Ejercicios Diodos parte I

Numero atmico cobre es 29

Numero atmico silicio es 14

Numero atmico plata es 47

1 Cuntos protones contiene el ncleo de un tomo de cobre (Cu=29)?

a) 1
c) 18
b) 4
d) 29
2. La carga resultante de un tomo neutro de cobre es:
a) 0
c) -1
b) +1
d) +4
3. Si a un tomo de cobre se le extrae su electrn de valencia, la carga resultante vale:
a) 0
c) -1
b) +1
d) +4
4. La atraccin que experimenta hacia el ncleo el electrn de valencia de un tomo de
cobre es:
a) Ninguna
b) Dbil
c) Fuerte
d) Imposible de describir
5. Cuantos electrones de valencia tiene un tomo de silicio?
a) 0
c) 2
b) 1
d) 4
6. El semiconductor ms empleado es
a) Cobre
c) Silicio
b) Germanio
d) Ninguno de los anteriores
7. Qu nmero de protones posee un tomo de silicio?
a) 4
c) 29
b) 14
d) 32
8. Los tomos de silicio se combinan en una estructura ordenada que recibe el nombre
de:
a) Enlace covalente b) Cristal
c) Semiconductor
d) Orbital de valencia
9. Un semiconductor intrnseco presenta algunos huecos a temperatura ambiente
causados por
a) El dopaje
b) Electrones libres
c) Energa trmica d) Electrones de valencia

10. Cada electrn de valencia en un semiconductor intrnseco establece un:

a) Enlace covalente
c) Hueco
b) Electrn libre
d) Recombinacin.
11. La unin de un electrn libre con un hueco recibe el nombre de:
a) Enlace covalente
c) Recombinacin
b) Tiempo de vida
d) Energa trmica
12. A temperatura ambiente un cristal de silicio intrnseco se comporta como:
a) Una batera
c) Un aislante
b) Un conductor
d) Un hilo de cobre
13. El tiempo que transcurre entre la creacin de un hueco y su desaparicin se conoce
como:
a) Dopaje
c) Recombinacin
b) Tiempo de vida d) Valencia
14. Al electrn de valencia de un conductor se le denomina tambin por
a) Electrn ligado
c) Ncleo
b) Electrn libre
d) Protn
15. Cuantos tipos de flujo de portadores presenta un conductor?
a) 1
c) 3
b) 2
d) 4
16. Cuantos tipos de flujo de portadores presenta un semiconductor?
a) 1
c) 3
b) 2
d) 4
17. Cuando se aplica una tensin a un semiconductor, los huecos circulan:
a) Distancindose del potencial negativo
b) Hacia el potencial positivo
c) En el circuito externo
d) Ninguna de las anteriores
18. Cuantos huecos presenta un conductor?
a) Muchos
b) Solo los producidos por la energa trmica
c) Ninguno
d) El mismo nmero que de electrones libres
19. En un semiconductor intrnseco, el nmero de electrones libres es:
a) Igual a1 nmero de huecos
b) Mayor que el nmero de huecos
c) Menor que el nmero de huecos d) Ninguna de las anteriores

20. La temperatura de cero absoluto es igual a:

a) -273 C
c) 25 C
b) 0 C
d) 50 C
21. A la temperatura de cero absoluto un semiconductor intrnseco presenta:
a) Pocos electrones libres
b) Muchos huecos
c) Muchos electrones libres
d) Ni huecos ni electrones libres
22. A temperatura ambiente un semiconductor intrnseco tiene:
a) Algunos electrones libres y huecos
b) Muchos huecos
c) Muchos electrones libres
d) Ningn hueco
23. El nmero de electrones libres y de huecos en un semiconductor intrnseco aumenta
cuando la temperatura:
a) Disminuye
b) Aumenta
b) Se mantiene constante
d) Ninguna de las anteriores
24. El flujo de electrones de valencia hacia la izquierda significa que los huecos circulan
hacia:
a) La izquierda
b) La derecha
c) En cualquier direccin
d) Ninguna de las anteriores
25. Los huecos se comportan como:
a) tomos
c) Cargas negativas
b) Cristales
d) Cargas positivas
26. Cuantos electrones de valencia tienen los tomos trivalentes?
a) 1
c) 4
b) 3
d) 5
27. Qu nmero de electrones de valencia tiene un tomo donador?
a) 1
c) 4
b) 3
d) 5
28. Si quisiera producir un semiconductor tipo p, que empleara ?
a) tomos aceptadores
b) tomos donadores
c) Impurezas pentavalentes
d) Silicio
29. Los huecos son minoritarios en un semiconductor tipo:
a) Extrnseco
c) Tipo n
b) Intrnseco
d) Tipo p

30. Cuantos electrones libres contiene un semiconductor tipo p ?

a) Muchos
b) Ninguno
c) Solo los producidos por la energa trmica
d) El mismo nmero que de huecos
31. La plata es el mejor conductor. Cul es el nmero de electrones de valencia que
tiene?
a) 1
c) 18
b) 4
d) 29
32. Si un semiconductor intrnseco tiene un billn de electrones libres a la temperatura
ambiente, cuantos presentara la temperatura de 75 C ?
a) Menos de un billn
b) Un billon
c) Mas de un billn
d) Imposible de contestar
33. Una fuente de tensin es aplicada a un semiconductor tipo p. Si el extremo izquierdo
del cristal es positivo, en qu sentido circulan los portadores mayoritarios?
a) Hacia la izquierda
b) Hacia la derecha
c) En ninguna diiecci6n
d) Imposible de contestar
34. Cual de los siguientes conceptos esta menos relacionado con los otros tres ?
a) Conductor
b) Semiconductor
c) Cuatro electrones de valencia
d) Estructura cristalina
35. Cul de las siguientes temperaturas es aproximadamente igual a la temperatura
ambiente ?
a) 0 C
c) 50 C
b) 25 C
d) 75 C
36. Cuantos electrones hay en la orbital de valencia de un tomo de silicio dentro de un
cristal ?
a) 1
c) 8
b) 4
d) 14
37. Los iones positivos son tomos que:
a) Han ganado un protn
b) Han perdido un protn
c) Han ganado un electrn
d) Han perdido un electrn
38. Cual de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo n ?
a) Neutro
b) Cargado positivamente
c) Cargado negativamente
d) Tiene muchos huecos

39. Un semiconductor tipo p contiene huecos y:

a) Iones positivos
b) Iones negativos
c) tomos pentavalentes
d) tomos donadores
40. Cual de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo p?
a) Neutro
b) Cargado positivamente
c) Cargado negativamente
d) Tiene muchos electrones libres
41. Cul de los siguientes elementos no se puede mover ?
a) Huecos
b) Electrones libres
c) Iones
d) Portadores mayoritarios

42. La barrera de potencial de un diodo de silicio a temperatura ambiente es de:

a) 0,3 V
c) 1 V
b) 0,7 V
d) 2 mV por C
43. Para producir una gran corriente en un diodo de silicio polarizado en directa, la
tensin aplicada debe superar:
a) 0 V
c) 0,7 V
b) 0,3 V
d) 1 V
44. En un diodo de silicio la corriente inversa es normalmente:
a) Muy pequea
b) Muy grande
c) Cero
d) En la regin de ruptura
45. La corriente superficial de fugas es parte de:
a) La corriente de polarizacin directa b) La corriente de ruptura en polarizacin directa
c) La corriente inversa
d) La corriente de ruptura en polarizacin inversa
46. La tensin que provoca el fenmeno de avalancha es:
a) La barrera de potencial
b) La zona de deplexin
c) La tensin de codo
d) La tensin de ruptura

47. Cuando la tensin inversa crece de 5 V a 10 V, la zona de deplexin:

a) Se reduce
c) No le ocurre nada
b) Crece
d) Se rompe
48. Cuando un diodo es polarizado en directa, la recombinacin de electrones libres y
huecos puede producir:
a) Calor
b) Luz
c) Radiacin
d) Todas las anteriores
49. Si aplicamos una tensin inversa de 20 V a un diodo, la tensin en la zona de
deplexin ser de:
a) 0 V
b) 0,7 V
c) 20 v
d) Ninguna de las anteriores

50. La corriente inversa de saturacin se duplica cuando la temperatura de la unin se

incrementa:
a) 1 C
c) 4 C
b) 2 C
d) 10 C
51. La corriente superficial de fugas se duplica cuando la tensin inversa aumenta:
a) 7 por 100
b) 200 por 100
b) 100 por 100
d) 2mV

PROBLEMAS

01 Un diodo de silicio tiene una corriente inversa de saturacin de 5 nA a 25C.

Cul es la corriente de saturacin a 100C?
02 Si la corriente superficial de fugas es 2nA para una tensin inversa de 25 V.
Qu valor toma la corriente superficial de fugas para una tensin inversa de 35V?
03 Cul es la carga neta de un tomo que gana 3 electrones?
04 Cuanto vale la carga neta de un tomo de silicio que pierde todos sus electrones de
valencia?
05 Clasifique los siguientes tomos como conductor o semiconductor
Silicio
___________________
Cobre
___________________
Germanio ___________________
Oro
___________________
05 Un diodo esta polarizado en directa. Si la corriente es 5 mA a travs del lado N, Cul
es la carga a travs de cada uno de los siguientes:
a) Lado P__________________
b) Cables de conexin externos___________________
c) Unin ___________________
06 Un diodo de silicio tiene una corriente de saturacin de 10 nA a 25 OC. Si debe
funcionar en el rango de 0 C a 75 C, cules sern los valores mximos y mnimos de la
corriente de saturacin?
07 Un diodo presenta una corriente superficial de fugas a 10 nA cuando su tensin
inversa es de 10 V. Cul sera su corriente superficial de fugas si la tensin inversa crece
hasta 50 V?
08 En qu se diferencian el silicio extrnseco del intrnseco? Porque es importante la
diferencia?