tenso denominada tenso inversa.
O circuito estudado conhecido por rectificador de meia onda porque s o meio ciclo
positivo aproveitado na rectificao. A Figura 74 mostra as formas de onda deste
rectificador. O rectificador de meia onda tem na sua sada uma tenso cuja frequncia igual
de entrada ( f saida = f entrada ). A onda embora no tome valores negativos, apresenta ainda
uma variao que vai de 0 at VOmax. Esta variao toma a designao de tenso de
ondulao ou tenso de ripple.
71
Vi(t)
V imax
wt
-Vimax
Vo(t)
Vomax
wt
wt
VD(t)
-Vimax
Figura 74: Formas de onda num rect ificador de meia onda. a) entrada, b) sada, c)tenso inversa do dodo,
considerando o dodo como ideal.
Enquanto a tenso de entrada tem um valor mdio nulo a tenso VO apresenta agora um
valor mdio positivo, cujo valor dado pela equao (1.53) (Anexo A). Ento:
1
VO ( t ) dt =
T T
2
VO
1
=
V
sin
+
0 = max
(
)
Omax
2 0
2
VODC =
VOmax
VOmax
sin ( ) d =
0
VO
(1.36)
72
I ODC =
VO DC
RL
VO max
V
= = O max
RL
RL
(1.37)
A anlise efectuada considera o dodo como ideal. No caso de este no ser ideal e necessitar
de uma tenso V para conduzir, preciso ter em conta que o dodo passar a estar ON para
vo
m=1
RL
Vi
Vo=Vi-V
V
a)
vi
b)
Figura 75: Circuito equivalente para um dodo no ideal no estado ON(a)) e funo de transferncia (b)) num
rectificador de meia onda.
V i(t)
V imax
V
wt
-Vimax
V o(t)
V omax
wt
Figura 76: Formas de onda num rectificador de meia onda usando um dodo no ideal.
73
No caso estudado (Figura 71), apenas existe conduo durante o semi ciclo positivo da onda
de entrada, mas se invertermos a polaridade do dodo, passaremos a ter conduo durante o
semi ciclo negativo. Este tipo de rectificador usado quando se pretende obter uma tenso
contnua de valor negativo.
Existem ainda rectificadores capazes de rectificar completamente a onda de entrada (ciclo
positivo e ciclo negativo). So denominados rectificadores de onda completa e so descritos
em seguida.
Vi
B
D1
D2
D3 D4
RL
VRL
Durante o semi ciclo positivo da tenso Vi, o dodo D2 tem um potencial positivo a ligar ao
nodo, e o D3 tem um potencial negativo a ligar ao ctodo. Nesta situao, a corrente ir sair
pelo ponto A, atravessa o dodo D2, RL, o dodo D3 chegando por fim ao ponto B. Assim,
os dodos D2 e D3 esto directamente polarizados e vo conduzir, enquanto D1 e D4 ficam
inversamente polarizados. O circuito equivalente o dado pela Figura 98 a) de onde se
conclui que todo o semi ciclo positivo aparecer aos terminais da carga RL.
74
D2
Vi
D1
Vi
D3
D4
VRL
RL
RL
a)
VRL
b)
Vi
VO =
Vi
(1.38)
vo
m=-1
m=1
vi
Figura 79: Funo de transferncia de um rectificador de onda completa.
75
Vi(t)
V D2,D3 (t)
Vimax
a)
c)
wt
-Vimax
wt
wt
-Vimax
Vo(t)
V D1,D4 (t)
Vomax
b)
wt
d)
-Vimax
Figura 80: Formas de onda num rectificador de onda completa com ponte de dodos.
1
VO ( t ) dt =
T T
2
1
1
=
2 VOmax sin ( ) d =
VO sin ( ) d =
2 0 max
2
0
VODC =
=
=
2VOmax
4VOmax
cos ( ) 0 =
2
2
2VOmax
(1.39)
I ODC =
VO DC
RL
2VO max
2V
= = O max
RL
RL
(1.40)
76
Comparando com o rectificador de meia onda, verifica-se que o valor mdio da onda
duplicou o que significa que com esta configurao se obtm resultados mais prximos do
desejado. Relembra-se que o objectivo obter na sada uma tenso contnua o mais prximo
possvel de Vimax, uma vez que isto significa uma diminuio das perdas no circuito.
Analisando o caso de os dodos no serem ideais e necessitarem de uma tenso V para
conduzir de notar que agora os dodos passaro a conduzir para Vi 2V uma vez que
conduzem dois dodos de cada vez. Desenhando o circuito equivalente usando a
2 aproximao, verifica-se que o valor mximo de VO agora igual a Vi 2V . A onda de
sada apresentada na Figura 81.
Vi(t)
Vi max
2V
-2V
wt
-Vi max
Vo(t)
Vomax
wt
Figura 81: Formas de onda num rectificador de onda completa usando dodos no ideais.
77
V D1
D1
V1
V2
RL
VR L
V D2
D2
Figura 82: Rectificador de onda completa usando transformador com ponto mdio.
RL
RL
VRL
V2
b)
a)
Figura 83: Anlise de um rectificador de onda completa usando transformador com ponto mdio.
Ento,
V1
VO =
V2
(1.41)
A forma da onda Vo apresentada na Figura 84 c). Esta forma de onda igual apresentada
na Figura 80b) pelo que a tenso e corrente mdias da onda obedecem igualmente s
equaes (1.39) e (1.40) respectivamente. A frequncia da onda de sada deste rectificador
tambm dupla da do sinal de entrada ( f saida = 2 f entrada ).
78
Neste tipo de rectificador, durante o tempo em que um dodo conduz, o outro vai estar
submetido a uma tenso inversa, que deve suportar. Observando a Figura 83 a) ou b)
verifica-se que essa tenso inversa ser a tenso total no secundrio do transformador, isto ,
ter o dobro da amplitude de V1 e V2. A Figura 84 d) e e) mostram, respectivamente, as
tenses inversas suportadas pelos dodos D1 e D2. Durante o perodo de conduo os dodos
so equivalentes a curto-circuito (pela 1 aproximao), enquanto no perodo em que esto
OFF a tenso aos seus terminais a tenso total no secundrio do transformador.
V1(t)
V D1(t)
V1max
a)
wt
wt
-V1max
d)
-2Vimax
V 2(t)
V D2(t)
V2max
b)
wt
wt
-V2max
Vo(t)
V1max V max
2
-2Vimax
e)
V omax
c)
wt
Figura 84: a),b) formas de onda no secundrio do transformador. c) Onda de sada. d), e)tenso inversa
suportada pelos dodos num rectificador de onda completa com transformador com ponto mdio.
Analisando agora o circuito para o caso de os dodos no serem ideais verifica-se que os
dodos passaro a conduzir para Vi V , em contraponto com o rectificador de onda
completa com ponte de dodos em que os dodos s entravam em conduo para Vi 2V .
Desenhando o circuito equivalente usando a 2 aproximao, obtemos para valor mximo de
V O o valor de Vi V . A onda de sada apresentada na Figura 85.
79
Vi(t)
Vi max
V
-V
wt
-Vi max
Vo(t)
Vomax
wt
Figura 85: Formas de onda num rectificador de onda completa usando dodos no ideais.
No Quadro 4 feita uma comparao entre os trs tipos de circuitos rectificadores estudados.
Ponte de Dodos
Vimax
V imax
V imax
V imax-V
V imax-2V
V imax-V
VO max
2VO max
2VO max
- Vimax
-V imax
-2 Vimax
Frequncia de Sada
fentrada
2fentrada
2fentrada
N de Dodos
Tenso de Pico de Sada
(Caso Ideal)
Tenso de Pico de Sada
(Caso No Ideal)
80
As diferenas entre um rectificador de onda completa com transformador com ponto mdio e
sem ponto mdio so essencialmente ao nvel de:
81
...
C
RL
Vo
...
Figura 86: Filtro usado em circuitos rectificadores.
RL
Vo
De acordo com a forma de onda da Figura 74 b) verifica-se que durante o primeiro quarto
de ciclo da tenso de entrada do circuito o dodo se encontra ON, sendo equivalente a um
curto-circuito. Nesta situao o condensador ir estar directamente ligado tenso de
entrada e ir carregar at ao valor mximo(Vi max no caso de se considerar o dodo como ideal
e Vi max-V no caso de se considerar o dodo no ideal). Nesta situao o condensador fica
totalmente carregado e com uma tenso aos seus terminais de valor VOmax. Aps o primeiro
quarto de ciclo do sinal de entrada, Vi, o dodo ir parar de conduzir, uma vez que no
segundo quarto de ciclo a tenso de entrada baixa e por isso a tenso no ctodo fica maior
que no nodo. Com o dodo OFF e criando um circuito aberto, o condensador ir
descarregar a carga acumulada para a massa atravs da resistncia RL. Esta descarga deve ser
lenta, i.e. deve ser muito maior que o perodo da onda, para que quando o dodo ligue
novamente o condensador ainda no tenha descarregado a totalidade da carga acumulada. A
taxa a que o condensador descarrega est directamente ligada constante de tempo
82
= RLC 11. No tendo descarregado totalmente a tenso aos seus terminais baixou s
ligeiramente, o que significa que durante o perodo em que o dodo est OFF o condensador
s permite que a tenso de sada (tenso aos terminais de RL e do condensador) baixe
ligeiramente. O dodo passar a ligar logo que a tenso de entrada iguale a do condensador.
Nesta situao o condensador ir carregar novamente at VOmax.
O comportamento de carga e descarga sucessivas do condensador faz com que a tenso de
sada nunca chegue a baixar at zero, o que leva a onda de sada a aumentar o seu valor
mdio e a aproximar-se a uma onda contnua.
Ao tempo em que o condensador carrega chamamos tempo de carga e durante este tempo
existe corrente a atravessar o dodo. O resto do tempo o tempo de descarga e a corrente no
dodo zero, uma vez que este est OFF.
vi
VRipple
Vo
VOmax
t1
t2
tempo de descarga
idodo
tempo
de carga
Vo
VO max
DON
DOFF
Figura 88: Formas de onda num rectificador de meia onda com filtragem.
11
83
e descarga do condensador. A tenso de sada pretende-se o mais contnua possvel pelo que
a tenso de ripple deve ser o mais baixa possvel.
Num condensador a carga acumulada, Qacumulada dada por Q = CV , sendo C a capacidade
do condensador e V a difere na de potencial entre as placas do condensador. No caso do
circuito em questo esta diferena de potencial a tenso de ripple . Ento,
Qacumulada = CVRipple
(1.42)
Por outro lado, a carga acumulada igual carga libertada sendo esta ltima dada por
t2
tempo em que o condensador fornece corrente carga). Durante este tempo o condensador
descarrega com uma corrente constante, IDC. Assim,
t2
Qlibertada = idt = I DC t
(1.43)
t1
CVRipple = I DC t
VRipple =
I DC t
C
(1.44)
84
tempo de carga passa a ser nulo e o tempo de descarga coincide com o perodo da onda
(t=T). A Figura 89 mostra o efeito desta aproximao.
vi
Vo
VO max
tempo de descarga
tempo
de carga
Figura 89: Aproximao usada no clculo da tenso de ripple, que considera a carga do condensador instantnea.
VRipple =
I DCT
I
VRipple = DC
C T=1
fC
f
(1.45)
Assim, uma forma de reduzir a ondulao da tenso de sada, Vripple ser atravs do aumento
da constante de tempo de descarga do condensador que se consegue aumentando o valor do
prprio condensador.
Por outro lado, como I DC =
VO DC
RL
12
Condensadores de valor muito elevado atingem grandes tamanhos o que em electrnica problemtico
uma vez que normalmente se pretende minimizar a ocupao dos circuitos.
85
O valor mdio da tenso de sada usando a aproximao referida igualmente dado pela
1
T
da rea 1 (A1) com a rea 2 (A2) assinaladas a sombreado na Figura 90. A rea 1 e 2
correspondem, respectivamente, a reas de um tringulo e um rectngulo.
vi
VRipple
Vo
A1
VO max
A2
Figura 90: rea que corresponde ao clculo do valor mdio da onda de sada num rectificador de meia onda
com filtragem.
Assim,
1
1
VO ( t ) dt = ( A1 + A2 ) =
T T
T
1 T VRipple
=
+ T (VO max VRipple ) =
T
2
VODC =
VRipple
2
+( VO max VRipple ) =
= VO max
(1.46)
VRipple
2
Substituindo V ripple na equao (1.46) pela expresso dada na equao (1.45) vem que,
VO DC = VO max
2 fRL C
2 f RL C + 1
(1.47)
A tenso mdia, VODC deve ser o mais alta possvel e, como j visto a tenso de sada deve
ser o mais contnua possvel, o que se consegue com uma tenso de Ripple o mais baixo
possvel. A soluo passa por reduzir tenso de Ripple usar um rectificador de onda
completa, em vez de meia onda. Esta alternativa abordada de seguida.
86
D1
Vi
D2
V1
RL
VRL
D 3 D4
C
V2
VR L
RL
D2
b)
a)
Figura 91: Rectificadores de onda completa com filtragem. a) usando ponte de dodos, b) usando
transformador com ponto mdio.
VRL
V Ripple
VRLmax
tempo de
descarga
Onda
rectificada
tempo
de carga
Figura 92: Formas de onda num rectificador de onda completa com filtragem.
87
Se considerarmos a carga do condensador instantnea (tempo de carga nulo) a descarga faz-se no durante um perodo como no caso do rectificador de meia onda, mas durante meio
perodo da onda de entrada ( t =
T
). A Figura 93 mostra o efeito da aproximao.
2
VRL
VRipple
VRLmax
Onda
rectificada
Usando esta aproximao, a equao (1.44) para um rectificador de onda completa fica:
VRipple =
T
I DC
2 V
Ripple =
1
C
2 fC
T=
I DC
(1.48)
Verificamos, ento que com este rectificador obtemos uma ondulao que metade da
obtida com um rectificador de meia onda.
V RLDC vem,
VRLDC =
1
T
V ( t ) dt =
T
RL
V Ripple
1
= 2 2
+ T ( VRL max VRipple ) =
T
2
VRipple
=
+ (VRL max VRipple ) =
2
V
= VRL max Ripple
2
(1.49)
88
Ento o valor mdio da tenso de sada num rectificador de onda completa dado pela
mesma expresso que num de meia onda! Como a tenso de ripple neste rectificador
metade que no de meia onda, a tenso mdia na sada deste circuito ser substancialmente
mais elevada que no de meia onda.
Pela equao (1.48) vem que,
4 fRL C
4 f RL C + 1
(1.50)
No Quadro 5 feita uma comparao entre os dois tipos de rectificadores com filtragem
abordados.
Tenso de Ripple
VODC = VO max
VRipple =
VRipple
I DC
fC
VODC = VO max
VRipple =
VRipple
2
I DC
2 fC
89
Rs
IS
IZ
IL
Vs
RL
VZ
VL
A questo passa ento por se calcular um valor para a resistncia RS que garanta a operao
do dodo zener na regio de regulao, mesmo que haja pequenas variaes da tenso de
entrada V S ou da resistncia de carga RL.
O circuito de regulao de tenso completo, usando um rectificador de onda completa
poderia ser o apresentado na Figura 95.
D1
VS
D2
Rs
D 3 D4
C
RL
VZ
VL
A tenso produzida pelo rectificador de onda completa com filtragem apresenta ainda um
nvel elevado de ondulao e apresentada na Figura 96 a). Na Figura 96 b) apresenta-se a
forma de onda na carga. Como se pode verificar pela figura, o dodo zener garante a
regulao, mantendo a tenso na carga constante com um valor igual ao da sua tenso de
zener.
V Rect
V RL
VRectmax
VZ
t
a)
t
b)
Figura 96: Formas de onda num regulador de tenso. a) tenso na sada do rectificador com filtragem.
b) tenso na carga.
90
Anexo A
Ondas Sinusoidais
Vi(t)
Vmax
10
20
t(ms)
-Vmax
Figura 97: Exemplo de onda sinusoidal.
Um ciclo a menor parte de uma de onda peridica que no se repete. Na Figura 97 esto
representados dois ciclos de onda. O primeiro ocorre de 0 a 10 ms e segundo de 10ms a
20ms.
O tempo necessrio para que seja completado um ciclo denominado perodo (T) e mede -se em segundos, milisegundos, etc. Para a onda representada o perodo de 10ms.
A frequncia (f) o nmero de ciclos completados num intervalo de tempo. No Sistema
Internacional de Unidades, a frequncia tem como unidade o Hertz (Hz), e o inverso do
perodo:
f =
1
T
(1.51)
1
= 100 Hz .
10ms
A onda da Figura 97 tem como valor mximo Vmax e este valor denominado amplitude da
onda. Assim, a expresso que representa a onda da figura Vi (t ) = Vmax sin ( t ) [Volts ] ,
com = 2 f , sendo a frequncia angular da onda.
91
O valor mximo (V max) tambm pode tambm ser chamado de valor de pico e o mesmo
que a amplitude do sinal.
Podemos ainda especificar o valor pico-a-pico (V maxpp) que igual diferena entre o
mximo e o mnimo que a onda atinge V maxpp = Vmax - (-V max ) = 2 Vmax.
O modo mais comum de especificarmos a amplitude da corrente ou tenso alternada
atravs do seu valor eficaz, V RMS, ou RMS (Root Mean Square) que um valor indicado pelo
voltmetro quando este se encontra na escala ac. O valor eficaz de uma tenso ou corrente
com forma de onda sinusoidal calculado por:
VRMS =
Vmax
2
(1.52)
Outra medida associada a ondas sinusoidais o valor mdio, VDC. No caso da onda da
Figura 97 o seu valor mdio nulo uma vez que em termos mdios o valor ao longo de um
ciclo zero. Isto porque cada valor da primeira metade do ciclo, tem um valor igual mas de
sinal contrrio na segunda metade do ciclo. O valor mdio de uma onda V dado por:
VDC =
1
T
V ( t ) dt
T
(1.53)
92
Anexo B
Transformadores
O transformador tem a dupla funo de fornecer no secundrio uma tenso alternada menor
que a tenso de rede e simultaneamente isolar os circuitos da rede. Consiste basicamente de
duas bobinas isoladas electricamente (chamadas de enrolamentos), porm acopladas
magneticamente, pois so montadas em torno de um mesmo ncleo de ferro ou ferrite.
A bobina na qual aplicada a tenso a ser transformada, U1 denominada primrio e a que
fornece a tenso transformada, U2, denominada secundrio (Figura 98).
(1.54)
Sendo:
U1 a tenso no primrio,
U2 tenso no secundrio,
N1 o nmero de espiras no enrolamento primrio e
N2 o nmero de espiras no enrolamento secundrio.
93
Existem ainda transformadores com e sem ponto mdio, como mostra a Figura 99. Num
transformador sem ponto mdio a tenso no secundrio U2, enquanto no transformador
com ponto mdio (tambm chamada derivao central) a amplitude da tenso metade e
dada de acordo com as tenses marcadas na Figura 99. Estas tenses tm amplitude e fase
iguais, mas como esto marcadas em sentido contrrio, quando uma est no semi ciclo
positivo a outra est no negativo e vice-versa.
U2
2
U2
a)
U2
2
b)
Figura 99: Transformadores sem ponto mdio a) e com ponto mdio b).
94
Anexo C
Condensadores
O condensador um componente electrnico, constitudo por duas placas condutoras,
separadas por um material isolante. Ao ser ligado a uma fonte de tenso haver uma
distribuio de cargas at o condensador ter aos seus terminais uma tenso igual da fonte.
Assim, o condensador um elemento que armazena carga elctrica.
VC = VG 1 e
(1.55)
95
A carga elctrica, q ( t ) , acumulada por um condensador dada pela equao (1.56), onde C
a capacidade do condensador e v ( t ) a tenso aos seus terminais.
q ( t ) = Cv ( t )
(1.56)
i (t ) = C
dv ( t )
dt
(1.57)
96
Exerccios Propostos
1. O nmero de electres livres e de lacunas num semicondutor intrnseco aumenta quando
a temperatura
a) Diminui
b) Aumenta
c) Permanece a mesma
d) Nenhum desses
2. Quantos electres de valncia existem nos tomos tetravalentes?
a) 1
b) 3
c) 4
d) 5
3. Quantos electres de valncia existem num tomo dador?
a) 1
b) 3
c) 4
d) 5
4. Para produzir um semicondutor tipo p, preciso usar:
a) tomos aceitadores
b) tomos dadores
c) Impurezas pentavalentes
d) Silcio
5. Em que tipo de semicondutor as lacunas so portadores minoritrios?
a) Extrnseco
b) Intrnseco
c)
Tipo n
d) Tipo p
97
Barreira de potencial
b)
Camada de depleo
c)
Tenso de joelho
d)
Tenso de ruptura
b)
c)
d)
b)
c)
d)
Polarizado inversamente.
b)
c)
d)
Todas as anteriores.
b)
c)
d)
Todas as anteriores.
98
Adio de lacunas.
b)
Adio de electres.
c)
d)
b)
c)
d)
Todas as anteriores.
a)
b)
c)
d)
99
a)
b)
c)
d)
VR 1 Vi < V R1
V
a) Vo = i R VR1 Vi VR 2
V R 2 Vi > VR 2
b)
c) Vo = Vi VR 1 Vi VR 2
V V > V
R2
i
R2
d)
100