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Fsica de Semiconductores

En los tomos aislados, es decir alejados unos de otros de modo que no hay interac
cin entre ellos, los electrones externos se distribuyen energticamente se
gn valores discretos determinados por las soluciones de la ecuacin de Schrdinger.
En un slido cristalino, en cambio, las interacciones entre los tomos de l
a red producen una distribucin energtica mucho ms complicada. Los niveles permit
idos se acumulan en bandas de energa (bandas permitidas) separadas por intervalos
de energa prohibidos (bandas prohibidas). Dentro de cada banda permitida
los niveles energticos se encuentran tan cerca entre s que se pueden consi
derar las bandas permitidas como continuas. Cuando x (separacin entre tomos) ti
ende a infinito, la energa toma valores discretos. Cuando x es muy pequeo, entonce
s, los niveles se convierten en bandas de energa, como se muestra en la siguiente
figura.
Se suele utilizar un modelo de bandas ms sencillo, en el cual las bandas se cons
ideran planas como se ilustra en la figura.
Banda de conduccin
Banda prohibida
Banda de valencia
A T = 0 K en un slido cristalino los electrones ocuparan los niveles de energa ms baj
os posibles. De este modo, se pueden tener dos situaciones:
1- la banda permitida de mayor energa est parcialmente ocupada
2- la banda permitida de mayor energa est vaca y todas las dems llenas.
La banda de mayor energa, vaca o parcialmente llena, se denomina Banda
de conduccin (BC) y la siguiente de menor energa Banda de valencia (BV). En la b
anda de conduccin los electrones pueden aumentar su energa, por ejemplo por efecto
de un campo elctrico, pasando a niveles superiores de energa siempre que s
e cumpla el principio de exclusin de Pauli. Fuera de la temperatura del cero
absoluto habr un desplazamiento de carga elctrica que provocar la circulacin de una
corriente. Por lo tanto, cualquier desplazamiento de cargas en el cristal debid
o a electrones libres se debe al movimiento de estos dentro de las bandas
de energa que estn parcialmente ocupadas. Esta condicin constituye la difere
ncia entre los materiales clasificados en metales, aislantes y semiconductores.
E

E
E

EC
EG = 8 eV

EC

EV

G
SiO2
= 1.12 eV

EC

Si
EV
Aislante
Metal

EV
Semiconductor

En un aislante el nmero de electrones es el suficiente como para llenar completam


ente cierto nmero de bandas de energa. La ltima banda llena est separada de la prxima
banda vaca por una regin de energa prohibida EG ("gap" de energa) tan ancha que, a
temperaturas fsicamente posibles, no se pueden excitar electrones para que atravi
esen esta regin, de modo que es muy difcil la circulacin de una corriente.
En el caso de un metal, la gran concentracin de tomos que existe en el slido da
origen a un desdoblamiento de los niveles de energa, donde se superponen las band
as de conduccin y de valencia. Los electrones siempre pueden encontrar
estados sin ocupar en su movimiento a travs de la red provocando la conduccin de
corriente.
En un semiconductor el ancho de la regin prohibida EG es lo suficientemente pequeo
como para que exista una probabilidad apreciable de que los electrones, que
ocupan estados de energa en la parte superior de la banda de valencia, adquieran
la energa necesaria, por ejemplo por efecto trmico, para efectuar un salto E
G hasta llegar a ocupar estados energticos vacos en el fondo de la banda de co
nduccin y de esta forma iniciar un proceso de conduccin.
En los semiconductores reales el diagrama E-k es complejo porque depende de la o
rientacin del vector k respecto a los ejes de la red. La figura que sigue muestra
esta relacin para tres tipos de semiconductores: Germanio, Silicio y Arseniuro d
e Galio. El ancho de la banda prohibida del Germanio es 0.7 eV, del Si
licio es 1.12 eV y el Arseniuro de Galio 1.4 eV.

El Germanio (Ge) y el Silicio (Si), se denominan semiconductores de banda de


rga indirecta porque sus mnimos energticos en la banda de conduccin para
nes, estn alejados del valor k=0; mientras que el Arseniuro de Galio (AsGa)
nomina semiconductor de banda de energa directa porque su mnimo energtico
da de conduccin est justo en el valor k=0. Esta caracterstica tiene
cia en las propiedades pticas de dichos materiales.

ene
los electro
se de
en la ban
importan

A T= 0 K todos los enlaces estn completos. La banda de valencia est llena y la de c


onduccin vaca, por lo tanto en el material no hay electrones libres. A temperatur
as mayores que 0 K los electrones pueden ganar energa y pasar desde la
banda de valencia a la banda de conduccin. En la banda de valencia cada ni
vel desocupado corresponde a la rotura de un enlace covalente, electrn q
ue pas a la banda de conduccin. Este enlace roto pasa a ser completado por ot
ro electrn. Se puede describir este mecanismo como si se desplazara el enlace rot

o en lugar del electrn, y considerar al enlace roto como una carga elctrica mvil qu
e se denomina hueco con una masa efectiva mp diferente a la masa del electrn. De
esta forma la corriente elctrica est formada por dos tipos de portadores: los ele
ctrones de la banda de conduccin y los huecos de la banda de valencia. Las figura
s que siguen muestran el concepto de hueco visualizado desde el diagrama sen
cillo de bandas y desde el modelo del enlace covalente.

EC
EV

Electrn
Hueco
La figura que sigue muestra la direccin y sentido de la velocidad de electr
ones y huecos y del flujo de corriente J en respuesta a un campo elctrico E.
E ?

ve ?

Je ?
h ? vh

Jh ?

El campo elctrico E acta sobre electrones y huecos, y como sus cargas y velocidade
s son opuestas los flujos de corriente se suman.
Cuando el semiconductor se encuentra en estado puro se denomina semiconductor in
trnseco. En un semiconductor intrnseco la concentracin de electrones n es igual a l
a concentracin de huecos p porque por cada electrn que se encuentra en la banda de
conduccin hay un hueco en la banda de valencia. Al producirse este proceso se di
ce que se gener un par electrn-hueco. Por lo tanto, para un semiconductor intrn
seco:
n = p = ni = pi
Tanto ni como pi dependen de la temperatura T, para cada temperatura se llega a
un equilibrio para el cual se cumple que el producto n.p es una constante.
n.p = ni2 = pi2 = constante (ley de accin de masas)

Se puede demostrar que la cantidad de electrones en la banda de conduccin est dada


por:
n = NC e- (EC - EF)/kT
donde NC es la densidad efectiva de estados en la banda de conduccin expresada po

r:

? 2 ?
m * n kT ?
3 / 2
NC = 2 ?
?

?
h 2

La cantidad de huecos en la banda de valencia queda determinada por una expresin


similar:
p = NV
e(EV - EF)/kT
donde NV es la densidad efectiva de estados en la banda de valencia:

? 2 ?
N V = 2 ?
m * p kT ?
?
3 / 2
?

h 2

m*n y m*p son las masas efectivas de electrones y huecos.


Observacin:
Si se pretende validar la aplicacin de la segunda ley de Newton a un electrn en un
a red cristalina peridica se obtiene: F = m* a donde m* se denomina masa efect
iva y est dada por:

m * =
(h/2?)2 d2E dk 2
De este modo, asignando a los electrones en la red peridica una masa efectiva m
*
podemos tratarlos como si fuesen libres, y describir su movimiento en presencia
de un campo aplicado de la misma forma que para un electrn libre. Las propiedades
de la red cristalina determinan el valor de m* ya que determinan la forma de la
funcin E(k) y de su derivada segunda d2E/dk2.

Al aplicar un campo elctrico E al material semiconductor se produce la circulacin


de una corriente debida al movimiento tanto de los electrones como de los hu
ecos. Se define la conductividad ? [? cm]-1 de la muestra semiconductora intrnse
ca como:
? = q n n + q p p = q ni (n + p)
n y p son la movilidades de electrones y huecos, definidas como la ve
locidad promedio de los portadores por unidad de campo elctrico.
Conociendo la conductividad ? de la muestra semiconductora se puede expre
sar la densidad de corriente J por:
J = ? E

(ley de Ohm microscpica)

La resistividad ? de la muestra se define como la inversa de la conductividad:


? = 1/?

Ejercicios propuestos
1- En la figura se representan la funcin densidad de estados g(E), nmero de estad
os por unidad de energa y de volumen, y la funcin de probabilidad f(E) de que los
estados estn ocupados a T > 0 K para un semiconductor intrnseco. Explicar el signi
ficado de cada una de las funciones (gc(E), gv(E), f(E) , 1
f(E), n(E) y p(E).
Cmo se obtiene la concentracin de portadores para el semiconductor intrnseco (n: nmer
o de electrones en la banda de conduccin y p: nmero de huecos en la banda de val
encia?. Qu condiciones cumplen n y p para el semiconductor intrnseco?

E EC
EFi
EV
gc(E)

f(E)

1 - f(E)

n(E) = gc(E) f(E)


Area = concentracin de electrones n

p(E) = gv(E) [1 - f(E)]

gv(E)
Area = concentracin de huecos p
f(E)=0

f(E)=1

2- Demostrar que a una dada temperatura T el producto n.p=ni2 es una constante


y no depende del nivel de Fermi.
3- Suponiendo que el nivel de Fermi se encuentra exactamente en el centro de la
banda prohibida a T=300 K.
a) Calcular la probabilidad que un estado de energa en el fondo de la banda de c
onduccin est ocupado por un electrn para Si, Ge y GaAs. (Obtener datos de tablas)1.
b) Calcular la probabilidad que un estado de energa en el tope de la banda de
valencia est vaco para los mismos materiales semiconductores.
4- a) Encontrar una expresin que permita calcular la diferencia entre el nivel d
e Fermi intrnseco y el centro de la banda prohibida (EFi - EG/2).
b) Vara EFi con la temperatura? Justificar la respuesta.
c) En alguna condicin coincidir el nivel de Fermi con el centro de EG?.
5- Suponiendo que la masa efectiva de los huecos en un material es 4 veces la m
asa efectiva de los electrones calcular la temperatura a la cual el nivel de Fer
mi estar un 10% por encima del punto medio de la banda prohibida. Considerar EG=
1 eV.
1 Ver Tabla: Propiedades de Ge, Si y GaAs

6- a) Suponiendo que las movilidades de electrones y huecos no varan


con la temperatura calcular la conductividad de una muestra de silicio i
ntrnseco a T=
300K, 400K, 500K, 600K. Utilizar datos de tablas y grficos dados. b) Graficar en form
a aproximada ? = f(T).
7- A una barra de Ge de 10 cm de longitud y 2 cm2 de seccin se le aplica
una
diferencia de potencial de 10 V entre sus extremos. Los datos del material s
on: ni=2.36x1019 m-3, n(300K)= 0.39 m2/Vs y p(300K) = 0.182 m2/Vs. Determinar: a) l
a resistividad del material, b) la resistencia de la barra, c) la corriente que
circula por la barra.
Concentracin intrnseca de portadores
iferentes semiconductores (Ge, Si, GaAs).

en funcin de la temperatura

para d

Bibliografa sugerida:
Fundamentos de semiconductores, R. Pierret Dispositivos semiconductores, J. Sing
h Semiconductor physics & devices, D. Neamen
Dispositivos electrnicos para circuitos integrados, R. Muller & T. Kamins
Introduccin a la fsica de los semiconductores, R. Adler, A. Smith & R. Longini

Tabla: Propiedades del Germanio, Silicio y Arseniuro de Galio

Ge
Propiedad
Peso
Unidad
Nmero
144.6
28.1
72.6
32
g/cm3
2.33
5.32
Si
14
GaAs atmico
Densidad
atmicoo molecular

4.4x1022
Constante
16
Ancho
(tomos/cm3)
2.21x1022
5.0x1022
12
13
Densidad
de la
atmica
dielctrica
banda prohibida
relativa ?r
EG
eV
1.52
1.21
0.74
Ancho
Directa
Indirecta
Tipoa T=0K
dedeEGla banda prohibida
EG
eV
1.42
1.11
0.66
Resistividad
cm-3
2.25x106
1.5x1010
2.5x1013
45
4x108
ni a(300K)
230.000
T=300K intrnseca (300K)
Punto de fusin
?.cm
C
1238
1420
937
Movilidad n (300K)
cm2/Vs
8500
1300
3800
Movilidadefectiva
Densidad
cm2/Vs
450
500
1800
p (300K)
de estados: Banda de conduccin, NC
Banda de valencia, NV
1.04x1019
6.1x1018
2.8x1019
1.02x1019
4.7x1019
7x1018
cm-3
0.566
cm-3
mn=0.22
mn=0.33
mn=0.072
Masa
mp=0.31
mp=0.56
mp=0.50
Conductividad
Constante
W/cmC
0.81
1.5
0.6
nm
0.565
0.543
Campoefectiva
demmdisrupcin
de latrmica
dered
electrones
huecos
? 8
? 30
? 35
V/m

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