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En los tomos aislados, es decir alejados unos de otros de modo que no hay interac
cin entre ellos, los electrones externos se distribuyen energticamente se
gn valores discretos determinados por las soluciones de la ecuacin de Schrdinger.
En un slido cristalino, en cambio, las interacciones entre los tomos de l
a red producen una distribucin energtica mucho ms complicada. Los niveles permit
idos se acumulan en bandas de energa (bandas permitidas) separadas por intervalos
de energa prohibidos (bandas prohibidas). Dentro de cada banda permitida
los niveles energticos se encuentran tan cerca entre s que se pueden consi
derar las bandas permitidas como continuas. Cuando x (separacin entre tomos) ti
ende a infinito, la energa toma valores discretos. Cuando x es muy pequeo, entonce
s, los niveles se convierten en bandas de energa, como se muestra en la siguiente
figura.
Se suele utilizar un modelo de bandas ms sencillo, en el cual las bandas se cons
ideran planas como se ilustra en la figura.
Banda de conduccin
Banda prohibida
Banda de valencia
A T = 0 K en un slido cristalino los electrones ocuparan los niveles de energa ms baj
os posibles. De este modo, se pueden tener dos situaciones:
1- la banda permitida de mayor energa est parcialmente ocupada
2- la banda permitida de mayor energa est vaca y todas las dems llenas.
La banda de mayor energa, vaca o parcialmente llena, se denomina Banda
de conduccin (BC) y la siguiente de menor energa Banda de valencia (BV). En la b
anda de conduccin los electrones pueden aumentar su energa, por ejemplo por efecto
de un campo elctrico, pasando a niveles superiores de energa siempre que s
e cumpla el principio de exclusin de Pauli. Fuera de la temperatura del cero
absoluto habr un desplazamiento de carga elctrica que provocar la circulacin de una
corriente. Por lo tanto, cualquier desplazamiento de cargas en el cristal debid
o a electrones libres se debe al movimiento de estos dentro de las bandas
de energa que estn parcialmente ocupadas. Esta condicin constituye la difere
ncia entre los materiales clasificados en metales, aislantes y semiconductores.
E
E
E
EC
EG = 8 eV
EC
EV
G
SiO2
= 1.12 eV
EC
Si
EV
Aislante
Metal
EV
Semiconductor
ene
los electro
se de
en la ban
importan
o en lugar del electrn, y considerar al enlace roto como una carga elctrica mvil qu
e se denomina hueco con una masa efectiva mp diferente a la masa del electrn. De
esta forma la corriente elctrica est formada por dos tipos de portadores: los ele
ctrones de la banda de conduccin y los huecos de la banda de valencia. Las figura
s que siguen muestran el concepto de hueco visualizado desde el diagrama sen
cillo de bandas y desde el modelo del enlace covalente.
EC
EV
Electrn
Hueco
La figura que sigue muestra la direccin y sentido de la velocidad de electr
ones y huecos y del flujo de corriente J en respuesta a un campo elctrico E.
E ?
ve ?
Je ?
h ? vh
Jh ?
El campo elctrico E acta sobre electrones y huecos, y como sus cargas y velocidade
s son opuestas los flujos de corriente se suman.
Cuando el semiconductor se encuentra en estado puro se denomina semiconductor in
trnseco. En un semiconductor intrnseco la concentracin de electrones n es igual a l
a concentracin de huecos p porque por cada electrn que se encuentra en la banda de
conduccin hay un hueco en la banda de valencia. Al producirse este proceso se di
ce que se gener un par electrn-hueco. Por lo tanto, para un semiconductor intrn
seco:
n = p = ni = pi
Tanto ni como pi dependen de la temperatura T, para cada temperatura se llega a
un equilibrio para el cual se cumple que el producto n.p es una constante.
n.p = ni2 = pi2 = constante (ley de accin de masas)
r:
? 2 ?
m * n kT ?
3 / 2
NC = 2 ?
?
?
h 2
? 2 ?
N V = 2 ?
m * p kT ?
?
3 / 2
?
h 2
m * =
(h/2?)2 d2E dk 2
De este modo, asignando a los electrones en la red peridica una masa efectiva m
*
podemos tratarlos como si fuesen libres, y describir su movimiento en presencia
de un campo aplicado de la misma forma que para un electrn libre. Las propiedades
de la red cristalina determinan el valor de m* ya que determinan la forma de la
funcin E(k) y de su derivada segunda d2E/dk2.
Ejercicios propuestos
1- En la figura se representan la funcin densidad de estados g(E), nmero de estad
os por unidad de energa y de volumen, y la funcin de probabilidad f(E) de que los
estados estn ocupados a T > 0 K para un semiconductor intrnseco. Explicar el signi
ficado de cada una de las funciones (gc(E), gv(E), f(E) , 1
f(E), n(E) y p(E).
Cmo se obtiene la concentracin de portadores para el semiconductor intrnseco (n: nmer
o de electrones en la banda de conduccin y p: nmero de huecos en la banda de val
encia?. Qu condiciones cumplen n y p para el semiconductor intrnseco?
E EC
EFi
EV
gc(E)
f(E)
1 - f(E)
gv(E)
Area = concentracin de huecos p
f(E)=0
f(E)=1
en funcin de la temperatura
para d
Bibliografa sugerida:
Fundamentos de semiconductores, R. Pierret Dispositivos semiconductores, J. Sing
h Semiconductor physics & devices, D. Neamen
Dispositivos electrnicos para circuitos integrados, R. Muller & T. Kamins
Introduccin a la fsica de los semiconductores, R. Adler, A. Smith & R. Longini
Ge
Propiedad
Peso
Unidad
Nmero
144.6
28.1
72.6
32
g/cm3
2.33
5.32
Si
14
GaAs atmico
Densidad
atmicoo molecular
4.4x1022
Constante
16
Ancho
(tomos/cm3)
2.21x1022
5.0x1022
12
13
Densidad
de la
atmica
dielctrica
banda prohibida
relativa ?r
EG
eV
1.52
1.21
0.74
Ancho
Directa
Indirecta
Tipoa T=0K
dedeEGla banda prohibida
EG
eV
1.42
1.11
0.66
Resistividad
cm-3
2.25x106
1.5x1010
2.5x1013
45
4x108
ni a(300K)
230.000
T=300K intrnseca (300K)
Punto de fusin
?.cm
C
1238
1420
937
Movilidad n (300K)
cm2/Vs
8500
1300
3800
Movilidadefectiva
Densidad
cm2/Vs
450
500
1800
p (300K)
de estados: Banda de conduccin, NC
Banda de valencia, NV
1.04x1019
6.1x1018
2.8x1019
1.02x1019
4.7x1019
7x1018
cm-3
0.566
cm-3
mn=0.22
mn=0.33
mn=0.072
Masa
mp=0.31
mp=0.56
mp=0.50
Conductividad
Constante
W/cmC
0.81
1.5
0.6
nm
0.565
0.543
Campoefectiva
demmdisrupcin
de latrmica
dered
electrones
huecos
? 8
? 30
? 35
V/m