TRANSISTORES BIPOLARES

1. CONSTITUCION y FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR

UTIUZACION

DE LA UN'ION N-P

La actuacin de la mayora de los semiconductores deriva de las propiedades

de la unin N-P. As, el transistor est constituido bsicamente por dos uniones N-P.

y comportamiento

Cuando la unin N-P se polariza directatiJente se comporta como elemento

de baja resistencia y deja pasar mucha corriente, debido a la recombinacin de
los portadores mayoritarios de las dos zonas; segn la figura 1-1.
POLARIZACIDN

DIRECTA

ANODD
...)~"iJJ.-::t:C~j;:';~

CATODO

-~ '--~'_.'...
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t,

\2

~~~'L
[
-

i:

lo)

~~

Al polarizar inversamente la unin N-P se produce una dbil corriente, casi

insignificante, originada por la recombinacin de los portadores minoritarios de
ambas zonas (ver figura 1-2).

e-e

...l
Ef)Ef)
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POLARIZACION

INVERSA

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En las condiciones de la figura 1-2, para alcanzar una circulacin importante
de corriente es preciso que la zona P aumente considerablemente la cantidad de
electrones que posee para poderlos suministrar a la zona N en proporcin adecuada; como los electrones son portadores minoritarios de la zona P, la nica
posibilidad de aumentar el contenido de los mismos sera inyectarlos desde el
exterior, como se representa grficamente en la figura 1-3.

[t]

~!NYEC0~6E'ij
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Tambin aadiendo huecos a la zona N se conseguir una corriente importante en el circuito de la unin N-P polarizado inversa mente, puesto que la zona
P estar en condiciones de ceder gran cantidad de huecos hacia el polo negativo, al mismo tiempo que se los recompensa la zona N. Este supuesto se plan-tea grficamente en la figura 1-4, pero ha de tenerse en cuenta que cuando se
hable de corriente de huecos lo que verdaderamente sucede es que circula una
corriente de electrones en sentido contrario.

Vi

RESUMEN: Para conseguir corrientes importantes de portadores al polarizar inversamente la unin N-P, es preciso la inyeccin
de electrones a la zona P, o de huecos a la zona N.

FORMACION

DEL TRANSISTOR

NPN

La idea bsica del transistor parte de la consecucion de una importante

corriente de portadores a travs de- la unin N-P, con sta polarizada inversamente por medio de la inyeccin de portadores minoritarios en una de las
dos zonas, formando otra nueva unin N-P, pero, en este caso, polarizada
directamente.
Uno de los dos tipos de transistor que existen es el NPN, en el que para
conseguir la elevada corriente en una unin N-P polarizada inversa mente, se
inyectan desde el exterior electrones a la zona P, segn la figura 1-5.

Para la obtencin de los electrones que se han de introducir

forma con ella otra unin N-P, aadiendo una zona N nueva,
proporciona una polarizacin directa que produce un gran paso
razona P. La figura 1-6 muestra el transistor NPN, con sus dos
zadas inversa y directamente.

en la zona P s
a la cual se le
de electrones ~
uniones polari-

~~:J..iJ--W.1r[(:r.r-----eJ.t~~~

(
Vi

Vi

'-

POLARIZACION
INVERSA

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A
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;-

POLARIZAlON
DIRECTA

/o{,
0.:,
N

. 'CfY-- -3-=

V; bastante mayor que Vd

A la vista de la figura 1-6 se plantean dos interrogantes:

1.a)

Por qu los electrones que pasan de la zona N inferior a la P no cierran

circuito a travs de Vd?

2.a) Por qu la zona P central se ha dibujado reiteradamente tan estrecha?

Ambas preguntas estn relacionadas entre s, ya que los electrones inyectados en la zona P, en su mayor parte, continan hacia la zona N superior y slo
un porcentaje del orden del 4% o inferior se dirigen hacia Vd debido, en primer
lugar, a la estrechez de la zona P, que .slo presenta una gran superficie de paso
hacia la zona N y muy pequea hacia Vd y, en segundo, porque la fuerte tensin
Vi' mucho mayor que Vd' atrae intensamente a los electrones que recibe el
semiconductor central. Suponiendo que el porcentaje de electrones que circula
por la zona P sea del 4%, la figura 1-7 refleja las magnitudes de las corrientes
de los electrodos.

[3]

COLEC TOR

96e = le

+
-

Vi --.;

;196E.

'a

96

.=-~
".
4 electrones =

electrones

BASE

+~'

IE=IB

+IC

100

electrones

EMISO R

Se ha conseguido producir una corriente importante a travs de

una unin N-P polarizada inversa mente partiendo de una pequea
potencia disipada en una unin polarizada directamente, en la que
la tensin, la corriente y la resistencia interna son reducidas.

La zona N inferior, encargada de suministrar los electrones, recibe el nombre

de emisor; la zona P ce-ntral el de base y la zona N superior se llama colector.
A este tipo de transistores se les llama bipolares- porque tienen polarizacin
directa e inversa para producir el desplazamiento de portadores mayoritarios y
minoritarios.

FORMACION

DEL TRANSISTOR

PNP

Siguiendo el mismo proceso que el comentado con el transistor NPN, se trata

en este caso de inyectar huecos a una unin N-P polarizada inversamente. En la
~
......
figura 1-8, la unin N-P superior est polarizada inversamente y a su zona N se
le inyectan portadores minoritarios o huecos por medio de la unin N-P inferior,
polarizada directamente.

COLECTOR
Vi

4 huecos
ti

'a

~C'"

BASE

EMISOR

-------------------N

~
96 electrones

Vi

."E

--=

eOLE eTOR

fe

.OOE.

96 electrones

4 electrones . la

BASE

100 electrones

-;

+Tl

100 electrones

lE

EMISO

lE = 'a

+ le

Dada la estrechez de la base y la alta polarizacin negativa de la zona P

superior o colector, de los 100 huecos que se supone pasan la primera unin
N-P, polarizada directamente, la mayora, 96, se dirigen al colector y el resto
pasan a la base. La nica diferencia del transistor PNP respecto al NPN consiste
en que los portadores mviles del primero son huecos, debiendo considerar que
al ser stos entes inexistentes, en realidad las corrientes de huecos mostradas
en la figura 1-8 sern corrientes de electrones como se han dibujado en la
figura 1~9.
En general, la tensin inversa. entre base y colector vara de 1,5 a 30 V, mientras que la directa entre emisor y base vara entre QL2yO,5V para el Ge y
entre 0,3 y 0,8 V para el Si.
--~----'-~~
EFECTO TR.ANSISTOR
Tanto en el tipo NPN como en el PNP, el transistor consiste en dos uniones
N-P Que se comportan como diodos semiconductores, una de las cuales est
inversa mente polarizada. Se consigue que circule por ella una gran intensidad
. polarizando directamente. pero con un valor muy inferior, Vd ~ Vi, la otra unin
y haciendo circular por ella una debilsima corriente. El efecto transistor es
tanto ms patente cuanto menos intensidad circula por la base, es decir, cuanto
menor porcentaje de lE se desve por la base, dando origen a lB. Tngase en
cuenta que siempre se cumple lE = lB + le
La figura 1-10 muestra el comportamiento
asemejando cada uno a las dos uniones N-P.

de los dos tipos de transistores,

COLECTOR

COLECTOR

Vi

le

'\

le

+WWMU'
J
lB

Vd

lE

EMISOR

lB

:.
BASE

lE

. EMISOR

esJ

La potencia desarrollada en la salida del transistor, que es el colector, es

grande (F . R), por pasar una intensidad importante por un circuito de gran
resistencia interna (est polarizada la unin base-colector inversa mente). Para
conseguir este resultado slo ha sido preciso hacer circular una dbil intensidad
por el circuito de entrada, o sea, entre base y emisor, que posee una pequea
resistencia interna y la potencia que consume es despreciable. De aqu se desprende que el valor de Vd es muy inferior al de Vi'

Una pequea variacin de la corriente de entrada (lB)' que

supone una pequea potencia disipada, origina una variacin de la
corriente de salida (lc) y la generacin de una potencia considerable.

SIMBOLOS y POLARIZACIONES

DE LOS TRANSISTORES

El smbolo grfico con el que se representan los dos tipos de transistores en

los esquemas se muestran en la figura 1-11. Obsrvese que la nica diferencia
entre ambos smbolos estriba en que el electrodo de emisor tiene una flecha
que se dirige hacia fuera en el tipo NPN (NO PENETRA)Y hacia dentro en el PNP
(PENETRA).
.
COLECTOR

COLECTOR

BASE

'TRANSISRlR

NPN

Para lograr el denominado efecto transistor, ya explicado, precisan los dos tipos una polarizacin externa inversa entre base y
colector, y otra directa entre emisor y base, por lo que las polarizaciones que.requieren el transistor NPN y PNP son opuestas, como
queda reflejado en la figura 1-12.

'e

COLECTOR

Vi

P
N

'8

8ASE

8ASE

TRANSISTOR

COLECTOR

NPN

TRANSISTOR

PNP

(corrientes de electrones)

[~J

LA VAlVULA

y El TRANSISTOR

El transistor realiza una funcin equivalente a la de una vlvula amplificadora, como puede serio una triodo, y, aunque su estructura interna es completamente diferente, se aprecia una semejanza entre los electrodos de la vlvula y
los del transistor. As, por ejemplo, el ctodo que emite los electrones en la
vlvula se asemeja al emisor del transistor, aunque en este ltimo la emisin no
se realiza terminicamente; la rejilla de control ejerce una misin de gobierno
del paso de los electrones, al igual que la polarizacin directa de la base del
transistor determinar el valor de la corriente que ir al colector; finalmente,
tanto el nodo como el colector son los electrodos de salida por los que circula
la corriente que se suministra a la carga (ver figura 1-13).

ANO DO
REJILLA

EMISOR

El circuito de entrada del transistor (base-emisor), que regula la

corriente de salida por el colector, est polarizado directamente.
por lo que la impedancia de entrada de un circuito de transistor es
baja, al contrario que en la vlvula de vaco, que al estar polarizada
la rejilla de control negativamente, su impedancia de entrada es
alta. Esta diferencia proporciona una ventaja a la vlvula, porque el
consumo de corriente en su rejilla es prcticamente nulo, dada su
elevada resistencia. la potencia de entrada que consume una vlvula,es despreciable.

Abundando en las ventajas que presentan los semiconductores,

las vlvulas, se recuerda que entre las ms importantes estn:

respecto a
.

1.a) .Menor volumen y peso.

2.a) Menor coste.
3.a) Duracin ilimitada.
4.a) Funcionamiento inmediato, sin precisar tiempo de espera para caldeo de
filamentos.

5.a) Sin filamentos.

6.a) No precisan zcalo para su montaje.
7.a) Estructura slida, resistente y compacta.
8.a) Menor nmero de patillas de conexin.
9.a) Precisan tensiones de trabajo mucho ms bajas.
En cuanto a los inconvenientes de los semiconductores en general slo hay
que destacar su sensibilidad a las variaciones de temperatura, que supone un
aumento de la agitacin trmica en la estructura atmica de las zonas N y P,
con lo que las concentraciones de portadores varan y, por tanto, tambin las
corrientes que se producen.

EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR

El efecto transistor, ya estudiado, puede utilizarse pata formar un circuito
amplificador como el de una vlvula de vaco, en el que las v-ariaciones de la
corriente que circula por el nodo, provocadas por las de tensin de rejilla,al
atravesar la resistencia de carga se transforman en ella en variaciones de tensin mucho mayores que las aplicadas a la rejilla de control. El esquema de
funcionamiento del amplificador de triodo, con su curva caracterstica y una
seal de entrada, se presenta en la figura 1-14.
+100V

lK
Vsalida

i
---t---

100 - 1-000 - la
I

I
I

'

lOmA

-Vg

V-i

30mA

----1---'--I

dO1V---.-----

50mA

0'l y Ventrada

-1

,
I

O'2V

I
I

+~

I
,

la:lorvlow:
+ : ..

Para calcular la amplificacin del circuito de la figura 1-14 se averigua la

tensin correspondiente en la salida para dos tensiones de entrada.

V,

la = 50 mA,

Vsalida

= - 0,3 V,

la = 10 mA,

Vsalida = 100 -1.000 X 0,01 = 90 V

Si Ventrada = - 0,1
Si Ventrada

= 100 -1.000 X 0,05 = 50 V

'"

De donde se deduce que con una variacin de tensin de entrada de

- 0,1 - (-0,3) = 0,2 V se ha producido otra en la salida de 50 - 90 ;::::
- 40 V,
por lo Que amplificacin ser:

50-90

-40

0,3 - 0,1

0,2

-200

El signo menos que aparece en la amplificacin es consecuencia

de que las variaciones de las tensions de entrada y salida son
opuestas. es decir. cuando la tensin de entrada sube, la de salida
baja, y viceversa: estn desfasadas 1800 como lo muestra la figura
1-15 referente al ejemplo anterior.

En el caso del transistor tambin hay que conocer la curva que refleja las
intensidades de salida por el colector, segn las polarizaciones aplicadas entre

90V---------------~_
Ventrada

A----O'lV

LJ

--------.------1-------'-

0'2
V

V--

70V

O'3V

SOV-----'-

base y emisor. En la figura 1-16 se presenta un ejemplo de un transistor que

acta como amplificador, con su curva caracterstica VBE/lc al lado, en la que,
como es lgico, la corriente de colector lc aumenta con la tensin de entrada
VBE,que polariza directamente al transistor.

+10V
le (m4~<

5
4
Vsalida

:,

3
2

VCE

= 10-1.000

. le 1

L...::::::......------+--t-----~

O~

0'5 0'6 0'7 _ VBe

I:I
1

I
I

I
~

I
I
I
I
I

I
I

I
I

I
I

I
I

-1
I
I
10'llo~_
II~

Como en el ejemplo de la vlvula, calcularemos la amplificacin

dos tensiones de salida para sus correspondientes de entrada.

Si VBE= 0,5 V,

Ic=3 mA,

VCE = 10-

Si VBE = 0,7 V,

Ic= 5 mA,

VCE = 10 - 1.000 X 0,005

5-7

0,7-

obteniendo

1.000 X 0,003 = 7 V

=5V

-2
0,5

0,2

Por tanto, el circuito de la figura 1,-16 amplifica 10 veces y, como en el

caso de la vlvula, la tensin de salida est desfasada 1800 con respecto a la de
entrada, como se indica en la figura 1-17.
Vsalida

vce

7 V ---------------.,._
Ventrada

, {\6
vBE

O'7V
0'6 V

-0'..5

6V----,---r---~

5V-----'--

(Cf]

La tensin VBE de entrada del circuito est compuesta por una componente
continua de 0.6 V. que se obtiene mediante una polarizacin externa fija, cuya
misin se explicar posteriormente, ms una componente alterna de 0,1 V de
pico. El esquema prctico al que responder el circuito del ejemplo analizado es
el de la figura 1-18.

--0'7

Vee ~o'sv
~O'5V

le

.dw
~'w

Venrreda

o'sv

lOV Vsalida =

~~:
V-

sv

[/c:J