Sie sind auf Seite 1von 4

CONSIGNA #1

EL DIODO: CONCEPTOS BASICOS Y


CARACTERIZACIN
Nombre: Andy Dagher
Cedula: 8-884-2152
E-mail: andydagher@gmail.com
Nombre: Gerardo Molina
Cedula: 4-774-2032
E-mail: gerardo0695@gmail.com
Nombre: Ren Sols
Cedula: 8-854-1582
E-mail: rene27791@gmail.com
Nombre: Luis Valdes
Cedula: 8-891-2027
E-mail: luis.a.valdes_01@hotmail.com

1.1.1

CONCEPTOS BASICOS DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES

Los semiconductores tipo P y tipo n separados no tienen mucha utilidad, pero si un cristal se dopa de tal
forma que una mitad sea tipo N y la otra mitad de tipo P, esa unin PN tiene unas propiedades muy tiles y
entre otras cosas forman los "Diodos".
Enlace covalente: En este tipo de enlace los electrones se comparten, pero no se transfieren. Un enlace
covalente consiste en un par de electrones (de valencia) compartidos por dos tomos.
El mtodo ms sencillo para liberar los electrones de valencia ligados consiste en calentar el cristal. Los
tomos efectan oscilaciones cada vez ms intensas que tienden a romper los enlaces y liberar as los
electrones. Cuanto mayor sea la temperatura de un semiconductor, mejor podr conducir.
1.2.1 POLARIZACION DE LA JUNTURA PN
En la seccin anterior vimos el principio bsico de los elementos tipo P y N, para que se emplea, por
brevedad de espacio, haremos una sntesis en que consiste la polarizacin de la juntura PN.

Directa: En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el
paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la
electricidad. Se produce cuando se conecta el polo positivo de una batera a la parte P de la unin P - N y el
negativo a la N. En estas condiciones podemos observar que:
Inversa: es ms difcil la conduccin, porque el electrn libre tiene que subir una barrera de potencial muy
grande de n a p al ser mayor el valor de W. Entonces no hay conduccin de electrones libres o huecos, no hay
corriente. En esta situacin tenemos que tener en cuenta la generacin trmica de pares electrn-hueco. Los
pocos electrones generados trmicamente pierden energa y bajan de p a n, es la "Corriente Inversa de
Saturacin" (

I S ) que es muy pequea.

1.2.2 ELDIODO IDEAL Y LA CURVA CARACTERSTICA

Es por analoga similar a un interruptor elctrico. Su uso va desde diseos sencillos hasta circuitos de gran
complejidad. Adems de presentar los detalles acerca de su fabricacin y de sus caractersticas, se observaran
las hojas de datos y las grficas ms relevantes que se encuentran en las hojas de especificaciones. Cundo un
dispositivo tiene caractersticas perfectas lo conocemos como IDEAL. Luego, un diodo ideal es un dispositivo
construido con dos terminales y con unas caractersticas tales como se muestran en las figuras 1a y 1b

Figura 1. Diodo ideal. (a) Smbolo; (b) Caracterstica


El diodo ideal tiene caractersticas semejantes a las de un interruptor, permite la conduccin de corriente en
una sola direccin. En la direccin que indica la flecha en la figura 1a. Donde uno de sus terminales, el cual se
llama nodo, tiene aplicado un potencial positivo (indicado en la grfica con el signo +), y en el otro terminal,
el cual se llama ctodo, tiene aplicado un potencias negativo (indicado en la grfica con el signo -). De esta
forma, el diodo ideal cumple con lo siguiente:

Rf =

Vf
0V
=
=0
I f K mA

Donde:
1.

Rf es el valor de la resistencia directa

2.

V f es el valor del voltaje de polarizacin directa

3.

If

es el valor de la corriente a travs del mismo

4.

es cualquier valor constante de corriente

Esto representa que es un corto circuito, pasar la corriente. Si invertimos la polarizacin del mismo,
mediante un estudio anlogo al caso anterior, dara como resultado una resistencia infinita que se puede
interpretar como un circuito abierto, impidiendo el paso de la corriente.
La curva de un diodo semiconductor (o diodo real) se puede definir por la siguiente ecuacin:

I D =I S (e

K V D / Tk

1)

Para un diodo de silicio la corriente de saturacin inversa

I S aumentar cerca del doble en magnitud por

cada 10 C de incremento en la temperatura.


Debido a la forma que tiene la curva caracterstica del diodo, mostrada anteriormente, y la forma compleja de
la ecuacin, con frecuencia se utiliza un modelo simplificado:

1.2.3 CARACTERISTICAS TERMICAS:


El diodo, al estar compuesto por combinacin de elementos, presenta particulares caractersticas trmicas
como las que mencionaremos a continuacin:
1.
2.
3.
4.

Temperatura de la Unin: Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer


sobrepasar a la unin del dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin.
Temperatura de almacenamiento: Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no
se le aplica ninguna potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura.
Resistencia trmica unin-contenedor: Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el
encapsulado del dispositivo.
Resistencia trmica contenedor-disipador: Es la resistencia existente entre el contenedor del
dispositivo y el disipador

APLICACIONES DE LOS DIODOS


Existe una amplia gama de usos cotidianos para los diodos, entre los que podemos mencionar: rectificador de
ondas, multiplicadores de tensin, limitadores de voltaje, compuertas lgicas, reguladores de voltaje, circuitos
fijadores.

REFERENCIAS
1.

ELECTRONICA: TEORIA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS, 10MA


EDICION, R.L. BOYLESTAD Y L. NASHELSKY
2. ELECTRONICA INTEGRADA, 1RA EDICION, J. MILLMAN, C.C. HALKIAS
3. SEMICONDUCTOR PHYSICS AND DEVICES, 3RA EDICION, D. NEAMEN