Centro Universitrio Fundao Educacional

de Barretos

Engenharia Eltrica 4 Termo

Diodo 1N4007

Adriel Molezinne

R.A. 523558

Joo Vitor Alves de A. Barros

R.A. 523680

Jacyana Saraiva M. M. Galvo

R.A. 526494

Barretos, So Paulo.
03/09/2015

Introduo
Materiais semicondutores so a base de todos os dispositivos eletrnicos. Um
semicondutor pode ter sua condutividade controlada por meio da adio de tomos de
outros materiais, em um processo chamado de dopagem. Em geral, os dopantes so
inseridos em camadas no cristal semicondutor e, assim, diferentes dispositivos podem
ser construdos dispondo-se adequadamente as camadas com os diferentes dopantes.
Um diodo semicondutor consiste numa juno de uma camada de semicondutor
tipo N com outra de semicondutor tipo P. Num semicondutor tipo N, os portadores de
carga ou seja, as partculas que participam da conduo eltrica so eltrons
livres, enquanto, num semicondutor tipo P, so buracos livres, de carga positiva. Em
semicondutores dopados, os eltrons e os buracos so provenientes dos tomos
dopantes. Na juno de um material tipo N com um tipo P, os eltrons prximos
juno difundem da regio N para a P, enquanto os buracos difundem no sentido oposto.
Quando esses eltrons e buracos se encontram, eles recombinam-se, deixando, na
interface, uma regio com os ons positivos e negativos dos dopantes. Essa regio
desprovida de portadores de carga e chamada regio de depleo.
Os ons criam um campo eltrico, nessa regio, que impede a continuidade da
difuso de eltrons e de buracos. Ao ser conectada a uma fonte de fora eletromotriz,
uma juno P-N permite o fluxo de corrente apenas em um sentido da regio P para a
regio N.
A camada de depleo gera uma tenso interna inversa ao dos terminais, da
ordem de V = 0,7 V, sendo que esta poder variar de acordo com as caractersticas do
material (dopagem, tipo de material, etc.) e a temperatura ambiente.

Materiais e Mtodos
O procedimento foi realizado no laboratrio do Centro Universitrio da
Fundao Educacional de Barretos, no dia 13 de agosto de 2015, com a utilizao de um
pront-board, uma fonte de tenso contnua, uma resistncia (330 ), multmetros e um
diodo 1N4007. Assim foi montado o circuito:

Inicialmente foi aplicada uma tenso de 50mV e aumentando outros 50mV a

cada verificao da corrente eltrica do circuito.

Resultados
Voltagem

Corrente

(mV)
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500

(mA)
0
0
0
0
0
0
1
9
33
79

Voltagem

Corrente

(mV)
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000

(mA)
133
212
300
385
482
577
676
782
894
990

Diodo 1N4007

990
894
782
676
577
482
385
300
212

33

79

133

O grfico construdo apresenta a curva caracterstica do diodo. Observamos que

at 0,3 V o diodo no permite a passagem de corrente. A partir de valores acima de 0,3
V este comea a apresentar um comportamento aproximadamente linear (hmico), ou
seja, o aumento de corrente em funo da tenso aplicada forma uma reta, podendo
assim o diodo ser considerado nessa regio de tenso com o um resistor em srie com a
fonte de tenso. Podemos dizer que V, proporcionada pela barreira de potencial dentro
do diodo aproximadamente 0,3 V. Sabemos pela literatura que o valor de V do
Germnio de 0,3 V. Portanto, podemos concluir que o diodo utilizado em nosso
experimento de Germnio.

Concluso
O experimento demonstrou as caractersticas do diodo diretamente polarizado, o
qual provou conduzir a corrente do circuito quando ligado o seu catodo ao lado mais
negativo do circuito. Com a caracterizao da camada de depleo, que neste diodo em
especfico possui um V prximo a 0,7V, quando a linha se torna linear e conserva-se a
lei de Ohm.