SEMICONDUCTORES

Prof: HERNAN Cortez

Galindo

QU ES UN SEMICONDUCTOR?
Elemento que se comporta como conductor o
como aislante dependiendo de las condiciones
en las que se encuentre.
El numero de electrones libres de un
semiconductor depende de los siguientes
factores: Calor, luz, campos elctricos y
magnticos.

Materiales semiconductores
Semiconductores elementales: Germanio (Ge) y Silicio (Si)
Compuestos IV: SiC y SiGe
Compuestos III-V:
Binarios: GaAs, GaP, GaSb, AlAs, AlP, AlSb, InAs, InP y InSb
Ternarios: GaAsP, AlGaAs
Cuaternarios: InGaAsP
Compuestos II-VI: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe y CdTe

Son
Son materiales
materiales de
de conductividad
conductividad intermedia
intermedia entre
entre la
la de
de
los
los metales
metales yy la
la de
de los
los aislantes,
aislantes, que
que se
se modifica
modifica en
en
gran
gran medida
medida por
por la
la temperatura,
temperatura, la
la excitacin
excitacin ptica
ptica yy
las
lasimpurezas.
impurezas.

SEMICONDUCTORES
Fundamentos de los semiconductores
tomos de Silicio y Germanio: Ms comnmente empleados en
electrnica

BANDAS DE ENERGIA

Son los niveles de un tomo los cuales pueden

estar influenciados por energa externa o
energa interna, en el tomo con estructura
cristalina ordenada estn: la banda de
conduccin, la banda de valencia

Diagramas de bandas

Energa

Diagrama de bandas del Ge

4 estados/tomo
Eg=0,67eV
- - 4 electrones/tomo
- -

Banda de conduccin
Banda prohibida
Banda de valencia

Si
Siun
unelectrn
electrnde
delalabanda
bandade
devalencia
valenciaalcanza
alcanzalalaenerga
energanecesaria
necesariapara
para
saltar
saltar aa lala banda
banda de
de conduccin,
conduccin, puede
puede moverse
moverse alal estado
estado vaco
vaco de
de lala
banda
banda de
de conduccin
conduccin de
de otro
otro tomo
tomo vecino,
vecino, generando
generando corriente
corriente
elctrica.
elctrica. AA temperatura
temperatura ambiente
ambiente algunos
algunos electrones
electrones tienen
tienen esta
esta
energa.
energa. Es
Esun
unsemiconductor.
semiconductor.

Diagramas de bandas
Banda de
conduccin
Eg
Banda de
valencia
Aislante
Eg=5-10eV

Banda de
conduccin

Banda de
conduccin

Eg

Banda de
valencia
Semiconductor
Eg=0,5-2eV

Banda de
valencia
Conductor
No hay Eg

AA 0K,
0K, tanto
tanto los
los aislantes
aislantes como
como los
los semiconductores
semiconductores no
no conducen,
conducen, ya
ya
que
queningn
ningnelectrn
electrntiene
tieneenerga
energasuficiente
suficientepara
parapasar
pasarde
delalabanda
bandade
de
valencia
valencia aa lala de
de conduccin.
conduccin. AA 300K,
300K, algunos
algunos electrones
electrones de
de los
los
semiconductores
semiconductores alcanzan
alcanzan este
este nivel.
nivel. Al
Al aumentar
aumentar lala temperatura
temperatura
aumenta
aumentalalaconduccin
conduccinen
enlos
lossemiconductores
semiconductores(al
(alcontrario
contrarioque
queen
enlos
los
metales).
metales).

Representacin plana del Germanio a 0 K

Ge

G
e

G
e

G
e

Ge

G
e

Ge

Ge

No
No hay
hay enlaces
enlaces covalentes
covalentes rotos.
rotos. Esto
Esto equivale
equivale aa que
que
los
los electrones
electrones de
de la
la banda
banda de
de valencia
valencia no
no pueden
pueden
saltar
saltar aala
labanda
banda de
deconduccin.
conduccin.

Situacin del Ge a 0K
300 K

G
e

G
e

99
Hay
1
enlace
roto
por
cada
1,710
Hay 1 enlace roto por cada 1,710 tomos.
tomos.
Un
Un electrn
electrn libre
libre yy una
una carga
carga +
+ por
por cada
cada
enlace
enlace roto.
roto.

G
e

G
e

G
e

G
e

G
e

G
e

Recombinacin
G
e

Generacin
G
e

G
e

Recombinacin

G
e

G
e

G
e

Generacin

G
e

G
e

Muy
importante

Generacin

Situacin del Ge a 300 K

Siempre
Siempre se
se estn
estn rompiendo
rompiendo (generacin)
(generacin) yy reconstruyendo
reconstruyendo
(recombinacin)
(recombinacin) enlaces.
enlaces. La
La vida
vida media
media de
de un
un electrn
electrn
puede
puede ser
serdel
delorden
ordende
de milisegundos
milisegundosoomicrosegundos.
microsegundos.

G
e

- -

G
e

-G
e

G
e

G
e

- -

G
e

G
e

G
e

+++++++

Aplicacin de un campo externo

El
Elelectrn
electrnlibre
librese
semueve
mueve por
por accin
accindel
delcampo.
campo.
Y
Yla
lacarga
carga+
+?.
?.

G
e

G
e

--

G
e

G
e

G
e

G
e

G
e

G
e

Muy
importante

+++++++

Aplicacin de un campo externo

La
Lacarga
carga +
+se
semueve
mueve tambin.
tambin. Es
Esun
un nuevo
nuevo
portador
portador de
decarga,
carga, llamado
llamado hueco
hueco..

Movimiento de cargas por un campo

elctrico exterior

jp

jn

Existe
Existecorriente
corrienteelctrica
elctricadebida
debidaaalos
losdos
dosportadores
portadoresde
decarga:
carga:

jjpp=q
=q ppp
p

jjnn=q
=q nnn
n

es
eslaladensidad
densidadde
decorriente
corrientede
dehuecos.
huecos.
es
eslaladensidad
densidadde
decorriente
corrientede
deelectrones.
electrones.

+++++

Movimiento de cargas por un campo elctrico

exterior

jp=q pp

jn=q nn

q = carga del electrn

= movilidad de los huecos

= movilidad de los electrones

p = concentracin de huecos
n = concentracin de electrones
= intensidad del campo elctrico
Ge
Si
As Ga
(cm2/Vs)

(cm2/Vs)

(cm2/Vs)

3900

1350

8500

1900

480

400

Muy
importante

Semiconductores Intrnsecos
Todo lo comentado hasta ahora se refiere a los llamados
Semiconductores Intrnsecos, en los que:
No hay ninguna impureza en la red cristalina.
Hay igual nmero de electrones que de huecos n = p = ni
Ge: ni = 21013 portadores/cm3
Si: ni = 1010 portadores/cm3
AsGa: ni = 2106 portadores/cm3
(a temperatura ambiente)

Pueden
Puedenmodificarse
modificarseestos
estosvalores?
valores?
Puede
Puededesequilibrarse
desequilibrarseel
elnmero
nmerode
deelectrones
electronesyyde
dehuecos?
huecos?
La
La respuesta
respuesta son
sonlos
los Semiconductores
Semiconductores Extrnsecos
Extrnsecos

Semiconductores Extrnsecos
Introducimos pequeas cantidades de impurezas del

Sb, P, AS (Pentavalente)

G
e

0K
-

G
e

G
e

- -

Tiene 5 electrones en la
ltima capa

Sb

G
e

G
e

G
e

G
e

grupo V

AA 0K,
0K, habra
habra un
un electrn
electrn
adicional
adicional ligado
ligado al
al tomo
tomo de
de
Sb
Sb

Semiconductores Extrnsecos Tipo N

G
e

- -

300K
0K

G
e

Ge

Sb
Sb+

Ge

G
e

Ge

Ge

AA 300K,
300K, todos
todos electrones
electrones adicionales
adicionales de
de los
los tomos
tomos de
de Sb
Sb estn
estn
desligados
desligados de
de su
su tomo
tomo (pueden
(pueden desplazarse
desplazarse yy originar
originar corriente
corriente

elctrica).
elctrica). El
El Sb
Sb es
es un
un donador
donador yy en
en elel Ge
Ge hay
hay ms
ms electrones
electrones que
que
huecos.
huecos.Es
Esun
unsemiconductor
semiconductor tipo
tipoN.
N.

Semiconductores Extrnsecos

Energa

Interpretacin en diagrama de bandas de un semiconductor

extrnseco Tipo N

+
- - -

34est./atm.
est./atm.
10electr./atom.
electr./atm.
ESb =0,039eV

300K
0K
Eg=0,67eV

4 electr./atom.

El
El Sb
Sb genera
genera un
un estado
estado permitido
permitido en
en la
la banda
banda prohibida,
prohibida,
muy
muy cerca
cerca de
de la
la banda
banda de
de conduccin.
conduccin. La
La energa
energa
necesaria
necesaria para
para alcanzar
alcanzar la
la banda
banda de
de conduccin
conduccin se
se
consigue
consigue aala
latemperatura
temperaturaambiente.
ambiente.

Semiconductores Extrnsecos Tipo P

Introducimos pequeas cantidades de impurezas del

grupo III

B, Ga, In, Al, Ta ( Trivalente)

G
e

0K
-

G
e

Ge

Tiene 3 electrones en la
ltima capa

Al

Ge

G
e

Ge

Ge

AA 0K,
0K, habra
habra una
una falta
falta de
de
electrn
electrn adicional
adicional ligado
ligado al
al
tomo
tomo de
de Al
Al

Semiconductores Extrnsecos Tipo P

G
e

300K
0K

G
4 (extra) e

Ge

Al
Al

Ge

G
e

Ge

Ge

AA 300K,
300K, todas
todas las
las faltas
faltas de
de electrn
electrn de
de los
los tomos
tomos de
de Al
Al
estn
estn cubiertas
cubiertas con
con un
un electrn
electrn procedente
procedente de
de un
un tomo
tomo de
de
Ge,
Ge, en
en el
el que
que se
se genera
genera un
un hueco.
hueco. El
El Al
Al es
es un
un aceptador
aceptador yy
en
en el
el Ge
Ge hay
hay ms
ms huecos
huecos que
que electrones.
electrones. Es
Es un
un
semiconductor
semiconductor tipo
tipo P.
P.

Semiconductores Extrnsecos

Energa

Interpretacin en diagrama de bandas de un semiconductor

extrnseco Tipo P

4 est./atom.
EAl =0,067eV

+- - 34 electr./atom.
electr./atom.
- - 10 hueco/atom.
huecos/atom.

300K
0K
Eg=0,67eV

El
El Al
Al genera
genera un
un estado
estado permitido
permitido en
en la
la banda
banda prohibida,
prohibida, muy
muy
cerca
cerca de
de la
la banda
banda de
de valencia.
valencia. La
La energa
energa necesaria
necesaria para
para que
que
un
un electrn
electrn alcance
alcance este
este estado
estado permitido
permitido se
se consigue
consigue aa la
la
temperatura
temperatura ambiente,
ambiente, generando
generando un
un hueco
hueco en
en la
la banda
banda de
de
valencia.
valencia.

Resumen
Semiconductores intrnsecos:

Muy
importante

Igual nmero de huecos y de electrones

Semiconductores extrnsecos:
Tipo P:
Ms huecos (mayoritarios) que electrones (minoritarios)
Impurezas del grupo III (aceptador)
Todos los tomos de aceptador ionizados -.

Tipo N:
Ms electrones (mayoritarios) que huecos (minoritarios)
Impurezas del grupo V (donador)
Todos los tomos de donador ionizados +.

Ecuaciones en los semiconductores extrnsecos

ND= concentr. donador

NA= concentr. aceptador

Neutralidad elctrica (el semiconductor intrnseco era

neutro y la sustancia dopante tambin, por lo que tambin
lo ser el semiconductor extrnseco):
Dopado
Dopadotipo
tipoN:
N:
Dopado
Dopadotipo
tipoP:
P:

nn== pp++ NND

D
nn++NNAA==pp

Ambos
Ambosdopados:
dopados: nn ++NNAA ==pp ++NNDD
Producto np

Muy
importante

pn
pn =n
=ni2i2

Simplificaciones si ND >> ni
n=ND
NDp = ni2

Simplificaciones si NA >> ni
p=NA
NAn = ni2

DIODOS SEMICONDUCTORES
Semiconductor extrnseco

Sb

Sb

Electrones libres

Sb

Sb

Sb

Sb
Sb

Sb

Sb

Sb

Sb

: TIPO N

Sb

Sb

Sb

Sb

Impurezas
grupo V

Sb

300K

tomos de impurezas ionizados

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo N son

electrones libres

DIODOS SEMICONDUCTORES
Semiconductor extrnseco

: TIPO P

Al

Al

Al

Huecos libres

Al

Al

Al

Al
Al

Al

Al

Al

Al

Al

Al

Al

Impurezas grupo III

Al
300K

tomos de impurezas ionizados

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo P son

Huecos. Actan como portadores de carga positiva.

La unin P-N
La unin P-N en equilibrio

Semiconductor tipo P

+
+

+
+

+
+

+
+

Semiconductor tipo N

La unin P-N
La unin P-N en equilibrio

Zona de transicin

Semiconductor tipo P

+
-

+
+

+
+

+
+

+
+

Semiconductor tipo N

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de carga
espacial denominada zona de transicin. Que acta como una barrera para el
paso de los portadores mayoritarios de cada zona.