RamosDelgadoFernandoITESI

TIRISTOR.
Untiristoresunodelostiposmsimportantesdelosdispositivossemiconductoresdepotencia.Los
tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como
conmutadoresbiestables,pasandodeunestadonoconductoraunestadoconductor.Paramuchas
aplicaciones se puede suponer que los tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque
lostiristoresprcticosexhibenciertascaractersticasylimitaciones.
Los materiales de los que se compone son de tipo semiconductor, es decir, dependiendo de la
temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como aislantes o como conductores. Son
dispositivosunidireccionalesporquesolamentetransmitenlacorrienteenunanicadireccin.
El dispositivo consta de un nodo y un ctodo, donde las uniones son de tipo PNPN entre los
mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores tpicos PNP y NPN, por eso se dice
tambinqueeltiristorfuncionacontensinrealimentada.Secreanas3uniones(denominadasJ1,
J2,J3respectivamente),elterminaldepuertaestconectadoalauninJ2(uninNP).
SCR(SILICONCONTROLLEDRECTIFIER)
ElSCResundispositivodecuatrocapasqueposeetresterminales:nodo,ctodoypuerta(gate).
Al igual que el diodo Shockley, presenta dos estados de operacin: abierto y cerrado, como si se
tratasedeuninterruptor.

Figura1.ConstruccinbsicaysmbolodelSCR
CARACTERISTICATENSIONINTENSIDAD

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Figura2.CaractersticadelSCR
En cuanto a la parte de polarizacin positiva, el scr no conduce hasta que se recibe un pulso de
tensinenelterminaldepuerta(gate).Unavezrecibido,latensinentrenodoyctodocaehasta
sermenorqueunvoltioylacorrienteaumentarpidamente,quedandolimitadaenlaprcticapor
componentesexternos.
Podemos ver en la curva cuatro valores importantes. Dos de ellos provocarn la destruccin del
SCR si se superan: VRB e IMAX. VRB (Reverse Breakdown Voltage) es, al igual que en el diodo
Shockley, la tensin a partir de la cual se produce el fenmeno de avalancha. IMAX es la corriente
mximaquepuedesoportarelSCRsinsufrirdao.Losotrosdosvaloresimportantessonlatensin
decebadoVBO(ForwardBreakoverVoltage)ylacorrientedemantenimientoIH.
METODOSDECONMUTACION
Paraqueeldispositivointerrumpalaconduccindelacorrientequecirculaatravsdelmismo,sta
debedisminuirpordebajodelvalorIH(corrientedemantenimiento).Haydosmtodosbsicospara
provocar la apertura el dispositivo: interrupcin de corriente andica y conmutacin forzada.
Ambosmtodossepresentanenlassiguientesfiguras.

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Figura3.AperturadelSCRmedianteinterrupcindelacorrienteandica
Enlafigura3,seobservacmolacorrienteandicapuedesercortadamedianteuninterruptorbien
enserie(figuraizquierda),obienenparalelo(figuraderecha).Elinterruptorenseriesimplemente
reduce la corriente a cero y hace que el SCR deje de conducir. El interruptor en paralelo desva
partedelacorrientedelSCR,reducindolaaunvalormenorqueIH.
Enelmtododeconmutacinforzada,queaparecefigura4,seintroduceunacorrienteopuestaala
conduccinenelSCR.Estoserealizacerrandouninterruptorqueconectaunabateraenparaleloal
circuito.

Figura4.DesconexindelSCRmedianteconmutacinforzada
APLICACIONESDELSCR
Una aplicacin muy frecuente de los SCR es el control de potencia en alterna en reguladores
(dimmer)delmparas,calentadoreselctricosymotoreselctricos.

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Enlasiguientefigurasemuestrauncircuitodecontroldefasedemediaondayresistenciavariable.
Entre los terminales A y B se aplican 120 V (AC). RL representa la resistencia de la carga (por
ejemplounelementocalefactoroelfilamentodeunalmpara).R1esunaresistencialimitadorade
lacorrienteyR2esunpotencimetroqueajustaelniveldedisparoparaelSCR.Medianteelajuste
del mismo, el SCR se puede disparar en cualquier punto del ciclo positivo de la onda en alterna
entre0y180,comoseapreciaenlaFigura5.

Figura5:(a)Conduccindurante180(b)Conduccindurante90
CuandoelSCRsedisparacercadelprincipiodelciclo(aproximadamentea0),comoenlaFigura5
(a),conduceduranteaproximadamente180ysetransmitemximapotenciaalacarga.Cuandose
dispara cerca del pico positivo de la onda, como en la Figura 5 (b), el SCR conduce durante
aproximadamente90ysetransmitemenospotenciaalacarga.MedianteelajustedeRX,eldisparo
puederetardarse,transmitiendoasunacantidadvariabledepotenciaalacarga.
CuandolaentradaenACesnegativa,elSCRseapagaynoconduceotravezhastaelsiguiente
disparoduranteelciclopositivo.Esnecesariorepetireldisparoencadaciclocomoseilustraenla
Figura6.EldiodosecolocaparaevitarquevoltajenegativoenACseaaplicadoalagatedelSCR.

Figura6:Disparoscclicosparacontroldepotencia

TransistorIGBT
Eltransistorbipolardepuertaaislada(IGBT,delinglsInsulatedGateBipolarTransistor)es
undispositivosemiconductorquegeneralmenteseaplicacomointerruptorcontroladoencircuitos
deelectrnicadepotencia.
Estedispositivoposeelacaractersticasdelassealesdepuertadelostransistoresdeefectocampo
con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja saturacin del transistor bipolar, combinando
unapuertaaisladaFETparalaentradadecontrolyuntransistorbipolarcomointerruptorenunsolo

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dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las
caractersticasdeconduccinsoncomolasdelBJT.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habian sido viables hasta entonces, en
particular en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en maquinas elctricas y
convertidores de potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, sin que seamos
particularmente conscientes de eso: automvil, tren, metro, autobs, avin, barco, ascensor,
electrodomstico,televisin,domtica,SistemasdeAlimentacinIninterrumpidaoSAI(enIngls
UPS),etc.
SIMBOLOGIA:Suestructuramicroelectrnicaesbastantecomplejaesporelloquelo
describimosenbaseasuesquemaequivalente.

CURVACARACTERISTICAIGBT:
COMOFUNCIONA:
Consideremos que el IBGT
se encuentra bloqueado
inicialmente. Esto significa
quenoexisteningnvoltaje
aplicado al gate. Si un
voltaje VGS es aplicado al
gate, el IGBT enciende
inmediatamente,
la
corrienteIDesconduciday
el voltaje VDS se va desde
el valor de bloqueo hasta
cero. LA corriente ID
persisteparaeltiempotON

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en el que la seal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser
polarizadapositivamenteconrespectoalaterminalS.LAsealdeencendidoesunvoltajepositivo
VGqueesaplicadoalgateG.Estevoltaje,siesaplicadocomounpulsodemagnitudaproximada
de15,puedecausarqueeltiempodeencendidoseamenora1s,despusdelocuallacorrientede
drain iD es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el
dispositivosemantieneasporunasealdevoltajeenelgate.Sinembargo,envirtuddelcontrolde
voltajeladisipacindepotenciaenelgateesmuybaja.
EL IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal gate. La
transicindelestadodeconduccinalestadodebloqueopuedetomarapenas2microsegundos,por
loquelafrecuenciadeconmutacinpuedeestarenelrangodelos50kHz.
EL IGBT requiere un valor lmite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y
viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VDS cae a un valor bajo
cercanoalos2V.Comoelvoltajedeestadodeencendidosemantienebajo,elgatedebetenerun
voltajearribade15V,ylacorrienteiDseautolimita.
ElIGBTseaplicaencontrolesdemotoreselctricostantodecorrientedirectacomodecorriente
alterna,manejadosanivelesdepotenciaqueexcedenlos50kW.
CARACTERISTICASATENERENCUENTAENUNIGBT:
IDmaxLimitadaporefectoLatchup.
VGSmaxLimitadaporelespesordelxidodesilicio.
SediseaparaquecuandoVGS=VGSmaxlacorrientedecortocircuitoseaentre4a10vecesla
nominal(zonaactivaconVDS=Vmax)ypuedasoportarladuranteunos5a10&#956s.ypueda
actuarunaproteccinelectrnicacortandodesdepuerta.
VDSmaxeslatensinderupturadeltransistorpnp.Como&#945esmuybaja,ser
VDSmax=BVCB0ExistenenelmercadoIGBTsconvaloresde600,1.200,1.700,
2.100y3.300voltios.(anunciadosde6.5kV).
Latemperaturamximadelauninsueleserde150C(conSiCseesperan
valoresmayores)
ExistenenelmercadoIGBTsencapsuladosquesoportanhasta400o600Amp.
LatensinVDSapenasvaraconlatemperatura&#8658Sepuedenconectaren
paralelofcilmente&#8658Sepuedenconseguirgrandescorrientesconfacilidad,porej.1.200o
1.600Amperios.EnlaactualidadeseldispositivomasusadoparapotenciasentrevarioskWyun
pardeMW,trabajandoafrecuenciasdesde5kHza40kHz.
Referenciasbibliogrficas:
http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/enica_pot.htm
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_IGBT
http://ccpot.galeon.com/enlaces1737117.html