Celdas solares de Cu(In,Ga)Se2

elaboradas por mtodos qumicos

Dr. Arturo Fernndez Madrigal
Centro de Investigacin en Energa
UNAM
afm@cie.unam.mx

Diselenuro de Cobre Indio Galio

Selenio

Los compuestos de CuInSe2 y CuGaSe2

pueden formar la aleacin
Cu(In,Ga)Se2
Esta aleacin pertenece a la familia de
semiconductores I-III-IV2, con
estructura cristalina tetragonal.
Cada Cu(I) In(III) tiene cuatro enlaces
con un tomo de Se (VI).
Cada tomo de Se(VI) tiene dos
enlaces con Cu y dos al tomos de In.
Como la fuerza entre los enlaces I-IV y
III-IV es diferente, la relacin entre c/a
no es igual a 2.
La cantidad 2- c/a, es una mediada de
la distorsin de la estructura
calcopiritica.

Diselenuro de Cobre Indio Galio

El ancho de banda Eg de las
calcopiritas I-III-VI2 son
considerablemente menores
que sus binarios anlogos.
Las bandas del Cu 3d junto
con las bandas del Se 4p
forman bandas de valencia
mas arriba que la de los
compuestos II-VI.

Diselenuro de Cobre Indio Galio

El diagrama de fases
ternario puede reducirse a
un diagrama de fases
pseudo-binario a lo largo
de la lnea entre Cu2Se y
In2Se3
Se realizan diversas
investigaciones entre las
temperaturas de formacin
y composiciones para las

pelculas delgadas.

Diselenuro de Cobre Indio Galio

Los defectos en los compuestos ternarios son muy
importantes ya que cobran especial inters debido a que
pueden formar profundos centros de recombinacin.
Dichos centros pueden explicar tres inusuales defectos:
La tolerancia estructural por deficiencias estequiometrias.
Habilidad de ser dopado
Los defectos son de naturales elctricamente neutros
Es conocido que el dopaje del CuInSe2 es controlado por
defectos intrnsecos.
Muestras con conductividad tipo p crecen si el material es
pobre en Cu.

Mtodos de preparacin del

Diselenuro de Cobre Indio Galio
El mas utilizado es mediante la
coevaporacion
En este proceso se requiere
temperaturas de substrato de
550C.
Mtodo verstil ya que se prepara
en la misma etapa completamente
el absorbedor.
Una variante de esta ruta es la
elaboracin de las aleaciones para
posteriormente selenizar

Mtodos de preparacin del

Diselenuro de Cobre Indio Galio
Crecimiento epitaxial
Deposito por vapor qumico de compuesto
metal-organicos.
Mtodos de bajo costo:
Serigrafa y sinterizado
Deposito por partculas
Electrodepsito

Celdas solares de Diselenuro de Cobre

Indio Galio
La estructura fotovoltaica que se construye con este
absorbedor es como se muestra.
Las eficiencias alcanzadas llegan hasta el 20 %
Son estables al menos por 17 aos.
Los mdulos poseen eficiencias del 12%.
Hay en el mundo 40 compaas involucradas en su
desarrolladas.

Celdas solares de Diselenuro de Cobre

Indio Galio

CIGS Thin Film with Eg=1.1-1.2 eV

26% Ga/(In+Ga)

31% Ga/(In+Ga)

Electrodeposito de Cu(In,Ga)Se2
Empleando un co-electrodeposito de Cu, In,
Ga Se, obtenidos de una solucin electroltica
que contiene CuCl2, InCl3, GaCl3 y H2SeO3
Utilizando substratos de Molibdeno(1 m de
espesor)/Vidrio los cuales se sumergen en la
solucin electroltica.
El crecimiento del absorbedor se realiza a un
potencial de -1 V (SCE) durante 1 hr, formando
pelculas de 2 m de espesor, las cuales se
recristalizan en presencia de Se.

Elaboracin del Diselenuro de

Cobre Indio Galio
Por electrodepsito se llevan a cabo las
siguientes reacciones:
Cu(II) + 2e- Cu
+0.342 V,
In(III) + 3e- In
-0.338 V,
Ga(III)+ 3e- Ga
-0.549 V,
H2SeO3 + 4H+ + 4e- Se + 3H2O
0.74 V,
Cu, In,Ga,Se CuxInyGazSen

Caractersticas de corriente-voltaje para una celda

elaborada por un absorbedor de CIGS por la tcnica del
electrodepsito
rea = 0.43 cm2
Voc = 0.413 V
Jsc = 35.41 mA/cm2
FF = 64%

Eficiencia = 9.4%

Electrodepsito de Cu(In,Ga)Se2
Algunos problemas
durante la preparacin del
CIGS por electrodepsito:
Formacin de fronteras
de grano
Una adecuada
cristalinidad
Reproducibilidad

Electrodepsito del CIGS

Posibles soluciones para el crecimiento de las
pelculas de CIGS:
Uso de aditivos en los baos electrolticos
Control del proceso de tratamiento trmico de las
pelculas mediante Se.

 Produccion en procesos continuos de CIGS

Actualmente se tiene en acero inoxidable

En lamina de Acero Inoxidable o poliamida

En lotes de 1000-ft x 1-ft

S. Wiedeman, TFPP 2006

Global Solar -

Produccin y predicciones de la produccin en

pelculas delgadas, por tecnologa

300
250
200
MWp/yr 150

US a-Si
US CdTe
US CIGS
US
World

100
50
0
2002

2004

2006

2008

NREL 2005