INTEGRANTES: Reyna Crdova Marco Antonio Mahr Calle Renzo Arturo Fernando Cuba Laurente Miguel Retegui Rolando
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Anlisis del Transistor Fet en AC
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Anlisis del Transistor Fet en AC
Analisis del Transistor FET en AC
TRANSISTOR FET (JFET).
En este reporte estudiamos aplicaciones del JFET, del MOSFET en modo de empobrecimiento y el MOSFET en modo de enriquecimiento. Las aplicaciones principales de un JFET son como fuente seguidora (anloga al emisor seguidor) y conmutador analgico (un circuito que transmite y bloquea seales de CA). MOSFET en modo de empobrecimiento es muy til como amplificador de muy alta frecuencia (VHF). El MOSFET en modo de enriquecimiento se usa inicialmente como conmutador digital, la espina dorsal de las computadoras. En este reporte se estudian algunas de las ideas bsicas que se requieren para entender como esos dispositivos FET se usan en la mayora de las aplicaciones prcticas. Consideraciones tericas: Los transistores de efecto de campo proporcionan una excelente ganancia de voltaje, adems de presentar la caracterstica de alta impedancia de entrada. Tambin, se trata de configuraciones de bajo consumo de potencia con un buen rango de potencia y de tamao y peso mnimos. Los dispositivos JFET y MOSFET de decremento pueden utilizarse para disear amplificadores que tengan ganancias similares de voltaje. Sin embargo, el circuito con MOSFET decrementa tiene una impedancia de entrada mucho mayor que una configuracin JFET similar. Mientras que un dispositivo BJT controla una gran cantidad de corriente de salida (colector) por medio de una corriente de entrada (base) relativamente pequea, el dispositivo FET controla una corriente de salida (drenaje) mediante un pequeo voltaje de entrada (voltaje en la compuerta). Por lo tanto, el BJT generalmente es un dispositivo controlado por corriente y el FET es un dispositivo controlado por voltaje, pero en ambos casos se observa que la corriente de salida es la variable controlada. Debido a la caracterstica de gran impedancia de entrada de los FET, el modelo equivalente de a. c. es ms sencillo que el utilizado para el BJT. As que mientras el BJT tuvo un factor de amplificacin (beta), el FET tiene un factor de transconductancia, gm. El FET puede emplearse como un amplificador lineal o como un dispositivo digital en los circuitos lgicos. De hecho, el MOSFET incremental es muy popular en los circuitos digitales, especialmente en los circuitos CMOS que requieren un consumo muy bajo de potencia. Los dispositivos FET tambin se utilizan en las aplicaciones de altas frecuencias y e las aplicaciones de acoplamiento (interfases).
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Aunque la configuracin de fuente comn es la ms popular al proporcionar una seal invertida y amplificada, tambin existen circuitos de drenaje comn (fuente - seguidor), aunque menos utilizados que proporcionan ganancia unitaria sin inversin, as como circuitos de compuerta comn que proporcionan ganancia sin inversin. Al igual que con los amplificadores BJT, las caractersticas importantes del circuito como la ganancia de voltaje, la impedancia de entrada y la impedancia de salida. Debido a la muy alta impedancia de entrada, la corriente de entrada por lo general se supone de cero y la ganancia de corriente es una cantidad indefinida. Mientras que la ganancia de voltaje de un amplificador FET es casi siempre menor que la obtenida al utilizar un amplificador BJT, el amplificador FET proporciona una impedancia de entrada mucho mayor que la de configuracin de un BJT. Los valores de la impedancia de salida son comparables tanto para los circuitos BJT como para los FET. Las redes de amplificadores FET tambin pueden analizarse mediante del empleo de programas de computadora. MODELO DE PEQUEA SEAL DE FET. El anlisis en AC de una configuracin FET requiere que se desarrolle un modelo de pequea seal. Un componente muy importante del modelo har evidente que un voltaje de AC aplicado a las terminales de entrada de la compuerta a la fuente controla el nivel de corriente del drenaje a la fuente. El voltaje de la compuerta a la fuente controla la corriente del drenaje a la fuente (canal) de un FET. Un voltaje de DC en la compuerta a la fuente controlaba el nivel de corriente de drenaje mediante una relacin conocida como la ecuacin de Shockley: ID = IDSS (1-VGS/Vp)2 El cambio en la corriente del colector que se obtendr de un cambio en el voltaje de la compuerta a la fuente se puede determinar utilizando el factor de transductancia gm de la siguiente manera: ID = gm VGS El prefijo trans que se aplica a gm en la terminologa indica que se establece una relacin entre las cantidades de salida y de entrada. El trmino conductancia es debido a que gm se determina por la relacin del voltaje a la corriente, similar a la relacin que define la conductancia de una resistor G = 1/R = I/V. Al despejar gm de la ecuacin: gm = ID / VGS Si ahora examinamos las caractersticas de transferencia de la figura siguiente, se encuentra que gm es en realidad la pendiente de las caractersticas en el punto de operacin. Esto es:
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gm = m = y/x = ID/VGS Al seguir la curvatura de las caractersticas de transferencia, resulta bastante claro que la pendiente y por lo tanto gm, se incrementa cuando se pasa desde Vp a IDSS. O, dicho en otras palabras, cuando VGS se acerca a cero voltios, se incrementa la magnitud de gm.
Anlisis de pequea seal de FET.
ID IDSS gm = ID/VGS (pendiente en el punto Q) Vp VGS Definicin de gm utilizando las caractersticas de transferencia. La ecuacin de gm indica que gm puede determinarse en cualquier punto Q sobre las caractersticas de transferencia con solo seleccionar un incremento finito en VGS (o en ID) cercano al punto Q y luego encontrar el cambio correspondiente en ID (o VGS respectivamente). Los cambios que se obtienen en cada cantidad se sustituyen despus en la ecuacin de gm para calcularlo.
DEFINICIN MATEMTICA DE gm.
El procedimiento grfico descrito est limitado por la exactitud de la grfica de transferencia y el cuidado con que pueden determinarse los cambios en cada cantidad. Otro mtodo alternativo establece que, la derivada de la funcin en un punto es igual a la pendiente de la lnea tangente dibujada en dicho punto. Si se toma la derivada de ID respecto a VGS (clculo diferencial) utilizando la ecuacin de Shockley, es posible derivar una ecuacin para gm de la siguiente manera: gm = ID/VGS|punto Q = dID/dVGS|punto Q = d/dVGS[IDSS(1-VGS/Vp)2] gm = 2IDSS [1 - VGS/Vp] / |Vp|
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Donde |Vp| denota la magnitud, solo con el objeto de asegurar un valor positivo de gm. Como la pendiente de la curva de transferencia es un mximo cuando VGS = 0V. Sustituyendo este valor en la ecuacin anterior, se obtiene lo siguiente: gm = 2IDSS / |Vp| [1-0/Vp] gm0 = 2IDSS / |Vp| Donde el subndice 0 que se aadi recuerda que se trata del valor de gm cuando VGS = 0V. Entonces la ecuacin se convierte en: gm = gm0 [1-VGS/Vp]
GRFICA DE gm EN FUNCIN DE VGS.
Debido a que el factor [1-VGS/Vp] de la ecuacin anterior es menor que 1 para cualquier valor de VGS diferente de cero voltios, la magnitud de gm se reducir mientras VGS se aproxime a Vp y la relacin VGS/Vp se incrementa en magnitud. Cuando VGS = Vp, gm = gm0 (1-1) = 0. La ecuacin de arriba define una lnea recta con un valor mnimo de cero y mximo de gm como se muestra en la siguiente grfica. gm (s) gm0 gm0/2 Vp Vp/2 0 VGS(V) Esta figura tambin indica que cuando VGS es igual a la mitad del valor de estrechamiento, gm tendr nicamente la mitad del valor mximo. EFECTO DE ID SOBRE gm. Puede derivarse una expresin matemtica entre gm y la corriente de polarizacin ID al observar que la ecuacin de Shockley puede escribirse de la siguiente manera: 1 - VGS = ID / IDSS Al sustituir la ecuacin anterior en la expresin de gm. gm = gm0 [1-VGS/Vp] = gm0 ID/IDSS
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Al emplear esta ltima ecuacin para determinar gm para algunos valores especficos de ID, los resultados son: Si ID = IDSS: gm = gm0 IDSS/IDSS = gm0 Si ID = IDSS/2: gm = gm0 IDSS/2 / IDSS = 0.707 gm0 Si ID = IDSS/4: gm = gm0 IDSS/4 / IDSS = gm0 /2 = 0.5gm0
IMPEDANCIA DE ENTRADA Zi DE FET.
La impedancia de entrada de todos los FET disponibles en el mercado es lo suficientemente grande para suponer que las terminales de entrada son similares a un circuito abierto. En forma de ecuacin: As, como para un JFET un valor prctico es de 109 es un valor caracterstico, un valor entre 1012 y 1015 es tpico de los MOSFET.
IMPEDANCIA DE SALIDA Zo DE FET.
La impedancia de salida de los FET es similar en magnitud a la de los BJT convencionales. En las hojas de especificaciones de los FET la impedancia de salida aparecer normalmente como yos con las unidades de S. El parmetro yos es un componente de un circuito equivalente de admitancia y el subndice o significa un parmetro de salida de la red y s la terminal fuente a la cual est asignada en el modelo. En forma de ecuacin: Zo (FET) = rd = 1/ yos Donde: rd = VDS / ID |VGS = constante. CIRCUITO EQUIVALENTE EN CA DEL FET. El control de Id mediante Vgs se encuentra incluido como una fuente de corriente gmVgs conectada desde el drenaje a la fuente, tal como se muestra en la siguiente figura. La fuente de corriente est dirigida desde el drenaje hasta la fuente, esto con la finalidad de establecer un cambio de fase de 180 entre los voltajes de salida y de entrada como sucede en la operacin real.
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Circuito equivalente de CA del FET. La impedancia de entrada est representada por el circuito abierto en las terminales de entrada y la impedancia de salida por medio del resistor rd desde el drenaje hacia la fuente. El voltaje de la fuente se representa por Vgs. La corriente es comn tanto para los circuitos de entrada y salida, mientras que las terminales de la compuerta y el drenaje solo estn en contacto mediante la fuente de corriente controlada gmVgs. Tambin existen situaciones en las que rd se ignora, ya que se supone que es demasiado grande respecto a los dems elementos, as que se aproxima a un circuito abierto, esto se puede emplear para acoplar circuitos amplificadores multietapas con transistores en cascada. CONFIGURACIN DE POLARIZACIN FIJA PARA EL FET. El mtodo que se sigue para especificar las configuraciones del FET es similar al del BJT, adems de los parmetros importantes Zi, Zo y Av. para cada configuracin. La configuracin de polarizacin fija del FET incluye los capacitores de acoplamiento C1 y C2 que tienen como objetivo eliminar los niveles de CD de la seal, como se muestra en el siguiente circuito. Una vez calculados los niveles de gm y rd a partir del arreglo de polarizacin de la hoja de especificaciones, o de las caractersticas, el modelo equivalente en CA se puede sustituir entre las terminales adecuadas. Ambos capacitores se comportan como corto circuitos debido a la reactancia Xc = 1/(2fC) es muy pequea comparada con los otros niveles de impedancia de la red y las fuentes VGG y VDD se hacen cero mediante un corto circuito equivalente. Despus se redibuja como sigue y se observa la polaridad definida mediante Vgs, la cual define la direccin de gmVgs. Cuando Vgs es negativo, la direccin de la fuente de corriente se invierte. La seal aplicada se representa mediante Vi y la seal de salida a travs de RD se representa mediante Vo. Zi: esta figura revela con claridad que: Zi = RG Debido a la equivalencia del circuito abierto en las terminales del FET. Zo: Al hacer Vi = 0 como se requiere debido a la definicin de ZoVgs se har cero volts tambin. El resultado es gmVgs = 0 mA y la fuente de corriente puede reemplazarse mediante un circuito abierto equivalente, la impedancia de salida es: Zo = RD || rd
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Si la resistencia rd es suficientemente grande (por lo menos 10 veces) comparada con RD con frecuencia se aplica la aproximacin rd || RD " RD. Av: la ganancia de voltaje se obtiene resolviendo para Vo en la figura anterior, como: Vo = -gmVgs (rd || RD) Pero Vgs = Vi Y adems Vo = -gmVi (rd ||RD) De manera que: Av = Vo/Vi = -gm (rd || RD) El signo negativo indica un cambio de fase de 180 entre los voltajes de entrada y salida. CONFIGURACIN DE AUTOPOLARIZACIN DEL FET. La configuracin de polarizacin fija tiene la desventaja de utilizar dos fuentes de voltaje CD. La configuracin de auto polarizacin de la siguiente figura requiere solo una fuente para establecer el punto de operacin deseado. El capacitor Cs a travs de la resistencia de la fuente es un corto equivalente para CD lo cual permite que Rs defina el punto de operacin. Bajo condiciones de CA el capacitor se comporta como corto en los efectos de Rs. Si se deja en CA, se reducir la ganancia. Redibujando la red: Debido a que la configuracin obtenida es la misma, las relaciones de Zi, Zo y Av son las mismas. CONFIGURACIN DE DIVISOR DE VOLTAJE PARA EL FET. La configuracin de divisor de voltaje para los BJT tambin se aplica para el FET:
Configuracin de FET mediante divisor de voltaje:
Al sustituir el modelo equivalente de CA para el FET se obtiene la configuracin de la siguiente figura: Reemplazando la fuente VDD por un corto circuito equivalente a tierra una terminal de R1 y RD. Debido a que cada red tiene una tierra comn, R1 queda en paralelo con R2, como se muestra en la siguiente figura que representa el modelo hbrido para seal dbil del FET.
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Donde: Zi: R1 y R2 estn en paralelo con el cual se obtiene el equivalente del circuito abierto del FET. Zi = R1 || R2 Zo: Al hacer Vi = 0 V se fijarn los valores Vgs y gmVgs a cero y: Zo = rd || RD Av: Vgs = Vi Vo = -gmVgs (rd || RD) Av = Vo/Vi = -gmVgs (rd || RD) / Vgs. De modo que: Av = Vo/Vi = -gm (rd || RD) Vale mencionar que las ecuaciones para Zo y Av en este tipo de configuracin son las mismas que las obtenidas para las configuraciones de polarizacin fija y autopolarizacin. La nica diferencia radica en la ecuacin para Zi que se volvi el paralelo de R1 y R2 para esta configuracin.