Contenido

1
CAPTULO 1

ZONAS Y PUNTOS DE OPERACIN

PROBLEMAS RESUELTOS

Ejercicio 1

Ejercicio 2

Ejercicio 3

Ejercicio 4

Ejercicio 5

12

Ejercicio 6

14

Ejercicio 7

19

Ejercicio 8

23

Ejercicio 9

27

PROBLEMAS PROPUESTOS

31

Problema 1

31

Problema 2

32

Problema 3

33

Problema 4

34

Problema 5

35

Problema 6

36

Problema 7

37

Problema 8

38

Problema 9

39

Problema 10

40

Problema 11

41

Problema 12

42

Problema 13

43

Problema 14

44

Problema 15

45

CAPTULO 2

46

REGULADORES DE VOLTAJE

46

Ejercicio 1

46

Ejercicio 2

47

Ejercicio 3

49

Ejercicio 4

52

Ejercicio 5

56

PROBLEMAS PROPUESTOS

59

Problema 1

59

Problema 2

60

CAPTULO 3

61

AMPLIFICADORES DE PEQUEA SEAL

61

Ejercicio 1

61

Ejercicio 2

66

Ejercicio 3

68

Ejercicio 4

70

Ejercicio 5

73

Ejercicio 6

76

Ejercicio 7

79

Ejercicio 8

81

PROBLEMAS PROPUESTOS

83

Ejercicio 1

83

Ejercicio 2

84

Ejercicio 3

85

Ejercicio 4

86

Ejercicio 5

87

Ejercicio 6

88

Ejercicio 7

89

Ejercicio 8

90

CAPTULO 1
ZONAS Y PUNTOS DE OPERACIN
PROBLEMAS RESUELTOS
Ejercicio 1
En el siguiente circuito, determinar la potencia disipada por el transistor
cuando:
a) V=0
b) V=5 [V]

Datos:

V BE =0.7 [ V ] , =100, V CE ( sat )=0 [ V ]

R1=100 K , R2 =1 K ,V CC=10 [ V ]

Solucin:
a)

V =0 :

El transistor trabaja en la zona de corte y por lo tanto:

I B=I C =I E =0
PQ=V CE I C =(5.7)(0)=0
b)

V =5 [V ]
I B=

50.7
=0.043 mA
100

I C = I B =100 ( 0.043mA )=4.3 mA

V CE =104.3 ( 1 )=5.7[V ]
PQ=V CE I C =(5.7)( 4.3)=24.5[ mW ]

Ejercicio 2
Calcular el valor de

I LED

en el circuito de la figura1.

Considere = 100

V1
12 V
R2
200

R1
680

Q1
2N1132A

LED1

R3
620

Solucin:
Se asume

I B 0

porque:

R2 ( +1 ) R3
200 ( +1 ) 620
200 ( 100+1 ) 620
20200 620
Por divisor de voltaje se tiene:
o

V R 3=12

620
=5.72 [V ]
620+680

Siguiendo la malla formada por 12[V], R2 y R3 se tiene:

12200 I E 1V EBV R 3=0

5.6=200 I E 1

1
http://www.slideshare.net/aicvigo1973/polarizacin-y-estabilizacin-deltransistor-bipolar

I 1 E=I LED=27.88 mA

Ejercicio 3
En el siguiente circuito, determine el mnimo valor de para que el transistor
Q1 se sature.

Datos:

V BE =0.7 [ V ] ; V CE(sat) =0.2 [ V ]

R1=200 K , R2 =100 K ,

Solucin:
Siguiendo la malla del circuito de salida, desde

V CC =

IC

RC +V CE

En el lmite de las regiones activa-saturacin:

V CC

hasta tierra:

IC

I Cmx =

V CE =

min I Bmx

V CE(sat )

Lo que significa que por el circuito circula la mxima corriente de colector y

que para que el an sea vlido, I B=I Bmx .
Reemplazando:

V CC =

min I Bmx R C +V CE(sat)

En el circuito de entrada:

I B=I Bmx =

V BBV EB
RB

Y por lo tanto:

V CC = min
Despejando

V BBV EB
RC +V CE(sat)
RB

min :

min =
min=142

R B V CCV
R C V BBV EB
CE ( sat)

Ejercicio 4
En el siguiente circuito, determinar los puntos de operacin de los
transistores Q1 y Q2.
Datos: 1 = 2 = 100
C1, C2, C3 ideales
Rin=36k, R1= 60 k, R2= 90 k, R3= 8 k, R4= 0.5 k
R5= 17.5 k, R6= 2 k, R7= 3.5 k

Solucin:
Redibujando el circuito, teniendo en cuenta que los capacitores se abren en el
anlisis DC y sumando las fuentes de 18V y 12V, se tiene el siguiente
circuito:

En la Figura se puede observar que:

I B 1 0, porque :

I B 2 0, porque :

( R4 + R 5 )( 1 +1 ) R 2

R6 ( 2+1 ) R3

( 0.5 k +17.5 k ) ( 100+1 ) 90 k

2 k (100+ 1 ) 8 k

1818 k 90 k

202 k 8 k

Lo que cumple con la caracterstica de la configuracin tipo H.

Encontrando

V 1 , I E 1 , IC 1 :
V B 1=30

I E 1=
o

R2
90
=30
=18 [V ]
R 1+ R 2
60+ 90

) (

V B 1 V BE 180.7
=
=0.96 mA
R 4 + R5
0.5+17.5

( + 1 ) I

Ic 1=

E1

=0.95[mA ]

Siguiendo la malla que va desde 30V hasta GND y aplicando LVK:

30( 8 ) Ic 1V CE 1( 18 ) I E 1=0
308 ( 0.95 )V CE 18 k ( 0.96 ) =0
o

V CE1 = 5.01 V

Analizando

PQ 1=(0 . 95 mA ,5 . 01V )

Q2 :

V C 1=308 ( 0.95 )=22.4 V

V E 2=22.4+ 0.7=23.1 V
3023.1
I E 2=
=3.45mA
2

o
I C 2=
I =3.41mA
+1 E 2
V CE2 = 302 I E 2 3.5 I c 2
o

V CE2 = 10.94 V

PQ 2=(3.41mA ; 10.94 V )

Ejercicio 5
En el siguiente circuito, para cada transistor, determine su punto de
operacin y la zona en que se encuentran operando.

Datos:

Q 1 , Q 2 :V BE=0.7 [ V ] , =100,V CE ( sat )=0 [ V ]

R1=200 K , R2 =100 K , R3=9 K , R 4=3 K , R 5=0.8 K , R 6=0.1 K,

V CC =20 [ V ] , V Z =3.3 [ V ]

Solucin:

Aplicando Thevenin
V Th=

V cc R 2
R 2R1

RTh =R 1 R2

V Th=

20100
=6.67 V
100+200
6.670.7
=0.0161 mA
66.67 +303
V V BE
I B 1 = th

Rth + R =

I E 1=( +1 ) I B=1.626 mA
I c1= I B=100I B=1.61 mA
I R 3=I c 1I B 2=1.47 mA
R3 I R 3=R5 I E 2 +0.7
R3 ( I C 1I B 2 ) =R5 ( +1 ) I B 2 +0.7
I B 2=0.159 mA

Aplicando Kirchhoff:

V CC R 3 I C 1V CE 1R4 I E 1=0
V CE1 =V CCR 3 I R 3 R 4 I E 1=1.9 V
PQ 1=( 1.61 mA ; 1.9V )

I C 2= 2 I 2=15.9 mA
I E 2=( 2 +1 ) I 2=16.059mA
20R 5 I E 2 V CE2R 6 I C 2V Z =0
V CE2 =13.50V
PQ 2=( 15.9 mA ; 13.50 V )

Ejercicio 6
En el siguiente circuito, considerando las seales

V1 y V2

determine:

Las zonas de operacin de los transistores.

Los puntos de operacin de los transistores.
Los valores de V A , V B , V C .

Nota: El transistor Q4 es NPN

20V

R3

Q1

VC

VA

R1

Q3

R2

Q2

VB

R5
R6

R4
V1

Q4

V2

R1=33 K , R2 =930 K, R3=10 K , R 4=1 K , R5 =100 , R6 =33 K ,

V CC =20 [ V ] .
Paratodos los transistores =100 ,|V BE|=0.7[V ] , V sat =0[V ]

Datos:

Solucin:
Realizando el anlisis DC del circuito, se tiene el siguiente grfico:

Independientemente del intervalo de tiempo, el transistor Q 1 -qu est

configurado como diodo-, est en la zona de corte, porque la fuente de 20
[V] lo polariza inversamente. La corriente I B 1=0 y por lo tanto:

I C 1= 1 I B 1=0
Para

t=[ 0,1 ] seg .

El transistor Q 4 esta en la zona de corte porque si

que I B 4 =0 y por lo tanto:

I C 4= 4 I B 4 =0

Para el transistor

Q2 :

V 1R1 I B 2V BE 2 =0
I B 2=

V 1V BE 2 50.7
=
=0.13[mA ]
R1
33

I C 2= 2 I B 2=100 ( 0.13 )=13 [mA ]

V 2=0 , significa

Como el transistor

Q1 est en la zona de corte:

I B 3=I C 2=13[mA ]

V EC 2=2010 I E 30.7930 I C 2
V EC 2=25 [KV ]
Al ser el V EC 2 negativo, se concluye que el transistor
saturado y por lo tanto:

Q2

est

V EC 2=0
V EC 1=20 [V ]
V A =0
Analizndo desde otro punto de vista, el voltaje en la resistencia de
R2=930 [ K ] es:

V R 2=13 ( 930 )=12,090 [V ]

Valor que no es posible, puesto que la fuente V CC =20[V ]
y a menos
que el circuito sea un multiplicador de voltaje, las cadas de tensin en los
elementos del circuito son menores a 20V.
Debido a que no pueden existir voltajes de 12,090 V en el circuito, se
concluye que el transistor Q2 est saturado y que por el mismo no circula
I C 2=13[mA ] , sino una corriente mucho menor, que se la
una corriente
determina considerando que V EC 2=0 .
El anlisis anterior permite observar que las corrientes I B no pueden ser
altas (son de A no de mA), a menos que se esten analizando circuitos
electrnicos de potencia.
Suponiendo que el transistor

Q3

esta en la zona activa:

V CC R 3 ( 3+ 1)I B 3V BE 3 R2 I B 3 =0
2010 ( 100+1 ) I B 30.7930 I B 3=0
19.3=1940 I B 3 I B 3=

19.3
=0.01 [ mA ] =I C 1
1940

I C 3 =3 I B 3=100 ( 0.01 )=1 [mA ]

I E 3=( 3+ 1) I B 3=101 ( 0.01 )=1.01[mA ]

Y finalmente:

V C =V CC R3 I E 3=2010 ( 1.01 )=9.9 [V ]

VB :

Para determinar

V B =R4 I C3 =1 ( 1 ) =1[V ]
Y a partir de V B se determina:
V CE3 =V C V B=9.91=8.9 [V ]
V CE 4=V B=1[V ]
Resumiendo, en el primer intervalo se tiene:

Q1 : abierto ; Q2 : saturacion ; Q3 : activo ;Q 4 : corte

PQ 1 ( 0,20 V ) ; P Q 2 ( 0.01 mA , 0 V ) ; PQ 3 ( 1 mA , 8.9V ) ; PQ 4 ( 0, 1V )
V A =0 [ V ] ; V B =1 [ V ] ; V C =9.9 [V ]

Para

t [1,2]seg
V 1=0 [ V ] V 2=0 [V ]

Q1 est en corte
V 1=0 V I B 2 =I C 2=I E 2=0 Q2 est en corte
V 2 =0 I B 4 =I C 4=I E 4=0 Q4 est en corte
Como

I C 2=I B 3=0 I C 3=I E 3=0 Q3 est en corte

En estas condiciones:

PQ 1 ( 0,0 ) ; PQ 2 ( 0, 0 ) ; PQ 3 ( 0, 20 V ) ; PQ 4 ( 0,0 )
V A =0 ; V B =0 ; V C =20 V

Para

t [ 2,3 ] seg :

V 1=0 [V ] V 2=5[V ]

Q1 est en corte
V 1=0 [V ] I B 2=I C2 =I E 2=0 Q2 est en corte
Como I C 2=I B 3=0 I C 3=I E 3=0 Q 3 est en corte
Como I C 3 =I C 4 =0 Q 4 est en corte
As:

PQ 1 ( 0,0 ) ; PQ 2 ( 0, 0 ) ; PQ 3 ( 0, 20 V ) ; PQ 4 ( 0,0 )
V A =0 ; V B =0 ; V C =20 V

Ejercicio 72
En el siguiente circuito, determinar los puntos de operacin
Datos:

Q1 y Q2 .

paraQ 1 y Q2 V saturacin =0.3 [ V ] , =100

R1=40 [ K ] , R2=0.5 [ K ] , R 3=1 [ K ] , R4 =2 [ K ] , R5=2[K ]

Solucin:
Definiendo las corrientes en el circuito se tiene el siguiente grfico:

2
Ejercicio tomado del libro: Electrnica I Teora y solucionario de problemas.

Figura 6.2

Siguiendo la malla formada por

R3 ( I E 1 + I B 2 ) +0.7+ R1 I B 1=15

1 ( 101 I B 1 + I B 2 ) +40 I B 1=14.3

I B 2+ 141 I B 1=14.3

R3 ,Q1 , R 1 y 15[V ]

(1)

Puesto que se necesita otra ecuacin en funcin de

tomar la malla formada por

se tiene:

R3 ,Q2 , R5 y 5[V ]

R3 ( I E 1 + I B 2 ) +0.7+ R5 ( +1) I B 2=5

1 ( 101 I B 1 + I B 2 ) +2(101) I B 2=4.3

101 I B 1 +20 I B 2=4.3

I B1 e

se tiene:

(2)

Resolviendo el sistema de ecuaciones (1) y (2) se tiene:

Ya que

I B 1 = 101.63 A
I B 2 = -29.83 A
I B 2 <0 , el transistor

I B 2 se puede

Q2 est en zona de corte.

El punto de operacin de

Q2

V CE =V 1V 2
V CE =5(5 ) =10[V ]
I B 2=I E 2 =I C 2=0

PQ 2=(0 A ,10 V )

Al retirar

Q2 del circuito se tiene:

R3 I E 1+ 0.7+ R1 I B 1=15

1(101 I B 1 )+40 I B 1=14.3

141 I B 1 =14.3
o
o
o

Calculando

ser:

I B 1=101.41 A
I C 1=10.14 mA
I E 1=10.24 mA

V EC :

V EC =151.5 I C1
o
V EC =0.32[V ]

Puesto que
tanto:

V EC <0,

el transistor

Q1 est en zona de saturacin y por lo

V EC =151.5 I C1
0.3=151.5 I C 1
o
I c1=9.8 mA

Siendo su punto de operacin:

o

PQ 1=(9.8 mA , 0.3V )

Ejercicio 8
En el siguiente circuito, encuentre los puntos de operacin de
( I C , V CE ) .
Datos:

1= 3=50 , 2 =40,|V BE 1|=|V BE 2|=|V BE 3|=0.7 [V ]

Solucin:
Puntos de operacin

Q1 , Q2 ,Q3

Se realiza el anlisis DC

Para el transistor

Q1 :

10 I B 10.74.7 I E 1 +10=0
10 I B 10.74.7( 1 +1) I B 1 +10=0
10 I B 10.7( 4.7 ) (51) I B 1 +10=0

249.7 I B 1=9.3 I B 1=

9.3
=0.037[mA ]
249.7

I C 1= 1 I B 1=50 ( 0.037 )=1.9[mA ]

V CE1 =204.7 ( 1.90 )=11.1 [V ]
El punto de operacin de

Q1 es:

PQ 1 : (1.9 mA ,11.1 V )

Para el transistor

I B 2=

Q 2 , realizando el anlisis de una forma directa:

100.7
=0.046 [mA ]
10+4.7 (40+1)

I C 2= 2 I B 2=40 ( 0.046 )=1.8[mA ]

V CE2 =20( 2.2+ 4.7 ) 1.8=7.1[V ]
El punto de operacin de

Q 2 es:

PQ 2 : (1.84 mA , 7.1V )
Para el transistor

V Th=10
RTh =

Q3 :

39
( 15+1539 )10 ( 39+15
)=4.4 [V ]

39(15)
=10.8[ K]
39+15

Puesto que:

I E3
( 3 +1)
RTh + 1.5 3 +1
V ThV BE +10
I B 3=
=0.03[mA ]

I B 3=

I C 3 3 I B 3=3 [mA ]
V CE3 =101.5 I E 3 0.5 I C 3 +10=14.0 [V ]

El punto de operacin de

PQ 3 : (3.0 mA , 14.0V )

Q3

es:

Ejercicio 9
En el siguiente circuito, determine:

El Valor de V 0
Los puntos de operacion de los transistores

El estado de los diodos

Si:

a V i=0 [V ]
b V i=3 [V ]
c V i =3 [V ]
d V i=10[V ]

Datos:

R1=0.1 K , R2 =5 K , R3=5 K , R 4=5 K , R5 =5 K, R6=0.1 K ,V CC=10 [ V ] . ,

Paralos transistores =100 ,|V BE|=0.7 [ V ] , V sat =0 [ V ] ; paralos diodos V D =0.7 [V ]

Nota: Los valores de las resistencias se encuentran en K.

VI

D1

D2

Q1

Q2

D3

R6

D4

R1
Rth1

-10V

V0

Rth2

R7

Vth1

+10v
Vth2

Observando las configuraciones de Q 1 y Q 2 , se aprecia que no cumplen con

las caracteristicas de una configuracion tipo H, puesto que:

Q1 : R1 ( 1+ 1 )=0.1 ( 100+1 )=10.1 [ K ] no es muchomayor que R2=5 [K]

Q2 : R6 ( 2 +1 )=0.1 ( 100+1 ) =10.1 [ K ] no es mucho mayor que R5 =5[ K]
Por lo que habra que resolver el problema por Thevenin:

R3
V CC
R3
5
5
+
=10
+5
=7.5 [V ]
R 2+ R 3
2 R2 + R3
5+5
5+5
R4
V
R5
5
5
V Th2=V CC
CC
=10
5
=7.5 [V ]
R 4 + R5
2 R4 + R 5
5+5
5+5
V Th1=V CC

) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( )

RTh1=R 2 R 3=2.5[ K]
RTh2=R 4 R5=2.5[ K]
Asumiendo que

I E 1=

Q1 Q 2 estn en zona activa:

V CC V EB 1V Th1
R
R 1+ Th1
1+1

2.5
100+ 1
100.77.5
I E 1=
=14.4 [mA ]

0.1+

I E 2=

V Th1V BE 1+ V CC
RTh2
R6 +
2+1

2.5
100+1
7.50.7+ 10
I E 2=
=14.4[mA ]

0.1+

Despues de realizar los analisis de las configuraciones de

tiempo de comprender que sucede cuando se aplica la seal de

Q1 y Q2 , es
Vi .

a V i=0 [V ]
V i=0 , ambos transistores conducen, los cuatro diodos tambien lo
Si
hacen y por cualquier camino que se tome:
V 0=V i V D +V D
V 0=V i =0
V EC 1=V CC V i V D R1 I E 1=10V i0.70.1 (14.4 )
V EC 1=V CE 2=7.9V i=7.9 [ V ]
V CE2 =V iV CC V D R6 I E 2=V i+100.70.1 (14.4 )
V CE2 =7.9+ V i=7.9 [ V ]

b V i=3 [V ]
V i=3 [ V ] , tanto los dos transistores como los cuatro diodos siguen
Si
conduciendo y:
V 0=V i =3[V ]
V EC 1=7.9V i=4.9 [ V ]

V CE2 =7.9+ V i=10.9 [ V ]

Q2

no est saturado porque entre sus extremos ( V i ,V CC ), hay 13

[V].

c V i =3 [V ]

V i=3 [ V ] , nuevamente, tanto los 2 transistores como los cuatro

Si
diodos conducen y:. ambos transistores siguen conduciendo:

V 0=V i =3 [V ]
V EC 1=7.9V i=10.9 [ V ]
V CE2 =7.9+ V i=4.9 [ V ]

d V i=10[V ]
V i=10 [ V ] , el diodo D 1 se abre, porque no puede polarizarse
Si
directamente ( V D 1< 0 ) y el transistor Q 1 conduce a travs de D 3 .
En lo que respecta a Q 2 , este transistor conduce a travs de D 2 y el
D4 se abre. Por lo tanto:
V 0=R7 I C 1=0.1 (14.4 )=1.4 [ V ]
V EC 1=V CC V D 3( R 1+ R 7 ) I C 1=100.7( 0.1+ 0.1 )( 14.4 )
V EC 1= 6.4 [V ]
V CE2 =7.9+ V i=17.9 [ V ]
Resumiendo:

Vi

V0

D1

D2

D3

D4

PQ 1

PQ 2

[V]
0
3
-3
10

[V]
0
3
-3
1.4

C
C
C
NC

C
C
C
C

C
C
C
C

C
C
C
NC

(mA, V)
(14.4, 7.9)
(14.4, 7.9)
(14.4, 7.9)
(14.4, 7.9)

(mA, V)
(14.4, 7.9)
(14.4, 7.9)
(14.4, 7.9)
(14.4, 7.9)

C: conduce; NC: no conduce

PROBLEMAS PROPUESTOS
Problema 1
Para el circuito mostrado a continuacin determinar el estado de los
transistores.

Rb 1=100 K , R b2 =50 K , Rc 1=5 k, Rc 2=2.7 K , R e2=2 K , Re 1=3 K

Paratodos los transistores: =100 ,|V BE|=0.7V , V CEsat . =0.2 V

Problema 2
Determinar el punto de operacin de cada uno de los transistores.
Datos:

|V BE|=0.7 V

=100 (para los dos transistores)

+12v

R6
R2

R4

Q2

+12v

R1

Q1
R7
15k

R5
R3

R1=10 K , R2 =0.1 K , R3=1 k, R4 =100 K , R5=100 K , R 6=R R7=0.5 K

Paratodos los transistores: =100 ,|V BE|=0.7V , V CEsat . =0.2 V

Problema 3
Dado V1 Y V2, grafique las formas de onda de Vi y Vo. Considere diodos
ideales.

+15

D4

V1

R1

D1
D3

V2

R2

Q1

R3

C1

D2
R4

R5

R1=5 K , R2 =5 K , R3=15 K , R 4=20 K , R 5=5 K, R6=0.1 K

V z =5 V , =100
V 1=15 V ,V 2 =0, para 0 t<1( seg)
V 1=0 V , V 2=15 V , para 1 t <2(seg )

Problema 4
Graficar V o vs V x

Vo

Vi
R6

R1=5 , R 2=3.3 K , R3 =400 , R4 =50 , R5 =4.7 , R6=6 K ; R7=6 K

+36v
D1

C1

+15v
R3
L1

R4

R2
Q2
R5
R1

Q3

Q1
R7

Vx
R6

Vx=2V 0 V

Paratodos los transistores: =200 ,|V BE|=0.7 V , V CEsat . =0.2 V

V0

Problema 5
Graficar V o vs t .

+15v

R1
C1
L1

R3

R5

D1
R4

R7
V1

R2

Q2

Q1

R6

V0

R8

-15v

R1=5 K , R 2=2 K , R3=10 k , R4 =10 K , R5=6.8 K , R6=10 K ; R7=15 K

Paratodos los transistores: =100 ,|V BE|=0.7V , V CEsat . =0.2 V

Problema 6
Encuentre el valor de RC para que:

a)
b)

V CE =10 V
Q2

est en el borde de saturacin.

Rc
V1
R1

Q1

V
R2

R1=20 K , R 2=0.3 K ,V =2V V 1=20 V

Paratodos los transistores: =100 ,|V BE|=0.7V , V CEsat . =0.2 V

Problema 7
Graficar V o 1 vs t ;

V o 2 vs t ;V o 3 vs t

Q1

Vx1

V01

R4

V02

L1

D2
1BH62

R2

V03

D1

R1

Q2

Vx2

R3

R1=1 K , R2 =10 K , R3=2 k , R4 =1 K ,

Paratodos los transistores: =100 ,|V BE|=0.7V , V CEsat . =0.2 V

Problema 8
Graficar V o 1 vs t .

+30v

R2

R1

R5

Q1

Q2

R6

+20v

Vx

R3
V01
R4

R1=430 K , R2=5 K , R 3=0.1 k , R 4=5 K , R 5=5 K , R 6=430

Paratodos los transistores: =100 ,|V BE|=0.7V , V CEsat . =0.2 V

Problema 9
En el siguiente circuito, determinar:
a) La regin de operacin (corte, activa, saturacin) de los transistores
Q1, Q2.
b) El rango de

Rd

para que Q3 est en la regin activa.

Ra=1.7 K , Rb=0.4 K, Rc =6 k ,
Paratodos los transistores: =100 ,|V BE|=0.7V , V CEsat . =0.2 V

Problema 10
Para el siguiente circuito. Determinar el estado de los transistores.

R6

15 V1
V

Vo

C4
R5

Q2

C3

R4

R1

15 V
Q1

C1
R2

C2

Vi
R3

R1=53 K , R2 =10 K , R3=2 k, R4 =39 K, R5=83 K , R6=5 K

Paratodos los transistores: =100 ,|V BE|=0.7V , V CEsat . =0.2 V

Problema 11
Hallar los puntos de operacin, VO, V1.

+20v

R2

R5

Q1
R1

C1

Q2
R3
C2

V1
R4

Paratodos los transistores: =100 ,|V BE|=0.7V

Problema 12
Hallar los puntos de operacin y graficar VC1

V0

R6

+20v
R4

D2
R1

R2
Q2

C1

Q1

C2

D1

R5

R3

Paratodos los transistores: =100 ,|V BE|=0.7V

Problema 13
En el siguiente circuito dado:
a) Calcular el punto de operacin del transistor, si el
como se indica en las caractersticas.
Transistor de silicio

|V BE|=0.6 V

vara con

IC

+6v

R1

R5
Q3

Q1
R8

R2
R6
R3

R9

R10

Q2
R11

Q4

R4

R7
+6v

Problema 14
En el siguiente circuito, determinar los puntos de operacin de los
transistores.
Datos: Q1: |V BE|=0.6 V
=100
;
Q2 |V BE|=0.6 V , =130

+25v

R4
R2

C1

V0

Q2
Q1

R1

R7

Vi

R3

R6
R5

C2

C3

Problema 15
Determinar el punto de operacin de cada uno de los transistores
Datos: |VZ1|
= 6.7V

|V BE|=0.7 V
=100 (para todos los transistores)

15 V

R1

R2

Z1
R6

Q1

Q2
Q5
7V
Vi2

7V
R3

R4
R5

Vi1

Q3

R7

Q4

CAPTULO 2
REGULADORES DE VOLTAJE
Ejercicio 1
El siguiente diagrama corresponde a una fuente de voltaje lineal regulada con
una corriente de salida de 0 a 2 Amperios. Determinar:
a)
b)
c)

V 0 mx y V 0 mn
Pot Q 2 mx
Pot D 3 mx

Datos:

Paralos transistores =100,|V BE|=0.7 [ V ] . Paralos diodos V D =0.3 [ V ]

V Z =15 [ V ] ,V =20[V ]
D1

Vo

D4

V1
T1
120 Vrms
60 Hz
0

C1

Q2
R1
270

Q1

3.300F
D2
D3

R3
50k
Key=A

C2
470F

0%

Solucin:
a) El V 0 mx y V 0 mn se los obtiene observando el funcionamiento del zener y
los extremos del resistor variable:

V 0 mx =151.4=13.6 [V ]
V 0 mn =0[V ]
b) La potencia mxima de

Q 2 ( Pot Q 2 mx )

es:

Pot Q 2 mx =V CE2 I C 2 =( 2013.6 )( 2 )=12.8 [W ]

c) La potencia mxima del diodo zener

Pot D 3 mx=V D 3 I D3 =15

D3 (Pot D 3 mx )

=0.28[W ]
( 2015
0.27 )

es:

Ejercicio 2
En el siguiente circuito, determinar:
a) V0
b) PQ2
c) VEC1
Datos:

Paratodos los transistores, =50 ,|V BE|=0.7 [ V ] .

V Z 1=6 [ V ] ,V Z 2=6.2, [ V ] ; Considere adems , I B 3 I 1
Vo
IB3

I1

a) Del anlisis del circuito, se puede determinar que D2 est encendido, por
lo que:

V B 3 =V Z 2 +0.7=6+0.7=6.7 [V ]
I R 6=

6.7 V
=6.7 [mA ]
1 K

De los datos del problema IB3<<I1, lo que significa que la corriente que circula
por R6 es aproximadamente igual a la corriente que circula por R3 , por
lo que:

I R 3=6.7 [mA ]
Y por lo tanto:

V 0=I R 3 R3 +V B 3=6.7 ( 0.79 ) +6.7

V 0=12 V

b) La potencia de

Q 2 es:

Pot Q 2=V CE2 I C 2

I C 2 I E 2=I R 3 + I RL =I R 3 +

V0
12
=6.7+
=56.7 [mA ]
RL
0.24

V CE2 =2512R 4 I C 2=130.068 ( 56.7 ) =9.1[ V ]

Pot Q 2=56.7 ( 9.1 )=0.52 W
c) El voltaje

V CE1 es:
V CE1 =V C 1V E 1
V E 1=256.2+ 0.7=18.1[V ]
I E 1=

25V E 1 2518.1
=
=2.6 [mA ]
R2
2.7

V C 1=V 0 +0.7+ R 5 I C 1=12+0.7+1(2.6)=15.3[V ]

V CE1 =15.318.1=3.1[V ]

Ejercicio 3
En el siguiente circuito, determinar:
a) V0.
b) La corriente mxima en la carga R L .
RSmn y RSmx para que el circuito regule (asuma
c)

R L=20 [ ] )

Datos: Paralos transistores y los diodos |V BE|=V D=0.7 [ V ] .

1=60 , 2 =80 , P otenciaQ 1 mx =5 [ W ]
I Z 1mn =2 [ mA ] , P Z 1mx =0.5 [ W ] ; 8 V i 10.

V Z 1=6.9 [ V ] ,

D1

Q1

Vi
C1
1F

Vo

Rs

RL

Q2

D2

D3

Z1
6.9V

Solucin:
a) El valor de V o se lo obtiene directamente del circuito, asumiendo que el
diodo zener opera adecuadamente y que el diodo D1 est abierto, puesto
que V i V 0 (D1 es un diodo que se lo utiliza como proteccin de Q1):

V Z +V D V D V BE V BE V o=0
1

V o=6.91.4=5.5[V ]

b) La corriente mxima en la carga

I Lmx =I E 1 mx I C1 mx =
I Lmx =

5
=2[W ]
85.5

P otencia Q1 mx
V imn V 0

I
R L ( Lmx)

es:

c) Los valores de

RSmn y RSmx

para que el circuito regule, asumiendo que

R L=20 [ ] , se los determina de la ecuacin de

V V Z 1V D 3
RS = i
I Z 1+ I B 2

RS :

V imx V Z 1V D 3
I Z 1 mx + I B 2
V imx V Z 1V D 3
RS 2 =
I Z 1 mn + I B 2
V imn V Z 1V D 3
RS 3 =
I Z 1 mx + I B 2
V imnV Z 1V D 3
R S 4=
I Z1 mn + I B 2
RS 1 =

La corriente maxima a travs del zener, se la puede obtener de la forma:

I Z 1mx =

PZ 1 mx 0.5[W ]
=
=0.072 [ A ] =72[mA ]
V Z1
6.9[V ]

Y la corriente a travs de la base del transistor

Q2

mediante:

V0
I E1
RL
V0
I B 2=
=
=
( 1+1 ) ( 2 +1 ) ( 1+1 ) ( 2 +1 ) RL ( 1 +1 ) ( 2 +1 )
I B 2=

5.5
=20 [ A ]=0.020[mA ]
55 ( 60+ 1 )( 80+1 )

Los posibles valores de

RS

son:

RS 1 =

106.90.7
=0.033[ K]
72+0.020

RS 2 =

106.90.7
=1.19[ K]
2+ 0.020

RS 3 =

86.90.7
=0.006 [K]
72+ 0.020

R S 4=

86.90.7
=0.198[ K]
2+0.020

Y por lo tanto, los valores de

asumiendo que

RSmn y RSmx

R L=20 [ ] , son:

0.033 R S 0.198 [K]

para que el circuito regule,

Si se toman como valores

RSmn =0.006 [ K ] y RSmx =1.19[ K ] , el circuito

Vi

es un voltaje que depende del tiempo. Si de:

no regula. Puesto que

RS =

V iV Z 1V D 3
I Z 1+ I B 2
IZ1 :

Se despeja

I Z 1=

V i V Z 1V D 3
I B 2
RS

S iV i=10 [ V ] y R Sm n =0.006 [ K ] :

I Z 1=

106.90.7
0.002=435[mA ]
0.006

Y el zener se quema porque no puede soportar una corriente mayor a

I Z 1=72.5 [ mA ] .
S iV i=8 [ V ] y R Sm x =1.19 [ K ] :

I Z 1=

86.90.7
0.002=0.32[mA ]
1.19

Y el zener se abre porque no puede funcionar con una corriente menor a

I Z 1=2 [ mA ] .
RSmn y RSmx , se puede observar que:

Finalmente, de los valores de

RSm n=

V x V Z 1V D 3
I Z 1 m x+ I B 2

RSm x =

V n V Z 1V D 3
I Z 1 m n+ I B 2

RSmn

se produce cuando

I Z 1mx y V imx

RSmx

se produce cuando

I Z 1mn y V imn

Ejercicio 43
En el siguiente circuito, determinar:
a) Vo
b) Potencia en Q1
c) Potencia en el zener
Datos:

Paralos transistores y los diodos =40,|V BE|=0.7 [ V ] ; V Z =3.3 [ V ]

Q1

Vi = 16V
Vi
16 V

Vo
R1
1k

R2
100k

Q2

Vy

R4
500

+
Q3
Vx
R3
50k
3.3V

Solucin:
a) Para encontrar el voltaje

V0 :

V X =V Z +V BE =3.3+0.7=4 [V ]
Si se asume que

I R 3 I R 2=

I B 3 I R 3 , se puede decir que:

VX 4
= =0.08[mA ]
R3 50

Y por lo tanto:

R
( 2+ R3 ) I R 2 =( 100+50 ) 0.08=12[V ]
V 0=
Para verificar si lo asumido es correcto ( I B 3 I R 3 :
3
Ejercicio tomado del libro: Electrnica I Teora y solucionario de problemas.

I B 3=

IC 3 I R 1 + I B 2
=

V
( 0+ 2V BE) 16(12+1.4)
V i
=
=2.6 [mA ]
R1
1
I R 1=
I B2 :

Para determinar

I L=

V0
=24 [mA ]
RL

I E 1= 0.08+ 24=24.08[mA ]
I B 2=

I E1

( +1 )

24.08
=14.3 [ A ] =0.014 [mA ]
2
41

Y por lo tanto:

I B 3=

2.6+0.014
=0.06[mA ]
40

Comparando:

I B 3=0.06 [ mA ] no es I R 3=0.08[mA ] :
Por lo que lo asumido no es correcto y hay que nuevamente realizar los
clculos, aplicando Thevenin en la base de Q 3 . Esto es:
Vi = 16V
Vi
16 V

Q3
Rth3

3.3V

V Th3=V 0

R2
50
=V 0
=0.33V 0
R2 + R3
100+50

) (

VTH3

RTh3=R 2 R 3=33.3[ K]
Y la corriente en la base y en el colector de

I B 3=

Q3

son:

V Th30.73.3 0.33 V 04 V 012

=
=
RTh3
33.3
100

I C 3 = I B 3=40

V 012 2V 024
=
=0.4 V 04.8
100
5

Por su parte, la corriente en el emisor de

Q1 es:

I E 1=I R 2+ I L
V
=2V 0
0.5
V
V 12
I R 2=I R 3 + I B 3= X + 0
=0.08+0.01 V 00.12=0.01 V 00.04
50
100
I L=

En donde:

Y por ello:

I E 1=0.01 V 00.04+2 V 0=2.01 V 00.04

I B 2=

I E1

( +1 )

2.01V 00.04
2

(41)

=1.196 x 103 V 0 2.38 x 105

I R 1=I B 2 + I C 3=1.196 x 103 V 02.38 x 105+ 0.4 V 04.8=0.401 V 04.8

Por otro lado:

I R 1=

V i[V 0+2 ( 0.7 ) ]

=16V 01.4=14.6V 0
R1

Igualando las ecuaciones de

I R1

y despejando

V0 :

0.401V 04.8=14.6V 0
V 0=13.8 [V ]

b) La potencia que disipa

Q1 es:

Pot Q 1=V EC 1 I E 1
V CE1 =1613.8=2.2[V ]
Pot Q 1=2.2 ( 27.7 ) =60[mW ]

I E 1=2.01 ( 13.8 )0.4=27.7[mA ]

c) La potencia que disipa el zener es:

PZ =V Z I Z

I Z =I E 3 =( +1 ) I B 3=( +1 )

PZ =3.3 ( 0.76 )=2.5[mW ]

] [

V 012
13.812
=41
=0.76[mA ]
100
100

Ejercicio 5
Disear una fuente regulada serie que cumpla con las siguientes
especificaciones:

V o=5 [ V ]

I 0 mx =500 [ mA ]

Y considere la siguiente informacin:

Voltaje de alimentacin de 120 Vrms y frecuencia de 60 Hz.

Relacin de vueltas del transformador N1/N2 =15
Puente de diodos de silicio con V AK =0.7 [ V ]
Transistores en configuracin Darlington con =50 y|V EB|=0.7 [ V ]
Potencia mxima del zener de 1 [ W ] y corriente mnima del zener de 8

[ mA ]

Porcentaje de rizado del 5%

El diseo debe incluir:

a) El diagrama del circuito, utilizando la cantidad de transistores y
resistencias que considere necesario.
b) El voltaje del zener V Z y el rango de la resistencia R que lo polariza.
c) El valor del capacitor C (considere una Req =V DC /I DC ).
Solucin:
a) El diagrama del circuito es:
V0 es -5 [V], es VNR, (NR en mayscula) en el transformador VP, VS; LA
FUENTE ES VI

V Z viene dado por:

b) El voltaje del zener

V Z =V 0+ 2V BE
V Z =5+ 2 ( 0,7 )=6,4 [ V ]
y el rango de la resistencia R que lo polariza estaria dado por

R=

|V NR|V Z 1
I Z + I B2

En donde se ha tomado el valor absoluto de V NR , para facilitar la

solucin del problema, puesto que en realidad, en el circuito, los voltajes
de los nodos son negativos. Los posibles valores de R son:

R1=

R2=

|V NRmx|V Z 1
I Z 1mx + I B 2 mx

|V NRmx|V Z 1
I Z1 mn + I B 2 mn

|V NRmn|V Z 1

R3=

I Z 1 mx + I B 2 mx

|V NRmn|V Z 1

R4 =

I Z 1 mn + I B 2 mn

La corriente maxima a travs del zener, se la puede obtener de la forma:

I Zmx =

P Zmx 1[W ]
=
=152.2[mA ]
VZ
6.4 [V ]

Y la corriente a travs de la base del transistor

I B 2 mx=

I E 1 mx
2

( 2 +1 )

Q2

mediante:

500
=0.19 [mA ]
(50+ 1 )2

I B 2 mn =0
La corriente I B 2 mn =0 es un valor ideal, puesto que si esto llegase a
suceder los transistores dejan de funcionar y a la salida ya no se tendra
V 0=5 [ V ] sino V 0=0 [ V ] .
El voltaje

VP

pico

VS

pico

N1
N2

|V NRm x|

se lo determina de los datos del transformador:

VS =
pico

VP
120 2
=
=11,3 [V ]
N1
15
N2
pico

|V NRmx|=V S
Y el voltaje

|V NRmn|=

pico

2 V D=11.32 ( 0.7 ) =9.9[V ]

|V NRm n|

del porcentaje de rizado ( %r ) :

1 3
|V NRmx|= 13 9.9=8.3[V ]
1+ 3
1+ 3

Los posibles valores de R son:

R1=

9.96.4
=0.022[ K]
156.3+0.2

R 2=

9.96.4
=0.435 [K]
8

R3=

8.36.4
=0.012[ K]
156.3+0.2

R4 =

8.36.4
=0.238[ K]
8

Y por lo tanto, los valores de

son:

0.022 R<0.238 [K]

RSmn y RSmx

para que el circuito regule,

PROBLEMAS PROPUESTOS
Problema 1
Utilizando el siguiente circuito, disee una fuente con regulacin de voltaje
en paralelo, que cumpla las especificaciones:

V RL =

12 [V];

I RL=1 [ A ]

Y considere la siguiente informacin:

V NRmx =16 [ V ] ,V NRmn =18 [ V ] ; PZmx =1 [ W ] , I Zmn=5 [ mA ] ;

1=50 ,|V BE 1|=|V BE 2|=0.7[V ]
Fuente N.R.
16 y 18 V
Vin

Q1

Vout
ADJ

R
RL

DZ

Problema 2
Utilizando el siguiente circuito, disee una fuente con regulacin de voltaje
en paralelo, que cumpla las especificaciones:

V RL =

9 [V];

I RL=1 [ A ]

Y considere la siguiente informacin:

V NRmx =15 [ V ] ,V NRmn =12 [ V ] ; PZmx =0.5 [ W ] I Zmn=2 [ mA ] ;

1=50, 2=100 ,|V BE 1|=|V BE 2|=0.7 [V ]

Fuente
N.R.

Rs

Q2
Q1

Dz

RL

CAPTULO 3
AMPLIFICADORES DE PEQUEA SEAL
Ejercicio 1
Realizar el anlisis DC y calcular la ganancia de voltaje de forma literal para
el siguiente circuito.

Datos : I f =0.5 [ mA ] , R =50, R1 =1 [ K ] , R2=100 [ K ] , R L=1 [ K ]

=99 ,|V BE|=0.7 [V ]

Anlisis DC
Considerando que los condensadores a bajas frecuencias se comportan como
un circuito abierto, se obtiene:
Del circuito, se deduce:

0.5mA I B I c I E

(1.1.1)

V E R1 I E R1 0.5mA 0.5V

(1.1.2)

V B 0.7 V E 0.7 0.5 1.2V

(1.1.3)

VC R2 I B V B R2 I B 1.2V

(1.1.4)

Del Transistor Bipolar, se tiene que:

IB Ic

(1.1.5)

Si se sustituye la ecuacin 1.1.5 en la ecuacin 1.1.1, resulta:

IB

0.5mA
1

(1.1.6)
Al reemplazar la ecuacin anterior en la ecuacin 1.1.4, se obtiene:

0.5mA
V B 1.7V
1

VC R2
(1.1.7)

Finalmente,

VCE Vc V E 1.7 0.5 1.2V

(1.1.8)

Anlisis AC
Solucin 1: modelo hbrido

(amplificador de transconductancia)

Considerando que los condensadores en baja frecuencia se comportan como

un corto circuito y la fuente de corriente DC se comporta como un abierto, se
obtiene:

Al sustituir el transistor bipolar por su modelo en pequea seal:

Donde gm: se llama transconductancia.

: la resistencia de entrada entre la base y el emisor, vista desde

la base.
Se calculan ambas de la siguiente manera:

gm=

Ic
VT

(Donde Ic es la corriente del colector en DC y

VT

es un voltaje trmico que

es aproximadamente igual a 25 mv a temperatura ambiente.)

r =

VT
=
gm I b

(Donde Ib es la corriente de la base en DC).

Si suponemos que

ro

tiende a infinito resulta:

Finalmente, se obtiene:

Del circuito se deduce:

Vo ( R2 // RL ) gmVbe
Rin R1 // r // gm 1

Vbe

Rin
Vin
Rin 50

Se obtiene la ganancia:

Vo ( R 2 // R L ) gmRin

Vin
Rin 50

Solucin 2: modelo hbrido

parmetros de BC)

(amplificador de corriente-

hib =r e
h fb= =

hfe
h fe +1

Z i=R 1 /
I e=

Vx
re

v X =v i

Zi
R i+ Z i

R1 r e Z i =r e

Z o =R2 / R L =RC
v o =I C R C = I e RC
v O =

vx
R
re C

R
( i+ Z i )(r e ) RC
vZ
v O= i i

R
( i+ Z i )RC
v
v O= i

A v =(

( Rc )
vo vx
Zi
(R2 / R L )
)( )=(
)(
)=
v x vi
Zi
Ri +Z i
Ri +r e

Ejercicio 2
En el siguiente circuito, determinar en banda media:
a) La impedancia de entrada Z i
b) La impedancia de salida Z 0
c) La ganancia v 0 / v i

Datos : R1=4 [ K ] , R2 =2 [ K ] , R3=1 [ K ] , R 4=R8 =0.4 [ K ] , R 5=0.1 [ K ] ,

R L=2 [ K ] , hfe1=hFE 1= =100,V CC =24 [V ]
Solucin:
a) La impedancia de entrada

Zi

Z i=R 1 R 2 (r e1 + R4 ) ( hfe 1+1 )

En donde:

re=

26 mV
I E( DC)

Del circuito se observa que:

( R E 1+ R E 2) ( +1 ) R2
Y por lo tanto:

se determina de la forma:

V B =V CC

R2
2
=24
=8[V ]
R1 + R 2
4 +2

I E 1=
re=

) ( )

V B 0.7 80.7
=
=9.1mA
R 4 + R8 0.4+ 0.4

26 mV 26 mV
=
=0.003 K
I E( DC) 9.1 mA

Reemplazando los valores:

Z i=4 2 ( 0.0028+0.4 )( 100+1 ) =1.3[ K]

b) La impedancia de salida

Z0

es:

Z O =R3=1[ K]
c) La ganancia

A v=

vo
v
= o
vi vb 1

v 0 / v i es:
vb 1
R3 R L
=
vi
re+ R 4

( )( ) (

A v = (1.65 ) ( 0.93 )=1.54

)(

Zi
1 2
=
R5 + Z i
0.003+0.4

)(

1.3
)( 0.1+1.3
)

Ejercicio 3
En el siguiente circuito, determinar:
a) La impedancia de entrada Z i
b) La impedancia de salida Z 0
c) La ganancia v 0 / v i

Datos : R1=R3 =68 [ K ] , R2=R 4=33 [ K ] , R C 1=RC 2=15 [ K ] , R E 1=R E 3=0.33 [ K ] ,

R E 2=R E 4 =12 [ K ] RL =10 [ K ] , hfe 1=hfe2=hFE 1=hFE 2=100,V CC =25[V ]
Solucin:
a) La impedancia de entrada

Zi

se determina de la forma:

Z i=R 1 R 2 (r e1 + R E 1) ( h fe 1+1 )
En donde:

r e 1=

26 mV
I E 1(DC )

Del circuito se observa que:

( R E 1+ R E 2) ( h FE 1 +1 ) R2
Y por lo tanto:

V B 1=V CC

R2
33
=25
=8.2[V ]
R 1 + R2
68+ 33

) (

I E 1=

V B 10.7 8.20.7
=
=0.6 [mA ]
R E 1+ R E 2 0.33+12

Es importante verificar que el circuito est en la zona activa, esto es,

que en este caso, el V CE1 >0 :

R
( C 1+ R E 1 + R E 2 ) I C 1=25(15+0.33+12)0.6=8.4[V ]>0
V CE 1=V CC
Continuando con el anlisis:

r e 1=

26 mV 26 mV
=
=0.043 [K]
I E (DC ) 0.6 mA

Reemplazando los valores:

Z i=68 33 ( 0.043+ 0.33 )( 100+1 ) =14[ K]

b) La impedancia de salida

Z0

es:

Z O =RC 2=15[ K]
c) La ganancia

A v=

v 0 / v i es:

vo
v
= o
vi vb 2

vb 2
RC 2 R L RC 1 R L1
=
vi
r e 2 + RE 3
r e 1+ R E 1

( )( ) (

)(

Por cuanto los transistores Q 1 y Q 2 estn polarizados de igual

forma, las dos etapas estan en la zona activa y:

r e 2=r e 1=0.043[ K]
R L1=68 33 ( 0.043+0.33 ) ( 100+1 )=14 [ K]
A v=

15 10
15 14
( 0.043+0.33
)( 0.043+
0.33 )

A v = (16.1 ) ( 19.4 )=312.1

Ejercicio 4
En el siguiente circuito, determinar:
a)
b)
c)
d)

La
La
La
La

impedancia de entrada Z i
impedancia de salida Z 0
ganancia v 0 / v i
ganancia de corriente i o / ii

Datos : R1=82 [ K ] , R 2=22 [ K ] , R3=4.7 [ K ] , R4 =1 [ K ] , R5=2 [ K ] , R 6=10 [ K ] ,

R7=1 [ M ] , R8=10 [ K ] , hfe 1=hfe 2=h FE 1=h FE 2=100,V CC =22[V ]
Solucin:
Nota: puesto que todos los valores de resistencias estn en k y los voltajes
en voltios, las corrientes estarn en mA.
a) La impedancia de entrada

Zi

se determina de la forma:

Z i=R 1 R 2 (r e1 + R4 ) ( hfe 1+1 )

En donde:

r e 1=

26 mV
I E 1(DC )

Del circuito se observa que:

( R4 + R 5 )( hFE 1 +1 ) R 2
Y por lo tanto:

V B 1=V CC

R2
22
=22
=4.6 [V ]
R 1 + R2
82+22

I E 1=

) (

V B 1 0.7 4.60.7
=
=1.3 [mA ]
R 4 + R5
1+ 2

Es importante verificar que el circuito est en la zona activa, esto es,

que en este caso, el V CE1 >0 :

3+
R
+
R
(
4
5 )I C 1=22( 4.7+1+2)1.3=11.9[V ]>0
V CE1=V CC
Continuando con el anlisis:

r e 1=

26 mV 26 mV
=
=0.020[ K]
I E (DC ) 1.3 mA

Reemplazando los valores:

Z i=82 22 ( 0.02+1 ) (100+ 1 )=14.8[ K]

b) Para determinar la impedancia de salida Z 0 , primero habra que separar
R7 en dos resistencias, aplicando el teorema de Miller: una a la entrada

R
( 7 out) . Adicionalmente, puesto que el

circuito tendra una ganancia | V M |1 :

(

7
) y una a la salida
R

7=

R7 out =

1000
1000
=
1 V M | V M|
R

1000
=1000 K
1
1
V M

Y ahora s:

Z o =R6 R7 out =10 1000=10 [K ]

| V M|1

Verificando que

v M = v 2=

R 6 R7 out R 8
r e2

Q2 :

Para el transistor

2210 I E 21000 I B 20.7=0

2210 I E 21000
I E 2=
r e 2=

I
( 101
)0.7=0
E2

220.7
=1.07 [ mA ]
10+ 9.9

26
=0.024 [K ]
1.07

Reemplazando los valores:

v M = v 2=

10 1000 10
=208.3
0.024

Y por lo tanto, se verifica que

c) La ganancia

A v=

| V M|1

v 0 / v i es:

vo
v
= o
vi vb 2

vb 2
R3 R L1
=
v2
vi
r e1 + R 4

( )( ) (

Y analizando la carga

7 r e2 ( hfe 2+1 )
RL 1=R

R L1 que ve el transistor

Q1 :

7=

1000
=4.8 K
208.3
R

Reemplazando los valores:

R L1=4.8 0.024 ( 100+1 )=1.6 K

A v=

1.6
(208.3)
( 4.7
0.02+1 )

A v = (1.5 ) (208.3 )=312.5

d) La ganancia de corriente

i o / ii

es:

i
14.8
A i= o =312.5
=463
ii
10

( )

Ejercicio 5
En el siguiente circuito:
a) Dibuje el equivalente de parmetros hbridos, para amplificadores de
pequea seal.
b) Encuentre las expresiones literales para las impedancias

Zb3

, vistas desde las bases de los transistores

Q1 ,

Zb1

, Zb2

Q2

Q3

respectivamente.
c) Encuentre las expresiones literales para las impedancias de entrada y
salida de Miller que existan.
d) Encuentre las expresiones literales para las ganancias de Miller que
e)
f)
g)
h)

existan.
Encuentre
Encuentre
Encuentre
Encuentre

la
la
la
la

expresin
expresin
expresin
expresin

literal
literal
literal
literal

para
para
para
para

la
la
la
la

impedancia de entrada Z i .
ganancia de voltaje v o 1 / vi
ganancia de voltaje v o 3 / v i .
impedancia de salida Z o .

Datos:

Q1 :

hie 1 ,

h fe 1 ,

Q2 :

hie 2 ,

h fe 2

Q3 :

hie 3 ,

h fe 3
Asuma que los transistores estn operando en zona lineal y que las ganancias
de Miller son mucho mayores que 1.

A) Dibuje el equivalente de parmetros hbridos, para amplificadores de

pequea seal.

a) Dibuje el equivalente de parmetros hbridos, para amplificadores de

pequea seal.

b) Encuentre las expresiones literales para las impedancias

, Zb3

Q3

, vistas vistas desde las bases de los transistores

Zb1

, Zb2

Q1 ,

Q2

respectivamente.

Reflejando cada una de las resistencias hasta la base de cada

transistor:

Z b 3 =( Ro 3 R4 + r e3 ) ( hfe 3 +1 )
Z
( b 3 +r e 2) ( hfe 2+1 )
Z b 2=
Z b 1=( ( Z b2 R f 2 ) + Re 1 +r e1 ) ( h fe 1+ 1 )

c) Encuentre las expresiones literales para las impedancias de entrada y

salida de Miller que existan.
Asumiendo que la ganancia

A v 1 :

| || |
| || |

Z Mo=Rf

Z Mi=

Av
R A v
= f
=Rf
1A v
Av

Rf
R
R
= f = f
1 A v
Av Av

d) Encuentre las expresiones literales para las ganancias de Miller que

existan.
Asumiendo que Rf es muy grande:

A vM =

v 01
R o 1 R c1 R f
=
v b 1 ( Z b 2 R f 2 ) + Re 1 +r e 1

e) Expresiones literales para las ganancias de voltaje

Vo 3
Vi

Vo 1
Vi

V o1
Ro 1 R c1 R f
= A vM =
Vi
( Z b 2 Rf 2 ) + R e1 + r e1

V o3
R o 3 R4
=
V i r e 3 + Ro 3 R 4

f) Encuentre la expresin literal para la impedancia de entrada Zi y Zo

Z i= {[ ( R o 3 R4 +r e3 ) ( h fe 3 +1 ) +r e 2 ] [ h fe 2 +1 ] Rf 2+ R e1 +r e 1 } { h fe 1+ 1 } Z Mi R1 R2
Z i=

{[ {[ ( R

Zo=

[( (

o3

R 4 ) ( hfe 3+1 )+ hie 3 ] [ hfe 2+1 ]+ hie2 } R f 2 + Re 1 [ hfe 1 +1 ] +hie 1 Z Mi R 1 R 2

R 1 R2 Z Mi hie 1
+ R e1 R f 2 +hie 2
hfe 1 +1

hfe2 +1

) )
+ h ie 3

hfe 3 +1

R4

Ejercicio 6
En el siguiente circuito:
a) Realice el analisis DC y determine los puntos de operacin de

Q1 , Q2 y Q3

b) Realice el analisis AC y determine

Zi ,

Zo ,

Av

Datos : R1=R2 =R 3=5 [ K ] , R 4=0.5 [ K ] , R 5=1 [ K ] , V Z =4.2 [ V ] , r Z =0 [ K ] ,

V CC =12 [ V ] ,V EE=3 [ V ] , para lostransistores h FE=h fe= =600,|V BE|=0.7 [ V ]

a) Para determinar los puntos de operacin de Q 1 , Q 2 y Q 3 , se observa que

Q1 y
Q3 estn conectadas al zener y
las bases de los transistores
V
que la fuente
acta como cortocircuito.
1
Analizando

Q3 :

I C 3 I E 3=

Analizando

V CCV EBV Z 120,74,2

=
=1.42[mA ]
R3
5

Q2 :

I B 2 R 4V BE( I C 3 + I E 2 ) R5V EE=0

I B 2 R 4V BEI C 3 R5 + I B 2 ( 2+ 1 ) R5 V EE =0
I B 2=

V EE V BE I C 3 R 5
R 4+ ( 2+1 ) R5

30,71 ( 1.42 )
=1.47 [A ]
0.5+1( 600+1)

I C 2= I B 2=0.88 [mA ]
Como

I E 1=I C 2 , entonces:

I E 1=0.88 [mA ]

Determinando

V CE1 , V CE2 ,V CE3 :

V EC 3=V CCI E 3 R3 ( I C 3 + I E 2) R5 V EE
V CE3 =125(1.42)( 1.42+0.88 ) 1+3
V EC 3=5.6 [V ]
V CE2 =4.20.7( I C 3 + I E 2 ) R5V EE
V CE2 =4.20.7( 1.42+0.88 ) 1+3
V CE2 =4.2[V ]
V CE1 =V CCI C 1 R 2V CE2 ( I C 3 + I E 2 ) R5 +V EE
V CE1 =120.88(5)4,2( 1.42+0.88 ) 1+3
V CE1 =4.1[V ]

b) Para determinar

Zi ,

Zo

Av :

Z i=R 4 + [ r e2 + R5 ( hfe + 1 ) ]
r e 2=

26 mV 26 mV
=
=0.029 [ K ]
I E 2( DC ) 0.88 mA

Z i=0.5+17.7+1 ( 600+1 )=619.3 [K]

Z 0 =r e1 =

26 mV 26 mV
=
=0.029 [ K]
I E 1(DC) 0.88 mA

A v=

v0
r e 1
=
v i r e 2+ R 5

A v=

v0
0.029
=
v i 0.029+1

)(

(r e 2+ R 5)( +1)
R 4 +(r e2 + R5 )( +1)

(0.029+1)(600+1)
)( 0.5+(0.029+1)(600+1)
)=0.029

Ejercicio 74
En el siguiente circuito, determinar:
a) La impedancia de entrada Z i
b) La impedancia de salida Z 0
c) La ganancia de voltaje v o /v i

Datos : R1=100 [ K ] , R 2=100 [ K ] , R3=1 [ K ] , R 4=2.2 [ K ] , R5 =1 [ K ] ,

V CC =10 [ V ] . para los transistoresh FE =hfe ==100,|V BE|=0.7 [ V ]

Antes de realizar el anlisis AC del circuito, se debe verifica que los

transistores esten en la zona activa, para que puedan amplificar:

V B 2=V CC

R2
270
=10
=7.3 [V ]
R1 + R2
100+270

) (

V E 2=V B 2 +2 V EB =7.3+2 ( 0.7 )=8.7[ V ]

I E 2=

V CC V E 2 108.7
=
=1.3[ mA ]
R3
1

V EC 2=V CC( R 3+ R 4 ) I E 2=10( 1+2.2 ) 1.3=5.8[V ]

4
Ejercicio tomado del folleto: Electrnica I

V EC 1=V CC V EB( R 3+ R 4 ) I E 2=100.7( 1+2.2 ) 1.3=5.1[V ]

Lo que significa que ambos transistores trabajan en la zona activa.
a) La impedancia de entrada

Zi

se la determina de la forma:

R 3 R5 +r
( e 2) ( 2+1 ) + r e1

Z i=
r e 2 y r e 1 vienen dadas por:

En donde las resistencias

r e 2=

26 mV
I E 2(DC )

r e 2=

26 mV
=0.02[K]
1.3 mA

r e 1=

26 mV 26 mV
=
=r ( +1 ) =0.02 ( 100+1 )=2[k ]
I E 1(DC ) I E 2( DC) e2 1
1+ 1

Y por lo tanto:

Z i= [ (1 1+ 0.02 )( 100+1 ) +2 ] [ 100+ 1 ] 100 270=72[k]

b) Para la impedancia de salida

Z0=

Z0 :

re 1
2
+r e 2 R 3=
+0.02 1=0.038[ K]
2+1
100+1

c) Para la ganancia de voltaje

v o /v i

es:

A v=

vo
v
= o
vi vb 2

vb 2
= A v2 Av 1
vi

A v 2=

R3 R 5
0.5
=
=0.96
r e 2+ R 3 R5 0.02+ 0.5

( )( )

R 3 R5 +r
R 3 R5 +r
(1 1+ 0.02)(100+1)
r e 1+( e 2)( 2 +1)=
=0.96
2+(1 1+0.02)(100+1)
( e 2)( 2+ 1)

A v 1=
Y finalmente:

A v =0.96 ( 0.96 )=0.93

Ejercicio 8
En el siguiente circuito, determine:
a) La impedancia de entrada Z i
b) La impedancia de salida Z 0
c) La ganancia de voltaje v o /v i

Datos : R1=120 [ K ] , R 2=68 [ K ] , R3=3 [ K ] , R4 =100 [ K ] ,

V CC =12 [ V ] . para el transistor h FE=hfe ==140,|V BE|=0.7 [ V ]

ANALISIS DC

I B=

VccVBE
120.7
=
=18.6 A
608
( 120+68 ) +140(3)

I E =( B+1 ) I B=141 ( 18.6 A ) =2.62mA

r E=

26 mV
=9.92 ohmios
2.62 mA

ANALISIS AC

Av =

( R 4 ||R 3|| R 2 ) ( 100||3||68 )

=
=281.55
rE
9.92
1000

9.92
( 141 ))=1.38 K
|( 1000

Zi=R 1 |[ r E ( B+ 1 ) ]=120|

Zo=R 3||R 2=3|| 68=2.87 k

PROBLEMAS PROPUESTOS
Ejercicio 1
En el siguiente circuito calcular la ganancia Vo/V1
Q1:
Q2:

hie1=0.524k,

hfe1 = 100

hie2=9.42k, hfe2 = 100

Vcc

R2
2k

R3
1.3k

12 V

Vo
Q1

C1

2N1711

R1
0.1k

V1

Q2

RL

2N1711
R4
1.8k

R5
3.9k
R6
3.9k

Ejercicio 2
Para el siguiente circuito mostrado, calcular:
a) La ganancia Vo/Vi.
b) Calcular impedancia de entrada Zi e impedancia de salida Zo.

R7
10k

12 V

C3

R6

R1
90k

R3
8k

700k
C2

12 V

Q2
RL
10k

Q1

C1

Zo

Vi
R2
20k
Zi

R4
0.5k

Considere 1 = 90 y 2 = 100

Ejercicio 3
Para el siguiente circuito. Determine:
a)
b)
c)
d)

Circuito equivalente en alterna.

Expresin literal para la impedancia Zb1 y Zi.
Expresin literal para la ganancia Vo/Vs.
Expresin literal para las impedancias Ze y Zo.

Vcc
Rc1
Rb1
Vo
Q1

Rs

Rc2

Vx

Vs

Zo

2N2222A

Rb2

Re1

Zi

Q2

Zb1
Re2

Datos:
Q1: hfe1, hie1
Q2: hfe2, hie2

Ejercicio 4
Dado el siguiente circuito, determinar de manera literal:
1. Impedancia de entrada Zi
2. Impedancia de salida Zo
3. Ganancia de Voltaje

Ze

RL

Ejercicio 5
Para el siguiente circuito, encuentre:
1. Ganancia de voltaje
2. Impedancia de entrada Zi
3. Impedancia de salida Zo

Ejercicio 6
Para el siguiente circuito calcular: Av, Zi, Zo
B1=B2=B3= 99
rb1=rb2=rb3= 1K
Nota:

Asumir que los transistores operan en regin activa.

Asumir que el diodo D1 es ideal.
La resistencia R4 de 6.8k solo est conectada entre el voltaje Vcc y el
zener D1. No est conectada a la base de Q1

Ejercicio 7
Dado el circuito de la figura

Calcular:
1. Ganancia de voltaje Vo/Vi (expresin literal)
2. Impedancia de entrada Zi (expresin literal)
Datos: Vcc= -15 [V] Vz= 7 [V] Vbe= 0.5 [V]
Hfe = 5

Ejercicio 8
Disear un amplificador transistorizado con las siguientes especificaciones:
Av = - 10
Zi = 10 K
Zo = 1k